JPH0231353A - 光磁気ピックアップ - Google Patents

光磁気ピックアップ

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JPH0231353A
JPH0231353A JP18072288A JP18072288A JPH0231353A JP H0231353 A JPH0231353 A JP H0231353A JP 18072288 A JP18072288 A JP 18072288A JP 18072288 A JP18072288 A JP 18072288A JP H0231353 A JPH0231353 A JP H0231353A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は光磁気ピックアップ、より詳細には所謂マルチ
ビーム方式の光磁気ピックアップに関する。
[従来の技術] 情報を光磁気記録媒体、に記録する場合、一般に。
記録を行なったのち確認のための再生が行なわれる。こ
のため所謂シングルビーム方式即ち、単一の光束を用い
る光磁気ピックアップでは、光情報の記録の際、記録を
行なったのちに確認再生を行なおねばならないので、記
録に必要な時間が長時間かかるという問題がある。
このような事情に鑑みて、近来、複数の光束を用いる、
所謂マルチビーム方式の光磁気ピックアップが提案され
ている(例えば、昭和63年電子情報通信学会春季全国
大会予稿集C−57:3.5インチ小型光ディスク装置
の試作)。
マルチビーム方式の光磁気ピックアップでは。
複数の光束を用いるので、その内の一つで記録を行ない
つつ、同時に他の一つの光束で確認再生を行なえば記録
と確認再生とを実質的に同時に行なえるので記録時間を
大幅に短縮できる。
このようなマルチビーム方式の光磁気ピックアップとし
て、従来は互いに別体の光源を複数用いる複数光源方式
のものと1発光源が複数有る半導体レーザーアレイを用
いるLDアレイ方式とが意図されている。
[発明が解決しようとする課題] マルチビーム方式の光磁気ピックアップでは。
複数の発光源からの光束を同一の対物レンズにより光磁
気記録媒体の同一トラック上に別個に集束させるのであ
るが、これら複数の光束を同時に光磁気記録媒体上に合
焦させるためには、各発光源の位置精度を極めて高くし
なければならず、光源の取り付は作業が難しくなる。
また、LDアレイ方式では、各チップの温度変動が相互
に影響するのを避けるため1発光源間の間隔を有る程度
以上小さくすることが出来ず、このためトラック上に集
束する各光束のスポット間距離の最小値がLDアレイに
より規定されてしまうという問題があり、またスポット
間距離のばらつきを抑えるためにLDアレイに於けるチ
ップ間距離の測定が必要となり、光磁気ピックアップ組
み立ての工程が増え、光磁気ピックアップのコストの軽
減が難しい。
また、半導体レーザーの発振波長は周知の如く温度によ
り変動する。LDアレイを光源として用いる光磁気ピッ
クアップでは、個々の発光源を持つ半導体レーザーは同
じ出力で発光させることはないので、個々の発光源ごと
に発振波長がことなり、光学系の色収差により各光束毎
に、対物レンズによる集束位置が光軸方向へずれること
になる。
2波長1化Dアレイを光源とする場合も、各発光源の波
長がもともと異なるのであるから、矢張り上記の色収差
の問題が発生する。この問題を解決する方法としては光
学系に色消しレンズを用いることが考えられるが1色消
しレンズは高価で有るので光磁気ピックアップのコスト
が高くなってしまうという問題を招来する。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって
、その目的とする所は上述の諸問題を有効に解決した新
規な光磁気ピックアップの提供にある。
[課題を解決するための手段] 本発明の光磁気ピックアップは、単一発光源の半導体レ
ーザーから1強度が互いに異なる2本の光束を得、これ
ら2本の光束を同一の対物レンズにより、光磁気記録媒
体の同一トラック上に別個に集束させ、情報の記録、再
生、消去を行なう光磁気ピックアップであって、以下の
如き特徴を有する。
即ち、記録モードでは、強度の強い光束により情報の記
録を行なうとともに、強度の弱い光束により記録情報の
確認再生を行ない、再生モードでは、記録モードにおけ
る記録用の光束を再生用光束として用い、且つ半導体レ
ーザーの出方を弱め。
上記再生用光束以外の光束により光磁気記録媒体の保磁
力が影響を受けないようにして再生を行なう。
[作  用] このように、本発明の光ピツクアップでは光源として単
一発光源の半導体レーザーを用い、この単一発光源から
2本の光束を得てマルチビーム方式を実現する。2本の
光束は、互いに強度が異なる。2発束は、その一方を記
録用、他方を確認再生用とする。
記録用の光束と確認再生用の光束では強度が異なり、記
録用には強度の強い光束が使用される。
記録モードでは、強度の強い記録用の光束で記録を行な
いつつ、強度の弱い光束で確認再生を行なう、また、再
生モードでは、記録モードで記録用に用いられた光束で
再生が行なわれる。このときこの半導体レーザーの出力
が弱められるので、他の光束の強度は、再生光束よりも
さらに弱くなり、従って他の光束により光磁気記録媒体
の保磁力が影響を受けないようにすることができる。
[実施例] 以下、図面を参照しながら具体的な実施例に即して説明
する。
第1図(I)に示す実施例に於いて、符号1で示す単一
発光源の半導体レーザーから放射された単−の光束は、
カップリングレンズ2により平行光束とされ、ビーム整
形用のプリズム3によりビーム整形され、続いてウォラ
ストンプリズム4を透過することにより偏光成分に従っ
て2光束に分離される0分離された2光束はビームスプ
リッタ−5を透過し、対物レンズ6の作用にて、光磁気
記録媒体としての光磁気ディスク7の記録面上に微少な
スポットα、βとして集束する。
光磁気ディスク7からの反射光は、対物レンズ6を介し
てビームスプリッタ−5に入射し、反射されるとレンズ
8の作用で集光光束となり、一部は、ナイフェツジを持
った反射プリズム9により反射され、シリンドリカルレ
ンズlOを介して受光素子■1に入射し、残りの光束部
分は172波長板12を介し、ウォラストンプリズム1
3に入射し、これを透過すると、受光素子14に入射す
る。第1図に於いて符号15は磁気ヘッドを示している
ウォラストンプリズム4,13は、?g屈折性結晶を用
いた他の偏光子、例えばロッションプリズム等で置き換
えることができる。この実施例で、ウォラストンプリズ
ム4は、単一発光源の半導体レーザー1から複数の光束
を得る手段である。
ウォラストンプリズム4,13の光学作用を、ウォラス
トンプリズム4を例にとり、第3図を参照して説明する
第3図(I)に示す様に、ウォラストンプリズム4に入
射する光束をLlとすると、ウォラストンプリズム4を
透過した光束はP偏光の光束LPと、S偏光の光束LS
とに分離される。
第3図(II)に示す様に、入射光束Llの偏光面の入
射角度をθとすると2周知の如く、透過光LPとLSと
の強度比P:Sは P:5=cos”θ:sin” 0 となる。従って、上記入射角度θを変えることにより、
光束LP、LSの強度比を任意に設定できる。
第1図(I)に戻って、この実施例では仮に、光束LP
、LSの強度比P:S=3:1であるとする。このこと
は、cos2θ=3・sin”θ意味するからjan”
θ=1/3、即ちtanθ:llAであり、入射角度0
=30度を意味する。
上記入射角度を変えるには、半導体レーザー1と、カッ
プリングレンズ2と、プリズム3とを一体として回転し
ても良いし、ウォラストンプリズム4の前に波長板を挿
入しても良く、種々の方法が考えられるが、これらの方
法ではウォラストンプリズム4に入射した光を全て利用
できるので光の利用効率が良い、光束LP 、 LSの
強度比を変える方法としてビームスプリッタ−の偏光透
過率を変える方法を用いることも出来る。但しこの方法
は光の利用効率の面からして、上述の方法に劣る。
次ぎに、第1図の実施例に於いて、光磁気ディスク7の
記録面上に集束する2つ光束LP 、 LSによるスポ
ットα、βのスポット間隔に付き説明する。
第2図は、ウォラストンプリズムの光学作用を説明する
ための図である。
ウォラストンプリズムを構成する2つのプリズムのプリ
ズム角度を図の如くφとする。
プリズム角度中では、P偏光は異常光線、S偏光は常光
線となり、プリズム角度中では逆にS偏光は異常光線、
P偏光は常光線となる。
常光線に対する屈折率をno+異常光線に対する屈折率
をn2とし1図の如く角0τy OL O:及び角θ!
、θ雪、0!を定めると、P偏光に対しては、nE+S
inφ=noIISinθ! n0・sinθf=sinθに φ=θτ−05 が、またS偏光に対しては、 noIISinφ=nH″sin Q ’lno@si
n OW=sin B g φ=O!十θ窒 が成り立つ、これらの式から、θ5,0!は角φにより
決定され、従って分離角Φ=θに÷θ宝はφの値により
定まる。φの値による分離角Φの例を表1に示す。
表          1 φ(度)   10   20   30   40 
  50Φ(度)  0.1g2 0.375 0.5
95 0.865 1.229対物レンズ6の焦点距離
をfoとすると、光磁気ディスク7の記録面上に2光束
を集束させたときの各スポット間の距離d0は、上記分
離角Φに応じて、 d、=2f、・jan(Φ/2)で
与えられるから、f=4mmとして、上記φとスポット
間距離の関係を表すと表2の如くになる。
表          2 φ(度)   10   20   30   40 
   S。
d (μm)  12.7  26.2  41.6 
 60.4  85.8従って、ウォラストンプリズム
4の構成を変えてφを変えるのみで、容易にスポット間
隔d0を変えることができる。
なお、ウォラストンプリズム4に変えてホログラム等の
回折格子を用いても良い。ウォラストンプリズムや回折
格子等はその製法により入射光束を2光束のみならず3
光束に分離することも可能であり、3光束に分離すれば
各光束を、消去、記録、確認再生に用いることもできる
さて、再び第1図(I)に戻って、先ず情報の記録モー
ドを説明する。
前述の如く、ウォラストンプリズム4によって2分割さ
れた光束LP、LSは強度比3:1で光束LPの方が強
度が強い、そこでこの光束によるスポットαにより記録
を行ない、光束LSによるスポットβにより確認再生を
行なう。
このときスポットαのエネルギー強度をこの実施例では
3mv、スポットβのそれをL+nwとする。
光磁気ディスク7を回転させつつ、半導体レーザー1を
一定強度で連続点灯し、情報信号により磁気ヘッド15
を変調する。するとこの変調によりスポットαの照射位
置に於ける記録面の磁化方向が情報信号に応じて変化し
、情報信号は光磁気ディスク7に磁気信号として記録さ
れる。また、この記録とともに、それ以前に記録されて
いた情報は消去される。即ち、光束LPのスポットαに
より記録と消去とが同時に行なわれる。
一方、スポットαにより記録された情報は、ただちにス
ポットβにより照射され、その結果により確認再生が行
なわれる。
ここで、この確認再生と、スポットα、βに対するフォ
ーカシング、トラッキングを説明する。
光磁気ディスク7からの反射光は、前述の如く、対物レ
ンズ6とビームスプリッタ−5を介してレンズ8を透過
すると、集束光束となって、一部は反射プリズム9によ
り反射されて、シリンドリカルレンズ10を介して受光
素子11に入射する。
受光素子11は、第1図(II)に示すように、4つの
受光部A、B、C,Dを有し、受光量に応じて、上記各
受光部から出力a、b、c、dが得られるようになって
いる。シリンドリカルレンズ10は第1図(I)の図面
に直交する方向に母線方向を向けており、従って、スポ
ットα、βの反射光はそれぞれ、第1図(I)の左右方
向にレンズ作用を受けて、第1図(II)に示すように
、スポットαの反射光は受光部C2Dにまたがって、ま
たスポットβの反射光は受光部^、Bにまたがって、そ
れぞれ楕円形状のスポットAI、Blとして入射する。
第1図(II)の上下方向は、同図(I)で図面に直交
する方向である。スポットα、βにトラックずれがある
と、スポットAI、81はその長手方向(第1図(I)
で図面に直交する方向、即ちトラック直交方向に対応す
る)にずれるので、スポットαに付いては(d−c)を
、またスポットβに付いては(a−b)を、それぞれト
ラック誤差信号としてトラッキングサーボを行なうこと
によりトラッキング制御を行なうことができる。
また、上記レンズ8により集束光となった反射光のうち
、反射プリズム9により反射されなかった部分は、前述
の如くl/2波長板12により偏光面を45度旋回され
ウォラストンプリズム13に入射しし、再び、S成沿と
P成分とに分離される。
ウォラストンプリズム13は、第4図に示すように、ウ
ォラストンプリズム4とは、光束の分離方向が直交する
ように配備されており、結局、第4図に示すように4つ
の光束LPI、LP2.LSI、LS2が得られる。光
束LPI、LP2はスポットαによる反射光であり、光
束LSI、LS2はスポットβによる反射光である。
これら光束は受光素子14に入射する。受光素子14は
第1図(III)に示すように8つの受光部E、F、G
、II、I、J、に、Lを有し、各受光部からは受光量
に応じて出力e、ftgehelvjvkslが出力さ
れるようになっている。光束LPIは、第1図(III
)に示すように受光部E、11にまたがってスポットL
PIOとして入射し。
また光束LP2.LSI、LS2はそれぞれスポットL
P20.LS10.LS20として第1図(III)に
示すように入射する。
スポットLPIO,LSI0はP偏光成分であり、スポ
ットLP20.LS20はS偏光成分である。
そこで、信号(i”j)−(1+k)を見ると、この信
号はスポットβに対する、公知のナイフェツジ法による
フォーカス誤差信号を与えており、同様に。
信号(e+f)−(g+h)はスポットαに対するフォ
ーカス誤差信号を与えている。従って、これらフォーカ
ス誤差信号に基づき、公知のフォーカスサーボを行なっ
て、スポットα、βに対するフォーカシング制御を行な
うことができる。
さて、スポットα、βは、それぞれ光磁気ディスクに照
射されるときは、それぞれP偏光、S偏光であるが、光
磁気ディスク7で反射される際にカー効果により偏光面
を旋回される。
そこで受光素子14の各受光部からの出力から、信号(
1手1)−(j+k)及び(e+h)−(f+g)を作
ると、これらは、それぞれスポットβ、αに関する光磁
気信号である。従って、スポットβに関する光磁気信号
により情報の再生を行なえば、スポットαを通じて記録
された情報を確認再生することができる。
ここで、第5図を参照して、半導体レーザー1から放射
されたのち、光束の偏光面と強度がどのように変化する
かを、ffff単に説明する。
第5図(I)は、光束L1がウォラストンプリズム4に
入射する前の状態であり、偏光面の入射角度θは、当該
実施例では前述のとおり30度である。
この光束の強度をZとする。
さてウォラストンプリズム4を透過すると、光束は2光
束に分離される。その内光束LPの強度は、図の如< 
Z−cos” 0、光束LSの強度はZ−3in20で
ある(第5図(II−1)、 (II−2))。
次いで、ビームスプリッタ−5を透過すると、ビームス
プリッタ−5に於けるP偏光強度透過率をan S偏光
のそれをbtとして、光束LP 、 LSの強度は、そ
れぞれ第5図(III−1)、 (III−2)に示す
如くになる。統いて、光磁気ディスク7に入射した光束
LP、LSは1反射されるがこの反射の際にカー効、果
による偏光面の回転を受ける。この回転角をOKとする
。また、光磁気ディスク7の反射率をγとする。すると
スポットα、βによる反射光の強度は、第5図(IV−
1)、 (Vl−2) ニ示すようにそれぞれ、”f 
a、Zcos” 0 、 γbIZsin 6 ’とな
る。
さらにビームスプリッタ−5により反射したのちは、P
偏光強度反射率をCI+ S偏光強度反射率をd□とし
て、スポットα、βに関する反射光の強度は、そ九ぞれ
、第5図(V−1)、 (V−2)に示すようになる。
このとき、各反射光の偏光面は上記C8とdlとが異な
るため、さらに角θ二に変化する。
続いて、1/2波長板12を透過すると、スポットα、
βに関する角反射光は、その強度をそれぞれγaict
Zcos”θ、γb、d、Zsinθに保ったまま、そ
の偏光面が45度旋回するのでウォラストンプリズム1
3に対する偏光面の入射角度は、それぞれθシ+45度
となる(第5図(VI−1)、 (VI−2)参照)。
そしてウォラストンプリズム13を透過したのちは、ス
ポットαに関する反射光は第5図(VII−1)に示す
S偏光成分と、(VII−2)に示すP偏光成分に分か
れ、スポットβに関する反射光は第5図(Vll−3)
ニ示すS偏光成分と、 (VII−40,:示すP偏光
成分に分かれる。
これらの4つに分離した光束が、それぞれ、第1図(I
II)に示したスポットLP10.LP20.LSI0
.LS20である。
さて、最後に再生モードを説明する。
前述した記録モード(オーバーライドモード)と同じ半
導体レーザー出力でスポットβにより再生を行なおうと
すると、この場合には不必要となるスポットαが3mw
でなお点灯するため、光磁気ディスクの保磁力が弱まる
可能性がある。
このため本発明では、再生モードでは記録モードで記録
に用いたスポットαを用いて再生を行なう。しかし、3
mwのエネルギー強度は再生には大きすぎるので、半導
体レーザー1の出力を下げて、スポットαのエネルギー
強度がII%lになるようにする。このようにすると、
必然的にスポットβのエネルギー強度は0.3mwとな
り、再生に使用されないスポットβにより、光磁気ディ
スクの保磁力が影響を受けることはない。
[発明の効果] 以上、本発明によれば新規な光磁気ピックアップを提供
できる。この光磁気ピックアップは、単一の発光源を持
つ半導体レーザーから2本の光束を得てマルチビーム方
式を実現するので、従来のマルチビー11方式で問題と
なっていた、複数発光源の位置rA整の困難性や、光源
の低コスト化の困難性、複数発光源に伴う色収差の間層
等を原理的に解決できる。
また、各スポットの強度比を容易に且つ任意に調整でき
、各スポット間の距離の設定も容易である。なお、磁気
ヘッドは高速での変調が可能なように小型であることが
望ましく、実用上は空気浮上型が望ましい。
なお、単一発光源の半導体レーザーから強度が互いにこ
となる3本の光束を得、最大強度の光束を消去用に、中
間強度の光束を記録用に、また最小強度の光束を確認再
生用に用いて記録モードを行い、再生モードでは、最大
強度の光束で再生を行い、尚且つ、光源の発光強度を弱
めて、中間強度、最小強度の光束による保磁力への影響
が無いようにして再生を行うようにすることが可能であ
ることを付記しておく。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の1実施例を説明するための図、第2
図は、単一発光源からの光束を分離するのに用いるウォ
ラストンプリズムの光学作用を説明するための図、第3
図は、実施例における光束分離を説明するための図、第
4図及び第5図は、実施例を説明するための図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 単一発光源の半導体レーザーから、強度が互いに異なる
    2本の光束を得、これら2本の光束を同一の対物レンズ
    により、光磁気記録媒体の同一トラック上に別個に集束
    させ、情報の記録、再生、消去を行なう光磁気ピックア
    ップであって、記録モードでは、強度の強い光束により
    情報の記録を行なうとともに、強度の弱い光束により記
    録情報の確認再生を行ない、 再生モードでは、記録モードにおける記録用の光束を再
    生用光束として用い、且つ半導体レーザーの出力を弱め
    、上記再生用光束以外の光束により光磁気記録媒体の保
    磁力が影響を受けないようにして再生を行なうようにし
    たことを特徴とする光磁気ピックアップ。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62252552A (ja) * 1986-04-24 1987-11-04 Sony Corp 光磁気記録再生装置
JPS63157340A (ja) * 1986-12-20 1988-06-30 Fujitsu Ltd 光磁気記録再生装置

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