JPS60130663U - 半導体レ−ザ−装置 - Google Patents

半導体レ−ザ−装置

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JPS60130663U
JPS60130663U JP1740784U JP1740784U JPS60130663U JP S60130663 U JPS60130663 U JP S60130663U JP 1740784 U JP1740784 U JP 1740784U JP 1740784 U JP1740784 U JP 1740784U JP S60130663 U JPS60130663 U JP S60130663U
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JP
Japan
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semiconductor laser
chip
laser equipment
laser device
transparent member
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Pending
Application number
JP1740784U
Other languages
English (en)
Inventor
金子　久治
Original Assignee
株式会社ニコン
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体レーザー装置を説明するだめの断
面図、第２図は本考案による第１実施例の断面図、第３
図は本考案による第２実施例の断面図、第４図は本考案
による第３実施例の断面図である。 （主要部分の符号の説明）、１・・・半導体レーザーの
チップ、２・・・パッケージ、３・・・カバーガラス、
訃・・半導体レーザー装置、９・・・位相型回折格子。 　　　　　　　　−

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体レーザーのチップと、該チップを収納するパッケ
    ージと、該パッダーに前記チップを封止すると共に、前
    記チップからの射出光を透過せしめる透明部材とを有す
    る半導体レーザー装置において、 前記透明部材に位相型回折格子を形成したことを特徴と
    する半導体レーザー装置。
JP1740784U 1984-02-09 1984-02-09 半導体レ−ザ−装置 Pending JPS60130663U (ja)

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JP1740784U JPS60130663U (ja) 1984-02-09 1984-02-09 半導体レ−ザ−装置

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JP1740784U JPS60130663U (ja) 1984-02-09 1984-02-09 半導体レ−ザ−装置

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JPS60130663U true JPS60130663U (ja) 1985-09-02

Family

ID=30505081

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JP1740784U Pending JPS60130663U (ja) 1984-02-09 1984-02-09 半導体レ−ザ−装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02120857U (ja) * 1989-03-15 1990-09-28

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56158319A (en) * 1980-05-09 1981-12-07 Mitsubishi Electric Corp Light projecting device
JPS58188342A (ja) * 1982-04-28 1983-11-02 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ光雑音低減方法

Patent Citations (2)

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