JPH087869B2 - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPH087869B2 JPH087869B2 JP58083205A JP8320583A JPH087869B2 JP H087869 B2 JPH087869 B2 JP H087869B2 JP 58083205 A JP58083205 A JP 58083205A JP 8320583 A JP8320583 A JP 8320583A JP H087869 B2 JPH087869 B2 JP H087869B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- beam splitter
- laser
- optical
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体レーザを光源とする光ピツクアツプ装
置に関し、特にノイズ低減手段に関する。
置に関し、特にノイズ低減手段に関する。
従来の半導体レーザを光源として使用した光ピツクア
ツプ装置においては、反射光の帰還によるレーザの光量
変動がフオーカスおよびトラツキング制御信号に妨害を
与えるため、偏光ビームスプリツタおよび1/4波長板を
使用する偏光光学系により往復の光路を分割し、レーザ
に反射光が帰還しないようにしている。しかし偏光ビー
ムスプリツタや1/4波長板の精度不足および光デイスク
での復屈折等により、一部の光がレーザに戻るのは避け
られない。
ツプ装置においては、反射光の帰還によるレーザの光量
変動がフオーカスおよびトラツキング制御信号に妨害を
与えるため、偏光ビームスプリツタおよび1/4波長板を
使用する偏光光学系により往復の光路を分割し、レーザ
に反射光が帰還しないようにしている。しかし偏光ビー
ムスプリツタや1/4波長板の精度不足および光デイスク
での復屈折等により、一部の光がレーザに戻るのは避け
られない。
一方最近の発表によれば、レーザへの光帰還により発
生するノイズはある程度以下およそ0.01％〜0.1％にお
いて最大となり１％以上において極小となるとされてい
る。レーザへの帰還量とノイズレベルとの相関関係を第
１図に示す。そこでレーザにより積極的に光を戻すこと
によりレーザの安定化を計るべく、偏光ビームスプリツ
タおよび1/4波長板に代えてハーフプリズムを使用する
光学系が提案されている。しかしこの光学系は往路，復
路で光の一部が損失するため特に光量を必要とする記録
再生用ピツクアツプ装置には不向きである。レーザへの
戻り光に関する技術が特開昭58−125245号公報、特開昭
55−24460号公報に説明されているが、構成並びに効果
が本発明と異なる。
生するノイズはある程度以下およそ0.01％〜0.1％にお
いて最大となり１％以上において極小となるとされてい
る。レーザへの帰還量とノイズレベルとの相関関係を第
１図に示す。そこでレーザにより積極的に光を戻すこと
によりレーザの安定化を計るべく、偏光ビームスプリツ
タおよび1/4波長板に代えてハーフプリズムを使用する
光学系が提案されている。しかしこの光学系は往路，復
路で光の一部が損失するため特に光量を必要とする記録
再生用ピツクアツプ装置には不向きである。レーザへの
戻り光に関する技術が特開昭58−125245号公報、特開昭
55−24460号公報に説明されているが、構成並びに効果
が本発明と異なる。
本発明の目的は半導体レーザを光源とする光ピツクア
ツプ装置において、光デイスクからの反射光の一部をレ
ーザに帰還することにより、レーザのノイズを小さくで
きると共に、レーザから光デイスクまでの光路での光損
失が少ない光ピツクアツプ装置を提供することである。
ツプ装置において、光デイスクからの反射光の一部をレ
ーザに帰還することにより、レーザのノイズを小さくで
きると共に、レーザから光デイスクまでの光路での光損
失が少ない光ピツクアツプ装置を提供することである。
本発明は上記目的を達成するために次の如く構成した
ことを特徴としている。すなわち、本発明は半導体レー
ザを光源とする光学系において、偏光ビームスプリツタ
の反射率を、入射時の偏光面を有する光束については全
て対物レンズ側に差し向けると共に、反射時の偏光面を
有する光束については当該偏光ビームスプリッタへの入
射光束の10〜20％を前記光源側に差し向け残りをディテ
クタ側に差し向けるように設定することにより、レーザ
のノイズを小さくすると共に、光路での光損失を小さく
するようにしたことを特徴としている。
ことを特徴としている。すなわち、本発明は半導体レー
ザを光源とする光学系において、偏光ビームスプリツタ
の反射率を、入射時の偏光面を有する光束については全
て対物レンズ側に差し向けると共に、反射時の偏光面を
有する光束については当該偏光ビームスプリッタへの入
射光束の10〜20％を前記光源側に差し向け残りをディテ
クタ側に差し向けるように設定することにより、レーザ
のノイズを小さくすると共に、光路での光損失を小さく
するようにしたことを特徴としている。
第２図は本発明の一実施例の構成を示す図である。半
導体レーザ１から放射された光ビームはコリメートレン
ズ２で平行光となり偏光ビームスプリツタ３に入る。上
記偏光ビームスプリツタ３から出た前記光ビームは1/4
波長板４を介し対物レンズ５により集光され、スピンド
ルモータ６により回転している光デイスク７上に照射さ
れる。前記光ビームは上記光デイスク７上で反射され、
これまでとは逆方向に対物レンズ５、1/4波長板４を介
し偏光ビームスプリツタ３に入射する。入射した光の大
部分は直角方向に反射されデイテクタ８に到達する。こ
こで前記偏光ビームスプリツタ３の反射率はＰ偏光反射
率０％、Ｓ偏光反射率80〜90％に設定してある。従つて
偏光ビームスプリツタ３に入射した光の10〜20％の光は
前記偏光ビームスプリツタ３を透過する。その結果例え
ば往路効率50％、デイスク反射率50％、前記偏光ビーム
スプリツタ３を除く復路効率90％とすると、前記半導体
レーザ１への帰還量は数％（上記例では2.25〜4.5％）
となりレーザは安定になりノイズは小さくなる。
導体レーザ１から放射された光ビームはコリメートレン
ズ２で平行光となり偏光ビームスプリツタ３に入る。上
記偏光ビームスプリツタ３から出た前記光ビームは1/4
波長板４を介し対物レンズ５により集光され、スピンド
ルモータ６により回転している光デイスク７上に照射さ
れる。前記光ビームは上記光デイスク７上で反射され、
これまでとは逆方向に対物レンズ５、1/4波長板４を介
し偏光ビームスプリツタ３に入射する。入射した光の大
部分は直角方向に反射されデイテクタ８に到達する。こ
こで前記偏光ビームスプリツタ３の反射率はＰ偏光反射
率０％、Ｓ偏光反射率80〜90％に設定してある。従つて
偏光ビームスプリツタ３に入射した光の10〜20％の光は
前記偏光ビームスプリツタ３を透過する。その結果例え
ば往路効率50％、デイスク反射率50％、前記偏光ビーム
スプリツタ３を除く復路効率90％とすると、前記半導体
レーザ１への帰還量は数％（上記例では2.25〜4.5％）
となりレーザは安定になりノイズは小さくなる。
偏光ビームスプリツタ３における光ビームの道程を第
３図に示す。第３図においてＡ方向は半導体レーザ側、
Ｂ方向は光デイスク側、Ｃ方向はデイテクタ側である。
半導体レーザ側Ａから入射した光ビームは偏光ビームス
プリツタ３を透過し光デイスク（不図示）で一部反射し
光デイスク側Ｂから前記偏光ビームスプリツタ３に再び
入射する。そして一部すなわち数％は前記半導体レーザ
側Ａに透過し、残りはデイテクタ側Ｃに反射する。
３図に示す。第３図においてＡ方向は半導体レーザ側、
Ｂ方向は光デイスク側、Ｃ方向はデイテクタ側である。
半導体レーザ側Ａから入射した光ビームは偏光ビームス
プリツタ３を透過し光デイスク（不図示）で一部反射し
光デイスク側Ｂから前記偏光ビームスプリツタ３に再び
入射する。そして一部すなわち数％は前記半導体レーザ
側Ａに透過し、残りはデイテクタ側Ｃに反射する。
第４図は本発明の他の実施例である。第４図11は半導
体レーザ、12はコリメートレンズ、13は偏光ビームスプ
リツタ、14は1/4波長板、15は対物レンズ、16はスピン
ドルモータ、17は光デイスク、18はデイテクタを示す。
この実施例の場合、例えば上記偏光ビームスプリツタ13
のＳ偏光反射率100％とし、Ｐ偏光反射率10〜20％とす
れば偏光ビームスプリッタ13に入射する反射光の10〜20
％が光源である半導体レーザ11へ差し向けられることに
なり、前記実施例と同様の作用効果を奏する。
体レーザ、12はコリメートレンズ、13は偏光ビームスプ
リツタ、14は1/4波長板、15は対物レンズ、16はスピン
ドルモータ、17は光デイスク、18はデイテクタを示す。
この実施例の場合、例えば上記偏光ビームスプリツタ13
のＳ偏光反射率100％とし、Ｐ偏光反射率10〜20％とす
れば偏光ビームスプリッタ13に入射する反射光の10〜20
％が光源である半導体レーザ11へ差し向けられることに
なり、前記実施例と同様の作用効果を奏する。
なお本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。すなわち偏光ビームスプリツタのＳ偏光反射率およ
びＰ偏光反射率の値は光学的効率やデイスク反射率等に
より変化する値であり、要はレーザへの帰還量がレーザ
ノイズの小さくなる量に設定されれば良い。
い。すなわち偏光ビームスプリツタのＳ偏光反射率およ
びＰ偏光反射率の値は光学的効率やデイスク反射率等に
より変化する値であり、要はレーザへの帰還量がレーザ
ノイズの小さくなる量に設定されれば良い。
本発明は、偏光ビームスプリッタの反射率を、入射時
の偏光面を有する光束については全て対物レンズ側に差
し向けると共に、反射時の偏光面を有する光束について
は当該偏光ビームスプリッタへの入射光束の10〜20％を
前記光源側に差し向け残りを前記ディテクタ側に差し向
けるように設定したことを特徴としている。したがって
本発明によれば次のような作用効果を奏する。
の偏光面を有する光束については全て対物レンズ側に差
し向けると共に、反射時の偏光面を有する光束について
は当該偏光ビームスプリッタへの入射光束の10〜20％を
前記光源側に差し向け残りを前記ディテクタ側に差し向
けるように設定したことを特徴としている。したがって
本発明によれば次のような作用効果を奏する。
（ａ）反射時の偏光面を有する光束は、偏光ビームスプ
リッタへ入射する光束のうち10〜20％が光源側に差し向
けられる。その結果、この種の光学系における通常の光
の往路効率，復路効率，ディスク反射率等を加味した光
源への最終的な光の帰還量は数％程度になる。したがっ
てレーザのノイズを十分小さくすることができる。かく
して光ディスクから再生された信号のS/N比を向上でき
ると共に、サーボ系の安定化を図ることができる。
リッタへ入射する光束のうち10〜20％が光源側に差し向
けられる。その結果、この種の光学系における通常の光
の往路効率，復路効率，ディスク反射率等を加味した光
源への最終的な光の帰還量は数％程度になる。したがっ
てレーザのノイズを十分小さくすることができる。かく
して光ディスクから再生された信号のS/N比を向上でき
ると共に、サーボ系の安定化を図ることができる。
（ｂ）ハーフミラー等を一切使用せずに、偏光ビームス
プリッタの反射率を特定するだけで、レーザのノイズを
小さくするという所期の目的を達成することができる。
このためレーザ光源から光ディスクに至る光路での光損
失を少なくでき、レーザ光をディスク面に有効に導くこ
とができる。かくして所定光量を必要とする記録再生用
ピックアップに極めて好適なものとなる。
プリッタの反射率を特定するだけで、レーザのノイズを
小さくするという所期の目的を達成することができる。
このためレーザ光源から光ディスクに至る光路での光損
失を少なくでき、レーザ光をディスク面に有効に導くこ
とができる。かくして所定光量を必要とする記録再生用
ピックアップに極めて好適なものとなる。
第１図は本発明に係るレーザへの帰還量とノイズレベル
との相関関係を示す特性図、第２図は本発明の一実施例
を示す図、第３図は作用を説明するための図、第４図は
本発明の他の実施例を示す図である。 1,11……半導体レーザ、2,12……コリメートレンズ、3,
13……偏光ビームスプリツタ、4,14……1/4波長板、5,1
5……対物レンズ、7,17……光デイスク、8,18……デイ
テクタ。
との相関関係を示す特性図、第２図は本発明の一実施例
を示す図、第３図は作用を説明するための図、第４図は
本発明の他の実施例を示す図である。 1,11……半導体レーザ、2,12……コリメートレンズ、3,
13……偏光ビームスプリツタ、4,14……1/4波長板、5,1
5……対物レンズ、7,17……光デイスク、8,18……デイ
テクタ。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザ光源と、この光源からの光を
平行光に近くするレンズと、このレンズを透過した光を
集光して光ディスク上に照射する対物レンズと、前記光
ディスクからの反射光をディテクタ上に導くように光路
変換を行なう偏光ビームスプリッタとを具備し、 前記偏光ビームスプリッタは、入射時の偏光面を有する
光束については全て前記対物レンズ側に差し向けると共
に、反射時の偏光面を有する光束については当該偏光ビ
ームスプリッタへの入射光束の10〜20％を前記光源側に
差し向け残りを前記ディテクタ側に差し向けるように、
反射率を設定されていることを特徴とする光ピックアッ
プ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58083205A JPH087869B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58083205A JPH087869B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59207441A JPS59207441A (ja) | 1984-11-24 |
| JPH087869B2 true JPH087869B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=13795821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58083205A Expired - Lifetime JPH087869B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087869B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599086B2 (ja) * | 1980-08-20 | 1984-02-29 | 株式会社日立製作所 | 光学的情報再生装置 |
| JPS58125245A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-26 | Hitachi Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58083205A patent/JPH087869B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59207441A (ja) | 1984-11-24 |
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