JP3773603B2 - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、戻りレーザ光の反射を防止することができる半導体レーザ装置、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザ装置を３ビーム方式の光ピックアップの光源に用いる場合に、主ビームの両側に位置するトラッキング用の副ビームが光ディスクで反射されて半導体レーザ装置に戻り、この戻りレーザ光がレーザ素子若しくはサブマウントの端面で反射して再び半導体レーザ装置から出射され、これが再生信号のノイズ源になることが多い。
【０００３】
従来、このような戻りレーザ光の反射を防ぐために、レーザ素子及びサブマウントの端面に樹脂による無反射コートを施す、レーザ素子の端面を傾斜面とする等の構造が採用されている（例えば、特開平３−１９８３９１号公報参照）が、前者の場合は、樹脂塗布のための作業が必要であるので、製造工程の増加とともに製造時間が長くなるという問題があり、また、後者の場合は、傾斜面を形成するに際してエッチング処理等が必要となるので、製造工程が複雑化するなどの問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、戻りレーザ光の反射を防止することができる半導体レーザ装置を提供することを課題の一つとする。また、半導体レーザ装置の戻りレーザ光反射防止加工を比較的簡単に、かつ短時間で行うことができる製造方法を提供することを課題の一つとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサブマウントを備える半導体レーザ装置を製造する際に、外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする。
【０００８】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサブマウントと、これらを密閉収納するパッケージを備える半導体レーザ装置を製造する際に、前記パッケージに設けられたレーザ光の出射用窓を介して外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。まず図１を参照して半導体レーザ装置１の構造について説明する。半導体レーザ装置１は、パッケージ２とこれに配置固定される半導体レーザ素子３によって主構成される。前記パッケージ２は、ステム４とこれに気密固定されるキャップ５を備えている。前記ステム４は、厚さが１〜２ｍｍ程度の円形の金属板で構成され、その上面に銅製の放熱用ブロック６が固定されている。この放熱用ブロック６の側面には、シリコン製のサブマウント７が固定され、このサブマウント７の側面に前記半導体レ−ザ素子３がジャンクションダウンで、すなわち出光点８がサブマウント７側に片寄るようにして固定される。
【００１０】
ステム４の上面には、半導体レ−ザ素子３の下面から出射されるレ−ザ光を受光するモニター用の受光素子９が固定されている。ステム４には、前記半導体レ−ザ素子３と受光素子９へのワイヤ接続に用いる３本のリードピン１０が固定されている。
【００１１】
キャップ５の上面には、円形の窓１１が形成され、この窓１１は、透明なガラス１２によって気密して塞がれている。キャップ５は内部に前記半導体レ−ザ素子３や放熱用ブロック６、サブマウント７を収納してステム４上面に気密して固定される。
【００１２】
半導体レ−ザ素子３は、長辺が３００μｍ前後の直方体形状を成し、ステム４の法線方向にレーザ光が出射するように固定される。半導体レーザ素子３のレーザ出光点８が設けられた端面３ａには、戻りレーザ光の反射を防止するために、レーザ加工によって粗面化された反射防止加工領域３ｂが形成されている。レーザ出光点８側に位置するサブマウント７の端面７ａにも、戻りレーザ光の反射を防止するために、レーザ加工によって粗面化された反射防止加工領域７ｂが形成されている。これらの反射防止加工領域３ｂ，７ｂは、レーザ光の副ビームが出光点８から６０μｍ前後離れた位置に戻ってくるので、副ビームが戻ってくると予想される領域（出光点８近傍は除く）に形成される。
【００１３】
次に、外部レーザ光Ｌによる反射防止加工について図２を参照して説明する。図２はレーザ加工装置の概略構成図を示している。この装置は、顕微鏡装置１３と、この顕微鏡装置１３の上部に装着されたＹＡＧレーザ装置のような高出力レーザ装置１４と、顕微鏡装置１３下部の観察位置に加工すべき半導体レーザ装置１を保持するＸ−Ｙ方向に移動自在な搬送装置１５と、顕微鏡装置１３に接続されたモニター装置１６等を備えて構成される。この装置の搬送装置１５に反射防止加工を施すべきレーザ装置１を窓１１を上に向けて所定個数配置する。次に、顕微鏡装置１３の確認窓１３ａ、若しくはモニター装置１６によって加工すべき位置を観察し、搬送装置１５を調節してレーザ装置１のＸ−Ｙ方向の位置調整をすることによって加工領域の位置決め設定を行う。その後、高出力レーザ装置１４を予め設定した時間作動させてパッケージ２内に固定された半導体レーザ素子３やサブマウント７の端面３ａ，７ａの設定領域に、窓１１（ガラス１２）を介して高出力レーザ光Ｌを照射する。
【００１４】
この照射によってレーザ素子３やサブマウント７のレーザ光Ｌが照射された部分は、高熱によって焼かれて表面が粗面化されるとともに、黒ぽっく着色されて反射防止加工領域３ｂ，７ｂを形成する。反射防止加工領域３ｂ，７ｂは、顕微鏡装置１３部分に所望形状のスリットを設けたプレートを装着することによって任意平面形状に形成することができる。図３（ａ）は、半導体レーザ素子３に対して、小さな長方形状のスリットを有するプレートを用いて端面３ａに反射防止加工領域３ｂを形成した状態を示し、同図（ｂ）は、サブマウント７に対して比較的大きな長方形状のスリットを有する別のプレートを用いて端面７ａに反射防止加工領域７ｂを形成した状態を示している。同図（ｃ）は、半導体レーザ素子３とサブマウント７に対して反射防止加工領域３ｂ，７ｂを形成した状態を示している。同図（ｃ）のように、半導体レーザ素子３とサブマウント７に対して反射防止加工領域３ｂ，７ｂを形成するのが好ましいが、半導体レーザ素子３もしくはサブマウント７の一方に反射防止加工領域３ｂ若しくは７ｂを形成してもよい。
【００１５】
このように形成された反射防止加工領域３ｂ，７ｂは、表面が粗面化されているので、副ビームとして戻ってくるレーザ光をランダムな方向に反射することができるとともに、黒っぽく着色されているので、戻ってくるレーザ光を吸収して反射を防止することもできる。よって、３ビーム方式の光ピックアップなどにこのレーザ装置１を装着すれば、戻りレーザ光に起因するノイズの発生を有効に防止することができる。
【００１６】
上記のように、戻りレーザ光の反射防止処理を外部から照射されるレーザ光Ｌを用いて行うので、レーザ素子３等に非接触で加工することができ、レーザ装置１の品質を良好に保つことができるとともに、短時間で反射防止加工を施すことができ、製造の効率を高めることができる。また、パッケージ２に収納した状態まで組み立ててからレーザ光出射用の窓１１を介して反射防止加工を施すことができるので、反射防止加工が容易となり製造作業性を高めることができる。
【００１７】
尚、上記実施例は、缶封止タイプのレーザ装置を例に取り、キャップ５を固定した後にレーザ加工する場合を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、キャップ５を固定する前にレーザ加工を施す場合にも適用することができるし、缶封止タイプ以外の半導体レーザ装置にも適用することができる。
【００１８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、戻りレーザ光の反射を有効に防止することができる半導体レーザ装置を提供することができ、光ピックアップ等に装着した場合のノイズの発生を抑制することができる。また、半導体レーザ装置の戻りレーザ光反射防止加工を比較的簡単に、かつ短時間で行うことができる製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための概略構成図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、同実施例の反射防止加工領域を示す要部平面図である。
【符号の説明】
１ 半導体レーザ装置
２ パッケージ
３ 半導体レーザ素子
３ａ 端面
３ｂ 反射防止加工領域
７ サブマウント
７ａ 端面
７ｂ 反射防止加工領域
８ 出光点
１１ 出射窓
１２ ガラス
１３ 顕微鏡装置
１４ 高出力レーザ装置
１５ 搬送装置
１６ モニター装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、戻りレーザ光の反射を防止することができる半導体レーザ装置、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザ装置を３ビーム方式の光ピックアップの光源に用いる場合に、主ビームの両側に位置するトラッキング用の副ビームが光ディスクで反射されて半導体レーザ装置に戻り、この戻りレーザ光がレーザ素子若しくはサブマウントの端面で反射して再び半導体レーザ装置から出射され、これが再生信号のノイズ源になることが多い。
【０００３】
従来、このような戻りレーザ光の反射を防ぐために、レーザ素子及びサブマウントの端面に樹脂による無反射コートを施す、レーザ素子の端面を傾斜面とする等の構造が採用されている（例えば、特開平３−１９８３９１号公報参照）が、前者の場合は、樹脂塗布のための作業が必要であるので、製造工程の増加とともに製造時間が長くなるという問題があり、また、後者の場合は、傾斜面を形成するに際してエッチング処理等が必要となるので、製造工程が複雑化するなどの問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、戻りレーザ光の反射を防止することができる半導体レーザ装置を提供することを課題の一つとする。また、半導体レーザ装置の戻りレーザ光反射防止加工を比較的簡単に、かつ短時間で行うことができる製造方法を提供することを課題の一つとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサブマウントを備える半導体レーザ装置を製造する際に、外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする。
【０００８】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサブマウントと、これらを密閉収納するパッケージを備える半導体レーザ装置を製造する際に、前記パッケージに設けられたレーザ光の出射用窓を介して外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。まず図１を参照して半導体レーザ装置１の構造について説明する。半導体レーザ装置１は、パッケージ２とこれに配置固定される半導体レーザ素子３によって主構成される。前記パッケージ２は、ステム４とこれに気密固定されるキャップ５を備えている。前記ステム４は、厚さが１〜２ｍｍ程度の円形の金属板で構成され、その上面に銅製の放熱用ブロック６が固定されている。この放熱用ブロック６の側面には、シリコン製のサブマウント７が固定され、このサブマウント７の側面に前記半導体レ−ザ素子３がジャンクションダウンで、すなわち出光点８がサブマウント７側に片寄るようにして固定される。
【００１０】
ステム４の上面には、半導体レ−ザ素子３の下面から出射されるレ−ザ光を受光するモニター用の受光素子９が固定されている。ステム４には、前記半導体レ−ザ素子３と受光素子９へのワイヤ接続に用いる３本のリードピン１０が固定されている。
【００１１】
キャップ５の上面には、円形の窓１１が形成され、この窓１１は、透明なガラス１２によって気密して塞がれている。キャップ５は内部に前記半導体レ−ザ素子３や放熱用ブロック６、サブマウント７を収納してステム４上面に気密して固定される。
【００１２】
半導体レ−ザ素子３は、長辺が３００μｍ前後の直方体形状を成し、ステム４の法線方向にレーザ光が出射するように固定される。半導体レーザ素子３のレーザ出光点８が設けられた端面３ａには、戻りレーザ光の反射を防止するために、レーザ加工によって粗面化された反射防止加工領域３ｂが形成されている。レーザ出光点８側に位置するサブマウント７の端面７ａにも、戻りレーザ光の反射を防止するために、レーザ加工によって粗面化された反射防止加工領域７ｂが形成されている。これらの反射防止加工領域３ｂ，７ｂは、レーザ光の副ビームが出光点８から６０μｍ前後離れた位置に戻ってくるので、副ビームが戻ってくると予想される領域（出光点８近傍は除く）に形成される。
【００１３】
次に、外部レーザ光Ｌによる反射防止加工について図２を参照して説明する。図２はレーザ加工装置の概略構成図を示している。この装置は、顕微鏡装置１３と、この顕微鏡装置１３の上部に装着されたＹＡＧレーザ装置のような高出力レーザ装置１４と、顕微鏡装置１３下部の観察位置に加工すべき半導体レーザ装置１を保持するＸ−Ｙ方向に移動自在な搬送装置１５と、顕微鏡装置１３に接続されたモニター装置１６等を備えて構成される。この装置の搬送装置１５に反射防止加工を施すべきレーザ装置１を窓１１を上に向けて所定個数配置する。次に、顕微鏡装置１３の確認窓１３ａ、若しくはモニター装置１６によって加工すべき位置を観察し、搬送装置１５を調節してレーザ装置１のＸ−Ｙ方向の位置調整をすることによって加工領域の位置決め設定を行う。その後、高出力レーザ装置１４を予め設定した時間作動させてパッケージ２内に固定された半導体レーザ素子３やサブマウント７の端面３ａ，７ａの設定領域に、窓１１（ガラス１２）を介して高出力レーザ光Ｌを照射する。
【００１４】
この照射によってレーザ素子３やサブマウント７のレーザ光Ｌが照射された部分は、高熱によって焼かれて表面が粗面化されるとともに、黒ぽっく着色されて反射防止加工領域３ｂ，７ｂを形成する。反射防止加工領域３ｂ，７ｂは、顕微鏡装置１３部分に所望形状のスリットを設けたプレートを装着することによって任意平面形状に形成することができる。図３（ａ）は、半導体レーザ素子３に対して、小さな長方形状のスリットを有するプレートを用いて端面３ａに反射防止加工領域３ｂを形成した状態を示し、同図（ｂ）は、サブマウント７に対して比較的大きな長方形状のスリットを有する別のプレートを用いて端面７ａに反射防止加工領域７ｂを形成した状態を示している。同図（ｃ）は、半導体レーザ素子３とサブマウント７に対して反射防止加工領域３ｂ，７ｂを形成した状態を示している。同図（ｃ）のように、半導体レーザ素子３とサブマウント７に対して反射防止加工領域３ｂ，７ｂを形成するのが好ましいが、半導体レーザ素子３もしくはサブマウント７の一方に反射防止加工領域３ｂ若しくは７ｂを形成してもよい。
【００１５】
このように形成された反射防止加工領域３ｂ，７ｂは、表面が粗面化されているので、副ビームとして戻ってくるレーザ光をランダムな方向に反射することができるとともに、黒っぽく着色されているので、戻ってくるレーザ光を吸収して反射を防止することもできる。よって、３ビーム方式の光ピックアップなどにこのレーザ装置１を装着すれば、戻りレーザ光に起因するノイズの発生を有効に防止することができる。
【００１６】
上記のように、戻りレーザ光の反射防止処理を外部から照射されるレーザ光Ｌを用いて行うので、レーザ素子３等に非接触で加工することができ、レーザ装置１の品質を良好に保つことができるとともに、短時間で反射防止加工を施すことができ、製造の効率を高めることができる。また、パッケージ２に収納した状態まで組み立ててからレーザ光出射用の窓１１を介して反射防止加工を施すことができるので、反射防止加工が容易となり製造作業性を高めることができる。
【００１７】
尚、上記実施例は、缶封止タイプのレーザ装置を例に取り、キャップ５を固定した後にレーザ加工する場合を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、キャップ５を固定する前にレーザ加工を施す場合にも適用することができるし、缶封止タイプ以外の半導体レーザ装置にも適用することができる。
【００１８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、戻りレーザ光の反射を有効に防止することができる半導体レーザ装置を提供することができ、光ピックアップ等に装着した場合のノイズの発生を抑制することができる。また、半導体レーザ装置の戻りレーザ光反射防止加工を比較的簡単に、かつ短時間で行うことができる製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための概略構成図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、同実施例の反射防止加工領域を示す要部平面図である。
【符号の説明】
１ 半導体レーザ装置
２ パッケージ
３ 半導体レーザ素子
３ａ 端面
３ｂ 反射防止加工領域
７ サブマウント
７ａ 端面
７ｂ 反射防止加工領域
８ 出光点
１１ 出射窓
１２ ガラス
１３ 顕微鏡装置
１４ 高出力レーザ装置
１５ 搬送装置
１６ モニター装置
Claims (2)
- 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサブマウントを備える半導体レーザ装置を製造する際に、外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
- 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサブマウントと、これらを密閉収納するパッケージを備える半導体レーザ装置を製造する際に、前記パッケージに設けられたレーザ光の出射用窓を介して外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25965496A JP3773603B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25965496A JP3773603B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107372A JPH10107372A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3773603B2 true JP3773603B2 (ja) | 2006-05-10 |
Family
ID=17337061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25965496A Expired - Fee Related JP3773603B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3773603B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026439A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Denso Corp | 半導体発光素子 |
| JP2008282979A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Sharp Corp | 半導体発光素子とその製造方法 |
| JP2018132573A (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP25965496A patent/JP3773603B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10107372A (ja) | 1998-04-24 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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