JPS6226653A - 光検知器 - Google Patents
光検知器Info
- Publication number
- JPS6226653A JPS6226653A JP16651085A JP16651085A JPS6226653A JP S6226653 A JPS6226653 A JP S6226653A JP 16651085 A JP16651085 A JP 16651085A JP 16651085 A JP16651085 A JP 16651085A JP S6226653 A JPS6226653 A JP S6226653A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- return light
- laser chip
- supporting body
- light
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はディスクにレーザ光を照射してその反射光に
よシディスクに記憶された内容ｔ−読み収る光検知器に
係り、特に光検知器のトラッキングエラー発生防止１ｃ
関するものである。
よシディスクに記憶された内容ｔ−読み収る光検知器に
係り、特に光検知器のトラッキングエラー発生防止１ｃ
関するものである。
〔従来の技術］
光ディスクに記録されたピット信号を半導体レーザ装置
を使用した光検知器〔以下ピックアップと称す〕で読み
取るコンパクトディスクプレーヤ等例おいて、本ピック
アップには種々の方式のものが使用されている。第５図
はこのうち３ビ一ム方式のものを示し念図であり、この
方式は半導体ｖ −ｆ 装置！ （１）から出射された
レーザ光（２）をコリメートレンズ（３）を介して第６
図に示す回折格子（４）により１つの０次光（１０）と
２つの１次光（１１） （１２）に分割し、これをビー
ムスプリッタ（５）及び対物レンズ（６）を介して光デ
ィスク（７）のトラッキング方向忙第７図に示すように
照射し、ディスク（ηから反射される０次光（１０）と
１次光（１１） （１２）の反射光（１０ａ）（ｌｌａ
） （１２ａ）を対物レンズ（６）及びビームスプリッ
タ（５）並びにレンズ（８）を介して３分割光検知器（
９）にて読み取るものである。このとき、０次光（１０
）はビン） （１３）の信号を絖むためのものであり、
１次元（１１） 、 （１２）は対としてトラッキング
（１４）のすｆ′Ｌを睨み調整するためのものである。
を使用した光検知器〔以下ピックアップと称す〕で読み
取るコンパクトディスクプレーヤ等例おいて、本ピック
アップには種々の方式のものが使用されている。第５図
はこのうち３ビ一ム方式のものを示し念図であり、この
方式は半導体ｖ −ｆ 装置！ （１）から出射された
レーザ光（２）をコリメートレンズ（３）を介して第６
図に示す回折格子（４）により１つの０次光（１０）と
２つの１次光（１１） （１２）に分割し、これをビー
ムスプリッタ（５）及び対物レンズ（６）を介して光デ
ィスク（７）のトラッキング方向忙第７図に示すように
照射し、ディスク（ηから反射される０次光（１０）と
１次光（１１） （１２）の反射光（１０ａ）（ｌｌａ
） （１２ａ）を対物レンズ（６）及びビームスプリッ
タ（５）並びにレンズ（８）を介して３分割光検知器（
９）にて読み取るものである。このとき、０次光（１０
）はビン） （１３）の信号を絖むためのものであり、
１次元（１１） 、 （１２）は対としてトラッキング
（１４）のすｆ′Ｌを睨み調整するためのものである。
ところで、上記した様に通常０次光（１０）、１次光（
１１） （１２） ／／ｉディスク（７）而で反射され
光ピツクアップ内に設けられ之３分割光検知器（９）で
受けられ、それぞれの目的にしたがい処理されるが、反
射された光（１０ａ） （ｌｌａ） （１２ａ）の一部
には再び半導体レーザ装置（１）に戻ってくるものがあ
る。
１１） （１２） ／／ｉディスク（７）而で反射され
光ピツクアップ内に設けられ之３分割光検知器（９）で
受けられ、それぞれの目的にしたがい処理されるが、反
射された光（１０ａ） （ｌｌａ） （１２ａ）の一部
には再び半導体レーザ装置（１）に戻ってくるものがあ
る。
第８図にその一例と示す。第８図は従来の半導体レーザ
装！（１）の主要部の′−例を示すもので（１５）は半
導体レーザチップ、 （１６）はその端面、（１７）
ｒｉレーザ光の出射点、（１８）は半導体レーザチッ
プ（１５）が固着されるシリコン等の熱応力表相材から
なる支持体、（１９） Ｔ／ｉこの支持体（１８）が固
着される放熱体でありこれら半導体レーザチップ（１５
）及び支持体（１８）並びに放熱体（１９）はそれぞれ
の上面が１平面上に揃う様接着されている。この様に構
成され念ものに於ては０次光（１０ａ）はレーザ光の出
射点（１７）に戻り、１次光の１つ（ｌｌａ）は熱応力
緩和材（１８）の上面（２０） ［以ド、戻り光受光面
と称す］に、他の１つ（１２ａ）は室間上（２１）に民
ってくるものである。
装！（１）の主要部の′−例を示すもので（１５）は半
導体レーザチップ、 （１６）はその端面、（１７）
ｒｉレーザ光の出射点、（１８）は半導体レーザチッ
プ（１５）が固着されるシリコン等の熱応力表相材から
なる支持体、（１９） Ｔ／ｉこの支持体（１８）が固
着される放熱体でありこれら半導体レーザチップ（１５
）及び支持体（１８）並びに放熱体（１９）はそれぞれ
の上面が１平面上に揃う様接着されている。この様に構
成され念ものに於ては０次光（１０ａ）はレーザ光の出
射点（１７）に戻り、１次光の１つ（ｌｌａ）は熱応力
緩和材（１８）の上面（２０） ［以ド、戻り光受光面
と称す］に、他の１つ（１２ａ）は室間上（２１）に民
ってくるものである。
上記の様な従来の光検知器に及ては、１次光（１１）の
戻り光（ｌｌａ）の反射面となる支持体（１８）の戻り
光受光面（２０）が半導体レーザチップ（１５）の端面
（１６）と一平面上に揃う様に構成されているから、上
記戻り光（ｌｌａ）が入射角度とほぼ同一方向に反射さ
れて回折格子（４ンに遺し、これにより半導体レーザチ
ップ（１５）から出射されるレーザ光と干渉し合って、
回折格子（４）を経た光の強変がふらつき、トラッキン
グに支障をきたすという問題点があった。
戻り光（ｌｌａ）の反射面となる支持体（１８）の戻り
光受光面（２０）が半導体レーザチップ（１５）の端面
（１６）と一平面上に揃う様に構成されているから、上
記戻り光（ｌｌａ）が入射角度とほぼ同一方向に反射さ
れて回折格子（４ンに遺し、これにより半導体レーザチ
ップ（１５）から出射されるレーザ光と干渉し合って、
回折格子（４）を経た光の強変がふらつき、トラッキン
グに支障をきたすという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決する之めになされたも
ので、１次光の戻り光によるトラッキングへの支障を無
くした良好な光検知器を得ることを目的とする。
ので、１次光の戻り光によるトラッキングへの支障を無
くした良好な光検知器を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段］
この発明に係る光検知器は、半導体レーザチップの端面
に対して支持体の戻り光受光面に傾斜を持たせ次もので
ある。
に対して支持体の戻り光受光面に傾斜を持たせ次もので
ある。
〔作用」
この発明においては、支持体の戻り光受光面が半導体レ
ーザチップの端面に対して傾斜して設けられているから
、戻り光が入射角度と同一方向に反射されることないも
のである。
ーザチップの端面に対して傾斜して設けられているから
、戻り光が入射角度と同一方向に反射されることないも
のである。
第１図はこの発明の一実施例を示す光検知器の半導体レ
ーザ装置（１）の斜視図で、図にｐて（１５）ないしく
１７）、及び（１９）ないしく２１）は上記従来装置と
向く同一のものである。（２２） ｌ／′ｉ半導体レー
ザチップ（１５）が固着される直方体形状のシリコンか
らなる熱応力緩和材としての支持体で、この支持体（２
２）Ｉ／ｉ、半導体レーザチップ（１５）とこの支持体
（２２）との接着面と、放熱体（１９）とこの支持体（
２２）との接着面とを垂直に貫く線を軸として頷は上記
半導体レーザチップ（１５）の端面（１６）に対して支
持体（２２）の戻り光受光面（２３）に傾きを持たせた
ものである。
ーザ装置（１）の斜視図で、図にｐて（１５）ないしく
１７）、及び（１９）ないしく２１）は上記従来装置と
向く同一のものである。（２２） ｌ／′ｉ半導体レー
ザチップ（１５）が固着される直方体形状のシリコンか
らなる熱応力緩和材としての支持体で、この支持体（２
２）Ｉ／ｉ、半導体レーザチップ（１５）とこの支持体
（２２）との接着面と、放熱体（１９）とこの支持体（
２２）との接着面とを垂直に貫く線を軸として頷は上記
半導体レーザチップ（１５）の端面（１６）に対して支
持体（２２）の戻り光受光面（２３）に傾きを持たせた
ものである。
上記の様に構成された光検知器に流ては、従来と同一形
状の支持体（２２）を半導体レーザチップ（１５）に対
し傾けて収り付けるという非常に簡単な構成により、こ
の支持体（２２）の戻り光受光面（２３）からの反射光
が戻り光の入射角度と同一方向に反射されることを無く
すことができるものである。
状の支持体（２２）を半導体レーザチップ（１５）に対
し傾けて収り付けるという非常に簡単な構成により、こ
の支持体（２２）の戻り光受光面（２３）からの反射光
が戻り光の入射角度と同一方向に反射されることを無く
すことができるものである。
なお、上記実施例に於ては、支持体（２２）を直方体形
状のものとしたが第２図及び第３図に示す様に直方体の
上面を斜めに切断した形状のものを半導体レーザチップ
（１５）及び放熱体（１９）に付着しても良い。そして
丈には、第４図に示すように直方体の上面に半導体レー
ザチップ（１５）との付着面から放熱体（１９）との付
着面に向かって７字溝が堀り下げられていくような形状
のものとしても良いものであり、要は支持体（２２）の
戻シ光受光面（２３）と半導体レーザチップの端面（１
６）とが一平面上に無く、任意の傾きをもっていれば良
いものである。
状のものとしたが第２図及び第３図に示す様に直方体の
上面を斜めに切断した形状のものを半導体レーザチップ
（１５）及び放熱体（１９）に付着しても良い。そして
丈には、第４図に示すように直方体の上面に半導体レー
ザチップ（１５）との付着面から放熱体（１９）との付
着面に向かって７字溝が堀り下げられていくような形状
のものとしても良いものであり、要は支持体（２２）の
戻シ光受光面（２３）と半導体レーザチップの端面（１
６）とが一平面上に無く、任意の傾きをもっていれば良
いものである。
［発明の効果］
この発明は以上説明した様に、支持体の戻り光受光面が
半導体レーザチップの４面に対して傾斜して設けられて
いるから、戻り光が入射角度と同一方向に反射されるこ
とはなく、よって１次光の災り光によるトラッキングへ
の支障を無くした良好な光検知器が得られるという効果
がある。
半導体レーザチップの４面に対して傾斜して設けられて
いるから、戻り光が入射角度と同一方向に反射されるこ
とはなく、よって１次光の災り光によるトラッキングへ
の支障を無くした良好な光検知器が得られるという効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザ装置部
の斜視図、第２図ないし第４図はこの発ディスク上に照
射されるレーザ光位置を示す配置図、第二図は従来の半
導体レーザ装置部を示す斜視図である。 図に於て、（１５） ＃−を牛゛導体レーザチップ、（
１６） ｒｉ半導体レしザチクプ端而面 （２２）は支
持体、（２３）は戻り光受光面である。 なお、各図中同一符号は、同一または相当部分を示すも
のである。
の斜視図、第２図ないし第４図はこの発ディスク上に照
射されるレーザ光位置を示す配置図、第二図は従来の半
導体レーザ装置部を示す斜視図である。 図に於て、（１５） ＃−を牛゛導体レーザチップ、（
１６） ｒｉ半導体レしザチクプ端而面 （２２）は支
持体、（２３）は戻り光受光面である。 なお、各図中同一符号は、同一または相当部分を示すも
のである。
Claims (3)
- （１）ディスクに対し半導体レーザ光を端面から出射す
る半導体レーザチップと、この半導体レーザチップが固
着される支持体とを備えたものに於て、上記ディスクか
ら反射された戻り光が届く上記支持体の戻り光受光面に
上記端面に対して傾きを持たせたことを特徴とする光検
知器。 - （２）ディスクから反射された戻り光は、ディスク上の
ピット信号を読むための０次光とトラッキングのずれを
読むための１対の１次光とからなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光検知器。 - （３）支持体は熱応力緩和材であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の光検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16651085A JPS6226653A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 光検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16651085A JPS6226653A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 光検知器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6226653A true JPS6226653A (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=15832676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16651085A Pending JPS6226653A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 光検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6226653A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026439A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Denso Corp | 半導体発光素子 |
| JP2002094168A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US6907054B2 (en) | 2001-06-29 | 2005-06-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP16651085A patent/JPS6226653A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026439A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Denso Corp | 半導体発光素子 |
| JP2002094168A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US6804276B2 (en) * | 2000-09-19 | 2004-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device which removes influences from returning light of three beams and a method of manufacturing the same |
| US6907054B2 (en) | 2001-06-29 | 2005-06-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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