JP2765839B2 - ２ビーム光ヘッド - Google Patents
２ビーム光ヘッドInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ディスク装置などの光ヘッドに係り、特に
２つの半導体レーザを光源に用いて消去・記録・再生を
同時に行なうことが可能な２ビーム光ヘッドに関する。 〔従来の技術〕 光ディスク装置は、大容量・非接触・高速アクセスと
いう特徴を生してデータファイル装置に用いられている
が、１つのビームを用いた光ヘッドでは、通常データの
消去・消録・再生などをそれぞれディスク１回転毎に行
なっており、ディスク回転待ち時間が長いという欠点が
あった。そこで、複数のビームを用いて、消去と記録あ
るいは記録と再生を同時に行なうことが可能な光ヘッド
が提案されている。例えば、特開昭61-196446に記載さ
れている光磁気ディスク用の光ヘッドでは、３個のレー
ザダイオードを１チップ上に形成したモノリシック型半
導体レーザアレイから放射される３つのレーザビーム
を、コリメートレンズとフォーカスレンズで絞り込み、
ディスク面上に消去用・記録用・再生用の３つのスポッ
トを作成し、消去・記録・再生を同時に行なう。 上記従来例の光ヘッドに用いているモノリシック型半
導体レーザアレイのレーザダイオード間隔は、例えば、
第47回応用物理学会学術講演会講演予稿集、27p-T-10、
p.159（1986）、及び、同予稿集、27p-T-11、p.159（19
86）に記載されているように、通常100μｍが最小限界
である。レーザダイオード間隔を100μｍ以下にする
と、上記予稿集に記載されているように、レーザダイオ
ード間の熱的干渉が生じるため、レーザダイオードを独
立に変調させることが困難になる。 一方、ディスク面上のスポット間隔ｌは、レーザダイ
オード間隔ｄと、コリメートレンズの開口数NAcと、フ
ォーカスレンズの開口数NAfから決定され、 となる。半導体レーザから出射するビームを有効に集め
て、記録や消去を達成する為には、NAcが例えば0.2以上
のコリメートレンズが通常よく用いられている。また、
記録用の光ヘッドではNAfが例えば0.5のフォーカスレン
ズがよく用いられている。そこで、モノリシック型半導
体レーザアレイを用いた上記従来例のような光ヘッドで
は、ｄ≧100μｍ、NAc≧0.2、NAf＝0.5から、スポット
間隔ｌは40μｍ以上になる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 光ディスクのトラックは回転によって偏心する。トラ
ック偏心量は、通常最大約100μｍである。このため、
２ビーム光ヘッドではトラックずれが生じる。これを、
第４図を用いて説明する。円１は、点２を中心とする半
径ａのトラックとする。２つのスポット３と４は、ｌだ
け離れて円１のトラック上にある。次に、トラックが偏
心した場合を考える。例えば、トラックが円１の位置か
らスポット３を中心にθだけ回転し、破線円１′になっ
たとする。偏心したトラックの中心を点２′、また、ス
ポット４が位置していたトラック上の点の、新たな破線
円上の位置を点４′で示す。点２と点２′の間隔がトラ
ック偏心量Ｗで、点４と点４′の間隔がトラックずれ量
ΔTRである。近似的に、 Ｗａ・θ ΔTRｌ・θ であるから、偏心量Ｗによって生じるトラックずれ量Δ
TRは、 である。例えば、直径90mmの光ディスクの最内周トラッ
クの半径は約30mmであるから、ｌ＝40μｍ、Ｗ＝100μ
ｍ、ａ＝30mmとすれば、上式からΔTR≒0.133μｍであ
る。よって、モノシリック型半導体レーザアレイを用い
た２ビーム光ヘッドでは、ディスクの回転にともなって
約0.13μｍ以上のトラックずれを生じる。 しかし、記録ピットの中心位置を２値化された記録デ
ータの『１』に対応させるピットセンター記録方式で
は、一般にトラックずれ許容値は0.13μｍ以下である。
トラックずれが0.13μｍ以上になると、再生信号の減少
と、となりのトラックに記録されているピットによるク
ロストークの増加によって、再生時のエラーレートが増
加し実用的でない。トラックずれを0.13μｍ以下にする
ためには、２つのスポット間隔は40μｍ以下にする必要
があるため、モノリシック型半導体レーザを用いた２ビ
ーム光ヘッドでは困難である。という問題がある。 さらに、記録ピットのエッジ位置を２値化された記録
データの『１』に対応させるピットエッジ記録方式で
は、記録密度は２倍になるが、トラックずれ許容値は約
半分の0.07μｍ程度以下である。トラックずれが0.07μ
ｍ以上になると、再生信号の位相ずれが大きくなり、再
生時のエラーレートが増加し、実用的でない。トラック
ずれを0.07μｍ以下にするためには、２つのスポット間
隔は約20μｍ以下にする必要があり、モノリシック型半
導体レーザを用いた２ビーム光ヘッドでは、さらに困難
である、という問題がある。 また、検出光学系において２つのビームを分離する場
合、凸レンズで集束させて空間的に分離するなどの手段
が知られているが、レーザ発光点間隔が近くなると、分
離が困難になる。このような場合、２つのビームの波長
が異なれば、波長分離プリズムなどを用いて、簡単に分
離が可能である。しかし、モノリシック型半導体レーザ
アレイにおいて、波長の異なるレーザダイオードを作成
するためには、同一基板で異なるプロセスを導入する必
要があり、実際上困難である、という問題がある。 本発明の目的は、ディスク面上の２つのスポット間隔
を40μｍ以下、さらには20μｍ以下にすることができる
２ビーム光ヘッドを提供することにある。さらに、２つ
のビームの分離が容易で、薄型化が可能な２ビーム光ヘ
ッドを提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、独立した２つの半導体レーザチップを光
源に用い、例えば、２つの半導体レーザチップを対向さ
せて配置し、２つの半導体レーザチップから放射される
２つのレーザビームを、同一のレンズ系によって、ディ
スク面上に２つのスポットとして結像させる。さらに、
２つの半導体レーザチップに波長の異なるものを用い、
また、レーザチップとビームスプリッタの間に２分の１
波長板を配置する。 〔作用〕 ２つの独立した半導体レーザチップは互いに熱的干渉
がなく、独立に変調することができる。各々の半導体レ
ーザチップは、一方の電極面が設けられたチップ片面か
ら約５μｍ離れた位置から発光する。よって、例えば、
２つの半導体レーザチップを対向させて配置することに
より、２つの発光点間隔を約10μｍまで近づけることが
できる。前述した例に従って、フォーカスレンズの開口
数NAfを0.5、コリメートレンズのNAcを0.2、２つの半導
体レーザの発光点間隔ｄを10μｍとすれば、ディスク面
上のスポット間隔ｌは４μｍになり、スポット間隔40μ
ｍ以下、さらに20μｍ以下を充分達成することができ
る。 また、波長の異なる半導体レーザチップを用いると、
波長分離プリズムなどによって容易に２つのビームを分
離できる。さらに２分の１波長板は半導体レーザ出射ビ
ームの偏光方向を光ヘッド平面内方向に変換し、よって
光学部品を同一平面内に配置でき、光ヘッドを薄型化で
きる。 〔実施例〕 以下、本発明を光磁気ディスク装置の光ヘッドに用い
た一実施例を、第１図，第２図，第３図により説明す
る。第１図は光ヘッドの光学系構成を示す平面図で、第
２図は側面図である。半導体レーザチップ11は、波長83
0nm、出力30mWで、記録用レーザビームを放射する。半
導体レーザチップ12は、波長780nmの低出力低ノイズレ
ーザチップで、再生用レーザビームを放射する。２つの
レーザビームは、コリメートレンズ13で平行光束にな
り、２分の１波長板14とビームスプリッタ15を通過し、
ミラー16で反射され、フォーカスレンズ17で光磁気ディ
スク18のトラック19上に記録用スポット21と再生用スポ
ット22として絞り込まれる。２つのスポット21と22の反
射ビームは、フォーカスレンズ17で再度平行光束になり
ミラー16で反射され、ビームスプリッタ15で反射され、
波長分離プリズム23に入射する。波長分離プリズムは、
波長830nmのビームを通過させ、780nmのビームを反射す
るものである。よって、波長830nmの記録用ビームは、
波長分離フィルタ23を通過し、凸レンズ24と円柱レンズ
25とナイフエッジ26と分割型光検出器27から成る焦点ず
れ検出及びトラックずれ検出光学系に導かれる。この検
出光学系の焦点ずれ検出原理やトラックずれ検出原理に
ついては、特開昭57-108811に詳しく述べられている。
一方、波長780nmの再生用ビームは、波長分離フィルタ2
3で反射され、検光子28と光検出器29から成る検光子型
光磁気信号検出光学系に導かれる。 ２つの半導体レーザチップ11と12は、SiCセラミック
のサブマウント34と39を介してマウント30に搭載されて
いる。第３図は、２つの半導体レーザチップ11,12の搭
載状況をコリメートレンズ13側から見たもので、サブマ
ウント34と39の表面にはパターン電極が形成されてお
り、リード線35と40にそれぞれ接続されている。レーザ
チップ11と12の電極面32と37は、リード線33と38にそれ
ぞれ接続されている。電極面32と37の間隔は17μｍであ
る。レーザ光は、活性層31と36からそれぞれ放射され、
活性層31と電極面32の間隔は約５μｍ、活性層36と電極
面37の間隔は約５μｍである。よって、２つの半導体レ
ーザチップの発光点間隔ｄは、27μｍである。コリメー
トレンズ13の開口数NAcは0.2、フォーカスレンズ17の開
口数NAfは0.53であり、ディスク上での記録用スポット2
1と再生用スポット22の間隔ｌは、10μｍである。よっ
て本実施例の光ヘッドは、ピットセンター記録方式の光
磁気ディスクにも、ピットエッジ記録方式の光磁気ディ
スクにも、用いることができる。 光ヘッドを薄くするには、第１図のように光学部品を
１平面内に配置するのが良い。ビームスプリッタ15や波
長分離フィルタ23で分離するビームも、この平面内に含
まれるのが良い。光利用効率や信号検出効率から、ビー
ムスプリッタ15は、例えば、Ｐ偏光透過率約70％でＳ偏
光反射率約100％の特性のものを用い、第１図のように
ディスクからの反射ビームをビームスプリッタ15で反射
して検出光学系に導く構成にする。即ち、半導体レーザ
11,12からのビームをＰ偏光にしてビームスプリッタ15
に入射すれば、透過率70％の高い光利用効率が得られ、
ディスクからの反射ビームに含まれる光磁気信号成分で
あるＳ偏光成分は、効率よく反射して検出光学系に達す
ることができる。しかし、２つのレーザチップ11と12を
対向させた場合、２つのレーザチップ11と12から放射さ
れるレーザ光の直線偏光方向は、第１図の紙面と垂直な
方向である。これは、ビームスプリッタ15のＳ偏光方向
である。そこで、２分の１波長板14をレーザチップ11及
び12とビームスプリッタ15の間に配置し、２つのレーザ
ビームの直線偏光方向を90度回転させ、Ｐ偏光にする。
２分の１波長板のかわりに、例えばファラデー素子など
も用いることができる。 本実施例のように、波長の異なるレーザチップを用い
れば、波長分離フィルタ23によって、簡単に２つのビー
ムを分離することができる。一方、コリメートレンズ13
やフォーカスレンズ17には色収差があり、レーザチップ
11の出射端面と12の出射端面を同一平面に並べると、２
つのスポット21と22の焦点位置がずれる。例えば、本実
施例に用いたコリメートレンズ13とフォーカスレンズ17
を合わせた全レンズ系の色収差は0.038μm/nmであり、5
0nmの波長差により1.9μｍずれる。よって、これを補償
するために、波長780nmのレーザチップ12を波長830nmの
レーザチップ11よりも光軸に沿ってコリメートレンズ13
側に約13μｍずらしてある。 本発明は、上記実施例に限ることなく、例えば相変化
型の光ディスク装置や追記型光ディスク装置、又、光カ
ード装置などにも用いることができる。 〔発明の効果〕 本発明によれば、光ディスク面上のスポット間隔を最
小４μｍまで狭くすることが可能になり、ディスク偏心
によって生じるトラックずれが小さく充分実用的な２ビ
ーム光ヘッドを実現することができる。さらに、２つの
ビームの分離が１つの光学素子を用いるだけで容易に行
なえ、さらに、薄型の２ビーム光ヘッドが可能になる。
２つの半導体レーザを光源に用いて消去・記録・再生を
同時に行なうことが可能な２ビーム光ヘッドに関する。 〔従来の技術〕 光ディスク装置は、大容量・非接触・高速アクセスと
いう特徴を生してデータファイル装置に用いられている
が、１つのビームを用いた光ヘッドでは、通常データの
消去・消録・再生などをそれぞれディスク１回転毎に行
なっており、ディスク回転待ち時間が長いという欠点が
あった。そこで、複数のビームを用いて、消去と記録あ
るいは記録と再生を同時に行なうことが可能な光ヘッド
が提案されている。例えば、特開昭61-196446に記載さ
れている光磁気ディスク用の光ヘッドでは、３個のレー
ザダイオードを１チップ上に形成したモノリシック型半
導体レーザアレイから放射される３つのレーザビーム
を、コリメートレンズとフォーカスレンズで絞り込み、
ディスク面上に消去用・記録用・再生用の３つのスポッ
トを作成し、消去・記録・再生を同時に行なう。 上記従来例の光ヘッドに用いているモノリシック型半
導体レーザアレイのレーザダイオード間隔は、例えば、
第47回応用物理学会学術講演会講演予稿集、27p-T-10、
p.159（1986）、及び、同予稿集、27p-T-11、p.159（19
86）に記載されているように、通常100μｍが最小限界
である。レーザダイオード間隔を100μｍ以下にする
と、上記予稿集に記載されているように、レーザダイオ
ード間の熱的干渉が生じるため、レーザダイオードを独
立に変調させることが困難になる。 一方、ディスク面上のスポット間隔ｌは、レーザダイ
オード間隔ｄと、コリメートレンズの開口数NAcと、フ
ォーカスレンズの開口数NAfから決定され、 となる。半導体レーザから出射するビームを有効に集め
て、記録や消去を達成する為には、NAcが例えば0.2以上
のコリメートレンズが通常よく用いられている。また、
記録用の光ヘッドではNAfが例えば0.5のフォーカスレン
ズがよく用いられている。そこで、モノリシック型半導
体レーザアレイを用いた上記従来例のような光ヘッドで
は、ｄ≧100μｍ、NAc≧0.2、NAf＝0.5から、スポット
間隔ｌは40μｍ以上になる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 光ディスクのトラックは回転によって偏心する。トラ
ック偏心量は、通常最大約100μｍである。このため、
２ビーム光ヘッドではトラックずれが生じる。これを、
第４図を用いて説明する。円１は、点２を中心とする半
径ａのトラックとする。２つのスポット３と４は、ｌだ
け離れて円１のトラック上にある。次に、トラックが偏
心した場合を考える。例えば、トラックが円１の位置か
らスポット３を中心にθだけ回転し、破線円１′になっ
たとする。偏心したトラックの中心を点２′、また、ス
ポット４が位置していたトラック上の点の、新たな破線
円上の位置を点４′で示す。点２と点２′の間隔がトラ
ック偏心量Ｗで、点４と点４′の間隔がトラックずれ量
ΔTRである。近似的に、 Ｗａ・θ ΔTRｌ・θ であるから、偏心量Ｗによって生じるトラックずれ量Δ
TRは、 である。例えば、直径90mmの光ディスクの最内周トラッ
クの半径は約30mmであるから、ｌ＝40μｍ、Ｗ＝100μ
ｍ、ａ＝30mmとすれば、上式からΔTR≒0.133μｍであ
る。よって、モノシリック型半導体レーザアレイを用い
た２ビーム光ヘッドでは、ディスクの回転にともなって
約0.13μｍ以上のトラックずれを生じる。 しかし、記録ピットの中心位置を２値化された記録デ
ータの『１』に対応させるピットセンター記録方式で
は、一般にトラックずれ許容値は0.13μｍ以下である。
トラックずれが0.13μｍ以上になると、再生信号の減少
と、となりのトラックに記録されているピットによるク
ロストークの増加によって、再生時のエラーレートが増
加し実用的でない。トラックずれを0.13μｍ以下にする
ためには、２つのスポット間隔は40μｍ以下にする必要
があるため、モノリシック型半導体レーザを用いた２ビ
ーム光ヘッドでは困難である。という問題がある。 さらに、記録ピットのエッジ位置を２値化された記録
データの『１』に対応させるピットエッジ記録方式で
は、記録密度は２倍になるが、トラックずれ許容値は約
半分の0.07μｍ程度以下である。トラックずれが0.07μ
ｍ以上になると、再生信号の位相ずれが大きくなり、再
生時のエラーレートが増加し、実用的でない。トラック
ずれを0.07μｍ以下にするためには、２つのスポット間
隔は約20μｍ以下にする必要があり、モノリシック型半
導体レーザを用いた２ビーム光ヘッドでは、さらに困難
である、という問題がある。 また、検出光学系において２つのビームを分離する場
合、凸レンズで集束させて空間的に分離するなどの手段
が知られているが、レーザ発光点間隔が近くなると、分
離が困難になる。このような場合、２つのビームの波長
が異なれば、波長分離プリズムなどを用いて、簡単に分
離が可能である。しかし、モノリシック型半導体レーザ
アレイにおいて、波長の異なるレーザダイオードを作成
するためには、同一基板で異なるプロセスを導入する必
要があり、実際上困難である、という問題がある。 本発明の目的は、ディスク面上の２つのスポット間隔
を40μｍ以下、さらには20μｍ以下にすることができる
２ビーム光ヘッドを提供することにある。さらに、２つ
のビームの分離が容易で、薄型化が可能な２ビーム光ヘ
ッドを提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、独立した２つの半導体レーザチップを光
源に用い、例えば、２つの半導体レーザチップを対向さ
せて配置し、２つの半導体レーザチップから放射される
２つのレーザビームを、同一のレンズ系によって、ディ
スク面上に２つのスポットとして結像させる。さらに、
２つの半導体レーザチップに波長の異なるものを用い、
また、レーザチップとビームスプリッタの間に２分の１
波長板を配置する。 〔作用〕 ２つの独立した半導体レーザチップは互いに熱的干渉
がなく、独立に変調することができる。各々の半導体レ
ーザチップは、一方の電極面が設けられたチップ片面か
ら約５μｍ離れた位置から発光する。よって、例えば、
２つの半導体レーザチップを対向させて配置することに
より、２つの発光点間隔を約10μｍまで近づけることが
できる。前述した例に従って、フォーカスレンズの開口
数NAfを0.5、コリメートレンズのNAcを0.2、２つの半導
体レーザの発光点間隔ｄを10μｍとすれば、ディスク面
上のスポット間隔ｌは４μｍになり、スポット間隔40μ
ｍ以下、さらに20μｍ以下を充分達成することができ
る。 また、波長の異なる半導体レーザチップを用いると、
波長分離プリズムなどによって容易に２つのビームを分
離できる。さらに２分の１波長板は半導体レーザ出射ビ
ームの偏光方向を光ヘッド平面内方向に変換し、よって
光学部品を同一平面内に配置でき、光ヘッドを薄型化で
きる。 〔実施例〕 以下、本発明を光磁気ディスク装置の光ヘッドに用い
た一実施例を、第１図，第２図，第３図により説明す
る。第１図は光ヘッドの光学系構成を示す平面図で、第
２図は側面図である。半導体レーザチップ11は、波長83
0nm、出力30mWで、記録用レーザビームを放射する。半
導体レーザチップ12は、波長780nmの低出力低ノイズレ
ーザチップで、再生用レーザビームを放射する。２つの
レーザビームは、コリメートレンズ13で平行光束にな
り、２分の１波長板14とビームスプリッタ15を通過し、
ミラー16で反射され、フォーカスレンズ17で光磁気ディ
スク18のトラック19上に記録用スポット21と再生用スポ
ット22として絞り込まれる。２つのスポット21と22の反
射ビームは、フォーカスレンズ17で再度平行光束になり
ミラー16で反射され、ビームスプリッタ15で反射され、
波長分離プリズム23に入射する。波長分離プリズムは、
波長830nmのビームを通過させ、780nmのビームを反射す
るものである。よって、波長830nmの記録用ビームは、
波長分離フィルタ23を通過し、凸レンズ24と円柱レンズ
25とナイフエッジ26と分割型光検出器27から成る焦点ず
れ検出及びトラックずれ検出光学系に導かれる。この検
出光学系の焦点ずれ検出原理やトラックずれ検出原理に
ついては、特開昭57-108811に詳しく述べられている。
一方、波長780nmの再生用ビームは、波長分離フィルタ2
3で反射され、検光子28と光検出器29から成る検光子型
光磁気信号検出光学系に導かれる。 ２つの半導体レーザチップ11と12は、SiCセラミック
のサブマウント34と39を介してマウント30に搭載されて
いる。第３図は、２つの半導体レーザチップ11,12の搭
載状況をコリメートレンズ13側から見たもので、サブマ
ウント34と39の表面にはパターン電極が形成されてお
り、リード線35と40にそれぞれ接続されている。レーザ
チップ11と12の電極面32と37は、リード線33と38にそれ
ぞれ接続されている。電極面32と37の間隔は17μｍであ
る。レーザ光は、活性層31と36からそれぞれ放射され、
活性層31と電極面32の間隔は約５μｍ、活性層36と電極
面37の間隔は約５μｍである。よって、２つの半導体レ
ーザチップの発光点間隔ｄは、27μｍである。コリメー
トレンズ13の開口数NAcは0.2、フォーカスレンズ17の開
口数NAfは0.53であり、ディスク上での記録用スポット2
1と再生用スポット22の間隔ｌは、10μｍである。よっ
て本実施例の光ヘッドは、ピットセンター記録方式の光
磁気ディスクにも、ピットエッジ記録方式の光磁気ディ
スクにも、用いることができる。 光ヘッドを薄くするには、第１図のように光学部品を
１平面内に配置するのが良い。ビームスプリッタ15や波
長分離フィルタ23で分離するビームも、この平面内に含
まれるのが良い。光利用効率や信号検出効率から、ビー
ムスプリッタ15は、例えば、Ｐ偏光透過率約70％でＳ偏
光反射率約100％の特性のものを用い、第１図のように
ディスクからの反射ビームをビームスプリッタ15で反射
して検出光学系に導く構成にする。即ち、半導体レーザ
11,12からのビームをＰ偏光にしてビームスプリッタ15
に入射すれば、透過率70％の高い光利用効率が得られ、
ディスクからの反射ビームに含まれる光磁気信号成分で
あるＳ偏光成分は、効率よく反射して検出光学系に達す
ることができる。しかし、２つのレーザチップ11と12を
対向させた場合、２つのレーザチップ11と12から放射さ
れるレーザ光の直線偏光方向は、第１図の紙面と垂直な
方向である。これは、ビームスプリッタ15のＳ偏光方向
である。そこで、２分の１波長板14をレーザチップ11及
び12とビームスプリッタ15の間に配置し、２つのレーザ
ビームの直線偏光方向を90度回転させ、Ｐ偏光にする。
２分の１波長板のかわりに、例えばファラデー素子など
も用いることができる。 本実施例のように、波長の異なるレーザチップを用い
れば、波長分離フィルタ23によって、簡単に２つのビー
ムを分離することができる。一方、コリメートレンズ13
やフォーカスレンズ17には色収差があり、レーザチップ
11の出射端面と12の出射端面を同一平面に並べると、２
つのスポット21と22の焦点位置がずれる。例えば、本実
施例に用いたコリメートレンズ13とフォーカスレンズ17
を合わせた全レンズ系の色収差は0.038μm/nmであり、5
0nmの波長差により1.9μｍずれる。よって、これを補償
するために、波長780nmのレーザチップ12を波長830nmの
レーザチップ11よりも光軸に沿ってコリメートレンズ13
側に約13μｍずらしてある。 本発明は、上記実施例に限ることなく、例えば相変化
型の光ディスク装置や追記型光ディスク装置、又、光カ
ード装置などにも用いることができる。 〔発明の効果〕 本発明によれば、光ディスク面上のスポット間隔を最
小４μｍまで狭くすることが可能になり、ディスク偏心
によって生じるトラックずれが小さく充分実用的な２ビ
ーム光ヘッドを実現することができる。さらに、２つの
ビームの分離が１つの光学素子を用いるだけで容易に行
なえ、さらに、薄型の２ビーム光ヘッドが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す光ヘッド光学系の構成
を示す平面図、第２図はその側面図、第３図はその部分
図、第４図は従来例の問題点を説明する図、である。 11,12……半導体レーザチップ、13……コリメートレン
ズ、14……２分の１波長板、15……ビームスプリッタ、
17……フォーカスレンズ、18……光磁気ディスク、19…
…トラック、21,22……スポット、31,36……活性層、30
……マウント。
を示す平面図、第２図はその側面図、第３図はその部分
図、第４図は従来例の問題点を説明する図、である。 11,12……半導体レーザチップ、13……コリメートレン
ズ、14……２分の１波長板、15……ビームスプリッタ、
17……フォーカスレンズ、18……光磁気ディスク、19…
…トラック、21,22……スポット、31,36……活性層、30
……マウント。
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(72)発明者 加藤 猛
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 仲尾 武司
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(56)参考文献 特開 昭57−181441（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−63751（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−208645（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−200543（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−5446（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−137228（ＪＰ，Ａ)
実開 昭62−42127（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
G11B 7/125,7/135
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．第１の波長及び該第１の波長と異なる第２の波長を
有する２つの独立に変調可能なレーザビームを情報媒体
面に照射する２ビーム光ヘッドであって、上記第１の波
長のレーザビームを放射する第１の半導体レーザチップ
と、上記第２の波長のレーザビームを放射する第２の半
導体レーザチップと、上記第１及び第２の波長のレーザ
ビームの放射方向をほぼ同じにし上記第１及び第２の波
長のレーザビームの放射方向から上記第１及び第２の半
導体レーザチップの発光点に向かって見たときに上記第
１及び第２の半導体レーザチップの発光点を結んだ線に
対して上記第１及び第２のレーザビームの偏光方向をそ
れぞれ垂直にして上記第１及び第２の半導体レーザチッ
プを近接して保持するマウントを有する２波長光源と、
上記第１の波長のレーザビーム及び上記第２の波長のレ
ーザビームを上記２波長光源から上記情報媒体面に到る
まで共通の光学系を用いて上記情報媒体面上にそれぞれ
上記情報媒体のトラックにほぼ沿った方向に並んだ第１
のスポット及び第２のスポットとして結像させる結像光
学系とを有し、該結像光学系は、上記光路中に存在し上
記情報媒体面から戻ってくる上記レーザビームを該光路
から分離する分離光学素子と、該分離光学素子と上記第
１及び第２の半導体レーザチップとの間に配置された偏
光回転素子とを有することを特徴とする２ビーム光ヘッ
ド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62226339A JP2765839B2 (ja) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | ２ビーム光ヘッド |
| KR1019880003050A KR910004265B1 (ko) | 1987-03-26 | 1988-03-22 | 반도체 레이저 장치와 그 제조 방법 및 그것을 사용한 광 헤드 |
| US07/173,658 US4901325A (en) | 1987-03-26 | 1988-03-25 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62226339A JP2765839B2 (ja) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | ２ビーム光ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6470936A JPS6470936A (en) | 1989-03-16 |
| JP2765839B2 true JP2765839B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=16843619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62226339A Expired - Fee Related JP2765839B2 (ja) | 1987-03-26 | 1987-09-11 | ２ビーム光ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765839B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2788777B2 (ja) * | 1990-03-02 | 1998-08-20 | パイオニア株式会社 | 光ピックアップ |
| JPH05114159A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Canon Inc | 複数ビーム光ヘツド |
| US5521931A (en) * | 1993-11-22 | 1996-05-28 | Xerox Corporation | Nonmonolithic arrays of accurately positioned diode lasers |
| US6819646B1 (en) | 1999-01-19 | 2004-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pickup, optical information recording/reproducing apparatus using the same, and phase variable wave plate used in the pickup and the apparatus |
| JP4466503B2 (ja) | 2005-08-08 | 2010-05-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62200543A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-04 | Fujitsu Ltd | 光ピツクアツプ |
-
1987
- 1987-09-11 JP JP62226339A patent/JP2765839B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6470936A (en) | 1989-03-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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