JP4426130B2 - 透過型光電センサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、投光部から出射され、受光部に至る光の光路内に存在する検出物体の遮光状態により変化する受光量に基づいて動作する透過型光電センサに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の透過型光電センサの一例としては、図7(A)に示すように、互いに対向して配置される投光部1及び受光部5を備えたものがある。このうち投光部1は、投光素子2と、その投光素子2からの光を平行光に変える投光レンズ3と、その平行光を通すための矩形スリット状に開口した投光窓4とを備える。一方、受光部5は、前記投光部1の投光窓4と対向し、その投光窓4からの平行光を通すための同じく矩形スリット状に開口した受光窓6と、受光窓6からの光を収束する受光レンズ7と、受光素子8とを備える。ここで、同(A)図に示すように、投光部1から出射され、受光部5の受光素子8で受光され得る平行光の光路R(同図(A)において、点線囲み部分)途中に、検出物体Waが存在すると、その平行光の一部が遮られ、その分だけ受光素子8での受光量が減少する。この受光素子8での受光量は、光路R内における検出物体Waの投光窓4の長軸方向(同図(A)において、紙面の上下方向)の幅(以下、「遮光寸法」という)に比例して変化する。従って、この受光量を測定することで、検出物体Waの寸法等を測定することが可能になる。なお、このような透過型光電センサの一例が、特開平8-240412号に開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、検出物体が表面反射率の高い材質で形成されている場合には、正確な寸法測定が行えないという問題が生じ得る。以下、この理由について説明する。例えば、図7(B)に示すように、光路R内に、表面反射率の高い検出物体Wbが存在し、その検出物体Wbの投光部1側表面が投光部1からの平行光の進行方向と略直角をなしているとする。すると、投光部1から出射された光のうち、検出物体Wbによって遮光された光は、その検出物体Wb表面で反射して、再び略同一光路上に戻され、投光レンズ3で収束され投光素子2の発光中心部に至ることになる。なお、このように検出物体Wbで反射された光を以下の説明では「回帰光」と呼び、同図(B)では太矢印線で示してある。
【0004】
ここで、投光素子1の発光中心部には、図8に示すように、発光ダイオードチップ(以下、「LEDチップ9」という)が備えられている。LEDチップ9は、図9(B)に示すように、一般に複数の半導体材料(例えば、GaAs,AlGaAs等)を積層してなる半導体層9Aを備えて、その積層方向の両端面には、例えばアルミニウムや金等からなる一対の表面電極層9B及び裏面電極層9Cが設けられている。両電極層9B,9C間に電流を流して発生した半導体層9A内の光は、表面電極層9B側に形成された発光孔9D(同図(A)参照)を通過して外部に放出され、もって、投光素子1は、光束の中心軸がLEDチップ9の表面電極層9Bに垂直な例えば放射光を発することになる。
【0005】
この際、従来のものでは、投光素子1は、その投光の光束中心軸が受光素子8の受光の光束中心軸と略一致するように配されていた。従って、図7(B)に示すように、前記回帰光は、投光素子1のLEDチップ9の表面電極層9B表面又は露出した半導体層9A表面で正反射して、光路R内の別のルートを通って受光素子8に入射し、その分だけ受光量が加算されてしまうのである。これが、表面反射率の高い検出物体の寸法測定が正確に行えない理由である。もちろん、検出物体Wbで反射した光の全部が受光素子8に入射するわけではないから、単に光路R内の検出物体Wbの有無のみを検出する場合であればそれほど問題は生じないと考えられる。しかしながら、上述したように受光量と遮光寸法との比例関係に基づいて検出物体Wbの寸法を測定する場合には、このような受光量の誤差によって、その比例関係が成り立たなくなるから無視できない。
【0006】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、表面反射率の高い検出物体であってもその遮光状態により変化する受光量を正確に測定することが可能な透過型光電センサを提供するところにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1の発明に係る透過型光電センサは、投光素子を備えて、投光素子からの光を平行光として所定の投光可能領域から出射する投光部と、投光部の投光可能領域から出射された平行光を受光する受光部とを対向して配置し、平行光の光路内に存在する検出物体の遮光状態により変化する受光部での受光量に基づいて動作する透過型光電センサにおいて、投光素子は、投光可能領域を照射しつつ、前記投光素子と前記投光可能領域の中心とを結ぶ線に対し、投光素子から発せられる光の中心の角度が、当該光の中心が投光可能領域を通過できる限界角度よりも大きくなるように配置されているところに特徴を有する。
【0008】
【発明の作用及び効果】
例えば投光部からの平行光の光路内に表面反射率が高い物体が存在すると、従来のものと同様に、やはり投光部の投光可能領域から出射された光のうち検出物体によって遮光される光が検出物体表面で反射して、略同一光路を戻って投光素子側に回帰され得る。ここで、本発明の構成によれば、投光素子は、投光可能領域を照射しつつ、前記投光素子と前記投光可能領域の中心とを結ぶ線に対し、投光素子から発せられる光の中心の角度が、当該光の中心が投光可能領域を通過できる限界角度よりも大きくなるように配置されている。従って、回帰された光は、投光素子で正反射しても、その反射光は投光可能領域外に至ることになり、受光部に入射することはない。すなわち、常に検出物体によって遮光されなかった光のみが受光部にて受光されることになり、もって検出物体の遮光寸法に応じた受光量を誤差なく測定することが可能になる。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態を図1ないし図5によって説明する。
本実施形態に係る透過型光電センサ10は、矩形スリット状に開口した投光窓12から平行光を出射する投光部11と、やはり矩形スリット状に開口した受光窓22が形成された受光部21とを対向して配置し、投光部11の投光窓12から出射され受光部21の受光窓22に入射する光の光路を検出可能領域R1(図1において破線で囲んだ部分)とし、その検出可能領域R1内に存在する検出物体の遮光状態により変化する受光部21での受光量に基づいて、例えば検出物体の寸法等を測定するものである。
【0010】
このうち投光部11は、投光ケース13内に、発光ダイオードチップ(以下、「LEDチップ9」という)が設けられた従来と同じ構造(図8,9参照)の投光素子14と、その投光素子14の前方に投光レンズ15とが備えられている。投光レンズ15は、例えば全体として肉厚の半円板形状の凹凸レンズであって、その凸部分を次述する投光窓12側に向けて配置されており、放射状に広がる投光素子14からの光の一部を対向する受光部21側に向う平行光に変える。また、投光ケース13のうち投光レンズ15の前方の壁面には、スリット状に開口されると共に、例えばガラス等の透光部材12aで封鎖された投光窓12が形成されている。従って、投光レンズ15からの光のうち投光窓12内の光の透過可能領域(本発明の「投光可能領域」に相当する)より外側の光は投光ケース13壁面に遮られることになる。よって、投光部11は、この透過可能領域から断面が投光窓12サイズの光束の平行光を受光部21側に照射することになる。
【0011】
一方、受光部21は、受光ケース23内に、例えばフォトダイオード等の受光素子24と、前記投光部11からの平行光を収束する受光レンズ25とが備えられている。また、受光ケース23のうち受光レンズ25の前方の壁面には、やはりスリット状に開口されると共に、例えばガラス等の透光部材22aで封鎖された受光窓22が形成されている。これら投光部11及び受光部21は、それぞれの投光窓12と受光窓22とが互いのスリット形の長軸方向(以下、スリット長軸方向」という)を一致させつつ対向するように配置される。
【0012】
なお、本実施形態では、受光窓22のスリット長軸方向の幅L2は、投光窓12のスリット長軸方向の幅L1に比べて狭くしてある。従って、検出可能領域R1(図1において、斜線部分)も受光窓22のスリット長軸方向の幅L1と同じになる。このような構成にしたのは、検出可能領域R1内の光強度分布を均一化させるためである。即ち、投光素子14からの光は、投光レンズ15を介することで略均一な光強度分布の光束として投光窓12から出射されるが、それでもやはりスリット長軸方向の両端部分の光強度は不均一である。従って、投光窓12の幅L1よりも受光窓22の幅L2を狭くして、光強度の不均一な両端部分を除去することで、検出可能領域R1内の光強度分布の均一化を図ることができる。
【0013】
さらに、本実施形態では、図2に示すように、投光窓12の透光部材12aは、投光素子14からの光を反射して、被検出物体からの回帰光と同じように再び投光素子14のLEDチップ9側に戻されることがないように傾けて配置されている。傾けて配置した分だけ投光窓12からの出射光の光路もずれた位置になる。これに対して受光窓22の透光部材22aは,投光窓12の透光部材12aの傾け方向と対向する方向に傾けて配置されており、このずれを補正するようにしてある。これにより、両透光部材12a,22a間での反射光の影響も排除することが可能になる。
【0014】
さて、本実施形態の透過型光電センサ10では、投光素子14は、図3に示すように、投光窓12及び受光窓22の対向線(図において、一点破線で示した方向)上に位置し、かつ、それが発する光の光束中心(以下、「光軸」という)が前記対向線と角度θをなすように、スリット短軸方向に傾けて配置されている。この角度θは、図4の拡大図に示すように、投光素子14のLEDチップ9の発光の中心光が投光窓12を通過できる限界角度βよりやや大きめの角度(例えば3度の角度)に設定してある。なお、投光素子14の斜め前方には、投光素子14の投光状態を検知するモニター用のフォトダイオード16が設置されている。
【0015】
次に本実施形態の透過型光電センサ10の動作について図4及び図5を参照して説明する。なお、検出物体において反射した光を「回帰光」と呼び、図4で太矢印線で示し、図5では投光素子14からの光を省略して回帰光だけが示されている。
検出可能領域R1内に検出物体Wが存在すると、これにより投光部11からの平行光の一部が遮られ、その分だけ受光素子24での受光量が減少する。この受光素子24での受光量は、検出可能範囲R1内における検出物体Wの投光窓12の長軸方向の幅(以下、「遮光寸法」という)に比例して変化する。従って、この受光量を測定することで、検出物体Wの寸法等を測定することが可能になる。
【0016】
さて、本実施形態の透過型光電センサ10においても、図5に示すように、検出物体Wが表面反射率の高い材質で形成されている場合、投光部11から出射された平行光の一部が、その平行光の進行方向に対して略直角をなす検出物体Wの表面で反射して投光部11側に戻され、投光レンズ15にて収束されて投光素子14のLEDチップ9の表面電極層又は露出した半導体層表面に至ることになる。ところが、図4に示すように、投光素子14は対向線に対して前記限界角度βよりも大きい角度θだけ傾けて配置されているから、LEDチップ9の表面電極層等で正反射した光は、投光窓12を通過することなくその周囲の投光ケース13の壁面によって遮られることになる。従って、回帰光が受光部21側にて受光されることはない。
【0017】
<他の実施形態>
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
(1)上記実施形態では、投光素子を投光窓12のスリット短軸方向に傾けて、本発明でいう「投光可能領域を照射しつつ、投光素子14から発せられる光の光束中心を通過する中心光が投光可能領域外に至るように投光素子14を配置する」ことを実現したが、これに限られず、投光窓12のスリット長軸方向に傾けて配置した構成であってもよい。
【0018】
(2)更に、上記実施形態では、投光素子14を、投光部11及び受光部21の対向線上で角度θだけ傾けて配置した。しかし、参考例として、図6に示すように、投光素子14の光軸(二点破線)方向を投光部11及び受光部21の対向線(一点破線)の方向と一致させたまま対向線上から外し、光軸を通過する中心光が投光レンズを介して投光窓12外に至るようにした構成が挙げられる。
【0019】
(3)上記実施形態ではLEDチップを備えた投光素子14を光源とする透過型光電センサ10を例に上げて説明したが、半導体レーザを光源とする透過型光電センサであっても本発明を適用することで同様の効果を得ることが可能である。
【0020】
(4)上記実施形態では、投光可能領域としてスリット形の投光窓12としたが、必ずしもスリット形でなくてもよく種々の目的に応じた形状であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態に係る透過型光電センサの平断面図
【図2】 投光部及び受光部の透光部材の配置説明のための拡大図
【図3】 透過型光電センサの側断面図
【図4】 投光部内の拡大図
【図5】 検出物体による遮光状態を示した断面図
【図6】 参考例に係る透過型光電センサの投光部内の拡大図
【図7】 従来の透過型光電センサの平断面図
【図8】 その投光素子の正面図及び側断面図
【図9】 LEDチップの正面図及び側断面図
【符号の説明】
10…透過型光電センサ
11…投光部
12…投光窓
14…投光素子
21…受光部
W…検出物体
Claims (1)
- 投光素子を備えて、前記投光素子からの光を平行光として所定の投光可能領域から出射する投光部と、
前記投光部の前記投光可能領域から出射された平行光を受光する受光部とを対向して配置し、
前記平行光の光路内に存在する検出物体の遮光状態により変化する前記受光部での受光量に基づいて動作する透過型光電センサにおいて、
前記投光素子は、前記投光可能領域を照射しつつ、前記投光素子と前記投光可能領域の中心とを結ぶ線に対し、前記投光素子から発せられる光の中心の角度が、当該光の中心が前記投光可能領域を通過できる限界角度よりも大きくなるように配置されていることを特徴とする透過型光電センサ。
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