JPH10107372A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JPH10107372A JPH10107372A JP8259654A JP25965496A JPH10107372A JP H10107372 A JPH10107372 A JP H10107372A JP 8259654 A JP8259654 A JP 8259654A JP 25965496 A JP25965496 A JP 25965496A JP H10107372 A JPH10107372 A JP H10107372A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 戻りレーザ光の反射を防止することができる
半導体レーザ装置の提供と、戻りレーザ光反射防止加工
を簡単に、かつ短時間で行うことができる製造方法の提
供を課題とする。 【解決手段】 半導体レーザ素子３と、半導体レーザ素
子３を固定するサブマウント７を備え、半導体レーザ素
子３とサブマウント７のレーザ出光点８側に位置する端
面３ａ，７ａに外部レーザ光を照射して戻りレーザ光の
反射防止加工領域３ｂ，７ｂを形成した。また、半導体
レーザ素子３と、半導体レーザ素子３を固定するサブマ
ウント７と、これらを密閉収納するパッケージ２を備え
る半導体レーザ装置１を製造する際に、パッケージ２に
設けられたレーザ光出射用の窓１１を介して外部からレ
ーザ光Ｌを照射することにより、半導体レーザ素子３若
しくはサブマウント７に戻りレーザ光の反射防止加工を
施すことを特徴とする。
半導体レーザ装置の提供と、戻りレーザ光反射防止加工
を簡単に、かつ短時間で行うことができる製造方法の提
供を課題とする。 【解決手段】 半導体レーザ素子３と、半導体レーザ素
子３を固定するサブマウント７を備え、半導体レーザ素
子３とサブマウント７のレーザ出光点８側に位置する端
面３ａ，７ａに外部レーザ光を照射して戻りレーザ光の
反射防止加工領域３ｂ，７ｂを形成した。また、半導体
レーザ素子３と、半導体レーザ素子３を固定するサブマ
ウント７と、これらを密閉収納するパッケージ２を備え
る半導体レーザ装置１を製造する際に、パッケージ２に
設けられたレーザ光出射用の窓１１を介して外部からレ
ーザ光Ｌを照射することにより、半導体レーザ素子３若
しくはサブマウント７に戻りレーザ光の反射防止加工を
施すことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、戻りレーザ光の反
射を防止することができる半導体レーザ装置、及びその
製造方法に関する。
射を防止することができる半導体レーザ装置、及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ装置を３ビーム方式の光ピ
ックアップの光源に用いる場合に、主ビームの両側に位
置するトラッキング用の副ビームが光ディスクで反射さ
れて半導体レーザ装置に戻り、この戻りレーザ光がレー
ザ素子若しくはサブマウントの端面で反射して再び半導
体レーザ装置から出射され、これが再生信号のノイズ源
になることが多い。
ックアップの光源に用いる場合に、主ビームの両側に位
置するトラッキング用の副ビームが光ディスクで反射さ
れて半導体レーザ装置に戻り、この戻りレーザ光がレー
ザ素子若しくはサブマウントの端面で反射して再び半導
体レーザ装置から出射され、これが再生信号のノイズ源
になることが多い。
【０００３】従来、このような戻りレーザ光の反射を防
ぐために、レーザ素子及びサブマウントの端面に樹脂に
よる無反射コートを施す、レーザ素子の端面を傾斜面と
する等の構造が採用されている（例えば、特開平３−１
９８３９１号公報参照）が、前者の場合は、樹脂塗布の
ための作業が必要であるので、製造工程の増加とともに
製造時間が長くなるという問題があり、また、後者の場
合は、傾斜面を形成するに際してエッチング処理等が必
要となるので、製造工程が複雑化するなどの問題があ
る。
ぐために、レーザ素子及びサブマウントの端面に樹脂に
よる無反射コートを施す、レーザ素子の端面を傾斜面と
する等の構造が採用されている（例えば、特開平３−１
９８３９１号公報参照）が、前者の場合は、樹脂塗布の
ための作業が必要であるので、製造工程の増加とともに
製造時間が長くなるという問題があり、また、後者の場
合は、傾斜面を形成するに際してエッチング処理等が必
要となるので、製造工程が複雑化するなどの問題があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、戻りレーザ
光の反射を防止することができる半導体レーザ装置を提
供することを課題の一つとする。また、半導体レーザ装
置の戻りレーザ光反射防止加工を比較的簡単に、かつ短
時間で行うことができる製造方法を提供することを課題
の一つとする。
光の反射を防止することができる半導体レーザ装置を提
供することを課題の一つとする。また、半導体レーザ装
置の戻りレーザ光反射防止加工を比較的簡単に、かつ短
時間で行うことができる製造方法を提供することを課題
の一つとする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、出光点側の端面にレーザ光を照射して戻りレーザ
光の反射防止加工を施した半導体レーザ素子を備えるこ
とを特徴とする。
置は、出光点側の端面にレーザ光を照射して戻りレーザ
光の反射防止加工を施した半導体レーザ素子を備えるこ
とを特徴とする。
【０００６】また、本発明の半導体レーザ装置は、半導
体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサブマ
ウントを備え、該サブマウントは前記半導体レーザ素子
の出光点側に位置する端面にレーザ光を照射して戻りレ
ーザ光の反射防止加工を施した領域を備えることを特徴
とする。
体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサブマ
ウントを備え、該サブマウントは前記半導体レーザ素子
の出光点側に位置する端面にレーザ光を照射して戻りレ
ーザ光の反射防止加工を施した領域を備えることを特徴
とする。
【０００７】本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサ
ブマウントを備える半導体レーザ装置を製造する際に、
外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レ
ーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反
射防止加工を施すことを特徴とする。
半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサ
ブマウントを備える半導体レーザ装置を製造する際に、
外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レ
ーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反
射防止加工を施すことを特徴とする。
【０００８】本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサ
ブマウントと、これらを密閉収納するパッケージを備え
る半導体レーザ装置を製造する際に、前記パッケージに
設けられたレーザ光の出射用窓を介して外部からレーザ
光を照射することにより、前記半導体レーザ素子若しく
は前記サブマウントに戻りレーザ光の反射防止加工を施
すことを特徴とする。
半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサ
ブマウントと、これらを密閉収納するパッケージを備え
る半導体レーザ装置を製造する際に、前記パッケージに
設けられたレーザ光の出射用窓を介して外部からレーザ
光を照射することにより、前記半導体レーザ素子若しく
は前記サブマウントに戻りレーザ光の反射防止加工を施
すことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を図面を参照
して説明する。まず図１を参照して半導体レーザ装置１
の構造について説明する。半導体レーザ装置１は、パッ
ケージ２とこれに配置固定される半導体レーザ素子３に
よって主構成される。前記パッケージ２は、ステム４と
これに気密固定されるキャップ５を備えている。前記ス
テム４は、厚さが１〜２ｍｍ程度の円形の金属板で構成
され、その上面に銅製の放熱用ブロック６が固定されて
いる。この放熱用ブロック６の側面には、シリコン製の
サブマウント７が固定され、このサブマウント７の側面
に前記半導体レ−ザ素子３がジャンクションダウンで、
すなわち出光点８がサブマウント７側に片寄るようにし
て固定される。
して説明する。まず図１を参照して半導体レーザ装置１
の構造について説明する。半導体レーザ装置１は、パッ
ケージ２とこれに配置固定される半導体レーザ素子３に
よって主構成される。前記パッケージ２は、ステム４と
これに気密固定されるキャップ５を備えている。前記ス
テム４は、厚さが１〜２ｍｍ程度の円形の金属板で構成
され、その上面に銅製の放熱用ブロック６が固定されて
いる。この放熱用ブロック６の側面には、シリコン製の
サブマウント７が固定され、このサブマウント７の側面
に前記半導体レ−ザ素子３がジャンクションダウンで、
すなわち出光点８がサブマウント７側に片寄るようにし
て固定される。
【００１０】ステム４の上面には、半導体レ−ザ素子３
の下面から出射されるレ−ザ光を受光するモニター用の
受光素子９が固定されている。ステム４には、前記半導
体レ−ザ素子３と受光素子９へのワイヤ接続に用いる３
本のリードピン１０が固定されている。
の下面から出射されるレ−ザ光を受光するモニター用の
受光素子９が固定されている。ステム４には、前記半導
体レ−ザ素子３と受光素子９へのワイヤ接続に用いる３
本のリードピン１０が固定されている。
【００１１】キャップ５の上面には、円形の窓１１が形
成され、この窓１１は、透明なガラス１２によって気密
して塞がれている。キャップ５は内部に前記半導体レ−
ザ素子３や放熱用ブロック６、サブマウント７を収納し
てステム４上面に気密して固定される。
成され、この窓１１は、透明なガラス１２によって気密
して塞がれている。キャップ５は内部に前記半導体レ−
ザ素子３や放熱用ブロック６、サブマウント７を収納し
てステム４上面に気密して固定される。
【００１２】半導体レ−ザ素子３は、長辺が３００μｍ
前後の直方体形状を成し、ステム４の法線方向にレーザ
光が出射するように固定される。半導体レーザ素子３の
レーザ出光点８が設けられた端面３ａには、戻りレーザ
光の反射を防止するために、レーザ加工によって粗面化
された反射防止加工領域３ｂが形成されている。レーザ
出光点８側に位置するサブマウント７の端面７ａにも、
戻りレーザ光の反射を防止するために、レーザ加工によ
って粗面化された反射防止加工領域７ｂが形成されてい
る。これらの反射防止加工領域３ｂ，７ｂは、レーザ光
の副ビームが出光点８から６０μｍ前後離れた位置に戻
ってくるので、副ビームが戻ってくると予想される領域
（出光点８近傍は除く）に形成される。
前後の直方体形状を成し、ステム４の法線方向にレーザ
光が出射するように固定される。半導体レーザ素子３の
レーザ出光点８が設けられた端面３ａには、戻りレーザ
光の反射を防止するために、レーザ加工によって粗面化
された反射防止加工領域３ｂが形成されている。レーザ
出光点８側に位置するサブマウント７の端面７ａにも、
戻りレーザ光の反射を防止するために、レーザ加工によ
って粗面化された反射防止加工領域７ｂが形成されてい
る。これらの反射防止加工領域３ｂ，７ｂは、レーザ光
の副ビームが出光点８から６０μｍ前後離れた位置に戻
ってくるので、副ビームが戻ってくると予想される領域
（出光点８近傍は除く）に形成される。
【００１３】次に、外部レーザ光Ｌによる反射防止加工
について図２を参照して説明する。図２はレーザ加工装
置の概略構成図を示している。この装置は、顕微鏡装置
１３と、この顕微鏡装置１３の上部に装着されたＹＡＧ
レーザ装置のような高出力レーザ装置１４と、顕微鏡装
置１３下部の観察位置に加工すべき半導体レーザ装置１
を保持するＸ−Ｙ方向に移動自在な搬送装置１５と、顕
微鏡装置１３に接続されたモニター装置１６等を備えて
構成される。この装置の搬送装置１５に反射防止加工を
施すべきレーザ装置１を窓１１を上に向けて所定個数配
置する。次に、顕微鏡装置１３の確認窓１３ａ、若しく
はモニター装置１６によって加工すべき位置を観察し、
搬送装置１５を調節してレーザ装置１のＸ−Ｙ方向の位
置調整をすることによって加工領域の位置決め設定を行
う。その後、高出力レーザ装置１４を予め設定した時間
作動させてパッケージ２内に固定された半導体レーザ素
子３やサブマウント７の端面３ａ，７ａの設定領域に、
窓１１（ガラス１２）を介して高出力レーザ光Ｌを照射
する。
について図２を参照して説明する。図２はレーザ加工装
置の概略構成図を示している。この装置は、顕微鏡装置
１３と、この顕微鏡装置１３の上部に装着されたＹＡＧ
レーザ装置のような高出力レーザ装置１４と、顕微鏡装
置１３下部の観察位置に加工すべき半導体レーザ装置１
を保持するＸ−Ｙ方向に移動自在な搬送装置１５と、顕
微鏡装置１３に接続されたモニター装置１６等を備えて
構成される。この装置の搬送装置１５に反射防止加工を
施すべきレーザ装置１を窓１１を上に向けて所定個数配
置する。次に、顕微鏡装置１３の確認窓１３ａ、若しく
はモニター装置１６によって加工すべき位置を観察し、
搬送装置１５を調節してレーザ装置１のＸ−Ｙ方向の位
置調整をすることによって加工領域の位置決め設定を行
う。その後、高出力レーザ装置１４を予め設定した時間
作動させてパッケージ２内に固定された半導体レーザ素
子３やサブマウント７の端面３ａ，７ａの設定領域に、
窓１１（ガラス１２）を介して高出力レーザ光Ｌを照射
する。
【００１４】この照射によってレーザ素子３やサブマウ
ント７のレーザ光Ｌが照射された部分は、高熱によって
焼かれて表面が粗面化されるとともに、黒ぽっく着色さ
れて反射防止加工領域３ｂ，７ｂを形成する。反射防止
加工領域３ｂ，７ｂは、顕微鏡装置１３部分に所望形状
のスリットを設けたプレートを装着することによって任
意平面形状に形成することができる。図３（ａ）は、半
導体レーザ素子３に対して、小さな長方形状のスリット
を有するプレートを用いて端面３ａに反射防止加工領域
３ｂを形成した状態を示し、同図（ｂ）は、サブマウン
ト７に対して比較的大きな長方形状のスリットを有する
別のプレートを用いて端面７ａに反射防止加工領域７ｂ
を形成した状態を示している。同図（ｃ）は、半導体レ
ーザ素子３とサブマウント７に対して反射防止加工領域
３ｂ，７ｂを形成した状態を示している。同図（ｃ）の
ように、半導体レーザ素子３とサブマウント７に対して
反射防止加工領域３ｂ，７ｂを形成するのが好ましい
が、半導体レーザ素子３もしくはサブマウント７の一方
に反射防止加工領域３ｂ若しくは７ｂを形成してもよ
い。
ント７のレーザ光Ｌが照射された部分は、高熱によって
焼かれて表面が粗面化されるとともに、黒ぽっく着色さ
れて反射防止加工領域３ｂ，７ｂを形成する。反射防止
加工領域３ｂ，７ｂは、顕微鏡装置１３部分に所望形状
のスリットを設けたプレートを装着することによって任
意平面形状に形成することができる。図３（ａ）は、半
導体レーザ素子３に対して、小さな長方形状のスリット
を有するプレートを用いて端面３ａに反射防止加工領域
３ｂを形成した状態を示し、同図（ｂ）は、サブマウン
ト７に対して比較的大きな長方形状のスリットを有する
別のプレートを用いて端面７ａに反射防止加工領域７ｂ
を形成した状態を示している。同図（ｃ）は、半導体レ
ーザ素子３とサブマウント７に対して反射防止加工領域
３ｂ，７ｂを形成した状態を示している。同図（ｃ）の
ように、半導体レーザ素子３とサブマウント７に対して
反射防止加工領域３ｂ，７ｂを形成するのが好ましい
が、半導体レーザ素子３もしくはサブマウント７の一方
に反射防止加工領域３ｂ若しくは７ｂを形成してもよ
い。
【００１５】このように形成された反射防止加工領域３
ｂ，７ｂは、表面が粗面化されているので、副ビームと
して戻ってくるレーザ光をランダムな方向に反射するこ
とができるとともに、黒っぽく着色されているので、戻
ってくるレーザ光を吸収して反射を防止することもでき
る。よって、３ビーム方式の光ピックアップなどにこの
レーザ装置１を装着すれば、戻りレーザ光に起因するノ
イズの発生を有効に防止することができる。
ｂ，７ｂは、表面が粗面化されているので、副ビームと
して戻ってくるレーザ光をランダムな方向に反射するこ
とができるとともに、黒っぽく着色されているので、戻
ってくるレーザ光を吸収して反射を防止することもでき
る。よって、３ビーム方式の光ピックアップなどにこの
レーザ装置１を装着すれば、戻りレーザ光に起因するノ
イズの発生を有効に防止することができる。
【００１６】上記のように、戻りレーザ光の反射防止処
理を外部から照射されるレーザ光Ｌを用いて行うので、
レーザ素子３等に非接触で加工することができ、レーザ
装置１の品質を良好に保つことができるとともに、短時
間で反射防止加工を施すことができ、製造の効率を高め
ることができる。また、パッケージ２に収納した状態ま
で組み立ててからレーザ光出射用の窓１１を介して反射
防止加工を施すことができるので、反射防止加工が容易
となり製造作業性を高めることができる。
理を外部から照射されるレーザ光Ｌを用いて行うので、
レーザ素子３等に非接触で加工することができ、レーザ
装置１の品質を良好に保つことができるとともに、短時
間で反射防止加工を施すことができ、製造の効率を高め
ることができる。また、パッケージ２に収納した状態ま
で組み立ててからレーザ光出射用の窓１１を介して反射
防止加工を施すことができるので、反射防止加工が容易
となり製造作業性を高めることができる。
【００１７】尚、上記実施例は、缶封止タイプのレーザ
装置を例に取り、キャップ５を固定した後にレーザ加工
する場合を示したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、キャップ５を固定する前にレーザ加工を施す場
合にも適用することができるし、缶封止タイプ以外の半
導体レーザ装置にも適用することができる。
装置を例に取り、キャップ５を固定した後にレーザ加工
する場合を示したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、キャップ５を固定する前にレーザ加工を施す場
合にも適用することができるし、缶封止タイプ以外の半
導体レーザ装置にも適用することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、戻りレー
ザ光の反射を有効に防止することができる半導体レーザ
装置を提供することができ、光ピックアップ等に装着し
た場合のノイズの発生を抑制することができる。また、
半導体レーザ装置の戻りレーザ光反射防止加工を比較的
簡単に、かつ短時間で行うことができる製造方法を提供
することができる。
ザ光の反射を有効に防止することができる半導体レーザ
装置を提供することができ、光ピックアップ等に装着し
た場合のノイズの発生を抑制することができる。また、
半導体レーザ装置の戻りレーザ光反射防止加工を比較的
簡単に、かつ短時間で行うことができる製造方法を提供
することができる。
【図１】本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の半導体レーザ装置の製造方法を説明す
るための概略構成図である。
るための概略構成図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、同実施例の反射防止加工領
域を示す要部平面図である。
域を示す要部平面図である。
１ 半導体レーザ装置 ２ パッケージ ３ 半導体レーザ素子 ３ａ 端面 ３ｂ 反射防止加工領域 ７ サブマウント ７ａ 端面 ７ｂ 反射防止加工領域 ８ 出光点 １１ 出射窓 １２ ガラス １３ 顕微鏡装置 １４ 高出力レーザ装置 １５ 搬送装置 １６ モニター装置
Claims (4)
- 【請求項１】 出光点側の端面にレーザ光を照射して戻
りレーザ光の反射防止加工を施した半導体レーザ素子を
備えることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素
子を固定するサブマウントを備え、該サブマウントは前
記半導体レーザ素子の出光点側に位置する端面にレーザ
光を照射して戻りレーザ光の反射防止加工を施した領域
を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素
子を固定するサブマウントを備える半導体レーザ装置を
製造する際に、外部からレーザ光を照射することによ
り、前記半導体レーザ素子若しくは前記サブマウントに
戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする半
導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素
子を固定するサブマウントと、これらを密閉収納するパ
ッケージを備える半導体レーザ装置を製造する際に、前
記パッケージに設けられたレーザ光の出射用窓を介して
外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レ
ーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反
射防止加工を施すことを特徴とする半導体レーザ装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25965496A JP3773603B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25965496A JP3773603B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107372A true JPH10107372A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3773603B2 JP3773603B2 (ja) | 2006-05-10 |
Family
ID=17337061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25965496A Expired - Fee Related JP3773603B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3773603B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026439A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Denso Corp | 半導体発光素子 |
| JP2008282979A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Sharp Corp | 半導体発光素子とその製造方法 |
| JP2018132573A (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP25965496A patent/JP3773603B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026439A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Denso Corp | 半導体発光素子 |
| JP2008282979A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Sharp Corp | 半導体発光素子とその製造方法 |
| JP2018132573A (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3773603B2 (ja) | 2006-05-10 |
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