JPS63175490A - 半導体レ−ザ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 主粟二二程肛止此 本発明は半導体レーザに関する。詳しくは、３ビ一ムト
ラツクキング方式の光学式記録装置、光学式記録再生装
置または光学式再生装置を構成する光学式ヘッドに光源
として用いられた場合、レーザ光がトラックからはずれ
るトラックキングエラーが発生していないにもかかわら
ず、トラックキングエラーが発生したと判断されること
がない半導体レーザに関する。

盗」ぐυ支所 半導体レーザを光学式ヘッドとして採用した３ビームに
よるトラックキングエラーの検出方法について説明する
。

音声、映像等の情報を高密度に記録する記録媒体として
のディスクは、その表面にビットと呼ばれる幅０．５〜
０．８μｍの凸部からなるトラックが螺旋状に形成され
ており、ビットが形成された表面にはＡ２が蒸着されて
いる。また、ディスクの表面には、ビットの保護のため
に約１　、２ｍｍの厚さを有する透明樹脂層が被着され
ている。

ディスクに形成されたビットの状態、耶ちビットの有り
無しやその長短として各種情報が記録されている。この
情報の読み取りは、ビットにレーザ光を照射しつつ、デ
ィスクを回転させることにより、レーザ光の反射光の強
弱を電気信号に変換することにより行われる。

このような読取りの際に、ディスクの偏心、反り等によ
ってレーザ光がトラックを外れて正確にトラックをトレ
ースしないと、ディスクに記録されている情報を正確に
読み取ることができないこととなる。

そこで、このようなトラックキングエラーが発生しない
ように、３ビームによるトラックキングエラーの検出方
法が用いられている。

第３図は従来の半導体レーザの模式的正面図、第４図は
３ビームによるトラックキングエラーの検出を行う機構
の模式的概略図、第５図はディスク上のピットにレーザ
光が照射されている状態を示す模式的概略図である。

レーザチップ１１０は、シリコン等の絶縁物で形成され
たサブマウント１２０の前端面１２１からその射出端面
１１１を突出させるとともに、射出端面１１１と前端面
１２１とが平行になるようにサブマウント１２０に取り
付けられている。つまり、レーザチップ１１０の射出端
面１１１から発振されるレーザ光りと、サブマウント１
２０の前端面１２１とが直交するように取り付けられて
いる。

レーザチップ１１０から発振されたレーザ光りは、回折
格子１３０を通過することによって１本のメインビーム
Ｌ、及び２本のサイドビームＬ２　、Ｌａに回折される
。

回折された３本のビームＬＩ、Ｌ２、Ｌａは、ハーフミ
ラ−１４０を透過し、コリメータレンズ１５０及び対物
レンズ１６０によってディスク２００に形成されたピッ
ト２１０上に焦点を結ぶ。

メインビームＬ、はトラックの中央部、即ちピット２１
０の中央部にメインスポットとして照射され、す身ドビ
ームＬｍ、Ｌａはディスク２００の回転方向に沿ってト
ラックの縁部、即ちメインビームＬ、の前後にサイドス
ポットとしてピット２１０の縁部に照射される。

ディスク２００の表面には、ＡＩが蒸着されているため
、メインビームＬ、及びサイドビームＬ２、Ｌａは、デ
ィスク２００のピット２１０で反射される。

反射されたメインビームＬ、及びサイドビームＬｚ、Ｌ
ａは、対物レンズ１６０及びコリメータレンズ１５０を
介してハーフミラ−１４０に到達する。

ハーフミラ−１４０によって略直角方向に反射されたメ
インビームＬ、及びサイドビームＬ２、Ｌａは、ハーフ
ミラ−１４０のサイドに設けられた受光素子１７０によ
って電気信号に変換される。

この際、２本のサイドビームＬ２、Ｌ２の光量が同一で
あるならば、メインビームＬ、は正確にピット２１０の
中央部に照射されており、トラックキングエラーは発生
していないと判断される。２本のサイドと一ムＬ２、Ｌ
ａの光量が異なるとメインビームＬ、はピット２１０の
中央部に照射されておらず、トラックキングエラーが発
生していると判断される。

゛　ぺ　°　よ゛と　るロ　占 しかしながら、ディスク２００で反射されたすべてのメ
インビームＬ、及びサイドビームＬ２、Ｌａがハーフミ
ラ−１４０によって受光素子１７０に到達するものでは
ない。

ディスク２００で反射されたメインビームＬ、及びサイ
ドビームＬ２、Ｌ２の一部は、ハーフミラ−１４０を透
過して回折格子１３０を通過し、サブマウント１２０の
前端面１２１に到達する。サブマウント１２０に到達し
たレーザ光りは、サブマウント１２０の前端面１２１と
当該レーザ光りとが直交するため、再びディスク２００
の方向に反射されてメインビームＬ、等と重塁し、トラ
ッキングエラーが発生していないにもかかわらず、トラ
ッキングエラーが発生したと判断する原因となる。

本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、ディスク
で反射されたビームがハーフミラ−を透過してサブマウ
ントに到達しても、トラックキングエラーが発生したと
誤認されることのない半導体レーザを提供することを目
的としている。

口　　　　°　るための 本発明に係る半導体レーザは、レーザチップと、レーザ
チップが取り付けられるサブマウントとを具備しており
、前記レーザチップはレーザ光を発振する射出端面が、
前記サブマウントの前端面と所定の角度で傾斜してサブ
マウントに取り付けられている構造を有する。

皿 ディスクの表面で反射され、かつハーフミラ−を透過し
てサブマウントに到達したビームは、すブマウントの前
端面が前記ビームに対して斜めになるため、ディスクの
方向に反射しない。

１呈上 以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。

第１図は本発明に係る半導体レーザの模式的正面図、第
２図は模式的斜視図である。

本発明に係る半導体レーザは、レーザチップ１０と、レ
ーザチップ１０を取り付けるサブマウント２０とを有す
る。

サブマウント２０は、シリコン等で形成された略立方体
形状のものであり、その前端面２１は後端面２２に対し
て所定の角度（好ましくは５°以上）の角度をもって形
成されている。

レーザチップ１０は、レーザ光発振部である射出端面１
１をサブマウン）２０の前端面２１から僅かに突出させ
るとともに、射出端面１１はサブマウント２０の後端面
２２と平行にサブマウント２０に取り付けられている。

つまり、レーザチップ１０は、レーザチップ１０の射出
端面１１とサブマウント２０の前端面２１との間に所定
の角度をもってサブマウント２０に取り付けられている
ので、レーザチップ１ｏから発振されるレーザ光は、サ
ブマウント２０の前端面２１と直交しないようになって
いる。

レーザチップ１０が取り付けられたサブマウント２０は
マウント３０の基準面３１に取り付けられ、レーザチッ
プ１０は基準面３１に開設された開口３１１を貫通する
リード３２と接続される。

リード３２は、封着ガラスを開口３１１に充填すること
によって基準面３１に固定される。

レーザチップ１０が取り付けられたサブマウント２０と
、サブマウント２０が取り付けられたマウント３０とは
図示しないパッケージによって密封される。

主匪ｑ立泉 本発明に係る半導体レーザは、レーザチップが取り付け
られるサブマウントの前端面と、レーザチップから発振
されるレーザ光とが直交しないようにサブマウントの前
端面がレーザチップの射出端面と所定の角度をもって形
成されているので、ディスクの表面で反射され、かつハ
ーフミラ−を透過したビームがサブマウントの前端面に
照射されても、当該ビームが、ディスクの方向に再び反
射されることはない、従って、サブマウントの前端面で
反射されたビームによってトラックキングエラーが発生
したと判断される誤動作が生じることはない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体レーザの模式的正面図、第
２図は模式的斜視図、第３図は従来の半導体レーザの模
式的正面図、第４図は３ビームによるトラックキングエ
ラーの検出を行う機構の模式的概略図、第５図はディス
ク上のピットにビームが照射されている状態を示す模式
的概略図である。 １０・・・レーザチップ、１１・・・射出端面、２０・
・・サブマウント、２１・・・前端面。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）レーザチップと、レーザチップが取り付けられる
   サブマウントとを具備しており、前記レーザチップの射
   出端面が、前記サブマウントの前端面と所定の角度で傾
   斜されて取り付けられたことを特徴とする半導体レーザ
   。