JP2870593B2 - 焦点誤差検出器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ヘッドや露光機
などの光を結像させる装置に用いられる焦点の位置を検
出する焦点誤差検出器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の焦点誤差検出器として特開昭６１
−５９６３０号公報に記載の焦点誤差検出器について図
３５を参照して説明する。図３５に示すように半導体レ
ーザー１から出射された光はコリメートレンズ３により
コリメートされ、偏光ビームスプリッタ２を透過する。
偏光ビームスプリッタ２を透過した光は１／４波長板４
を透過し、対物レンズ５により光ディスク６に集光され
る。光ディスク６からの反射光は同じ光路を逆に進み、
再び１／４波長板４を透過することで半導体レーザー１
からの光の偏光方向と直交した偏光方向の光に変換さ
れ、偏光ビームスプリッタ２により反射される。偏光ビ
ームスプリッタ２により反射された光はレンズ３５によ
り集光され、ハーフミラー６０に入射する。ハーフミラ
ー６０に入射した光の一部はハーフミラー６０を透過
し、透過光の焦点よりも近い位置に配置された第１の光
検出器３６により受光される。さらに、ハーフミラー６
０に入射した光の一部はハーフミラー６０により反射さ
れ、反射光の焦点よりも遠い位置に配置された第２の光
検出器３７により受光される。

【０００３】第１の光検出器３６および第２の光検出器
３７は、それぞれ受光部３８、受光部３９、受光部４０
および受光部４１、受光部４２、受光部４３の３つの受
光部により分割されており、ハーフミラー６０からの透
過および反射光がそれぞれ第１の光検出器３６および第
２の光検出器３７上に形成するビームスポット４４、ビ
ームスポット４５を受光する。受光部３８、受光部３
９、受光部４０、受光部４１、受光部４２、受光部４３
からの出力をそれぞれＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆとする
と、焦点誤差信号は（Ａ＋Ｃ−Ｂ）−（Ｄ＋Ｆ−Ｅ）か
ら得られる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図３５に示す従来の焦
点誤差検出器は、光検出器の受光部が３分割された光検
出器を用いており、光ヘッド装置等の焦点誤差検出を必
要とする装置を組み立てる際に３分割されたそれぞれの
受光部に対して、ビームスポットの平面内での位置がず
れると焦点誤差信号にオフセットが生じるため、光ヘッ
ド装置等の焦点誤差検出を必要とする装置の生産性が悪
いという問題が生ずる。

【０００５】本発明の目的は、ビームスポットの受光部
上への位置合わせ時にビームスポットを平面内で位置合
わせする必要がなく、組立てが容易で生産性に優れた焦
点誤差検出器を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、光源
と、該光源からの光を被焦点誤差検出媒体に絞り込む対
物レンズと、前記被焦点誤差検出媒体からの反射光を分
離する反射光分離手段と、該反射光分離手段により分離
された複数の光の内、一つの光を焦点よりも近い位置で
受光する第１の光検出器と、他方の光を焦点よりも遠い
位置で受光する第２の光検出器から構成される焦点誤差
検出器において、前記第１および第２の光検出器の受光
部の一部もしくは全体に入射光の光密度によって透過率
が変化する物質を装荷したことを特徴とする焦点誤差検
出器が得られる。

【０００７】また、本発明によれば、前記光密度によっ
て透過率が変化する物質が可飽和吸収体であることを特
徴とする焦点誤差検出器が得られる。

【０００８】さらに、本発明によれば、前記光密度によ
って透過率が変化する物質がフォトクロミック材料であ
ることを特徴とする焦点誤差検出器が得られる。

【０００９】

【作用】被焦点誤差検出媒体で反射された光が光検出器
の近辺で集光する点は、被焦点誤差検出媒体が光軸方向
にずれたとき、光検出器に対して前後し、この光が光検
出器に形成するビームスポットの光強度分布は、集光点
が光検出器に近づくにつれて、幅の狭く尖頭値の高い分
布となる。光検出器の受光部に装荷された透過率変化物
質には、しきい値を超える強度の光が入射した場合、透
過率が増加（もくしは、減少）する性質があるため、集
光点が光検出器に近づくにつれ、光強度分布においてし
きい値を超える部分が増加し、受光部で検出される信号
は、増加（もしくは、減少）する。このことから、一方
の光検出器は、集光点の前方に配置され、もう一方の光
検出器は、集光点の後方に配置されているため、被焦点
誤差検出媒体がレンズに近づくと、前者の受光部で検出
される信号が増加（もしくは、減少）し、後者の受光部
で検出される信号が減少（もしくは、増加）する。ま
た、被焦点誤差検出媒体がレンズから遠ざかると、前者
の受光部で検出される信号が減少（もしくは、増加）
し、後者の受光部で検出される信号が増加（もしくは、
減少）する。この２つの光検出器からの信号の差から焦
点誤差が検出される。

【００１０】つまり、本発明の焦点誤差検出器は、検出
される焦点誤差信号の特性が２つの光検出器の光軸方向
の相対的な位置関係のみに依存し、光軸に垂直な面内の
位置に依存しないため、組立の容易な焦点誤差検出器を
実現できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図１を参照して本発明の焦
点誤差検出器の第１の実施の形態を説明する。図１に示
すように、半導体レーザー１から出射された光は偏光ビ
ームスプリッタ２を透過し、コリメートレンズ３により
コリメートされる。コリメートされた光は１／４波長板
４を透過し、対物レンズ５により光ディスク６に集光さ
れる。光ディスク６からの反射光は同じ光路を逆に進
み、再び１／４波長板４を透過することで半導体レーザ
ー１からの光の偏光方向と直交した偏光に変換され、偏
光ビームスプリッタ２により反射される。偏光ビームス
プリッタ２により反射されビームスプリッタ９５を透過
した光は受光部全体に物質３０が形成された第１光検出
器９６により受光され、ビームスプリッタ９５により反
射された光は同様に物質３０が形成された第２光検出器
９７により受光される。

【００１２】第１光検出器９６、第２光検出器９７の斜
視図を図２に示す。第１光検出器９６、第２光検出器９
７は受光部上に物質３０を形成した構造である。光ディ
スク６により反射された光は偏光ビームスプリッタ２に
より反射され、ビームスプリッタ９５を透過した光は第
１光検出器９６上にビームスポット１０２を、ビームス
プリッタ９５により反射された光は第２光検出器９７上
にビームスポット１０８を形成する。第１光検出器９
６、第２光検出器９７は、光ディスク６上に対物レンズ
５からの光の焦点がある場合にビームスポット１０２と
ビームスポット１０８が同じ大きさになるように、それ
ぞれビームスプリッタ９５からの透過または反射光の集
光点が第１光検出器９６の手前、第２光検出器９７の奥
になるように配置する。

【００１３】第１光検出器９６または第２光検出器９７
に入射した光の集光位置が光軸方向に変化した場合の第
１光検出器９６または第２光検出器９７の出力は、物質
３０が可飽和吸収膜の場合図３に示すようになり、フォ
トクロミック材料の膜の場合図４に示すようになる。第
１光検出器９６または第２光検出器９７に入射した光の
焦点が物質３０上にあるときに最も物質３０上での光密
度が高くなるため、可飽和吸収膜は可飽和吸収により透
明になり光検出器の出力は最大となる。逆に、フォトク
ロミック材料は光化学変化により透過率が低下し光検出
器の出力は最小となる。

【００１４】光ディスク６が光軸方向に動くと、第１光
検出器９６および第２光検出器９７に入射する光の集光
位置も変化するため、第１光検出器９６および第２光検
出器９７の出力は物質３０が可飽和吸収膜の場合には図
５のように、フォトクロミック材料の膜の場合には図６
のようになる。ゆえに、焦点誤差信号は第１光検出器９
６の出力と第２光検出器９７の出力の差から検出され
る。すなわち、物質３０が可飽和吸収膜の場合には図
７、フォトクロミック材料の膜の場合には図８のような
焦点誤差信号が検出でき、焦点誤差信号が零になるよう
な位置から集光点が光ディスク６上に一致する位置が検
出できる。

【００１５】第１光検出器９６、第２光検出器９７は分
割線１０５によってそれぞれ受光部９８と受光部９９、
受光部１００と受光部１０１に分割されており、受光部
９８、受光部９９、受光部１００、受光部１０１の出力
をＡ′、Ｂ′、Ｃ′、Ｄ′とすると焦点誤差信号は
（Ａ′＋Ｂ′）−（Ｃ′＋Ｄ′）により得られ、トラッ
ク誤差信号は（Ａ′＋Ｃ′）−（Ｂ′＋Ｄ′）により得
られる。さらに情報再生信号はＡ′＋Ｂ′＋Ｃ′＋Ｄ′
により得られる。

【００１６】次に、本発明の第２の実施の形態について
図面を参照して説明する。図９は本発明の焦点誤差検出
器の第２の実施の形態を示した図である。図９におい
て、半導体レーザー１から出射された光は偏光ビームス
プリッタ２を透過し、コリメートレンズ３によりコリメ
ートされる。コリメートされた光は１／４波長板４を透
過し、対物レンズ５により光ディスク６に集光される。
光ディスク６からの反射光は同じ光路を逆に進み、再び
１／４波長板４を透過することで半導体レーザー１から
の光の偏光方向と直交した偏光に変換され、偏光ビーム
スプリッタ２により反射される。偏光ビームスプリッタ
２により反射された光はホログラム７により回折され受
光部の一部に物質３０が形成された光検出器８により受
光される。ここで、偏光ビームスプリッタ２および１／
４波長板４は偏光ビームスプリッタ２の位置にハーフミ
ラーを置くことで代用することが出来、部品点数の削減
が可能となる。

【００１７】ホログラム７および光検出器８の平面図を
図１０に示す。ホログラム７は光軸を通り互いに直交す
る２本の直線により領域５２、領域５３、領域５４、領
域５５の４つの領域に分割されている。領域５２、領域
５３には、２つの光源が受光部１５上よりも奥に１つ、
光検出器８上の受光部１４と受光部１５の中間点に１つ
あると仮定したとき、２つの光源からの光がホログラム
７上で干渉した時の干渉パターンと同じパターンの格子
が形成されている。領域５４には単純格子、領域５５に
は領域５４に形成された単純格子のピッチよりも広いピ
ッチの単純格子が形成されている。格子の厚さは半導体
レーザー１から出射される光の波長に対して位相差がπ
となるような厚さである。

【００１８】ホログラム７に入射した光ディスク６から
の反射光の内、領域５２、領域５３に入射した光は領域
５２、領域５３に形成された格子により回折され、＋１
次回折光は光検出器８の受光部１５上の奥に、−１次回
折光は光検出器８の受光部１４上よりも手前に集光し、
それぞれ受光部１５上にビームスポット１８、受光部１
４上にビームスポット１７を形成する。また、領域５
４、領域５５に入射した光は領域５４、領域５５に形成
された格子により回折され、それぞれ受光部１０と受光
部１３上にビームスポット１９とビームスポット２２、
受光部１１と受光部１２にビームスポット２０とビーム
スポット２１を形成する。光検出器８は、対物レンズ５
により集光された光の集光点が光ディスク６上にある場
合、受光部１５上に形成されたビームスポット１８と受
光部１４上に形成されたビームスポット１７の大きさが
等しくなるように配置する。

【００１９】受光部１４または受光部１５に入射する光
の集光位置が光軸方向に変化した場合の受光部１４また
は受光部１５の出力は、物質３０が可飽和吸収膜の場合
には図１１に示すようになり、フォトクロミック材料の
膜の場合には図１２に示すようになる。受光部１４また
は受光部１５に入射する光の集光点が物質３０上にある
ときに最も物質３０上での光密度が高くなるため、可飽
和吸収膜は可飽和吸収により透明になり光検出器の出力
は最大となる。逆に、フォトクロミック材料は光化学変
化により透過率が低下し光検出器の出力は最小となる。

【００２０】光ディスク６が光軸方向に動くと、受光部
１４および受光部１５に入射した光の集光位置も変化す
るため、受光部１４および受光部１５の出力は物質３０
が可飽和吸収膜の場合には図１３、フォトクロミック材
料の膜の場合には図１４のようになる。ゆえに、焦点誤
差信号は受光部１４の出力と受光部１５の出力の差から
検出される。すなわち、物質３０が可飽和吸収膜の場合
には図１５、フォトクロミック材料の膜の場合には図１
６のような焦点誤差信号が検出でき、焦点誤差信号が零
になるような位置から集光点が光ディスク６上に一致す
る位置が検出できる。

【００２１】受光部１０、受光部１１、受光部１２、受
光部１３、受光部１４、受光部１５のから出力をそれぞ
れＡ″、Ｂ″、Ｃ″、Ｄ″、Ｅ″、Ｆ″、係数をｍとす
ると、焦点誤差信号はＥ″−Ｆ″により得られ、トラッ
ク誤差信号は（Ａ″＋Ｄ″）−（Ｂ″＋Ｃ″）により得
られる。さらに、情報再生信号はＡ″＋Ｂ″＋Ｃ″＋
Ｄ″＋ｍ（Ｅ″＋Ｆ″）により得られる。この構成にす
る事で焦点誤差検出器に使用する２つの光検出器を１つ
にすることが出来、上述した本発明の第１の実施の形態
で示した構成よりも部品構成が簡単になる。さらに、上
述した第１の実施の形態で示した構成では第１光検出器
９６、および第２光検出器９７上に光を調整する場合
に、ビームスポット１０８およびビームスポット１０２
の中心に分割線１０５が来るように調節する必要があ
り、完全に調整が不要ではないが、第２の実施の形態で
示した構成では受光部１４及び受光部１５に光が入射す
るだけでよく、上述した第１の実施の形態で示した構成
よりも組立ての際の調整が簡単になる。

【００２２】次に、本発明の第３の実施の形態について
図面を参照して説明する。図１７は本発明の焦点誤差検
出器の第３の実施の形態を示した図である。半導体レー
ザー１から出た光はミラー７２により反射され、偏光性
ホログラム９を透過した後にコリメートレンズ３により
コリメートされる。コリメートされた光は１／４波長板
４を透過し、対物レンズ５により光ディスク６に集光さ
れる。光ディスク６からの反射光は同じ光路を逆に進
み、再び１／４波長板４を透過することで半導体レーザ
ー１からの光の偏光方向と直交した偏光に変換され、偏
光性ホログラム９により回折され受光部の一部に物質３
０が形成された光検出器６５により受光される。偏光性
ホログラム９を使用することによって偏光性を持たない
ホログラムを使用するよりも光利用率を高めることが出
来る。

【００２３】偏光性ホログラム９および光検出器６５の
平面図を図１８に示す。偏光性ホログラム９は光軸を通
り互いに直交する２本の直線により領域８５、領域８
６、領域８７、領域８８の４つの領域に分割されてい
る。領域８７、領域８８は、２つの光源が受光部７１上
よりも奥に１つ、光検出器６５上の受光部７０と受光部
７１の中間点に１つあると仮定したとき、２つの光源か
らの光が偏光性ホログラム９上で干渉した時の干渉パタ
ーンと同じパターン状に複屈折基板をプロトン交換し、
プロトン交換したパターンの上に誘電体の膜を形成した
構造である。領域８５、領域８６は複屈折基板を互いに
交差するようなパターン状にプロトン交換し、プロトン
交換したパターンの上に誘電体の膜を形成した構造であ
る。偏光性ホログラム９を使用することによって光検出
器と半導体レーザーを一体化することが出来、光ヘッド
の小型化が可能となる。

【００２４】偏光性ホログラム９に入射した光ディスク
６からの反射光の内、領域８５、領域８６に入射した光
は領域８５、領域８６に形成された格子により回折さ
れ、＋１次回折光は光検出器６５の受光部７１上の奥
に、−１次回折光は光検出器６５の受光部７０上よりも
手前に集光し、それぞれ受光部７１上にビームスポット
７９、受光部７０上にビームスポット７６を形成する。
また、領域８７、領域８８に入射した光は領域８７、領
域８８に形成された格子により回折され、それぞれ受光
部６７と受光部６８上にビームスポット７７とビームス
ポット７８、受光部６６と受光部６９上にビームスポッ
ト７５とビームスポット８０を形成する。光検出器６５
は、対物レンズ５により集光された光の焦点が光ディス
ク６上にある場合に、受光部７１上に形成されたビーム
スポット７９と受光部７０上に形成されたビームスポッ
ト７６の大きさが等しくなるように配置する。

【００２５】受光部７０または受光部７１に入射する光
の集光位置が光軸方向に変化した場合の受光部７０また
は受光部７１の出力は、物質３０が可飽和吸収膜の場合
には図１９に示すようになり、フォトクロミック材料の
膜の場合には図２０に示すようになる。受光部７０また
は受光部７１に入射する光の集光点が物質３０上にある
ときに最も物質３０上での光密度が高くなるため、可飽
和吸収膜は可飽和吸収により透明になり光検出器の出力
は最大となる。逆に、フォトクロミック材料は光化学変
化により透過率が低下し光検出器の出力は最小となる。

【００２６】光ディスク６が光軸方向に動くと、受光部
７０および受光部７１に入射した光の集光位置も変化す
るため、受光部７０および受光部７１の出力は物質３０
が可飽和吸収膜の場合には図２１、フォトクロミック材
料の膜の場合には図２２のようになる。ゆえに、焦点誤
差信号は受光部７０の出力と受光部７１の出力の差から
検出される。すなわち、物質３０が可飽和吸収膜の場合
には図２３、フォトクロミック材料の膜の場合には図２
４のような焦点誤差信号が検出でき、焦点誤差信号が零
になるような位置から集光点が光ディスク６上に一致す
る位置が検出できる。

【００２７】受光部６６、受光部６７、受光部６８、受
光部６９、受光部７０、受光部７１からの出力をＧ、
Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、係数をｍとすると、焦点誤差信号
はＫ−Ｌにより得られ、トラック誤差信号は（Ｇ＋Ｊ）
−（Ｈ＋Ｉ）により得られる。さらに、情報再生信号は
Ｇ＋Ｈ＋Ｉ＋Ｊ＋ｍ（Ｋ＋Ｌ）により得られる。この構
成にすることで上述した第２の実施の形態で示した構成
よりもさらに小型化が可能になる。

【００２８】次に、本発明の焦点誤差検出器の第４の実
施の形態について図面を参照して説明する。図２５は本
発明の焦点誤差検出器の第４の実施の形態を示した図で
ある。半導体レーザー１から出射された光は偏光ビーム
スプリッタ２を透過し、コリメートレンズ３によりコリ
メートされる。コリメートされた光は１／４波長板４を
透過し、対物レンズ５により光ディスク６に集光され
る。光ディスク６からの反射光は同じ光路を逆に進み、
再び１／４波長板４を透過することで半導体レーザー１
からの光の偏光方向と直交した偏光に変換され、偏光ビ
ームスプリッタ２により反射される。偏光ビームスプリ
ッタ２により反射されたビームスプリッタ９５を透過し
た光は受光部全体に物質Ａ１０９が形成された第１光検
出器９６により受光され、ビームスプリッタ９５により
反射された光は受光部全体に物質Ａ１０９と種類または
厚さが異なる物質Ｂ１１０が形成された第２光検出器９
７により受光される。

【００２９】第１光検出器９６は、ビームスプリッタ９
５を透過した光の集光点が第１光検出器９６上よりも手
前になる位置に配置する。第２光検出器９７は、ビーム
スプリッタ９５により反射された光の集光点が第２光検
出器９７よりも奥になり、かつ光ディスク６上に集光点
がある場合に、第１光検出器９６の出力と同じ出力にな
る様な位置に配置する。

【００３０】受光部全体に物質Ａ１０９が形成された第
１光検出器９６に入射した光の集光点が光軸方向に変化
すると、第１光検出器９６の出力は物質Ａ１０９が可飽
和膜の場合には図２６、物質Ａ１０９がフォトクロミッ
ク材料の場合には図２７の様になる。また、受光部全体
に物質Ｂ１１０が形成された第２光検出器９７に入射し
た光の集光点が光軸方向に変化すると、物質Ｂ１１０の
透過率が物質Ａ１０９の透過率と異なるため、第２光検
出器９７の出力は物質Ｂ１１０が可飽和吸収膜の場合に
は図２８、物質Ｂ１１０がフォトクロミック材料の場合
には図２９の様になる。第１光検出器９６または第２光
検出器９７に入射する光の集光点が物質Ａ１０９または
物質Ｂ１１０上にあるときに最も物質Ａ１０９または物
質Ｂ１１０上での光密度が高くなるため、可飽和吸収膜
は可飽和吸収により透明になり光検出器の出力は最大と
なる。逆に、フォトクロミック材料は光化学変化により
透過率が低下し光検出器の出力は最小となる。

【００３１】光ディスク６が光軸方向に動くと、第１光
検出器９６および第２光検出器９７に入射した光の集光
位置も変化するため、第１光検出器９６および第２光検
出器９７の出力は物質Ａ１０９および物質Ｂ１１０が可
飽和吸収膜の場合には図３０、フォトクロミック材料の
膜の場合には図３１のようになる。ゆえに、焦点誤差信
号は第１光検出器９６の出力と第２光検出器９７の出力
の差から検出される。すなわち、物質Ａ１０９および物
質Ｂ１１０が可飽和吸収膜の場合には図３２、フォトク
ロミック材料の膜の場合には図３３のような焦点誤差信
号が検出でき、焦点誤差信号が零になるような位置から
集光点が光ディスク６上に一致する位置が検出できる。
第２および第３の実施の形態においても同様に２つの光
検出器上の物質３０を物質Ａ１０９と物質Ｂ１１０に置
き換えることができる。

【００３２】次に、本発明の焦点誤差検出器の第５の実
施の形態について図面を参照して説明する。図３４は本
発明の焦点誤差検出器の第５の実施の形態を示した図で
ある。光源１１３から出射された光は、レンズ１１４に
より集光され露光対象物１１５により反射される。露光
対象物１１５に反射された光は集光レンズ１１６により
集光され、ビームスプリッタ１１７に入射する。ビーム
スプリッタ１１７に入射し、ビームスプリッタ１１７を
透過した光は、透過光の集光点よりも遠い位置に設置さ
れた全面に物質３０が装荷された光検出器１１８により
受光される。また、ビームスプリッタ１１７に入射し、
ビームスプリッタ１１７により反射された光は、反射光
の集光点よりも近い位置に設置された全面に物質３０が
装荷された光検出器１１９により受光される。

【００３３】光検出器１１８、光検出器１１９は、露光
対象物１１５上にレンズ１１６からの光の集光点がある
場合に、光検出器１１８および光検出器１１９上に形成
されるビームスポットの大きさが等しくなるように、そ
れぞれビームスプリッタ１１７を透過した光の集光点よ
りも遠く、ビームスプリッタ１１７により反射された光
の集光点よりも近い位置に配置する。光検出器１１８、
光検出器１１９の出力をＸ、Ｙとすると、焦点誤差信号
はＸ−Ｙにより表される。物質３０は第４の実施の形態
と同様に物質Ａ１０９と物質Ｂ１１０に置き換えること
ができる。

【００３４】

【実施例】本発明の実施例として可飽和吸収膜にはフタ
ロシアニン、フォトクロミック材料にはアントラセン、
スピロピラン等が用いられる。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、受光部上に入射光の光
密度によって透過率が変化する物質を形成した２つの光
検出器の内、一方の光検出器を被焦点誤差検出媒体から
の反射光を複数に分離した内の一方の光の焦点よりも近
い位置に配置し、他方の光検出器を被焦点誤差検出媒体
からの反射光を２つに分離した内の他方の光の焦点より
も遠い位置に配置することによって、受光部を分割しな
くてもよく、ビームスポットを平面内で位置合わせする
必要がないため、装置組立て時の調整が簡単で製造コス
トが低減される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の焦点誤差検出器の第１の実施の形態を
示す図である。

【図２】第１の実施の形態に用いる光検出器の斜視図で
ある。

【図３】物質が可飽和吸収膜の場合の第１光検出器また
は第２光検出器の出力を示した図である。

【図４】物質がフォトクロミック材料の場合の第１光検
出器または第２光検出器における出力を示した図であ
る。

【図５】物質が可飽和吸収膜の場合の第１光検出器およ
び第２光検出器の出力を示した図である。

【図６】物質がフォトクロミック材料の膜の場合の第１
光検出器および第２光検出器の出力を示した図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態において物質が可飽
和吸収膜の場合における焦点誤差信号の出力を示した図
である。

【図８】本発明の第１の実施の形態において物質がフォ
トクロミック材料の膜の場合における焦点誤差信号の出
力を示した図である。

【図９】本発明の焦点誤差検出器の第２の実施の形態を
示した図である。

【図１０】第２の実施の形態に用いるホログラムおよび
光検出器の平面図である。

【図１１】物質が可飽和吸収膜の場合の受光部１４また
は受光部１５における出力を示した図である。

【図１２】物質がフォトクロミック材料の場合の受光部
１４または受光部１５における出力を示した図である。

【図１３】物質が可飽和吸収膜の場合の受光部１４およ
び受光部１５からの出力を示した図である。

【図１４】物質がフォトクロミック材料の膜の場合の受
光部１４および受光部１５からの出力を示した図であ
る。

【図１５】本発明の第２の実施の形態において物質が可
飽和吸収膜の場合における焦点誤差信号の出力を示した
図である。

【図１６】本発明の第２の実施の形態において物質がフ
ォトクロミック材料の膜の場合における焦点誤差信号の
出力を示した図である。

【図１７】本発明の焦点誤差検出器の第３の実施の形態
を示した図である。

【図１８】本発明の第３の実施の形態における偏光性ホ
ログラムおよび光検出器の平面図である。

【図１９】物質が可飽和吸収膜の場合の受光部７０また
は受光部７１における出力を示した図である。

【図２０】物質がフォトクロミック材料の場合の受光部
７０または受光部７１における出力を示した図である。

【図２１】物質が可飽和吸収膜の場合の受光部７０およ
び受光部７１からの出力を示した図である。

【図２２】物質がフォトクロミック材料の膜の場合の受
光部７０および受光部７１からの出力を示した図であ
る。

【図２３】本発明の第３の実施の形態において物質が可
飽和吸収膜の場合における焦点誤差信号の出力を示した
図である。

【図２４】本発明の第３の実施の形態において物質がフ
ォトクロミック材料の膜の場合における焦点誤差信号の
出力を示した図である。

【図２５】本発明の焦点誤差検出器の第４の実施の形態
を示した図である。

【図２６】物質Ａが可飽和吸収膜の場合の第１光検出器
における出力を示した図である。

【図２７】物質Ａがフォトクロミック材料の場合の第１
光検出器における出力を示した図である。

【図２８】物質Ｂが可飽和吸収膜の場合の第２光検出器
における出力を示した図である。

【図２９】物質Ｂがフォトクロミック材料の場合の第２
光検出器における出力を示した図である。

【図３０】物質Ａおよび物質Ｂが可飽和吸収膜の場合の
第１光検出器および第２光検出器の出力を示した図であ
る。

【図３１】物質Ａおよび物質Ｂがフォトクロミック材料
の場合の第１光検出器および第２光検出器の出力を示し
た図である。

【図３２】物質Ａおよび物質Ｂが可飽和吸収膜の場合の
焦点誤差信号の出力を示した図である。

【図３３】物質Ａおよび物質Ｂがフォトクロミック材料
の膜の場合の焦点誤差信号の出力を示した図である。

【図３４】本発明の焦点誤差検出器の第５の実施の形態
を示した図である。

【図３５】従来の光ヘッド装置を示した図である。

【符号の説明】

１ 半導体レーザー ２ 偏光ビームスプリッタ ３ コリメートレンズ ４ １／４波長板 ５ 対物レンズ ６ 光ディスク ７ ホログラム ８ 光検出器 ９ 偏光性ホログラム １０ 受光部 １１ 受光部 １２ 受光部 １３ 受光部 １４ 受光部 １５ 受光部 １７ ビームスポット １８ ビームスポット １９ ビームスポット ２０ ビームスポット ２１ ビームスポット ２２ ビームスポット ３０ 物質 ３４ 焦点誤差信号 ３５ レンズ ３６ 第１光検出器 ３７ 第２光検出器 ３８ 受光部 ３９ 受光部 ４０ 受光部 ４１ 受光部 ４２ 受光部 ４３ 受光部 ４４ ビームスポット ４５ ビームスポット ５２ 領域 ５３ 領域 ５４ 領域 ５５ 領域 ６０ ハーフミラー ６５ 光検出器 ６６ 受光部 ６７ 受光部 ６８ 受光部 ６９ 受光部 ７０ 受光部 ７１ 受光部 ７２ ミラー ７５ ビームスポット ７６ ビームスポット ７７ ビームスポット ７８ ビームスポット ７９ ビームスポット ８０ ビームスポット ８５ 領域 ８６ 領域 ８７ 領域 ８８ 領域 ９５ ビームスプリッタ ９６ 第１光検出器 ９７ 第２光検出器 ９８ 受光部 ９９ 受光部 １００ 受光部 １０１ 受光部 １０２ ビームスポット １０５ 分割線 １０８ ビームスポット １０９ 物質Ａ １１０ 物質Ｂ １１３ 光源 １１４ レンズ １１５ 露光対象物 １１６ 集光レンズ １１７ ビームスプリッタ １１８ 光検出器 １１９ 光検出器

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源と、該光源からの光を被焦点誤差検
   出媒体に絞り込む対物レンズと、前記被焦点誤差検出媒
   体からの反射光を分離する反射光分離手段と、該反射光
   分離手段により分離された複数の光の内、一つの光を焦
   点よりも近い位置で受光する第１の光検出器と、他方の
   光を焦点よりも遠い位置で受光する第２の光検出器から
   構成される焦点誤差検出器において、前記第１および第
   ２の光検出器の受光部の一部もしくは全体に入射光の光
   密度によって透過率が変化する物質を装荷したことを特
   徴とする焦点誤差検出器。
2. 【請求項２】 前記光密度によって透過率が変化する物
   質が可飽和吸収体であることを特徴とする請求項１記載
   の焦点誤差検出器。
3. 【請求項３】 前記光密度によって透過率が変化する物
   質がフォトクロミック材料であることを特徴とする請求
   項１記載の焦点誤差検出器。