JP3773603B2 - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、戻りレーザ光の反射を防止することができる半導体レーザ装置、及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体レーザ装置を3ビーム方式の光ピックアップの光源に用いる場合に、主ビームの両側に位置するトラッキング用の副ビームが光ディスクで反射されて半導体レーザ装置に戻り、この戻りレーザ光がレーザ素子若しくはサブマウントの端面で反射して再び半導体レーザ装置から出射され、これが再生信号のノイズ源になることが多い。
【0003】
従来、このような戻りレーザ光の反射を防ぐために、レーザ素子及びサブマウントの端面に樹脂による無反射コートを施す、レーザ素子の端面を傾斜面とする等の構造が採用されている(例えば、特開平3−198391号公報参照)が、前者の場合は、樹脂塗布のための作業が必要であるので、製造工程の増加とともに製造時間が長くなるという問題があり、また、後者の場合は、傾斜面を形成するに際してエッチング処理等が必要となるので、製造工程が複雑化するなどの問題がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、戻りレーザ光の反射を防止することができる半導体レーザ装置を提供することを課題の一つとする。また、半導体レーザ装置の戻りレーザ光反射防止加工を比較的簡単に、かつ短時間で行うことができる製造方法を提供することを課題の一つとする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサブマウントを備える半導体レーザ装置を製造する際に、外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする。
【0008】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサブマウントと、これらを密閉収納するパッケージを備える半導体レーザ装置を製造する際に、前記パッケージに設けられたレーザ光の出射用窓を介して外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。まず図1を参照して半導体レーザ装置1の構造について説明する。半導体レーザ装置1は、パッケージ2とこれに配置固定される半導体レーザ素子3によって主構成される。前記パッケージ2は、ステム4とこれに気密固定されるキャップ5を備えている。前記ステム4は、厚さが1〜2mm程度の円形の金属板で構成され、その上面に銅製の放熱用ブロック6が固定されている。この放熱用ブロック6の側面には、シリコン製のサブマウント7が固定され、このサブマウント7の側面に前記半導体レ−ザ素子3がジャンクションダウンで、すなわち出光点8がサブマウント7側に片寄るようにして固定される。
【0010】
ステム4の上面には、半導体レ−ザ素子3の下面から出射されるレ−ザ光を受光するモニター用の受光素子9が固定されている。ステム4には、前記半導体レ−ザ素子3と受光素子9へのワイヤ接続に用いる3本のリードピン10が固定されている。
【0011】
キャップ5の上面には、円形の窓11が形成され、この窓11は、透明なガラス12によって気密して塞がれている。キャップ5は内部に前記半導体レ−ザ素子3や放熱用ブロック6、サブマウント7を収納してステム4上面に気密して固定される。
【0012】
半導体レ−ザ素子3は、長辺が300μm前後の直方体形状を成し、ステム4の法線方向にレーザ光が出射するように固定される。半導体レーザ素子3のレーザ出光点8が設けられた端面3aには、戻りレーザ光の反射を防止するために、レーザ加工によって粗面化された反射防止加工領域3bが形成されている。レーザ出光点8側に位置するサブマウント7の端面7aにも、戻りレーザ光の反射を防止するために、レーザ加工によって粗面化された反射防止加工領域7bが形成されている。これらの反射防止加工領域3b,7bは、レーザ光の副ビームが出光点8から60μm前後離れた位置に戻ってくるので、副ビームが戻ってくると予想される領域(出光点8近傍は除く)に形成される。
【0013】
次に、外部レーザ光Lによる反射防止加工について図2を参照して説明する。図2はレーザ加工装置の概略構成図を示している。この装置は、顕微鏡装置13と、この顕微鏡装置13の上部に装着されたYAGレーザ装置のような高出力レーザ装置14と、顕微鏡装置13下部の観察位置に加工すべき半導体レーザ装置1を保持するX−Y方向に移動自在な搬送装置15と、顕微鏡装置13に接続されたモニター装置16等を備えて構成される。この装置の搬送装置15に反射防止加工を施すべきレーザ装置1を窓11を上に向けて所定個数配置する。次に、顕微鏡装置13の確認窓13a、若しくはモニター装置16によって加工すべき位置を観察し、搬送装置15を調節してレーザ装置1のX−Y方向の位置調整をすることによって加工領域の位置決め設定を行う。その後、高出力レーザ装置14を予め設定した時間作動させてパッケージ2内に固定された半導体レーザ素子3やサブマウント7の端面3a,7aの設定領域に、窓11(ガラス12)を介して高出力レーザ光Lを照射する。
【0014】
この照射によってレーザ素子3やサブマウント7のレーザ光Lが照射された部分は、高熱によって焼かれて表面が粗面化されるとともに、黒ぽっく着色されて反射防止加工領域3b,7bを形成する。反射防止加工領域3b,7bは、顕微鏡装置13部分に所望形状のスリットを設けたプレートを装着することによって任意平面形状に形成することができる。図3(a)は、半導体レーザ素子3に対して、小さな長方形状のスリットを有するプレートを用いて端面3aに反射防止加工領域3bを形成した状態を示し、同図(b)は、サブマウント7に対して比較的大きな長方形状のスリットを有する別のプレートを用いて端面7aに反射防止加工領域7bを形成した状態を示している。同図(c)は、半導体レーザ素子3とサブマウント7に対して反射防止加工領域3b,7bを形成した状態を示している。同図(c)のように、半導体レーザ素子3とサブマウント7に対して反射防止加工領域3b,7bを形成するのが好ましいが、半導体レーザ素子3もしくはサブマウント7の一方に反射防止加工領域3b若しくは7bを形成してもよい。
【0015】
このように形成された反射防止加工領域3b,7bは、表面が粗面化されているので、副ビームとして戻ってくるレーザ光をランダムな方向に反射することができるとともに、黒っぽく着色されているので、戻ってくるレーザ光を吸収して反射を防止することもできる。よって、3ビーム方式の光ピックアップなどにこのレーザ装置1を装着すれば、戻りレーザ光に起因するノイズの発生を有効に防止することができる。
【0016】
上記のように、戻りレーザ光の反射防止処理を外部から照射されるレーザ光Lを用いて行うので、レーザ素子3等に非接触で加工することができ、レーザ装置1の品質を良好に保つことができるとともに、短時間で反射防止加工を施すことができ、製造の効率を高めることができる。また、パッケージ2に収納した状態まで組み立ててからレーザ光出射用の窓11を介して反射防止加工を施すことができるので、反射防止加工が容易となり製造作業性を高めることができる。
【0017】
尚、上記実施例は、缶封止タイプのレーザ装置を例に取り、キャップ5を固定した後にレーザ加工する場合を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、キャップ5を固定する前にレーザ加工を施す場合にも適用することができるし、缶封止タイプ以外の半導体レーザ装置にも適用することができる。
【0018】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、戻りレーザ光の反射を有効に防止することができる半導体レーザ装置を提供することができ、光ピックアップ等に装着した場合のノイズの発生を抑制することができる。また、半導体レーザ装置の戻りレーザ光反射防止加工を比較的簡単に、かつ短時間で行うことができる製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す断面図である。
【図2】本発明の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための概略構成図である。
【図3】(a)〜(c)は、同実施例の反射防止加工領域を示す要部平面図である。
【符号の説明】
1 半導体レーザ装置
2 パッケージ
3 半導体レーザ素子
3a 端面
3b 反射防止加工領域
7 サブマウント
7a 端面
7b 反射防止加工領域
8 出光点
11 出射窓
12 ガラス
13 顕微鏡装置
14 高出力レーザ装置
15 搬送装置
16 モニター装置
Claims (2)
- 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサブマウントを備える半導体レーザ装置を製造する際に、外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
- 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を固定するサブマウントと、これらを密閉収納するパッケージを備える半導体レーザ装置を製造する際に、前記パッケージに設けられたレーザ光の出射用窓を介して外部からレーザ光を照射することにより、前記半導体レーザ素子若しくは前記サブマウントに戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
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JP25965496A JP3773603B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
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JPH10107372A JPH10107372A (ja) | 1998-04-24 |
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Family Applications (1)
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JP25965496A Expired - Fee Related JP3773603B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
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- 1996-09-30 JP JP25965496A patent/JP3773603B2/ja not_active Expired - Fee Related
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