JPH0710509Y2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPH0710509Y2 JPH0710509Y2 JP1987094509U JP9450987U JPH0710509Y2 JP H0710509 Y2 JPH0710509 Y2 JP H0710509Y2 JP 1987094509 U JP1987094509 U JP 1987094509U JP 9450987 U JP9450987 U JP 9450987U JP H0710509 Y2 JPH0710509 Y2 JP H0710509Y2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- laser beam
- light
- light receiving
- monitor
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Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、光ピックアップの光源等に使用されるマルチ
ビーム半導体レーザ装置に関する。
ビーム半導体レーザ装置に関する。
従来の技術及びその問題点 半導体レーザ装置においては、発振出力の安定を図る等
の目的で出力の一部をモニタしている。
の目的で出力の一部をモニタしている。
一般に半導体レーザ装置の光出力モニタは、一個の半導
体レーザ共振器の両端から互いに反対方向へ出力される
２本のビームのうち信号用として使用されることのない
一方のビームをその光路上に設けた例えばピンダイオー
ド等の受光素子によって検出することにより行われる。
しかし、マルチビーム半導体レーザ装置では、その用途
により各ビームの間隔に特性上の制限があり、光ピック
アップに用いられる３ビームの光軸間隔を例えば70〜10
0μｍと相当狭くする必要がある。一方、半導体レーザ
アレイと受光素子との間隔を、各ビームの間隔、放射さ
れるビームの水平ひろがり角などにより定まる一定値よ
り広くすると、各レーザの光軸上に受光素子を各々配置
しても、隣接するビームから拡がった裾野が本来受光す
べきビームと混合して受光され、その結果クロストーク
が発生し、正確なモニタができなくなる。
体レーザ共振器の両端から互いに反対方向へ出力される
２本のビームのうち信号用として使用されることのない
一方のビームをその光路上に設けた例えばピンダイオー
ド等の受光素子によって検出することにより行われる。
しかし、マルチビーム半導体レーザ装置では、その用途
により各ビームの間隔に特性上の制限があり、光ピック
アップに用いられる３ビームの光軸間隔を例えば70〜10
0μｍと相当狭くする必要がある。一方、半導体レーザ
アレイと受光素子との間隔を、各ビームの間隔、放射さ
れるビームの水平ひろがり角などにより定まる一定値よ
り広くすると、各レーザの光軸上に受光素子を各々配置
しても、隣接するビームから拡がった裾野が本来受光す
べきビームと混合して受光され、その結果クロストーク
が発生し、正確なモニタができなくなる。
これを改善する方法として、半導体レーザアレイと受光
素子との間に導波部材を用いる構造を本出願人は実願昭
61−185273にて示した。
素子との間に導波部材を用いる構造を本出願人は実願昭
61−185273にて示した。
上記構造は、出射ビームが前方で反射してレーザ内部に
戻ってくることのない理想的な使用方法ではクロストー
ク１％以下という良い特性が得られる。しかし、実際に
は前方に設置した光学系からの反射が生じることは避け
られず、その場合は、クロストークが10％にも達すると
いう問題がある。
戻ってくることのない理想的な使用方法ではクロストー
ク１％以下という良い特性が得られる。しかし、実際に
は前方に設置した光学系からの反射が生じることは避け
られず、その場合は、クロストークが10％にも達すると
いう問題がある。
そこで本考案は上記問題点に鑑みなされたもので前方か
らの反射光が生じてもクロストーク特性が悪化すること
のない出力モニタ構造の半導体レーザ装置を提供するこ
とを目的とする。
らの反射光が生じてもクロストーク特性が悪化すること
のない出力モニタ構造の半導体レーザ装置を提供するこ
とを目的とする。
問題点を解決するための手段 本考案半導体レーザ装置は、前方に信号用レーザビーム
且つ後方にモニタ用レーザビームを出射する複数の半導
体レーザ共振器をアレイ状に構成した半導体レーザアレ
イと、前記半導体レーザアレイの各共振器から出射され
る各モニタ用レーザビームを検出する受光手段と、前記
半導体レーザアレイと前記受光手段との間に配置され、
前記各モニタ用レーザビームを該各モニタ用レーザビー
ムに対応した各貫通孔内を通すことにより前記受光手段
へ導く導波部材と、を備えた半導体レーザ装置であっ
て、前記信号用レーザビームを通す開口部を有し該信号
用レーザビームによる前記半導体レーザアレイの前方に
位置する光学系からの反射光を上記装置内部へ帰還する
のを防止する黒色遮光手段を該半導体レーザアレイの前
方に配置したことを特徴とする。
且つ後方にモニタ用レーザビームを出射する複数の半導
体レーザ共振器をアレイ状に構成した半導体レーザアレ
イと、前記半導体レーザアレイの各共振器から出射され
る各モニタ用レーザビームを検出する受光手段と、前記
半導体レーザアレイと前記受光手段との間に配置され、
前記各モニタ用レーザビームを該各モニタ用レーザビー
ムに対応した各貫通孔内を通すことにより前記受光手段
へ導く導波部材と、を備えた半導体レーザ装置であっ
て、前記信号用レーザビームを通す開口部を有し該信号
用レーザビームによる前記半導体レーザアレイの前方に
位置する光学系からの反射光を上記装置内部へ帰還する
のを防止する黒色遮光手段を該半導体レーザアレイの前
方に配置したことを特徴とする。
作用 本考案半導体レーザ装置は、各モニタ用レーザビームを
導波部材に設けられた各貫通孔内を通すことにより受光
手段へ導くので、各モニタ用レーザビームは混合するこ
となく予め定められた受光手段に到達する。しかも、斯
る構成の場合、モニタ用レーザビームが導波部材を導波
中は該導波部材から漏れ出る恐れがないので、例えば半
導体レーザ装置が缶ケースで収納されている場合に、導
波部材からの漏光が缶ケース内部での反射により受光手
段に入る恐れもない。加えて、モニター用レーザビーム
が受光手段により反射された場合、この反射光に対して
導波部材が遮光機能を果たす。
導波部材に設けられた各貫通孔内を通すことにより受光
手段へ導くので、各モニタ用レーザビームは混合するこ
となく予め定められた受光手段に到達する。しかも、斯
る構成の場合、モニタ用レーザビームが導波部材を導波
中は該導波部材から漏れ出る恐れがないので、例えば半
導体レーザ装置が缶ケースで収納されている場合に、導
波部材からの漏光が缶ケース内部での反射により受光手
段に入る恐れもない。加えて、モニター用レーザビーム
が受光手段により反射された場合、この反射光に対して
導波部材が遮光機能を果たす。
更に、半導体レーザアレイの前方に信号用レーザビーム
を通す開口部を有し該信号用レーザビームによる半導体
レーザアレイの前方に位置する光学系からの反射光を装
置内部へ帰還するのを防止する遮光手段を配置したの
で、この反射光が受光手段に戻る恐れがない。
を通す開口部を有し該信号用レーザビームによる半導体
レーザアレイの前方に位置する光学系からの反射光を装
置内部へ帰還するのを防止する遮光手段を配置したの
で、この反射光が受光手段に戻る恐れがない。
加えて、上記遮光手段により前方の光学系からの反射光
が装置内部へ帰還する恐れがないので、この反射光が半
導体レーザアレイで反射された後、再び前方の光学系で
反射されて半導体レーザ共振器内に戻る恐れもなく、し
かも、遮光手段は黒色であるので、この遮光手段自体に
よって前方の光学系からの反射光が反射され、同様に共
振器内に戻る恐れもない。従って、信号用レーザビーム
の出力とモニタ用レーザビームの出力が対応しなくなる
恐れもない。
が装置内部へ帰還する恐れがないので、この反射光が半
導体レーザアレイで反射された後、再び前方の光学系で
反射されて半導体レーザ共振器内に戻る恐れもなく、し
かも、遮光手段は黒色であるので、この遮光手段自体に
よって前方の光学系からの反射光が反射され、同様に共
振器内に戻る恐れもない。従って、信号用レーザビーム
の出力とモニタ用レーザビームの出力が対応しなくなる
恐れもない。
更に、遮光手段は上述したように黒色であるので、仮に
モニター用レーザビームが受光手段により反射された場
合も、この反射光の一部は遮光手段で吸収されるので、
反射光が受光手段に入る恐れが少ない。
モニター用レーザビームが受光手段により反射された場
合も、この反射光の一部は遮光手段で吸収されるので、
反射光が受光手段に入る恐れが少ない。
この結果、良好なクロストーク特性で信号用レーザビー
ムの出力に対応したモニタ用レーザビームをモニターで
きる。
ムの出力に対応したモニタ用レーザビームをモニターで
きる。
実施例 第１図は、本考案の一実施例である半導体レーザ装置の
出力モニタ構造の斜視図を示している。
出力モニタ構造の斜視図を示している。
第１図において、１は３個の半導体レーザ共振器11,12,
13をアレイ状に構成した半導体レーザアレイで、各々の
半導体レーザ共振器は、同図中左方向に進行する第1,第
2,第３の信号用ビーム14,15,16と右方向に進行する第1,
第2,第３のモニタ用ビーム17,18,19を出射する。２は前
記第1,第2,第３のモニタ用ビーム17,18,19を受光して、
その光電変換作用により電気信号に変換する集積型の受
光装置で、この受光装置（受光手段）２は受光面を前記
半導体レーザアレイ１へ向けて配置された３個の例えば
ピンダイオードからなる受光素子20,21,22より構成され
る。３は、前記第1,第2,第３のモニタ用ビーム17,18,19
を夫々前記受光素子20,21,22に導く導波部材であり、前
記半導体レーザアレイ１と前記受光装置２の間に設けら
れている。この導波部材３は、例えばシリコン基板３よ
り作られ、前記第1,第2,第３のモニタ用ビーム17,18,19
が進行するための貫通孔23,24,25が形成されている。こ
の貫通孔23,24,25は導波部材３の前記半導体レーザアレ
イ１側では半導体レーザアレイが出射するビームの間隔
で、受光装置２側では受光領域の中心の間隔で形成され
ており、後者の間隔は前者の間隔よりも広くなってお
り、半導体レーザアレイ１側から末広がりに形成されて
いる。この半導体レーザアレイ１と導波部材３との下部
には、ヒートシンク４が設けられており、夫々の半導体
レーザアレイ１と導波部材３との内部温度が上がらない
ように放熱効果を得るように配置されている。前記信号
用ビーム14,15,16の前方方向には遮光板（遮光手段）が
配置されている。この遮光板は第２図において示されて
いる。
13をアレイ状に構成した半導体レーザアレイで、各々の
半導体レーザ共振器は、同図中左方向に進行する第1,第
2,第３の信号用ビーム14,15,16と右方向に進行する第1,
第2,第３のモニタ用ビーム17,18,19を出射する。２は前
記第1,第2,第３のモニタ用ビーム17,18,19を受光して、
その光電変換作用により電気信号に変換する集積型の受
光装置で、この受光装置（受光手段）２は受光面を前記
半導体レーザアレイ１へ向けて配置された３個の例えば
ピンダイオードからなる受光素子20,21,22より構成され
る。３は、前記第1,第2,第３のモニタ用ビーム17,18,19
を夫々前記受光素子20,21,22に導く導波部材であり、前
記半導体レーザアレイ１と前記受光装置２の間に設けら
れている。この導波部材３は、例えばシリコン基板３よ
り作られ、前記第1,第2,第３のモニタ用ビーム17,18,19
が進行するための貫通孔23,24,25が形成されている。こ
の貫通孔23,24,25は導波部材３の前記半導体レーザアレ
イ１側では半導体レーザアレイが出射するビームの間隔
で、受光装置２側では受光領域の中心の間隔で形成され
ており、後者の間隔は前者の間隔よりも広くなってお
り、半導体レーザアレイ１側から末広がりに形成されて
いる。この半導体レーザアレイ１と導波部材３との下部
には、ヒートシンク４が設けられており、夫々の半導体
レーザアレイ１と導波部材３との内部温度が上がらない
ように放熱効果を得るように配置されている。前記信号
用ビーム14,15,16の前方方向には遮光板（遮光手段）が
配置されている。この遮光板は第２図において示されて
いる。
第２図は第１図の出力モニタ構造を含んだ半導体レーザ
装置の内部構造図を示している。図に示す半導体レーザ
装置は缶ケースタイプであり、外部との接続をはたす端
子26と半導体レーザ装置の土台となるステム６と、装置
内部を保護するキャップ27部分及び装置本体とから成っ
ている。端子26は、ステム６を貫通し内部と接続される
のであるが、ステム６部分でショートしないように例え
ばガラス樹脂からなる絶縁材でステム６と端子26とが接
触しないようにしている。又、キャップ27の上面には信
号用のレーザビームが出射された場合、外部に達するよ
うに透明な部材で構成された窓28が設けられている。キ
ャップ内部には、前述した受光装置２、導波部材３、半
導体レーザアレイ１等の装置本体が配備されており、半
導体レーザアレイ１の上方には、信号用レーザビームを
とおす開口部7aを有した遮光板７が配置されている。こ
の遮光板７は、光を通さない例えばプラスチック材等の
絶縁材料で形成されており、黒色をしている。この遮光
板７は、半導体レーザアレイ１の前方（この第２図では
上方）に位置する光学系（図示しない）から信号用レー
ザビームが反射してレーザ内部に戻ってくることのない
ように設けられたものである。又、この遮光板７の開口
部7aは、信号用レーザビームを通す最小限の大きさが望
ましく、レーザビームの光軸間隔が100μｍ程だから300
μｍ幅もあれば、充分である。
装置の内部構造図を示している。図に示す半導体レーザ
装置は缶ケースタイプであり、外部との接続をはたす端
子26と半導体レーザ装置の土台となるステム６と、装置
内部を保護するキャップ27部分及び装置本体とから成っ
ている。端子26は、ステム６を貫通し内部と接続される
のであるが、ステム６部分でショートしないように例え
ばガラス樹脂からなる絶縁材でステム６と端子26とが接
触しないようにしている。又、キャップ27の上面には信
号用のレーザビームが出射された場合、外部に達するよ
うに透明な部材で構成された窓28が設けられている。キ
ャップ内部には、前述した受光装置２、導波部材３、半
導体レーザアレイ１等の装置本体が配備されており、半
導体レーザアレイ１の上方には、信号用レーザビームを
とおす開口部7aを有した遮光板７が配置されている。こ
の遮光板７は、光を通さない例えばプラスチック材等の
絶縁材料で形成されており、黒色をしている。この遮光
板７は、半導体レーザアレイ１の前方（この第２図では
上方）に位置する光学系（図示しない）から信号用レー
ザビームが反射してレーザ内部に戻ってくることのない
ように設けられたものである。又、この遮光板７の開口
部7aは、信号用レーザビームを通す最小限の大きさが望
ましく、レーザビームの光軸間隔が100μｍ程だから300
μｍ幅もあれば、充分である。
考案の効果 本考案半導体レーザ装置は、各モニタ用レーザビームを
導波部材に設けられた各貫通孔内を通すことにより受光
手段へ導くので、各モニタ用レーザビームは混合するこ
となく予め定められた受光手段に到達する。しかも、斯
る構成の場合、モニタ用レーザビームが導波部材を導波
中は該導波部材から漏れ出る恐れがないので、例えば半
導体レーザ装置が缶ケースで収納されている場合に、導
波部材からの漏光が缶ケース内部での反射により受光手
段に入る恐れもない。加えて、モニター用レーザビーム
が受光手段により反射された場合、この反射光に対して
導波部材が遮光機能を果たす。
導波部材に設けられた各貫通孔内を通すことにより受光
手段へ導くので、各モニタ用レーザビームは混合するこ
となく予め定められた受光手段に到達する。しかも、斯
る構成の場合、モニタ用レーザビームが導波部材を導波
中は該導波部材から漏れ出る恐れがないので、例えば半
導体レーザ装置が缶ケースで収納されている場合に、導
波部材からの漏光が缶ケース内部での反射により受光手
段に入る恐れもない。加えて、モニター用レーザビーム
が受光手段により反射された場合、この反射光に対して
導波部材が遮光機能を果たす。
更に、半導体レーザアレイの前方に信号用レーザビーム
を通す開口部を有し該信号用レーザビームによる半導体
レーザアレイの前方に位置する光学系からの反射光を装
置内部へ帰還するのを防止する遮光手段を配置したの
で、この反射光が受光手段に戻る恐れがない。
を通す開口部を有し該信号用レーザビームによる半導体
レーザアレイの前方に位置する光学系からの反射光を装
置内部へ帰還するのを防止する遮光手段を配置したの
で、この反射光が受光手段に戻る恐れがない。
加えて、上記遮光手段により前方の光学系からの反射光
が装置内部へ帰還する恐れがないので、この反射光が半
導体レーザアレイで反射された後、再び前方の光学系で
反射されて半導体レーザ共振器内に戻る恐れもなく、し
かも、遮光手段は黒色であるので、この遮光手段自体に
よって前方の光学系からの反射光が反射され、同様に共
振器内に戻る恐れもない。従って、信号用レーザビーム
の出力とモニタ用レーザビームの出力が対応しなくなる
恐れもない。
が装置内部へ帰還する恐れがないので、この反射光が半
導体レーザアレイで反射された後、再び前方の光学系で
反射されて半導体レーザ共振器内に戻る恐れもなく、し
かも、遮光手段は黒色であるので、この遮光手段自体に
よって前方の光学系からの反射光が反射され、同様に共
振器内に戻る恐れもない。従って、信号用レーザビーム
の出力とモニタ用レーザビームの出力が対応しなくなる
恐れもない。
更に、遮光手段は上述したように黒色であるので、仮に
モニター用レーザビームが受光手段により反射された場
合も、この反射光の一部は遮光手段で吸収されるので、
反射光が受光手段に入る恐れが少ない。
モニター用レーザビームが受光手段により反射された場
合も、この反射光の一部は遮光手段で吸収されるので、
反射光が受光手段に入る恐れが少ない。
この結果、良好なクロストーク特性で信号用レーザビー
ムの出力に対応したモニタ用レーザビームをモニターで
きる。
ムの出力に対応したモニタ用レーザビームをモニターで
きる。
第１図は本考案の一実施例である半導体レーザ装置の出
力モニタ構造の斜視図、第２図は第１図の出力モニタ構
造を含んだ半導体レーザ装置の内部構造図を示してい
る。 １…半導体レーザアレイ、２…受光装置、３…導波部
材、４…ヒートシンク、５…レーザ光、６…ステム、７
…遮光板、7a…開口部、11,12,13…半導体レーザ共振
器、14,15,16…第1,第2,第３の信号用レーザビーム、1
7,18,19…第1,第2,第３のモニタ用レーザビーム、20,2
1,22…受光素子、23,24,25…貫通孔、26…端子、27…キ
ャップ、28…窓。
力モニタ構造の斜視図、第２図は第１図の出力モニタ構
造を含んだ半導体レーザ装置の内部構造図を示してい
る。 １…半導体レーザアレイ、２…受光装置、３…導波部
材、４…ヒートシンク、５…レーザ光、６…ステム、７
…遮光板、7a…開口部、11,12,13…半導体レーザ共振
器、14,15,16…第1,第2,第３の信号用レーザビーム、1
7,18,19…第1,第2,第３のモニタ用レーザビーム、20,2
1,22…受光素子、23,24,25…貫通孔、26…端子、27…キ
ャップ、28…窓。
Claims (1)
- 【請求項１】前方に信号用レーザビーム且つ後方にモニ
タ用レーザビームを出射する複数の半導体レーザ共振器
をアレイ状に構成した半導体レーザアレイと、前記半導
体レーザアレイの各共振器から出射される各モニタ用レ
ーザビームを検出する受光手段と、前記半導体レーザア
レイと前記受光手段との間に配置され、前記各モニタ用
レーザビームを該各モニタ用レーザビームに対応した各
貫通孔内を通すことにより前記受光手段へ導く導波部材
と、を備えた半導体レーザ装置であって、前記信号用レ
ーザビームを通す開口部を有し該信号用レーザビームに
よる前記半導体レーザアレイの前方に位置する光学系か
らの反射光を上記装置内部へ帰還するのを防止する黒色
遮光手段を該半導体レーザアレイの前方に配置したこと
を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987094509U JPH0710509Y2 (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987094509U JPH0710509Y2 (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS64354U JPS64354U (ja) | 1989-01-05 |
| JPH0710509Y2 true JPH0710509Y2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=30958052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987094509U Expired - Lifetime JPH0710509Y2 (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0710509Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61104928U (ja) * | 1984-12-14 | 1986-07-03 | ||
| JP2024044014A (ja) * | 2022-09-20 | 2024-04-02 | ウシオ電機株式会社 | Ｃａｎパッケージ型レーザ光源装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55165077A (en) * | 1979-06-12 | 1980-12-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | Video camera in common use for still and movie |
| JPS57177588A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-01 | Hitachi Ltd | Laser diode |
| JPS59217380A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | Fujitsu Ltd | 発光素子アレイの実装方法 |
| JPS624385A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-10 | Nec Corp | 光検出器集積化半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP1987094509U patent/JPH0710509Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS64354U (ja) | 1989-01-05 |
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