JPH0918087A - マルチビーム半導体レーザ装置 - Google Patents
マルチビーム半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0918087A JPH0918087A JP7160586A JP16058695A JPH0918087A JP H0918087 A JPH0918087 A JP H0918087A JP 7160586 A JP7160586 A JP 7160586A JP 16058695 A JP16058695 A JP 16058695A JP H0918087 A JPH0918087 A JP H0918087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- reflecting mirror
- laser device
- light
- chips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ディスクの読み書きに用いられる安価なマ
ルチビーム半導体レーザを提供する。 【構成】 角錐形状の反射鏡４を挾んだ両側若しくは四
方に半導体レーザチップ２を配置し、チップ２からの出
射光は反射鏡４によりマウント面から垂直に出射する。
通常ディスクリードチップを用いた場合、出射点の間隔
は約３００μｍとなり単一レンズ系では扱い難いが、本
発明の構成では光学的な出射点の距離を５０〜１００μ
ｍまで低減することができるので、単一レンズ系で扱う
ことができ、モノリシックなマルチビーム半導体レーザ
と同様に有効な構成となる。
ルチビーム半導体レーザを提供する。 【構成】 角錐形状の反射鏡４を挾んだ両側若しくは四
方に半導体レーザチップ２を配置し、チップ２からの出
射光は反射鏡４によりマウント面から垂直に出射する。
通常ディスクリードチップを用いた場合、出射点の間隔
は約３００μｍとなり単一レンズ系では扱い難いが、本
発明の構成では光学的な出射点の距離を５０〜１００μ
ｍまで低減することができるので、単一レンズ系で扱う
ことができ、モノリシックなマルチビーム半導体レーザ
と同様に有効な構成となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光情報処理・光通信等に
用いられる半導体レーザ装置、特に発光点を複数有する
マルチビーム半導体レーザ装置に関するものである。
用いられる半導体レーザ装置、特に発光点を複数有する
マルチビーム半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マルチビーム半導体レーザ装置でもっと
も簡単なものは、一つの発光領域を有する半導体レーザ
装置を複数個横方向に並べて配し、各々の光が平行に出
射されるようにしたものである。これは、各々の出射光
の距離が約２００〜３００μｍと大きく、単一のレンズ
系を有する光ディスクシステムに利用することはできな
い。
も簡単なものは、一つの発光領域を有する半導体レーザ
装置を複数個横方向に並べて配し、各々の光が平行に出
射されるようにしたものである。これは、各々の出射光
の距離が約２００〜３００μｍと大きく、単一のレンズ
系を有する光ディスクシステムに利用することはできな
い。
【０００３】そこで図２（ａ），（ｂ）に示すように、
一つの半導体レーザチップ１１内に複数個の発光領域１
２を有する構造としている。図中５は放熱板，１３は受
光領域，１４は仕切板である。図２に示された構造のも
のによれば、出射光の距離を５０〜１００μｍとするこ
とができ、単一のレンズ系で用いることができるために
光ディスク装置を高速化することができる。
一つの半導体レーザチップ１１内に複数個の発光領域１
２を有する構造としている。図中５は放熱板，１３は受
光領域，１４は仕切板である。図２に示された構造のも
のによれば、出射光の距離を５０〜１００μｍとするこ
とができ、単一のレンズ系で用いることができるために
光ディスク装置を高速化することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示されたマルチビーム半導体レーザ装置は以下の問題点
を有する。すなわち、まず第一に歩留りを向上すること
が難しく、コスト高になることが挙げられる。なぜな
ら、例えば４つの受光領域１２を集積化した場合、一つ
の発光領域の歩留りが９０％とすると、４つの受光領域
がすべて正常な可能性は６６％となってしまい、４つと
も正常でないチップは不良品として廃棄することになる
からである。
示されたマルチビーム半導体レーザ装置は以下の問題点
を有する。すなわち、まず第一に歩留りを向上すること
が難しく、コスト高になることが挙げられる。なぜな
ら、例えば４つの受光領域１２を集積化した場合、一つ
の発光領域の歩留りが９０％とすると、４つの受光領域
がすべて正常な可能性は６６％となってしまい、４つと
も正常でないチップは不良品として廃棄することになる
からである。
【０００５】また発光領域間がつながっているため、発
光領域間の熱干渉が起こるという問題もある。さらに各
々の出射光の強度をモニターするのが難しいという問題
もある。図２の例では仕切板１４を用いてモニター用受
光器の方向に出射された光が入り交じらないようにして
いるが、このような仕切板１４を用いることは、大きな
コスト高の要因となる。
光領域間の熱干渉が起こるという問題もある。さらに各
々の出射光の強度をモニターするのが難しいという問題
もある。図２の例では仕切板１４を用いてモニター用受
光器の方向に出射された光が入り交じらないようにして
いるが、このような仕切板１４を用いることは、大きな
コスト高の要因となる。
【０００６】本発明の目的は、前記課題を解消したマル
チビーム半導体レーザ装置を提供することにある。
チビーム半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るマルチビーム半導体レーザ装置は、半
導体レーザチップと、反射鏡とを有するマルチビーム半
導体レーザ装置であって、半導体レーザチップは、反射
鏡を中心として該反射鏡の周囲に複数設置され、レーザ
光を反射鏡に向けて出射するものであり、反射鏡は、前
記各半導体レーザチップから出力されたレーザ光の出射
方向を変更させて反射するものである。
め、本発明に係るマルチビーム半導体レーザ装置は、半
導体レーザチップと、反射鏡とを有するマルチビーム半
導体レーザ装置であって、半導体レーザチップは、反射
鏡を中心として該反射鏡の周囲に複数設置され、レーザ
光を反射鏡に向けて出射するものであり、反射鏡は、前
記各半導体レーザチップから出力されたレーザ光の出射
方向を変更させて反射するものである。
【０００８】また前記反射鏡は、周囲に複数の反射面を
もつ角錐形状をなすものである。
もつ角錐形状をなすものである。
【０００９】また受光素子を有し、受光素子は、各半導
体レーザチップの反射鏡側とは反対側の出射面からの光
を受光するものである。
体レーザチップの反射鏡側とは反対側の出射面からの光
を受光するものである。
【００１０】また前記複数の半導体レーザチップは、同
一の放熱板に搭載されており、前記反射鏡は、前記放熱
板の凹んだ位置に搭載されたものである。
一の放熱板に搭載されており、前記反射鏡は、前記放熱
板の凹んだ位置に搭載されたものである。
【００１１】また前記半導体レーザチップは、ＡｌＧａ
Ａｓ系若しくはＡｌＧａＩｎＰ系の素材からなり、前記
受光素子は、Ｓｉ系の素材からなるものである。
Ａｓ系若しくはＡｌＧａＩｎＰ系の素材からなり、前記
受光素子は、Ｓｉ系の素材からなるものである。
【００１２】
【作用】反射鏡を中心としてその周囲に複数の半導体レ
ーザチップを配置し、反射鏡により各半導体レーザチッ
プからのレーザ光を所望の出射方向に反射することによ
り、コスト高を招く仕切板を削除する。
ーザチップを配置し、反射鏡により各半導体レーザチッ
プからのレーザ光を所望の出射方向に反射することによ
り、コスト高を招く仕切板を削除する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
図１（ａ）は本発明の一実施例を示す平面図、（ｂ）は
図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
図１（ａ）は本発明の一実施例を示す平面図、（ｂ）は
図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【００１４】図において本発明に係るマルチビーム半導
体レーザ装置は基本的構成として、半導体レーザチップ
２と、反射鏡４とを有している。
体レーザ装置は基本的構成として、半導体レーザチップ
２と、反射鏡４とを有している。
【００１５】各構成の機能について説明すると、半導体
レーザチップ２は、反射鏡４を中心としてその周囲に複
数設置され、レーザ光を反射鏡４に向けて出射するよう
になっている。
レーザチップ２は、反射鏡４を中心としてその周囲に複
数設置され、レーザ光を反射鏡４に向けて出射するよう
になっている。
【００１６】また反射鏡４は、各半導体レーザチップ２
から出力されたレーザ光の出射方向を変更させて反射す
るようになっており、具体的には反射鏡４は、周囲に複
数の反射面４ａをもつ角錐形状をなし、隣接する半導体
レーザチップ２からのレーザ光同士が混じり合わないよ
うに各反射面４ａでレーザ光を独立して反射するように
なっている。
から出力されたレーザ光の出射方向を変更させて反射す
るようになっており、具体的には反射鏡４は、周囲に複
数の反射面４ａをもつ角錐形状をなし、隣接する半導体
レーザチップ２からのレーザ光同士が混じり合わないよ
うに各反射面４ａでレーザ光を独立して反射するように
なっている。
【００１７】次に本発明を具体例を用いて説明する。図
１において、放熱板５としてのｎ−Ｓｉウェハにボロン
を拡散してｐ−ｎ接合を形成することにより４個の受光
素子１を形成し、また各受光素子１に受光電流用の電極
６ａを形成する。
１において、放熱板５としてのｎ−Ｓｉウェハにボロン
を拡散してｐ−ｎ接合を形成することにより４個の受光
素子１を形成し、また各受光素子１に受光電流用の電極
６ａを形成する。
【００１８】次にＰＲ工程により放熱板５としてのＳｉ
ウェハを約３０μｍエッチングして、凹部７を４個の受
光素子１間の中央位置に形成する。凹部７は、幅６４０
μｍ，長さ６４０μｍ，深さ３０μｍの寸法をもつ凹ん
だくぼみとして形成してある。
ウェハを約３０μｍエッチングして、凹部７を４個の受
光素子１間の中央位置に形成する。凹部７は、幅６４０
μｍ，長さ６４０μｍ，深さ３０μｍの寸法をもつ凹ん
だくぼみとして形成してある。
【００１９】次にＰＲ工程により、放熱板５としてのＳ
ｉウェハの半導体レーザチップがマウントされる領域す
なわち凹部７と受光素子１との間に電極６ｂを形成す
る。また放熱板５としてのＳｉウェハの電極６ｂが設け
られた領域をダイシングすることによりストライプ３を
設けて、個々のヒートシンクチップに分割する。
ｉウェハの半導体レーザチップがマウントされる領域す
なわち凹部７と受光素子１との間に電極６ｂを形成す
る。また放熱板５としてのＳｉウェハの電極６ｂが設け
られた領域をダイシングすることによりストライプ３を
設けて、個々のヒートシンクチップに分割する。
【００２０】またストライプ３をもつヒートシンクチッ
プの電極６ｂ上に、単一の発光領域を有する半導体レー
ザチップ２をマウントする。ここで半導体レーザチップ
２は、ＡｌＧａＡｓ系若しくはＡｌＧａＩｎＰ系の素材
から構成されている。半導体レーザチップ２のマウント
用ソルダーはＡｕＳｎを用い、半導体レーザチップ２の
表面に部分蒸着し、チップ２を電極６ｂ上にマウントし
ており、マウントが容易に行なえるようになっている。
半導体レーザチップ２は幅３２０μｍ，長さ４００μ
ｍ，厚さ１００μｍのものを用いており、また半導体レ
ーザチップ２は、パルス電流による電気的光学的の特性
選別を行ったものを用いている。
プの電極６ｂ上に、単一の発光領域を有する半導体レー
ザチップ２をマウントする。ここで半導体レーザチップ
２は、ＡｌＧａＡｓ系若しくはＡｌＧａＩｎＰ系の素材
から構成されている。半導体レーザチップ２のマウント
用ソルダーはＡｕＳｎを用い、半導体レーザチップ２の
表面に部分蒸着し、チップ２を電極６ｂ上にマウントし
ており、マウントが容易に行なえるようになっている。
半導体レーザチップ２は幅３２０μｍ，長さ４００μ
ｍ，厚さ１００μｍのものを用いており、また半導体レ
ーザチップ２は、パルス電流による電気的光学的の特性
選別を行ったものを用いている。
【００２１】図１では４個の半導体レーザチップ２を凹
部７を挾んで対向する位置に向き合わせに配置している
が、これに限られるものではない。
部７を挾んで対向する位置に向き合わせに配置している
が、これに限られるものではない。
【００２２】反射鏡４は、周面に４つの反射面４ａをも
つ四角錐形状をなすものであって、各反射面４ａを各半
導体レーザチップ２に向き合わせて凹部７内に紫外線硬
化樹脂により接着してある。反射鏡４は四角錐形状に成
形されたガラスにアルミニウムを薄膜コーティングして
各反射面４ａの反射率を９８％まで高めたものを用いて
いる。また反射鏡４は、マウント面に対する各反射面４
ａの立ち上げ角度が図１（ｂ）に示すように４５ｄｅｇ
となっており、四角錐の底辺の正方形の一部の長さが２
００μｍとなっている。また半導体レーザチップ２及び
受光素子１に対する必要な配線処理を行い、半導体レー
ザチップ２及び受光素子１並びに反射鏡４を気密封止し
てマルチビーム半導体レーザ装置として完成させる。
つ四角錐形状をなすものであって、各反射面４ａを各半
導体レーザチップ２に向き合わせて凹部７内に紫外線硬
化樹脂により接着してある。反射鏡４は四角錐形状に成
形されたガラスにアルミニウムを薄膜コーティングして
各反射面４ａの反射率を９８％まで高めたものを用いて
いる。また反射鏡４は、マウント面に対する各反射面４
ａの立ち上げ角度が図１（ｂ）に示すように４５ｄｅｇ
となっており、四角錐の底辺の正方形の一部の長さが２
００μｍとなっている。また半導体レーザチップ２及び
受光素子１に対する必要な配線処理を行い、半導体レー
ザチップ２及び受光素子１並びに反射鏡４を気密封止し
てマルチビーム半導体レーザ装置として完成させる。
【００２３】実施例において、各々の半導体レーザチッ
プ２からの出射光は反射鏡４の反射面４ａに４５ｄｅｇ
の角度をもって入射し、反射面４ａで９０ｄｅｇの方向
（図１（ｂ）の上方）に反射される。４個の半導体レー
ザチップ２の発光点は、一辺３００μｍの正方形の頂点
に位置しているが、図１のように角錐形状の反射鏡４で
反射されるため、光学的には、発光点の位置はより近接
している。すなわち反射後の各発光領域の光軸は光軸８
のような軌跡を取るため、一辺１００μｍの正方形の頂
点から発光したかのようになる。したがって、単一レン
ズの光学系で有効なマルチビーム（最大発光点４）半導
体レーザ装置を得ることができる。
プ２からの出射光は反射鏡４の反射面４ａに４５ｄｅｇ
の角度をもって入射し、反射面４ａで９０ｄｅｇの方向
（図１（ｂ）の上方）に反射される。４個の半導体レー
ザチップ２の発光点は、一辺３００μｍの正方形の頂点
に位置しているが、図１のように角錐形状の反射鏡４で
反射されるため、光学的には、発光点の位置はより近接
している。すなわち反射後の各発光領域の光軸は光軸８
のような軌跡を取るため、一辺１００μｍの正方形の頂
点から発光したかのようになる。したがって、単一レン
ズの光学系で有効なマルチビーム（最大発光点４）半導
体レーザ装置を得ることができる。
【００２４】また各発光領域のレーザ強度も、各々の半
導体レーザチップ２の後方に配された受光素子１によっ
て独立にモニターすることができる。
導体レーザチップ２の後方に配された受光素子１によっ
て独立にモニターすることができる。
【００２５】尚、反射鏡４の反射面傾斜角度を４５ｄｅ
ｇより大きくすれば、光学的な発光点の距離を小さくす
ることができる。反射面４ａの傾斜角度を例えば５０ｄ
ｅｇとすると、発光点の距離を１００μｍから５０μｍ
とすることができ、発光点の距離をより小さくしたい光
学系では有効となる。但し、反射後の光軸はマウント面
に垂直ではなく、各々離れていくので、コリメートレン
ズを用いて集束する必要がある。また実施例では反射鏡
４は４つの反射面４ａをもつ４角錐形状のものを用いた
が、これに限られるものではなく、多面構造のものであ
れば、いずれの角錐形状のものでもよい。
ｇより大きくすれば、光学的な発光点の距離を小さくす
ることができる。反射面４ａの傾斜角度を例えば５０ｄ
ｅｇとすると、発光点の距離を１００μｍから５０μｍ
とすることができ、発光点の距離をより小さくしたい光
学系では有効となる。但し、反射後の光軸はマウント面
に垂直ではなく、各々離れていくので、コリメートレン
ズを用いて集束する必要がある。また実施例では反射鏡
４は４つの反射面４ａをもつ４角錐形状のものを用いた
が、これに限られるものではなく、多面構造のものであ
れば、いずれの角錐形状のものでもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、角錐形状
をなす反射鏡を用いて複数の半導体レーザチップからの
レーザ光を相互干渉させることなく出射することがで
き、従来の装置で最もコストがかかっていた仕切板をな
くすとともに、その組立工数をなくすことができ、発光
領域１個あたりのコストを従来に比べて３０％とするこ
とができる。また従来に比べ、反射鏡が必要となるが、
安価なガラスを用いることにより、コストを安価にする
ことができる。
をなす反射鏡を用いて複数の半導体レーザチップからの
レーザ光を相互干渉させることなく出射することがで
き、従来の装置で最もコストがかかっていた仕切板をな
くすとともに、その組立工数をなくすことができ、発光
領域１個あたりのコストを従来に比べて３０％とするこ
とができる。また従来に比べ、反射鏡が必要となるが、
安価なガラスを用いることにより、コストを安価にする
ことができる。
【００２７】またマウント面に対してレーザ光を垂直に
出射することにより、半導体レーザ専用のパッケージで
はなく、半導体一般に用いられるリードフレームを使用
することができるため、更に低コスト化を図ることがで
きる。
出射することにより、半導体レーザ専用のパッケージで
はなく、半導体一般に用いられるリードフレームを使用
することができるため、更に低コスト化を図ることがで
きる。
【図１】本発明に係るマルチビーム半導体レーザ装置を
示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ’線断面図である。
示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ’線断面図である。
【図２】従来のマルチビーム半導体レーザ装置を示す図
であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’
線断面図である。
であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’
線断面図である。
１ 受光素子 ２ 半導体レーザチップ ３ ストライプ ４ 反射鏡 ４ａ 反射鏡の反射面 ５ 放熱板 ６ａ，６ｂ 電極 ７ 凹部 ８ 光軸
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体レーザチップと、反射鏡とを有す
るマルチビーム半導体レーザ装置であって、 半導体レーザチップは、反射鏡を中心として該反射鏡の
周囲に複数設置され、レーザ光を反射鏡に向けて出射す
るものであり、 反射鏡は、前記各半導体レーザチップから出力されたレ
ーザ光の出射方向を変更させて反射するものであること
を特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記反射鏡は、周囲に複数の反射面をも
つ角錐形状をなすものであることを特徴とする請求項１
に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 受光素子を有し、 受光素子は、各半導体レーザチップの反射鏡側とは反対
側の出射面からの光を受光するものであることを特徴と
する請求項１に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記複数の半導体レーザチップは、同一
の放熱板に搭載されており、 前記反射鏡は、前記放熱板の凹んだ位置に搭載されたも
のであることを特徴とする請求項１に記載のマルチビー
ム半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記半導体レーザチップは、ＡｌＧａＡ
ｓ系若しくはＡｌＧａＩｎＰ系の素材からなり、 前記受光素子は、Ｓｉ系の素材からなるものであること
を特徴とする請求項３に記載のマルチビーム半導体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7160586A JPH0918087A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7160586A JPH0918087A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0918087A true JPH0918087A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15718165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7160586A Pending JPH0918087A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0918087A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1104061A2 (en) * | 1999-11-29 | 2001-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array and optical scanner |
| JP2005057188A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置、集積化光ピックアップ及び光ディスク装置 |
| JP2005268394A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | レーザ光照射装置 |
| JP2009064979A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光ダイオードを用いた光源 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61203692A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-09 | Sony Corp | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
| JPH03225983A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-04 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH04287996A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-10-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JPH06104535A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Sony Corp | マルチビーム半導体レーザ |
| JPH0738205A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 面発光レーザダイオードアレイ及びその駆動方法，光検出素子，光検出素子アレイ，空間光接続システム，並びに波長多重光通信システム |
-
1995
- 1995-06-27 JP JP7160586A patent/JPH0918087A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61203692A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-09 | Sony Corp | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
| JPH03225983A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-04 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH04287996A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-10-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JPH06104535A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Sony Corp | マルチビーム半導体レーザ |
| JPH0738205A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 面発光レーザダイオードアレイ及びその駆動方法，光検出素子，光検出素子アレイ，空間光接続システム，並びに波長多重光通信システム |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1104061A2 (en) * | 1999-11-29 | 2001-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array and optical scanner |
| EP1104061A3 (en) * | 1999-11-29 | 2002-11-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array and optical scanner |
| US6867796B1 (en) | 1999-11-29 | 2005-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array and optical scanner |
| JP2005057188A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置、集積化光ピックアップ及び光ディスク装置 |
| JP2005268394A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | レーザ光照射装置 |
| JP4554242B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2010-09-29 | 三井造船株式会社 | レーザ光照射装置およびそれを用いた蛍光観察装置 |
| JP2009064979A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光ダイオードを用いた光源 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6178991B2 (ja) | 光源ユニットおよびそれを用いた光源モジュール | |
| US6860621B2 (en) | LED module and methods for producing and using the module | |
| CA2173059C (en) | Microoptical device | |
| US5218223A (en) | Opto-electronic semiconductor component | |
| JP2000502819A (ja) | オプトエレクトロニクス送信モジュール | |
| JPH0595169A (ja) | 半導体レーザ装置および半導体レーザモジユール | |
| JPH09222540A (ja) | 高さの低い光学的サブアセンブリ | |
| JPH10321900A (ja) | 光モジュール | |
| JP7119271B2 (ja) | レーザダイオードパッケージモジュールおよび距離検出装置、電子機器 | |
| JP3167650B2 (ja) | 一体化鏡を備えた光検出器及びその作成方法 | |
| JPS62260384A (ja) | 半導体装置 | |
| JP6189638B2 (ja) | 光学系 | |
| JPH0918087A (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
| JP6517285B2 (ja) | 光学系 | |
| JP2003188454A (ja) | 半導体レーザ装置および集積化光ピックアップ | |
| JPS6410804B2 (ja) | ||
| JP3464921B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH08148756A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2892812B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH11340574A (ja) | 光半導体装置およびその装置に組み込まれる光半導体素子 | |
| JPH08202247A (ja) | 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置に用いるホログラム板の製造方法 | |
| JPH11150341A (ja) | レーザデバイスとその製造方法 | |
| JP3169917B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2004333717A (ja) | マルチビームレーザ走査装置 | |
| WO2020066868A1 (ja) | レーザ光源装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |