JPH04287996A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH04287996A JPH04287996A JP3146362A JP14636291A JPH04287996A JP H04287996 A JPH04287996 A JP H04287996A JP 3146362 A JP3146362 A JP 3146362A JP 14636291 A JP14636291 A JP 14636291A JP H04287996 A JPH04287996 A JP H04287996A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
- H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
-
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光出力をモニタするホ
トダイオードと一体化した半導体レーザ素子に関する。
トダイオードと一体化した半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザチップの前面からの光出力
を一定にするために、レーザチップの背面からの光の入
射する位置にホトダイオードを置き、そのホトダイオー
ドの出力をレーザの入力電流にフィードバックすること
が従来行われている。図２はそのような半導体レーザ素
子の一例で、レーザチップ１は基板２を介してヒートシ
ンク３の上に支持されている。ヒートシンク３はキャッ
プ４と共に金属容器を形成するステム５の上に固定され
ている。レーザチップ１は前面側からキャップ４のガラ
ス窓４１を通じて外部へ出るレーザビーム６を出射する
と共に背面側にも光６１を出射する。モニタ用のホトダ
イオード７はステム５のこの光６１の入射する位置に置
かれる。
を一定にするために、レーザチップの背面からの光の入
射する位置にホトダイオードを置き、そのホトダイオー
ドの出力をレーザの入力電流にフィードバックすること
が従来行われている。図２はそのような半導体レーザ素
子の一例で、レーザチップ１は基板２を介してヒートシ
ンク３の上に支持されている。ヒートシンク３はキャッ
プ４と共に金属容器を形成するステム５の上に固定され
ている。レーザチップ１は前面側からキャップ４のガラ
ス窓４１を通じて外部へ出るレーザビーム６を出射する
と共に背面側にも光６１を出射する。モニタ用のホトダ
イオード７はステム５のこの光６１の入射する位置に置
かれる。
【０００３】図３は図２の素子に比してコストダウンさ
れた半導体レーザ素子の例で、図（ｂ） に拡大して示
すようにホトダイオード７をレーザチップ１を支持する
基板２の一部に作りつけたものである。基板２は主にｎ
型単結晶Ｓｉ基板を用い、その表面の一部に不純物を拡
散してｐ型領域をつくり、ｐｎ接合ホトダイオードを形
成したものである。
れた半導体レーザ素子の例で、図（ｂ） に拡大して示
すようにホトダイオード７をレーザチップ１を支持する
基板２の一部に作りつけたものである。基板２は主にｎ
型単結晶Ｓｉ基板を用い、その表面の一部に不純物を拡
散してｐ型領域をつくり、ｐｎ接合ホトダイオードを形
成したものである。
【０００４】図４は樹脂モールド型のレーザ素子の例で
、図３（ｂ） に示したホトダイオード７を作りつけた
基板２をリードフレームのマウント部８に接着し、レー
ザチップ１およびホトダイオード７とリードフレームの
外部リード部８１とを導線９で接続したのち、レーザチ
ップ１およびホトダイオードの保護のためにエポキシ樹
脂などの樹脂１０でモールドしたものである。
、図３（ｂ） に示したホトダイオード７を作りつけた
基板２をリードフレームのマウント部８に接着し、レー
ザチップ１およびホトダイオード７とリードフレームの
外部リード部８１とを導線９で接続したのち、レーザチ
ップ１およびホトダイオードの保護のためにエポキシ樹
脂などの樹脂１０でモールドしたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３， 図４の素子で
は、ホトダイオード７をレーザチップ１の支持基板２に
一体に形成することによりコストダウンの目的は達成で
きるが、基板面２に平行な方向に出射する光６１とｐｎ
接合面のなす角が小さいため、光６１に対向した構造の
図２の素子に較べてホトダイオード７の受光量が少なく
なり、ホトダイオードの出力電流が小さいため、レーザ
出射光制御の上で問題がある。上記の角度を大きくする
ために、レーザチップ１の発光点の位置やレーザチップ
１とホトダイオード７の間の距離の最適化を図ることも
試みられたが、レーザの光出射特性のばらつきや組立て
精度等の問題もあり、ホトダイオードの安定した出力を
得るのは容易でない。
は、ホトダイオード７をレーザチップ１の支持基板２に
一体に形成することによりコストダウンの目的は達成で
きるが、基板面２に平行な方向に出射する光６１とｐｎ
接合面のなす角が小さいため、光６１に対向した構造の
図２の素子に較べてホトダイオード７の受光量が少なく
なり、ホトダイオードの出力電流が小さいため、レーザ
出射光制御の上で問題がある。上記の角度を大きくする
ために、レーザチップ１の発光点の位置やレーザチップ
１とホトダイオード７の間の距離の最適化を図ることも
試みられたが、レーザの光出射特性のばらつきや組立て
精度等の問題もあり、ホトダイオードの安定した出力を
得るのは容易でない。
【０００６】本発明の目的は、上述の問題を解決し、レ
ーザチップ支持基板に形成されるホトダイオードにレー
ザチップ背面からの光を有効に入射させる構造を備えた
半導体レーザ素子を提供することにある。
ーザチップ支持基板に形成されるホトダイオードにレー
ザチップ背面からの光を有効に入射させる構造を備えた
半導体レーザ素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は半導体レーザ素体がその前面からのレー
ザ光出射方向に平行な主表面を有する基板上に支持され
、レーザ素体の背面側の前記基板表面部にレーザ出力モ
ニタ用ホトダイオードを備えた半導体レーザ素子におい
て、レーザ素体背面およびホトダイオードを含む基板表
面が、レーザ光に対して透明で周囲より屈折率の大きい
材料で覆われたものとする。そして、レーザ素体背面お
よびホトダイオードを含む基板表面を覆う材料の上に空
気が接する場合はその材料がシリコーン樹脂あるいはア
クリル樹脂であり、その材料の上に樹脂が接する場合は
その材料がＴｉＯ２ であることが有効である。
めに、本発明は半導体レーザ素体がその前面からのレー
ザ光出射方向に平行な主表面を有する基板上に支持され
、レーザ素体の背面側の前記基板表面部にレーザ出力モ
ニタ用ホトダイオードを備えた半導体レーザ素子におい
て、レーザ素体背面およびホトダイオードを含む基板表
面が、レーザ光に対して透明で周囲より屈折率の大きい
材料で覆われたものとする。そして、レーザ素体背面お
よびホトダイオードを含む基板表面を覆う材料の上に空
気が接する場合はその材料がシリコーン樹脂あるいはア
クリル樹脂であり、その材料の上に樹脂が接する場合は
その材料がＴｉＯ２ であることが有効である。
【０００８】あるいは、上記のようにレーザ出力モニタ
用ホトダイオードを備えた半導体レーザ素子において、
レーザ素体背面から見てホトダイオードの先にホトダイ
オード側に反射面を有する反射体を備えたものとする。 そして、反射体の反射面の立てた法線がレーザ光出射方
向に対して角度をなすことも有効である。また、いずれ
の場合もホトダイオードが第一導電型の半導体よりなる
レーザ素体支持基板の表面層内に第二導電形の領域を選
択的に形成してなることが有効である。
用ホトダイオードを備えた半導体レーザ素子において、
レーザ素体背面から見てホトダイオードの先にホトダイ
オード側に反射面を有する反射体を備えたものとする。 そして、反射体の反射面の立てた法線がレーザ光出射方
向に対して角度をなすことも有効である。また、いずれ
の場合もホトダイオードが第一導電型の半導体よりなる
レーザ素体支持基板の表面層内に第二導電形の領域を選
択的に形成してなることが有効である。
【０００９】
【作用】レーザ素体背面とホトダイオードを含む基板表
面を覆う材料とその周囲の物質との屈折率差により、レ
ーザ素体背面から出た光の多くはその両者の界面で反射
され、あるいはレーザ素体背面から見てホトダイオード
の先に備えられる反射体の反射面によりレーザ素体背面
から出た光が反射されるので、ホトダイオードに入射す
る光量が増大し実用的なホトダイオード出力が得られる
。
面を覆う材料とその周囲の物質との屈折率差により、レ
ーザ素体背面から出た光の多くはその両者の界面で反射
され、あるいはレーザ素体背面から見てホトダイオード
の先に備えられる反射体の反射面によりレーザ素体背面
から出た光が反射されるので、ホトダイオードに入射す
る光量が増大し実用的なホトダイオード出力が得られる
。
【００１０】
【実施例】以下、図２ないし図４と共通の部分に同一の
符号を付した図を引用して本発明の実施例について説明
する。
符号を付した図を引用して本発明の実施例について説明
する。
【００１１】図１は本発明の一実施例の発振波長λ ７
８０ｎｍのＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓレーザ半導体素子の
製造工程を示し、まず金属からなるヒートシンク３の上
にレーザチップ支持基板２を固着する（ 同図（ａ））
。このレーザチップ支持基板２は図３の場合と同様ｎ型
単結晶シリコンよりなり、１ｍｍ角で厚さ３００ μｍ
である。そしてその一面からの不純物拡散により０．５
ｍｍ×０．５ｍｍのｐ型領域を設けてホトダイオード７
を形成したものである。基板２の所定の位置には半導体
レーザチップ１が固着される（同図（ｂ））。レーザチ
ップ１は厚さ１００μｍのＧａＡｓ基板の上にＧａＡｓ
／ＡｌＧａＡｓ多層膜をエピタキシャル成長およびフォ
トプロセスなどで形成したものである。そして、両端面
にはＡｌ２ Ｏ３ ／ＴｉＯ２ 誘電体多層膜が形成さ
れ、反射率が前面５０％， 背面７０％に制御されてい
る。さらに、レーザへの電流の供給あるいはホトダイオ
ードの出力信号の取出しのため、レーザチップ１および
基板２にワイヤーボンディングにより電気的接続を行う
。
８０ｎｍのＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓレーザ半導体素子の
製造工程を示し、まず金属からなるヒートシンク３の上
にレーザチップ支持基板２を固着する（ 同図（ａ））
。このレーザチップ支持基板２は図３の場合と同様ｎ型
単結晶シリコンよりなり、１ｍｍ角で厚さ３００ μｍ
である。そしてその一面からの不純物拡散により０．５
ｍｍ×０．５ｍｍのｐ型領域を設けてホトダイオード７
を形成したものである。基板２の所定の位置には半導体
レーザチップ１が固着される（同図（ｂ））。レーザチ
ップ１は厚さ１００μｍのＧａＡｓ基板の上にＧａＡｓ
／ＡｌＧａＡｓ多層膜をエピタキシャル成長およびフォ
トプロセスなどで形成したものである。そして、両端面
にはＡｌ２ Ｏ３ ／ＴｉＯ２ 誘電体多層膜が形成さ
れ、反射率が前面５０％， 背面７０％に制御されてい
る。さらに、レーザへの電流の供給あるいはホトダイオ
ードの出力信号の取出しのため、レーザチップ１および
基板２にワイヤーボンディングにより電気的接続を行う
。
【００１２】つぎに、基板２上に粘度６００ Ｐのシリ
コーン樹脂１１を滴下し、ホトダイオードを覆うと共に
レーザチップ背面に接触させる（同図（ｃ））。そのあ
と、１００ ℃で１時間および１５０ ℃で４時間のベ
ーキング処理を行う。図１（ｄ） はシリコーン樹脂被
覆後の断面構造を示し、この際、シリコーン樹脂１１は
レーザチップ１のエピタキシャル膜表面から約５μｍの
深さの位置にある発光部の高さまで被覆している必要が
ある。これらの工程を終わったヒートシンク３を図３に
示したと同様にステム５の上に固定し、端子との接続を
行ったのちにガラス窓４１を有するキャップ４をステム
５に溶接して封止する。
コーン樹脂１１を滴下し、ホトダイオードを覆うと共に
レーザチップ背面に接触させる（同図（ｃ））。そのあ
と、１００ ℃で１時間および１５０ ℃で４時間のベ
ーキング処理を行う。図１（ｄ） はシリコーン樹脂被
覆後の断面構造を示し、この際、シリコーン樹脂１１は
レーザチップ１のエピタキシャル膜表面から約５μｍの
深さの位置にある発光部の高さまで被覆している必要が
ある。これらの工程を終わったヒートシンク３を図３に
示したと同様にステム５の上に固定し、端子との接続を
行ったのちにガラス窓４１を有するキャップ４をステム
５に溶接して封止する。
【００１３】シリコーン樹脂１１の屈折率は１．５０で
あり、レーザチップの背面から出た光の大部分はシリコ
ーン樹脂１１の内部に封じ込められるので、ホトダイオ
ードの出力電流はレーザ出力５ｍＶの際に１００μＡと
なり、レーザ入力へのフィードバックに十分な値が得ら
れた。
あり、レーザチップの背面から出た光の大部分はシリコ
ーン樹脂１１の内部に封じ込められるので、ホトダイオ
ードの出力電流はレーザ出力５ｍＶの際に１００μＡと
なり、レーザ入力へのフィードバックに十分な値が得ら
れた。
【００１４】被覆材料としてはシリコーン樹脂のかわり
に屈折率１．５０〜１．５５のアクリル樹脂でもよい。 しかし、エポキシ樹脂ではレーザ光による劣化のおそれ
があるので不適である。また、有機材料でなく、Ａｌ２
Ｏ３ ， ＴｉＯ２ ， ＳｉＯ２ などの無機材料
を蒸着等の方法で被着してもよい。特に屈折率２．４５
以上のＴｉＯ２ は、レーザチップ１およびホトダイオ
ード７を屈折率１．５５程度の樹脂でモールドする場合
に、その下層とすることによってモールド樹脂との必要
な屈折率差を得るのに有効である。
に屈折率１．５０〜１．５５のアクリル樹脂でもよい。 しかし、エポキシ樹脂ではレーザ光による劣化のおそれ
があるので不適である。また、有機材料でなく、Ａｌ２
Ｏ３ ， ＴｉＯ２ ， ＳｉＯ２ などの無機材料
を蒸着等の方法で被着してもよい。特に屈折率２．４５
以上のＴｉＯ２ は、レーザチップ１およびホトダイオ
ード７を屈折率１．５５程度の樹脂でモールドする場合
に、その下層とすることによってモールド樹脂との必要
な屈折率差を得るのに有効である。
【００１５】図５は本発明の別の実施例を示し、図３，
図４に示したのと同様にホトダイオード７を作りつけ
た基板２のホトダイオードの後方に反射体１２を設置し
たものである。反射体１２は、厚さ ３００μｍのシリ
コン板を長さ１ｍｍ， 幅 ２００μｍに切断したもの
であり、基板２の表面上にエポキシ樹脂で垂直に接着さ
れている。この反射体１２の反射面１３は反射率制御の
ために誘電体多層膜により被覆されている。誘電体多層
膜は、Ａｌ２ Ｏ３ とＴｉＯ２ をλ／４、すなわち
１９５ｎｍの膜厚で交互に２層ずつ堆積させ、さらに
λ／２、すなわち ３９０ｎｍの厚さのＡｌ２ Ｏ３
を１層積んだもので、７０％の反射率を有している。図
からわかるようにこの反射面１３は基板２の面に垂直で
はあるがレーザチップ１の前面および背面に平行でなく
、ある角度、例えば２０゜程度傾いている。このように
することは、反射光がレーザチップ１の前面からのレー
ザ光出射方向に一致してレーザ素子特性に影響が及ぶの
を防ぐ効果をもつ。図６に示した実施例では、レーザチ
ップ１の支持基板２を加工して反射体１２を形成したも
ので、このような加工は反射体１２以外の部分をドライ
エッチングにより除去することにより行われる。この場
合、反射面１３は基板２の面に垂直でなく、ホトダイオ
ード７の側に倒されている。これにより反射光を出射レ
ーザ光の発光点に戻さないようにすると同時に、ホトダ
イオード７に入射する反射光の光量を増加させることが
できる。
図４に示したのと同様にホトダイオード７を作りつけ
た基板２のホトダイオードの後方に反射体１２を設置し
たものである。反射体１２は、厚さ ３００μｍのシリ
コン板を長さ１ｍｍ， 幅 ２００μｍに切断したもの
であり、基板２の表面上にエポキシ樹脂で垂直に接着さ
れている。この反射体１２の反射面１３は反射率制御の
ために誘電体多層膜により被覆されている。誘電体多層
膜は、Ａｌ２ Ｏ３ とＴｉＯ２ をλ／４、すなわち
１９５ｎｍの膜厚で交互に２層ずつ堆積させ、さらに
λ／２、すなわち ３９０ｎｍの厚さのＡｌ２ Ｏ３
を１層積んだもので、７０％の反射率を有している。図
からわかるようにこの反射面１３は基板２の面に垂直で
はあるがレーザチップ１の前面および背面に平行でなく
、ある角度、例えば２０゜程度傾いている。このように
することは、反射光がレーザチップ１の前面からのレー
ザ光出射方向に一致してレーザ素子特性に影響が及ぶの
を防ぐ効果をもつ。図６に示した実施例では、レーザチ
ップ１の支持基板２を加工して反射体１２を形成したも
ので、このような加工は反射体１２以外の部分をドライ
エッチングにより除去することにより行われる。この場
合、反射面１３は基板２の面に垂直でなく、ホトダイオ
ード７の側に倒されている。これにより反射光を出射レ
ーザ光の発光点に戻さないようにすると同時に、ホトダ
イオード７に入射する反射光の光量を増加させることが
できる。
【００１６】図７はさらに別の実施例を示し、レーザチ
ップ１を支持し、ホトダイオード７を作り付けた基板１
を接着したリードフレームのマウント部８の１ｍｍ角の
部分を垂直に起こして反射体１２を形成したものである
。この反射体１２の反射面１３もレーザチップ１の光出
射面に対して２０°程度傾けてある。このあとリードフ
レームの外部リード部８１間の連結部８２を切離し、図
４に示した素子と同様にエポキシ樹脂でモールドする。 なお、反射面１３のレーザチップ１の光出射面あるいは
基板２の面になす角度は、レーザ光の出射角とチップ１
、ホトダイオード７， 反射体１２の位置関係から最適
化すればよい。
ップ１を支持し、ホトダイオード７を作り付けた基板１
を接着したリードフレームのマウント部８の１ｍｍ角の
部分を垂直に起こして反射体１２を形成したものである
。この反射体１２の反射面１３もレーザチップ１の光出
射面に対して２０°程度傾けてある。このあとリードフ
レームの外部リード部８１間の連結部８２を切離し、図
４に示した素子と同様にエポキシ樹脂でモールドする。 なお、反射面１３のレーザチップ１の光出射面あるいは
基板２の面になす角度は、レーザ光の出射角とチップ１
、ホトダイオード７， 反射体１２の位置関係から最適
化すればよい。
【００１７】各実施例のレーザ素子とも、レーザ出力３
ｍＷの際にホトダイオードの出力電流はバイアス電圧１
０Ｖで １００μＡ 以上が得られ、レーザ入力へのフ
ィードバックに十分な値であった。
ｍＷの際にホトダイオードの出力電流はバイアス電圧１
０Ｖで １００μＡ 以上が得られ、レーザ入力へのフ
ィードバックに十分な値であった。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、レーザチップ支持基板
に、例えばｐｎ接合を形成することにより一体に作り込
まれたホトダイオードへのレーザチップ背面からの出射
光の入射光量を、チップ背面からホトダイオード表面に
かけてレーザ光に対して透明で周囲より屈折率の大きい
材料で被覆することにより、あるいはホトダイオードの
背後に反射光をホトダイオードに入射させる反射体を設
けることによって増加させることができ、ホトダイオー
ドからレーザ光量モニタとして十分な出力を得ることが
できた。
に、例えばｐｎ接合を形成することにより一体に作り込
まれたホトダイオードへのレーザチップ背面からの出射
光の入射光量を、チップ背面からホトダイオード表面に
かけてレーザ光に対して透明で周囲より屈折率の大きい
材料で被覆することにより、あるいはホトダイオードの
背後に反射光をホトダイオードに入射させる反射体を設
けることによって増加させることができ、ホトダイオー
ドからレーザ光量モニタとして十分な出力を得ることが
できた。
【図１】本発明の一実施例の半導体レーザ素子の製造工
程の一部を（ａ） 〜（ｄ） の順に示す斜視図および
断面図
程の一部を（ａ） 〜（ｄ） の順に示す斜視図および
断面図
【図２】従来の半導体レーザ素子の一例の斜視図
【図３】従来の半導体レーザ素子の他の例の斜視図
【図
４】従来の半導体レーザ素子のさらに他の例の斜視図
４】従来の半導体レーザ素子のさらに他の例の斜視図
【図５】本発明の別の実施例の半導体レーザ素子の斜視
図
図
【図６】本発明のさらに別の実施例の半導体レーザ素子
の斜視図
の斜視図
【図７】本発明のさらに異なる実施例の半導体レーザ素
子の斜視図
子の斜視図
１ レーザチップ
２ レーザチップ支持基板
３ ヒートシンク
７ ホトダイオード
８ リードフレームマウント部
１１ シリコーン樹脂
１２ 反射体
１３ 反射面
Claims (7)
- 【請求項１】半導体レーザ素体がその前面からのレーザ
光出射方向に平行な主表面を有する基板上に支持され、
レーザ素体の背面側の前記基板表面部にレーザ出力モニ
タ用ホトダイオードを備えたものにおいて、レーザ素体
背面およびホトダイオードを含む基板表面が、レーザ光
に対して透明で周囲より屈折率の大きい材料で覆われた
ことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】レーザ素体背面およびホトダイオードを含
む基板表面を覆う材料の上に空気が接し、その材料がシ
リコーン樹脂である請求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】レーザ素体背面およびホトダイオードを含
む基板表面を覆う材料の上に空気が接し、その材料がア
クリル樹脂である請求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項４】レーザ素体背面およびホトダイオードを含
む基板表面を覆う材料の上に樹脂が接し、その材料が二
酸化チタンである請求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項５】半導体レーザ素体がその前面からのレーザ
光出射方向に平行な主表面を有する基板上に支持され、
レーザ素体の背面側の前記基板表面部にレーザ出力モニ
タ用ホトダイオードを備えたものにおいて、レーザ素体
背面から見てホトダイオードの先にホトダイオード側に
反射面を有する反射体を備えたことを特徴とする半導体
レーザ素子。 - 【請求項６】反射体の反射面に立てた法線がレーザ光出
射方向に対して角度をなす請求項５記載の半導体レーザ
素子。 - 【請求項７】ホトダイオードが第一導電型の半導体より
なるレーザ素体支持基板の表面層内に第二導電形の領域
を選択的に形成してなる請求項１ないし６のいずれかに
記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146362A JPH04287996A (ja) | 1991-01-25 | 1991-06-19 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP732891 | 1991-01-25 | ||
| JP3-7328 | 1991-01-25 | ||
| JP3146362A JPH04287996A (ja) | 1991-01-25 | 1991-06-19 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287996A true JPH04287996A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=26341606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3146362A Pending JPH04287996A (ja) | 1991-01-25 | 1991-06-19 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04287996A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0918087A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Nec Corp | マルチビーム半導体レーザ装置 |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP3146362A patent/JPH04287996A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0918087A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Nec Corp | マルチビーム半導体レーザ装置 |
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