JP2738838B2 - 光磁気ピックアップ - Google Patents
光磁気ピックアップInfo
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/1055—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers
- G11B11/10576—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers with provision for moving the transducers for maintaining alignment or spacing relative to the carrier
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- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光磁気ピックアップ、より詳細には所謂マル
チビーム方式の光磁気ピックアップに関する。
チビーム方式の光磁気ピックアップに関する。
［従来の技術］ 情報を光磁気記録媒体に記録する場合、一般に、記録
を行なったのち確認のための再生が行なわれる。このた
め所謂シングルビーム方式即ち、単一の光束を用いる光
磁気ピックアップでは、光情報の記録の際、記録を行な
ったのちに確認再生を行なわねばならないので、記録に
必要な時間が長時間かかるという問題がある。
を行なったのち確認のための再生が行なわれる。このた
め所謂シングルビーム方式即ち、単一の光束を用いる光
磁気ピックアップでは、光情報の記録の際、記録を行な
ったのちに確認再生を行なわねばならないので、記録に
必要な時間が長時間かかるという問題がある。
このような事情に鑑みて、近来、複数の光束を用い
る、所謂マルチビーム方式の光磁気ピックアップが提案
されている（例えば、昭和63年電子情報通信学会春季全
国大会予稿集Ｃ−57:3.5インチ小型光ディスク装置の試
作）。
る、所謂マルチビーム方式の光磁気ピックアップが提案
されている（例えば、昭和63年電子情報通信学会春季全
国大会予稿集Ｃ−57:3.5インチ小型光ディスク装置の試
作）。
マルチビーム方式の光磁気ピックアップでは、複数の
光束を用いるので、その内の一つで記録を行ないつつ、
同時に他の一つの光束で確認再生を行なえば記録と確認
再生とを実質的に同時に行なえるので記録時間を大幅に
短縮できる。
光束を用いるので、その内の一つで記録を行ないつつ、
同時に他の一つの光束で確認再生を行なえば記録と確認
再生とを実質的に同時に行なえるので記録時間を大幅に
短縮できる。
このようにマルチビーム方式の光磁気ピックアップと
して、従来は互いに別体の光源を複数用いる複数光源方
式のものと、発光源が複数有る半導体レーザーアレイを
用いるLDアレイ方式とが意図されている。
して、従来は互いに別体の光源を複数用いる複数光源方
式のものと、発光源が複数有る半導体レーザーアレイを
用いるLDアレイ方式とが意図されている。
［発明が解決しようとする課題］ マルチビーム方式の光磁気ピックアップでは、複数の
発光源からの光束を同一の対物レンズにより光磁気記録
媒体の同一トラック上に別個に収束させるのであるが、
これら複数の光束を同時に光磁気記録媒体上に合焦させ
るためには、各発光源の位置精度を極めて高くしなけれ
ばならず、光源の取り付け作業が難しくなる。
発光源からの光束を同一の対物レンズにより光磁気記録
媒体の同一トラック上に別個に収束させるのであるが、
これら複数の光束を同時に光磁気記録媒体上に合焦させ
るためには、各発光源の位置精度を極めて高くしなけれ
ばならず、光源の取り付け作業が難しくなる。
また、LDアレイ方式では、各チップの温度変動が相互
に影響するのを避けるため、発光源間の間隔を有る程度
以上小さくすることが出来ず、このためトラック上に集
束する各光束のスポット間距離の最小値がLDアレイによ
り規定されてしまうという問題があり、またスポット間
距離のばらつきを抑えるためにLDアレイに於けるチップ
間距離の測定が必要となり、光磁気ピックアップ組み立
ての工程が増え、光磁気ピックアップのコストの軽減が
難しい。
に影響するのを避けるため、発光源間の間隔を有る程度
以上小さくすることが出来ず、このためトラック上に集
束する各光束のスポット間距離の最小値がLDアレイによ
り規定されてしまうという問題があり、またスポット間
距離のばらつきを抑えるためにLDアレイに於けるチップ
間距離の測定が必要となり、光磁気ピックアップ組み立
ての工程が増え、光磁気ピックアップのコストの軽減が
難しい。
また、半導体レーザーの発振波長は周知の如く温度に
より変動する。LDアレイを光源として用いる光磁気ピッ
クアップでは、個々の発光源を持つ半導体レーザーは同
じ出力で発光させることはないので、個々の発光源ごと
に発振波長がことなり、光学系の色収差により各光束毎
に、対物レンズによる集束位置が光軸方向へずれること
になる。２波長HLDアレイを光源とする場合も、各発光
源の波長がもともと異なるのであるから、矢張り上記の
色収差の問題が発生する。この問題を解決する方法とし
ては光学系に色消しレンズを用いることが考えられる
が、色消しレンズは高価で有るので光磁気ピックアップ
のコストが高くなってしまうという問題を招来する。
より変動する。LDアレイを光源として用いる光磁気ピッ
クアップでは、個々の発光源を持つ半導体レーザーは同
じ出力で発光させることはないので、個々の発光源ごと
に発振波長がことなり、光学系の色収差により各光束毎
に、対物レンズによる集束位置が光軸方向へずれること
になる。２波長HLDアレイを光源とする場合も、各発光
源の波長がもともと異なるのであるから、矢張り上記の
色収差の問題が発生する。この問題を解決する方法とし
ては光学系に色消しレンズを用いることが考えられる
が、色消しレンズは高価で有るので光磁気ピックアップ
のコストが高くなってしまうという問題を招来する。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであっ
て、その目的とする所は上述の諸問題を有効に解決した
新規な光磁気ピックアップの提供にある。
て、その目的とする所は上述の諸問題を有効に解決した
新規な光磁気ピックアップの提供にある。
［課題を解決するための手段］ 本発明の光磁気ピックアップは、単一発光源の半導体
レーザーから、強度が互いに異なる少なくとも２本の光
束を得、これらの光束を同一の対物レンズにより、光磁
気記録媒体の同一トラック上に別個に集束させ、情報の
記録、再生、消去を行う光磁気ピックアップであって、
以下の如き特徴を有する。
レーザーから、強度が互いに異なる少なくとも２本の光
束を得、これらの光束を同一の対物レンズにより、光磁
気記録媒体の同一トラック上に別個に集束させ、情報の
記録、再生、消去を行う光磁気ピックアップであって、
以下の如き特徴を有する。
即ち、記録モードでは、強度の強い光束により情報の
記録を行うとともに、強度の弱い光束により記録情報の
確認再生を行い、再生モードでは、記録モードにおける
記録用の光束を再生用光束として用い、かつ半導体レー
ザーの出力を弱め、上記再生用光束以外の光束により光
磁気記録媒体の保磁力が影響を受けないようにして再生
を行う。
記録を行うとともに、強度の弱い光束により記録情報の
確認再生を行い、再生モードでは、記録モードにおける
記録用の光束を再生用光束として用い、かつ半導体レー
ザーの出力を弱め、上記再生用光束以外の光束により光
磁気記録媒体の保磁力が影響を受けないようにして再生
を行う。
［作用］ 単一発光源の半導体レーザーから、強度が互いに異な
る少なくとも２本の光束を得るのには、複屈折性結晶を
用いた偏光子を用いる。
る少なくとも２本の光束を得るのには、複屈折性結晶を
用いた偏光子を用いる。
このように、本発明の光ピックアップでは、光源とし
て単一発光源の半導体レーザーを用い、この単一発光源
から、複数の光束を得てマルチビーム方式を実現する。
て単一発光源の半導体レーザーを用い、この単一発光源
から、複数の光束を得てマルチビーム方式を実現する。
例えば、２本の光束を得る場合であれば、これらのう
ちの一方を記録用、他方を確認再生用とする。
ちの一方を記録用、他方を確認再生用とする。
この場合、記録用の光束と確認再生用の光束とでは強
度が異なり、記録用には強度の強い光束が使用される。
度が異なり、記録用には強度の強い光束が使用される。
記録モードでは、強度の強い記録用の光束で記録を行
ないつつ、強度の弱い光束で確認再生を行なう。また、
再生モードでは、記録モードで記録用に用いられた光束
で再生が行なわれる。このときこの半導体レーザーの出
力が弱められるので、他の光束の強度は、再生光束より
もさらに弱くなり、従って他の光束により光磁気記録媒
体の保磁力が影響を受けないようにすることができる。
ないつつ、強度の弱い光束で確認再生を行なう。また、
再生モードでは、記録モードで記録用に用いられた光束
で再生が行なわれる。このときこの半導体レーザーの出
力が弱められるので、他の光束の強度は、再生光束より
もさらに弱くなり、従って他の光束により光磁気記録媒
体の保磁力が影響を受けないようにすることができる。
［実施例］ 以下、図面を参照しながら具体的な実施例に即して説
明する。
明する。
第１図（Ｉ）に示す実施例に於いて、符号１で示す単
一発光源の半導体レーザーから放射された単一の光束
は、カップリングレンズ２により平行光束とされ、ビー
ム整形用のプリズム３によりビーム整形され、続いてウ
ォラストンプリズム４を透過することにより偏光成分に
従って２光束に分離される。分離された２光束はビーム
スプリッター５を透過し、対物レンズ６の作用にて、光
磁気記録媒体としての光磁気ディスク７の記録面上に微
少なスポットα、βとして集束する。
一発光源の半導体レーザーから放射された単一の光束
は、カップリングレンズ２により平行光束とされ、ビー
ム整形用のプリズム３によりビーム整形され、続いてウ
ォラストンプリズム４を透過することにより偏光成分に
従って２光束に分離される。分離された２光束はビーム
スプリッター５を透過し、対物レンズ６の作用にて、光
磁気記録媒体としての光磁気ディスク７の記録面上に微
少なスポットα、βとして集束する。
光磁気ディスク７からの反射光は、対物レンズ６を介
してビームスプリッター５に入射し、反射されるとレン
ズ８の作用で集光光束となり、一部は、ナイフエッジを
持った反射プリズム９により反射され、シリンドリカル
レンズ10を介して受光素子11に入射し、残りの光束部分
は1/2波長板12を介し、ウォラストンプリズム13に入射
し、これを通過すると、受光素子14に入射する。第１図
に於いて符号15は磁気ヘッドを示している。
してビームスプリッター５に入射し、反射されるとレン
ズ８の作用で集光光束となり、一部は、ナイフエッジを
持った反射プリズム９により反射され、シリンドリカル
レンズ10を介して受光素子11に入射し、残りの光束部分
は1/2波長板12を介し、ウォラストンプリズム13に入射
し、これを通過すると、受光素子14に入射する。第１図
に於いて符号15は磁気ヘッドを示している。
ウォラストンプリズム4,13は、複屈折性結晶を用いた
他の偏光子、例えばロッションプリズム等で置き換える
ことができる。この実施例で、ウォラストンプリズム４
は、単一発光源の半導体レーザー１から複数の光束を得
る手段である。
他の偏光子、例えばロッションプリズム等で置き換える
ことができる。この実施例で、ウォラストンプリズム４
は、単一発光源の半導体レーザー１から複数の光束を得
る手段である。
ウォラストンプリズム4,13の光学作用を、ウォラスト
ンプリズム４を例にとり、第３図を参照して説明する。
ンプリズム４を例にとり、第３図を参照して説明する。
第３図（Ｉ）に示す様に、ウォラストンプリズム４に
入射する光束をL1とすると、ウォラストンプリズム４を
通過した光束はＰ偏光の光束LPと、Ｓ偏光の光束LSとに
分離される。
入射する光束をL1とすると、ウォラストンプリズム４を
通過した光束はＰ偏光の光束LPと、Ｓ偏光の光束LSとに
分離される。
第３図（II）に示す様に、入射光束L1の偏光面の入射
角度をθとすると、周知の如く、透過光LPとLSとの強度
比P:Sは P:S＝cos2θ:sin2θ となる。従って、上記入射角度θを変えることにより、
光束LP,LSの強度比を任意に設定できる。
角度をθとすると、周知の如く、透過光LPとLSとの強度
比P:Sは P:S＝cos2θ:sin2θ となる。従って、上記入射角度θを変えることにより、
光束LP,LSの強度比を任意に設定できる。
第１図（Ｉ）に戻って、この実施例では仮に、光束L
P,LSの強度比はP:S＝3:1であるとする。このことは、co
s2θ:sin2θ意味するからtan2θ＝1/3、即ち であり、入射角度θ＝30度を意味する。
P,LSの強度比はP:S＝3:1であるとする。このことは、co
s2θ:sin2θ意味するからtan2θ＝1/3、即ち であり、入射角度θ＝30度を意味する。
上記入射角を変えるには、半導体レーザー１と、カッ
プリングレンズ２と、プリズム３とを一体として回転し
ても良いし、ウォラストンプリズム４の前に波長板を挿
入しても良く、種々の方法が考えられるが、これらの方
法ではウォラストンプリズム４に入射した光を全て利用
できるので光の利用効率が良い。光束LP,LSの強度比を
変える方法としてビームスプリッターの偏光透過率を変
える方法を用いることも出来る。但しこの方法は光の利
用効率の面からして、上述の方法に劣る。
プリングレンズ２と、プリズム３とを一体として回転し
ても良いし、ウォラストンプリズム４の前に波長板を挿
入しても良く、種々の方法が考えられるが、これらの方
法ではウォラストンプリズム４に入射した光を全て利用
できるので光の利用効率が良い。光束LP,LSの強度比を
変える方法としてビームスプリッターの偏光透過率を変
える方法を用いることも出来る。但しこの方法は光の利
用効率の面からして、上述の方法に劣る。
次ぎに、第１図の実施例に於いて、光磁気ディスク７
の記録面上に集束する２つの光束LP,LSによるスポット
α、βのスポット間隔に付き説明する。
の記録面上に集束する２つの光束LP,LSによるスポット
α、βのスポット間隔に付き説明する。
第２図は、ウォラストンプリズムの光学作用を説明す
るための図である。
るための図である。
ウォラストンプリズムを構成する２つのプリズムのプ
リズム角度を図の如くφとする。
リズム角度を図の如くφとする。
プリズムP1中では、Ｐ偏光は異常光線、Ｓ偏光は常光
線となり、プリズムP2中では逆にＳ偏光は異常光線、Ｐ
偏光は常光線となる。
線となり、プリズムP2中では逆にＳ偏光は異常光線、Ｐ
偏光は常光線となる。
常光線に対する屈折率をno,異常光線に対する屈折率
をnEとし、図の如く角▲θP 1▼，▲θP 2▼，▲θP 3▼及
び角▲θS 1▼，▲θS 1▼，▲θS 1▼を定めると、Ｐ偏光
に対しては、 が、またＳ偏光に対しては、 が成り立つ。これらの式から、▲θP 3▼，▲θS 3▼は角
φにより決定され、従って分離角Φ＝▲θP 3▼＋▲θS 3
▼はφの値により定まる。φの値による分離角Φの例を
表１に示す。
をnEとし、図の如く角▲θP 1▼，▲θP 2▼，▲θP 3▼及
び角▲θS 1▼，▲θS 1▼，▲θS 1▼を定めると、Ｐ偏光
に対しては、 が、またＳ偏光に対しては、 が成り立つ。これらの式から、▲θP 3▼，▲θS 3▼は角
φにより決定され、従って分離角Φ＝▲θP 3▼＋▲θS 3
▼はφの値により定まる。φの値による分離角Φの例を
表１に示す。
対物レンズ６の焦点距離をfoとすると、光磁気ディス
ク７の記録面上に２光束を集束させたときの各スポット
間の距離doは、上記分離角Φに応じて、do＝2fo・tan
（Φ/2）で与えられるから、ｆ＝4mmとして、上記φと
スポット間距離と関係を表すと表２の如くになる。
ク７の記録面上に２光束を集束させたときの各スポット
間の距離doは、上記分離角Φに応じて、do＝2fo・tan
（Φ/2）で与えられるから、ｆ＝4mmとして、上記φと
スポット間距離と関係を表すと表２の如くになる。
従って、ウォラストンプリズム４の構成を変えてφを
変えるのみで、容易にスポット間隔doを変えることがで
きる。
変えるのみで、容易にスポット間隔doを変えることがで
きる。
なお、ウォラストンプリズム４に変えてホログラム等
の回折格子を用いても良い。ウォラストンプリズムや回
折格子等はその製法により入射光束を２光束のみならず
３光束に分離することも可能であり、３光束に分離すれ
ば各光束を、消去、記録、確認再生に用いることもでき
る。
の回折格子を用いても良い。ウォラストンプリズムや回
折格子等はその製法により入射光束を２光束のみならず
３光束に分離することも可能であり、３光束に分離すれ
ば各光束を、消去、記録、確認再生に用いることもでき
る。
さて、再び第１図（Ｉ）に戻って、先ず情報の記録モ
ードを説明する。
ードを説明する。
前述の如く、ウォラストンプリズム４によって２分割
された光束LP,LSは強度比31で光束LPの方が強度が強
い。そこでこの光束によるスポットαにより記録を行な
い、光束LSによるスポットβにより確認再生を行なう。
された光束LP,LSは強度比31で光束LPの方が強度が強
い。そこでこの光束によるスポットαにより記録を行な
い、光束LSによるスポットβにより確認再生を行なう。
このときスポットαのエネルギー強度をこの実施例で
は3mw、スポットβのそれを1mvとする。
は3mw、スポットβのそれを1mvとする。
光磁気ディスク７を回転させつつ、半導体レーザー１
を一定強度で連続点灯し、情報信号により磁気ヘッド15
を変調する。するとこの変調によりスポットαの照射位
置に於ける記録面の磁化方向が情報信号に応じて変化
し、情報信号は光磁気ディスク７に磁気信号として記録
される。また、この記録とともに、それ以前に記録され
ていた情報は消去される。即ち、光束LPのスポットαに
より記録と消去とが同時に行なわれる。
を一定強度で連続点灯し、情報信号により磁気ヘッド15
を変調する。するとこの変調によりスポットαの照射位
置に於ける記録面の磁化方向が情報信号に応じて変化
し、情報信号は光磁気ディスク７に磁気信号として記録
される。また、この記録とともに、それ以前に記録され
ていた情報は消去される。即ち、光束LPのスポットαに
より記録と消去とが同時に行なわれる。
一方、スポットαにより記録された情報は、ただちに
スポットβにより照射され、その結果により確認再生が
行なわれる。
スポットβにより照射され、その結果により確認再生が
行なわれる。
ここで、この確認再生と、スポットα、βに対するフ
ォーカシング、トラッキングを説明する。
ォーカシング、トラッキングを説明する。
光磁気ディスク７からの反射光は、前述の如く、対物
レンズ６とビームスプリッター５を介してレンズ８を通
過すると、集束光束となって、一部は反射プリズム９に
より反射されて、シリンドリカルレンズ10を介して受光
素子11に入射する。
レンズ６とビームスプリッター５を介してレンズ８を通
過すると、集束光束となって、一部は反射プリズム９に
より反射されて、シリンドリカルレンズ10を介して受光
素子11に入射する。
受光素子11は、第１図（II）に示すように、４つの受
光部A,B,C,Dを有し、受光量に応じて、上記各受光部か
ら出力a,b,c,dが得られるようになっている。シリンド
リカルレンズ10は第１図（Ｉ）の図面に直交する方向に
母線方向を向けており、従って、スポットα、βの反射
光はそれぞれ、第１図（Ｉ）の左右方向にレンズ作用を
受けて、第１図（II）に示すように、スポットαの反射
光は受光部C,Dにまたがって、またスポットβの反射光
は受光部A,Bにまたがって、それぞれ楕円形状のスポッ
トA1,B1として入射する。第１図（II）の上下方向は、
同図（Ｉ）で図面に直交する方向である。スポットα、
βにトラックずれがあると、スポットA1,B1はその長手
方向（第１図（Ｉ）で図面に直交する方向、即ちトラッ
ク直交方向に対応する）にずれるので、スポットαに付
いては（ｄ−ｃ）を、またスポットβに付いては（ａ−
ｂ）を、それぞれトラック誤差信号としてトラッキング
サーボを行なうことによりトラッキング制御を行なうこ
とができる。
光部A,B,C,Dを有し、受光量に応じて、上記各受光部か
ら出力a,b,c,dが得られるようになっている。シリンド
リカルレンズ10は第１図（Ｉ）の図面に直交する方向に
母線方向を向けており、従って、スポットα、βの反射
光はそれぞれ、第１図（Ｉ）の左右方向にレンズ作用を
受けて、第１図（II）に示すように、スポットαの反射
光は受光部C,Dにまたがって、またスポットβの反射光
は受光部A,Bにまたがって、それぞれ楕円形状のスポッ
トA1,B1として入射する。第１図（II）の上下方向は、
同図（Ｉ）で図面に直交する方向である。スポットα、
βにトラックずれがあると、スポットA1,B1はその長手
方向（第１図（Ｉ）で図面に直交する方向、即ちトラッ
ク直交方向に対応する）にずれるので、スポットαに付
いては（ｄ−ｃ）を、またスポットβに付いては（ａ−
ｂ）を、それぞれトラック誤差信号としてトラッキング
サーボを行なうことによりトラッキング制御を行なうこ
とができる。
また、上記レンズ８により集束光となった反射光のう
ち、反射プリズム９により反射されなかった部分は、前
述の如く1/2波長板12により偏光面を45度旋回されウォ
ラストンプリズム13に入射し、再び、Ｓ成分とＰ成分と
に分離される。
ち、反射プリズム９により反射されなかった部分は、前
述の如く1/2波長板12により偏光面を45度旋回されウォ
ラストンプリズム13に入射し、再び、Ｓ成分とＰ成分と
に分離される。
ウォラストンプリズム13は、第４図に示すように、ウ
ォラストンプリズム４とは、光束の分離方向が直交する
ように配備されており、結局、第４図に示すように４つ
の光束LP1,LP2,LS1,LS2が得られる。光束LP1,LP2はスポ
ットαによる反射光であり、光束LS1,LS2はスポットβ
による反射光である。
ォラストンプリズム４とは、光束の分離方向が直交する
ように配備されており、結局、第４図に示すように４つ
の光束LP1,LP2,LS1,LS2が得られる。光束LP1,LP2はスポ
ットαによる反射光であり、光束LS1,LS2はスポットβ
による反射光である。
これら光束は受光素子14に入射する。受光素子14は第
１図（III）に示すように８つの受光部E,F,G,H,I,J,K,L
を有し、各受光部からは受光量に応じて出力e,f,g,h,i,
j,k,lが出力されるようになっている。光束LP1は、第１
図（III）に示すように受光部E,Hにまたがってスポット
LP10として入射し、また光束LP2,LS1,LS2はそれぞれス
ポットLP20,LS10,LS20として第１図（III）に示すよう
に入射する。スポットLP10,LS10はＰ偏光成分であり、
スポットLP20,LS20はＳ偏光成分である。
１図（III）に示すように８つの受光部E,F,G,H,I,J,K,L
を有し、各受光部からは受光量に応じて出力e,f,g,h,i,
j,k,lが出力されるようになっている。光束LP1は、第１
図（III）に示すように受光部E,Hにまたがってスポット
LP10として入射し、また光束LP2,LS1,LS2はそれぞれス
ポットLP20,LS10,LS20として第１図（III）に示すよう
に入射する。スポットLP10,LS10はＰ偏光成分であり、
スポットLP20,LS20はＳ偏光成分である。
そこで、信号（ｉ＋ｊ）−（ｌ＋ｋ）を見ると、この
信号はスポットβに対する、公知のナイフエッジ法によ
るフォーカス誤差信号を与えており、同様に、信号（ｅ
＋ｆ）−（ｇ＋ｈ）はスポットαに対するフォーカス誤
差信号を与えている。従って、これらフォーカス誤差信
号に基づき、公知のフォーカスサーボを行なって、スポ
ットα、βに対するフォーカシング制御を行なうことが
できる。
信号はスポットβに対する、公知のナイフエッジ法によ
るフォーカス誤差信号を与えており、同様に、信号（ｅ
＋ｆ）−（ｇ＋ｈ）はスポットαに対するフォーカス誤
差信号を与えている。従って、これらフォーカス誤差信
号に基づき、公知のフォーカスサーボを行なって、スポ
ットα、βに対するフォーカシング制御を行なうことが
できる。
さて、スポットα、βは、それぞれ光磁気ディスクに
照射されるときは、それぞれＰ偏光、Ｓ偏光であるが、
光磁気ディスク７で反射される際にカー効果により偏光
面を旋回される。
照射されるときは、それぞれＰ偏光、Ｓ偏光であるが、
光磁気ディスク７で反射される際にカー効果により偏光
面を旋回される。
そこで受光素子14の各受光部からの出力から、信号
（ｉ＋ｌ）−（ｊ＋ｋ）及び（ｅ＋ｈ）−（ｆ＋ｇ）を
作ると、これらは、それぞれスポットβ、αに関する光
磁気信号である。従って、スポットβに関する光磁気信
号により情報の再生を行なえば、スポットαを通じて記
録された情報を確認再生することができる。
（ｉ＋ｌ）−（ｊ＋ｋ）及び（ｅ＋ｈ）−（ｆ＋ｇ）を
作ると、これらは、それぞれスポットβ、αに関する光
磁気信号である。従って、スポットβに関する光磁気信
号により情報の再生を行なえば、スポットαを通じて記
録された情報を確認再生することができる。
ここで、第５図を参照して、半導体レーザー１から放
射されたのち、光束の偏光面と強度がどのように変化す
るかを、簡単に説明する。
射されたのち、光束の偏光面と強度がどのように変化す
るかを、簡単に説明する。
第５図（Ｉ）は、光束L1がウォラストンプリズム４に
入射する前の状態であり、偏光面の入射角度θは、当該
実施例では前述のとおり30度である。この光束の強度を
Ｚとする。
入射する前の状態であり、偏光面の入射角度θは、当該
実施例では前述のとおり30度である。この光束の強度を
Ｚとする。
さてウォラストンプリズム４を透過すると、光束は２
光束に分離される。その内光束LPの強度は、図の如くＺ
・cos2θ、光束LSの強度はＺ・sin2θである（第５図
（II−１），（II−２））。
光束に分離される。その内光束LPの強度は、図の如くＺ
・cos2θ、光束LSの強度はＺ・sin2θである（第５図
（II−１），（II−２））。
次いで、ビームスプリッター５を透過すると、ビーム
スプリッター５に於けるＰ偏光強度透過率をa1,S偏光の
それをb1として、光束LP,LSの強度は、それぞれ第５図
（III−１），（III−２）に示す如くになる。続いて、
光磁気ディスク７に入射した光束LP,LSは、反射される
がこの反射の際にカー効果による偏光面の回転を受け
る。この回転角をθＫとする。また、光磁気ディスク７
の反射率をγとする。するとスポットα、βによる反射
光の強度は、第５図（IV−１），（VI−２）に示すよう
にそれぞれ、γa1Zcos2θ，γb1Zsin2θとなる。
スプリッター５に於けるＰ偏光強度透過率をa1,S偏光の
それをb1として、光束LP,LSの強度は、それぞれ第５図
（III−１），（III−２）に示す如くになる。続いて、
光磁気ディスク７に入射した光束LP,LSは、反射される
がこの反射の際にカー効果による偏光面の回転を受け
る。この回転角をθＫとする。また、光磁気ディスク７
の反射率をγとする。するとスポットα、βによる反射
光の強度は、第５図（IV−１），（VI−２）に示すよう
にそれぞれ、γa1Zcos2θ，γb1Zsin2θとなる。
さらにビームスプリッター５により反射したのちは、
Ｐ偏光強度反射率をc1、Ｓ偏光強度反射率をd1として、
スポットα、βに関する反射光の強度は、それぞれ、第
５図（Ｖ−１），（Ｖ−２）に示すようになる。このと
き、各反射光の偏光面は上記c1とd1とが異なるため、さ
らに角▲θ′ ｋ▼に変化する。
Ｐ偏光強度反射率をc1、Ｓ偏光強度反射率をd1として、
スポットα、βに関する反射光の強度は、それぞれ、第
５図（Ｖ−１），（Ｖ−２）に示すようになる。このと
き、各反射光の偏光面は上記c1とd1とが異なるため、さ
らに角▲θ′ ｋ▼に変化する。
続いて、1/2波長板12を通過すると、スポットα、β
に関する角反射光は、その強度をそれぞれγa1c1Zcos2
θ，γb1d1Zsinθに保ったまま、その偏光面が45度旋回
するのでウォラストンプリズム13に対する偏光面の入射
角度は、それぞれ角▲θ′ ｋ▼＋45度となる（第５図
（VI−１），（VI−２）参照）。
に関する角反射光は、その強度をそれぞれγa1c1Zcos2
θ，γb1d1Zsinθに保ったまま、その偏光面が45度旋回
するのでウォラストンプリズム13に対する偏光面の入射
角度は、それぞれ角▲θ′ ｋ▼＋45度となる（第５図
（VI−１），（VI−２）参照）。
そしてウォラストンプリズム13を透過したのちは、ス
ポットαに関する反射光は第５図（VII−１）に示すＳ
偏光成分と、（VII−２）に示すＰ偏光成分に分かれ、
スポットβに関する反射光は第５図（VII−３）に示す
Ｓ偏光成分と、（VII−４）に示すＰ偏光成分に分かれ
る。
ポットαに関する反射光は第５図（VII−１）に示すＳ
偏光成分と、（VII−２）に示すＰ偏光成分に分かれ、
スポットβに関する反射光は第５図（VII−３）に示す
Ｓ偏光成分と、（VII−４）に示すＰ偏光成分に分かれ
る。
これらの４つに分離した光束が、それぞれ、第１図
（III）に示すたスポットLP10,LP20,LS10,LS20である。
（III）に示すたスポットLP10,LP20,LS10,LS20である。
さて、最後に再生モードを説明する。
前述した記録モード（オーバーライトモード）と同じ
半導体レーザー出力でスポットβにより再生を行なおう
とすると、この場合には不必要となるスポットαが3mw
でなお点灯するため、光磁気ディスクの保磁力が弱まる
可能性がある。
半導体レーザー出力でスポットβにより再生を行なおう
とすると、この場合には不必要となるスポットαが3mw
でなお点灯するため、光磁気ディスクの保磁力が弱まる
可能性がある。
このため本発明では、再生モードでは記録モードで記
録に用いたスポットαを用いて再生を行なう。しかし、
3mwのエネルギー強度は再生には大きすぎるので、半導
体レーザー１の出力を下げて、スポットαのエネルギー
強度が1mwになるようにする。このようにすると、必然
的にスポットβのエネルギー強度は0.3mwとなり、再生
に使用されないスポットβにより、光磁気ディスクの保
磁力が影響を受けることはない。
録に用いたスポットαを用いて再生を行なう。しかし、
3mwのエネルギー強度は再生には大きすぎるので、半導
体レーザー１の出力を下げて、スポットαのエネルギー
強度が1mwになるようにする。このようにすると、必然
的にスポットβのエネルギー強度は0.3mwとなり、再生
に使用されないスポットβにより、光磁気ディスクの保
磁力が影響を受けることはない。
［発明の効果］ 以上、本発明によれば新規な光磁気ピックアップを提
供できる。この光磁気ピックアップは、単一の発光源を
持つ半導体レーザーから複数の光束を得てマルチビーム
方式を実現するので、従来のマルチビーム方式で問題と
なっていた、複数発光源の位置調整の困難性や、光源の
低コスト化の困難性、複数発光源に伴う色収差の問題等
を原理的に解決できる。
供できる。この光磁気ピックアップは、単一の発光源を
持つ半導体レーザーから複数の光束を得てマルチビーム
方式を実現するので、従来のマルチビーム方式で問題と
なっていた、複数発光源の位置調整の困難性や、光源の
低コスト化の困難性、複数発光源に伴う色収差の問題等
を原理的に解決できる。
また、各スポットの強度比を容易に且つ任意に調整で
き、各スポット間の距離の設定も容易である。なお、磁
気ヘッドは高速での変調が可能なように小型であること
が望ましく、実用上は空気浮上型が望ましい。
き、各スポット間の距離の設定も容易である。なお、磁
気ヘッドは高速での変調が可能なように小型であること
が望ましく、実用上は空気浮上型が望ましい。
なお、単一発光源の半導体レーザーから強度が互いに
ことなる３本の光束を得、最大強度の光束を消去用に、
中間強度の光束を記録用に、また最小強度の光束を確認
再生用に用いて記録モードを行い、再生モードでは、最
大強度の光束で再生を行い、尚且つ、光源の発光強度を
弱めて、中間強度、最小強度の光束による保磁力への影
響が無いようにして再生を行うようにすることが可能で
ある。
ことなる３本の光束を得、最大強度の光束を消去用に、
中間強度の光束を記録用に、また最小強度の光束を確認
再生用に用いて記録モードを行い、再生モードでは、最
大強度の光束で再生を行い、尚且つ、光源の発光強度を
弱めて、中間強度、最小強度の光束による保磁力への影
響が無いようにして再生を行うようにすることが可能で
ある。
第１図は、本発明の１実施例を説明するための図、第２
図は、単一発光源からの光束を分離するのに用いるウォ
ラストンプリズムの光学作用を説明するための図、第３
図は、実施例における光束分離を説明するための図、第
４図及び第５図は、実施例を説明するための図である。 １……単一発光源の半導体レーザー、２……カップリン
グレンズ、３……ビーム整形用のプリズム、4,13……ウ
ォラストンプリズム、５……ビームスプリッター、６…
…対物レンズ、７……光磁気記録媒体としての光磁気デ
ィスク、８……レンズ、９……ナイフエッジを有する反
射プリズム、10……シリンドリカルレンズ、11,14……
受光素子、12……1/2波長板、15……磁気ヘッド
図は、単一発光源からの光束を分離するのに用いるウォ
ラストンプリズムの光学作用を説明するための図、第３
図は、実施例における光束分離を説明するための図、第
４図及び第５図は、実施例を説明するための図である。 １……単一発光源の半導体レーザー、２……カップリン
グレンズ、３……ビーム整形用のプリズム、4,13……ウ
ォラストンプリズム、５……ビームスプリッター、６…
…対物レンズ、７……光磁気記録媒体としての光磁気デ
ィスク、８……レンズ、９……ナイフエッジを有する反
射プリズム、10……シリンドリカルレンズ、11,14……
受光素子、12……1/2波長板、15……磁気ヘッド
Claims (5)
- 【請求項１】単一発光源の半導体レーザーから、複屈折
性結晶を用いた偏光子を用いて強度が互いに異なる少な
くとも２本の光束を得、これらの光束を同一の対物レン
ズにより、光磁気記録媒体の同一トラック上に別個に集
束させ、情報の記録、再生、消去を行う光磁気ピックア
ップであって、 記録モードでは、強度の強い光束により情報の記録を行
うとともに、強度の弱い光束により記録情報の確認再生
を行い、 再生モードでは、記録モードにおける記録用の光束を再
生用光束として用い、かつ半導体レーザーの出力を弱
め、上記再生用光束以外の光束により光磁気記録媒体の
保磁力が影響を受けないようにして再生を行うようにし
たことを特徴とする光磁気ピックアップ。 - 【請求項２】請求項１記載の光磁気ピックアップにおい
て、 複屈折性結晶を用いた偏光子の光学軸と、半導体レーザ
ーの偏光面との角度の設定により、対物レンズに入射す
る複数の光束の強度比を設定することを特徴とする光磁
気ピックアップ。 - 【請求項３】請求項１記載の光磁気ピックアップにおい
て、 複屈折性結晶を用いた偏光子と半導体レーザーとの間に
1/2波長板を配備し、 この1/2波長板の光学軸と半導体レーザーの偏光面との
角度の設定により、対物レンズに入射する複数の光束の
強度比を設定することを特徴とする光磁気ピックアッ
プ。 - 【請求項４】請求項１記載の光磁気ピックアップにおい
て、 複屈折性結晶を用いた偏光子を構成する２つのプリズム
のプリズム角（φ）の設定により、 光磁気記録媒体上に集束される複数の光スポットの間隔
を設定することを特徴とする光磁気ピックアップ。 - 【請求項５】請求項１記載の光磁気ピックアップにおい
て、 単一発光源の半導体レーザーから、強度が互いに異なる
３本の光束を得、同一の対物レンズにより光磁気記録媒
体の同一トラック上に別個の光スポットとして集束さ
せ、上記３本の光束の強度を、先行する光スポットから
順次小さくし、上記３つの光スポットを、先行する光ス
ポットから順に、消去、記録、再生用の光スポットとす
ることを特徴とする光磁気ピックアップ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63180722A JP2738838B2 (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 光磁気ピックアップ |
| US07/340,044 US5073888A (en) | 1988-04-21 | 1989-04-18 | Optical pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63180722A JP2738838B2 (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 光磁気ピックアップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0231353A JPH0231353A (ja) | 1990-02-01 |
| JP2738838B2 true JP2738838B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=16088171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63180722A Expired - Lifetime JP2738838B2 (ja) | 1988-04-21 | 1988-07-20 | 光磁気ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738838B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2625679B2 (ja) * | 1986-04-24 | 1997-07-02 | ソニー株式会社 | 光磁気記録再生装置 |
| JPS63157340A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-06-30 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録再生装置 |
-
1988
- 1988-07-20 JP JP63180722A patent/JP2738838B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0231353A (ja) | 1990-02-01 |
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