JPH01270382A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH01270382A JPH01270382A JP10050488A JP10050488A JPH01270382A JP H01270382 A JPH01270382 A JP H01270382A JP 10050488 A JP10050488 A JP 10050488A JP 10050488 A JP10050488 A JP 10050488A JP H01270382 A JPH01270382 A JP H01270382A
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- JP
- Japan
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- laser beam
- incident
- semiconductor laser
- semiconductor substrate
- laser
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 23
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 16
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光学式情報記録装置や、光センサの発光・受
光部として用いる半導体レーザ装置に関するものである
。
光部として用いる半導体レーザ装置に関するものである
。
第２図は従来の半導体レーザ装置を示す概略図であり、
図において、ｉｌ＋は半導体基板、（２）は半導体基板
（１）にマウントされた半導体レーザ素子、（３１は半
導体基板（１）の凹部に対して４５６の角度で形成され
た傾斜面、（４）ハ傾斜面（３）に形成されたモニタ用
光検出ｔＬｆ５１は上記半導体レーザ素子（２）の一方
の端面に形成した１００％近くの反射率を有するコーテ
ィング膜、ｔｏ＋は前記モニタ用光検出器（４）表面内
に形成した１００チ近くの反射率を有するコーティング
膜、ｔ７１Ｆｓ、半導体レーザ素子（２１の前面から出
射されるレーザ光、（８）は前記コーティング膜（６）
で反射したレーザ光であり、（９１Ｈコリメートレンズ
、（＋０１ ｉｄビームスプリッタ、（Ｉｌｌはコリメ
ートレンズ、α２１は光ディスク、ｌは光信号検出器、
ａ４）は光信号検出器Ｏａに入射するレーザ光である。
図において、ｉｌ＋は半導体基板、（２）は半導体基板
（１）にマウントされた半導体レーザ素子、（３１は半
導体基板（１）の凹部に対して４５６の角度で形成され
た傾斜面、（４）ハ傾斜面（３）に形成されたモニタ用
光検出ｔＬｆ５１は上記半導体レーザ素子（２）の一方
の端面に形成した１００％近くの反射率を有するコーテ
ィング膜、ｔｏ＋は前記モニタ用光検出器（４）表面内
に形成した１００チ近くの反射率を有するコーティング
膜、ｔ７１Ｆｓ、半導体レーザ素子（２１の前面から出
射されるレーザ光、（８）は前記コーティング膜（６）
で反射したレーザ光であり、（９１Ｈコリメートレンズ
、（＋０１ ｉｄビームスプリッタ、（Ｉｌｌはコリメ
ートレンズ、α２１は光ディスク、ｌは光信号検出器、
ａ４）は光信号検出器Ｏａに入射するレーザ光である。
次に動作について説明する。半導体基板＋１１にマウン
トされた半導体レーザ素子（２１は、一方の端面ｅこ１
００チ近い反射率のコーティング膜＋ｆｔｌ ｆ有して
おり、他方の端面からレーザ光（７）を出射する。この
レーザ光（））はある程度の広がり角全持って半導体基
板ｆｉ＋の傾斜面（３１に形成されたモニタ用光検出器
（４）へ入射される。このレーザ光（）１の一部はモニ
タ用として光検出器（４）によって検出されるが、大部
分はこのモニタ用光検出器（４）の表面に形成した１０
０％近くの反射ｉｔ有するコーティング膜１６）で反射
され９０″向き全変えて放射する。レーザ光（８）はコ
リメートレンズ（９）？透過してコリメート光とされ、
ビームスプリッタ（ｔｏｉ ｉ透過し、コリメートレン
ズ（１１）で光ディスク（ｌ２上へ集光される。光ディ
スク（１２１で反射したレーザ光（８）ハ光信号として
コリメートレンズ（Ｉｌｌ ’を再び透過し、ビームス
プリッタ（１０１で９０°方向を変えて、光信号検出器
Ｑ３１に入射する。
トされた半導体レーザ素子（２１は、一方の端面ｅこ１
００チ近い反射率のコーティング膜＋ｆｔｌ ｆ有して
おり、他方の端面からレーザ光（７）を出射する。この
レーザ光（））はある程度の広がり角全持って半導体基
板ｆｉ＋の傾斜面（３１に形成されたモニタ用光検出器
（４）へ入射される。このレーザ光（）１の一部はモニ
タ用として光検出器（４）によって検出されるが、大部
分はこのモニタ用光検出器（４）の表面に形成した１０
０％近くの反射ｉｔ有するコーティング膜１６）で反射
され９０″向き全変えて放射する。レーザ光（８）はコ
リメートレンズ（９）？透過してコリメート光とされ、
ビームスプリッタ（ｔｏｉ ｉ透過し、コリメートレン
ズ（１１）で光ディスク（ｌ２上へ集光される。光ディ
スク（１２１で反射したレーザ光（８）ハ光信号として
コリメートレンズ（Ｉｌｌ ’を再び透過し、ビームス
プリッタ（１０１で９０°方向を変えて、光信号検出器
Ｑ３１に入射する。
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので、光信号検出器す□□□が分離されておりシステム
が大きくなってしまうなどの課題があつこの発明は上記
のような課題全解消するためになされたもので、システ
ムが小型で安価になる半導体レーザ装置？得ること全目
的とする。
ので、光信号検出器す□□□が分離されておりシステム
が大きくなってしまうなどの課題があつこの発明は上記
のような課題全解消するためになされたもので、システ
ムが小型で安価になる半導体レーザ装置？得ること全目
的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置に、光信号検出器全モ
ニタ用光検出器を有する従来の半導体基板の凸部上面に
形成したものである。
ニタ用光検出器を有する従来の半導体基板の凸部上面に
形成したものである。
この発明における半導体レーザ装置は、光デイスク力）
らの反射光をホログラムプレーｈ’６透過させることに
より、反射光を回折分離させ、半導体基板凸部上面に形
成された光信号検出器に入射する。
らの反射光をホログラムプレーｈ’６透過させることに
より、反射光を回折分離させ、半導体基板凸部上面に形
成された光信号検出器に入射する。
以下、この発明を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す概略図であり、図において、１１１１４半導体、基
板、ｉ２ｉ Ｖｉ半導体基板Ｉｌｌにマウントされた半
導体レーザ素子、（３）は半導体基板＋１１の凹部に対
して４５°の角度で形成された傾斜面、（４）は傾斜面
（３）に形成されたモニタ用光検出器、（６１は上記半
導体レーザ素子（２１の一方の端面に形成した１００％
近くの反射率を仔するコーティング膜、（６１は前記モ
ニタ用光検出器（４）表面内に形成した１００％近くの
反射率を有するコーティング膜、（７）は半導体レーザ
素子（２１の前面から出射されるレーザ光、（８）は前
記コーティング膜（６１で反射し念レーザ光、 ０３１
はホログラムプレート、α４）は対物レンズ、ｔ１ｚｕ
光ディスクｌ１２）で反射して、ホログラムプレートα
りで回折分離したレーザ光、α５）はレーザ光０４）が
入射する半導体基板凸部上面に設けられ之光信号検出器
である。
示す概略図であり、図において、１１１１４半導体、基
板、ｉ２ｉ Ｖｉ半導体基板Ｉｌｌにマウントされた半
導体レーザ素子、（３）は半導体基板＋１１の凹部に対
して４５°の角度で形成された傾斜面、（４）は傾斜面
（３）に形成されたモニタ用光検出器、（６１は上記半
導体レーザ素子（２１の一方の端面に形成した１００％
近くの反射率を仔するコーティング膜、（６１は前記モ
ニタ用光検出器（４）表面内に形成した１００％近くの
反射率を有するコーティング膜、（７）は半導体レーザ
素子（２１の前面から出射されるレーザ光、（８）は前
記コーティング膜（６１で反射し念レーザ光、 ０３１
はホログラムプレート、α４）は対物レンズ、ｔ１ｚｕ
光ディスクｌ１２）で反射して、ホログラムプレートα
りで回折分離したレーザ光、α５）はレーザ光０４）が
入射する半導体基板凸部上面に設けられ之光信号検出器
である。
次に動作について説明する。
半導体基板（１）Ｋマウントされた半導体レーザ素子（
２１ニ一方の端面に１００チ近い反射率のコーティング
膜全有しており、他方の端面からレーザ光（７）を出射
する。このレーザ光（））はある程度の広がり角を持っ
て半導体基板ｆｉ＋の傾斜部（３）に形成したモニタ用
光検出器（４）へ入射される。このレーザ光（））の一
部はモニタ用として検出されるが、大部分にこのモニタ
用光検出器（４）の表面に形成した１００％近くの反射
率を有するコーティング膜（６）で反射され９０″向き
を変えて放射する。レーザ光（８）はホログラムプレー
ト０３） を透過し、対物レンズ（Ｉ４１により光ディ
スクＯツに集光される。集光されたレーザ光１８１１ｄ
再び対物レンズ（１４）ｒ透過し、ホログラムプレート
（１３１に入射する。このホログラムプレート（Ｉ：ｉ
ｉｔ元ディスク０２：Ｊより反射されたレーザ光に対し
非点収差の発生及びレーザ光全回折分離する作用を有し
ているためホログラムプレートα３）に入射したレーザ
光（８）は光信号検出器（ｌωに入射する非点収差全土
じたレーザ光（８）として回折分離される。
２１ニ一方の端面に１００チ近い反射率のコーティング
膜全有しており、他方の端面からレーザ光（７）を出射
する。このレーザ光（））はある程度の広がり角を持っ
て半導体基板ｆｉ＋の傾斜部（３）に形成したモニタ用
光検出器（４）へ入射される。このレーザ光（））の一
部はモニタ用として検出されるが、大部分にこのモニタ
用光検出器（４）の表面に形成した１００％近くの反射
率を有するコーティング膜（６）で反射され９０″向き
を変えて放射する。レーザ光（８）はホログラムプレー
ト０３） を透過し、対物レンズ（Ｉ４１により光ディ
スクＯツに集光される。集光されたレーザ光１８１１ｄ
再び対物レンズ（１４）ｒ透過し、ホログラムプレート
（１３１に入射する。このホログラムプレート（Ｉ：ｉ
ｉｔ元ディスク０２：Ｊより反射されたレーザ光に対し
非点収差の発生及びレーザ光全回折分離する作用を有し
ているためホログラムプレートα３）に入射したレーザ
光（８）は光信号検出器（ｌωに入射する非点収差全土
じたレーザ光（８）として回折分離される。
以上のようにこの発明によれば、半導体基板の等板上に
形成した傾斜部を有して成る凸部上面に光信号検出器金
膜けて、発光部と光ディスク等の間にホログラムプレー
ト？介することにより、小型、かつ簡単な構成で安価な
光信号検出装置となる半導体レーザ装置が得られる効果
がある。
形成した傾斜部を有して成る凸部上面に光信号検出器金
膜けて、発光部と光ディスク等の間にホログラムプレー
ト？介することにより、小型、かつ簡単な構成で安価な
光信号検出装置となる半導体レーザ装置が得られる効果
がある。
男】図はこの発明の一害施例による半導体レーザ々置金
示す概略図、第２図は従来の半導体レーザ装置全示す断
面図である。 図において、ｉｌ＋は半導体基板、（２１は半導体レー
ザ素子、］３）は傾斜面、（４）はモニタ用光検出器、
（５）はコーチ、イングＩＩＪ 、ｆｉｌ ！’！コー
ティング膜、＋７１Ｈレーザ光、（８）は反射したレー
ザ光、０５１は光信号検出器。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分金示す。
示す概略図、第２図は従来の半導体レーザ装置全示す断
面図である。 図において、ｉｌ＋は半導体基板、（２１は半導体レー
ザ素子、］３）は傾斜面、（４）はモニタ用光検出器、
（５）はコーチ、イングＩＩＪ 、ｆｉｌ ！’！コー
ティング膜、＋７１Ｈレーザ光、（８）は反射したレー
ザ光、０５１は光信号検出器。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分金示す。
Claims (1)
- 少なくとも２つの光検出器が同一基板内に形成された
半導体基板の前記基板上に半導体レーザ素子をマウント
してなる半導体レーザ装置において、上記半導体レーザ
素子は、一方の端面に１００％近い反射率を有するコー
ティング膜が形成され、他方の端面からのみレーザ光が
出射され、前記基板において、レーザ光出射端面に対向
して４０％以上の反射率を有する傾斜面が設置され、こ
の傾斜面を含む領域に、第１の光検出器が形成されてお
り、また、傾斜面によつて形成される基板凸部上面に第
２の光検出器が形成され、上記半導体レーザ素子から出
射されるレーザ光はこれに直接入射しないことを特徴と
する半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10050488A JPH01270382A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10050488A JPH01270382A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270382A true JPH01270382A (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=14275773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10050488A Pending JPH01270382A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01270382A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03216822A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ヘッド装置 |
| US5479426A (en) * | 1994-03-04 | 1995-12-26 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor laser device with integrated reflector on a (511) tilted lattice plane silicon substrate |
| EP1489607A2 (en) * | 2003-06-16 | 2004-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slim optical pickup |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP10050488A patent/JPH01270382A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03216822A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ヘッド装置 |
| JPH087872B2 (ja) * | 1990-01-19 | 1996-01-29 | 松下電器産業株式会社 | 光ヘッド装置 |
| US5479426A (en) * | 1994-03-04 | 1995-12-26 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor laser device with integrated reflector on a (511) tilted lattice plane silicon substrate |
| EP1489607A2 (en) * | 2003-06-16 | 2004-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slim optical pickup |
| EP1489607A3 (en) * | 2003-06-16 | 2007-04-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slim optical pickup |
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