JPS6154689A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS6154689A JPS6154689A JP17601384A JP17601384A JPS6154689A JP S6154689 A JPS6154689 A JP S6154689A JP 17601384 A JP17601384 A JP 17601384A JP 17601384 A JP17601384 A JP 17601384A JP S6154689 A JPS6154689 A JP S6154689A
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- JP
- Japan
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- optical semiconductor
- light
- beams
- output
- reflected
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は光半導体装置に係り、特に光半導体素子のモニ
タ光出力の反射光の前方向光出力への重畳を防止した装
置に関するものである。
タ光出力の反射光の前方向光出力への重畳を防止した装
置に関するものである。
（２）技術の背景
近年光レーザなどの光半導体素子が開発され、現在では
例えば半導体レーザなどは電子技術分野に限らずさまざ
まの分野で盛んに使用されている。
例えば半導体レーザなどは電子技術分野に限らずさまざ
まの分野で盛んに使用されている。
それだけに発光出力等の信頼性の極めて高いものが現在
では要望されている。
では要望されている。
（３）従来技術の問題点
第３図は従来の光半導体装置の一例を示す断面図、第４
図はこの装置のキャンプを取り除いた状態の平面図であ
る。
図はこの装置のキャンプを取り除いた状態の平面図であ
る。
装置本体はステム１と窓３付のキャップ２で構成され、
装置本体内には発光素子８と受光素子５が所定位置に取
り付けられている。発光素子８はサブマウント７を介し
てヒートシンク６に取り付けられ、また受光素子５は上
記発光素子８の後方向の光出力Ｂが検知されるステム１
」二の所定位置に取り付けられる。受光素子５は発光素
子８の後方向光出力Ｂをモニタ光として検知し、どのよ
うな状態の光が発光素子゛８から出力されているかを検
知するためのものである。なお、第４図中、９は発光素
子８用電極、１０は受光素子５用電極である。
装置本体内には発光素子８と受光素子５が所定位置に取
り付けられている。発光素子８はサブマウント７を介し
てヒートシンク６に取り付けられ、また受光素子５は上
記発光素子８の後方向の光出力Ｂが検知されるステム１
」二の所定位置に取り付けられる。受光素子５は発光素
子８の後方向光出力Ｂをモニタ光として検知し、どのよ
うな状態の光が発光素子゛８から出力されているかを検
知するためのものである。なお、第４図中、９は発光素
子８用電極、１０は受光素子５用電極である。
このような構成において、発光素子８ば所定の光を出力
し、光半導体装置としての機能を果す。
し、光半導体装置としての機能を果す。
しかしながら、上記構成では発光素子８の後方向へ出力
した光Ｂの一部がステ広面や受光素子電極等で反射し発
光素子８の前方向光出力Ａに重畳してしまう。これでは
実際に利用される発光素子８の前方向の光出力Ａの正確
な評価ができない。そこで受光素子５を傾は反射光の重
畳を防止したり、あるいは受光素子５の面積を大きくし
て反射量を減少させる方法も行われているが、受光素子
５を傾けると受光電流が減少して正確なモニタが期待で
きなくなり、また受光素子５０面積を大きくすると素子
が大型化してコストアンプにつながってしまう。
した光Ｂの一部がステ広面や受光素子電極等で反射し発
光素子８の前方向光出力Ａに重畳してしまう。これでは
実際に利用される発光素子８の前方向の光出力Ａの正確
な評価ができない。そこで受光素子５を傾は反射光の重
畳を防止したり、あるいは受光素子５の面積を大きくし
て反射量を減少させる方法も行われているが、受光素子
５を傾けると受光電流が減少して正確なモニタが期待で
きなくなり、また受光素子５０面積を大きくすると素子
が大型化してコストアンプにつながってしまう。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、簡単な構成にて光半導
体素子の後方向出力の反射光が前方向光出力へ重畳する
ことを防止した光半導体装置を提供することを目的とす
る。
体素子の後方向出力の反射光が前方向光出力へ重畳する
ことを防止した光半導体装置を提供することを目的とす
る。
（５）発明の構成
上記目的は本発明によれば、半導体レーザなどの光半導
体素子と、該光半導体素子のモニタ光を検出するモニタ
手段とを備えた光半導体装置において、前記光半導体素
子の近傍に前記光半導体素子のモニタ光出力の反射光の
前方向光出力への重畳を防止する遮蔽板を設けたことを
特徴とする光半導体装置を提供することよって達成され
る。
体素子と、該光半導体素子のモニタ光を検出するモニタ
手段とを備えた光半導体装置において、前記光半導体素
子の近傍に前記光半導体素子のモニタ光出力の反射光の
前方向光出力への重畳を防止する遮蔽板を設けたことを
特徴とする光半導体装置を提供することよって達成され
る。
（６）発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照しながら詳述す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す光半導体装置の断面図
、第２図はこの装置のキャップを取り除いた状態の平面
図である。
、第２図はこの装置のキャップを取り除いた状態の平面
図である。
本発明の光半導体装置ばステム１１．キャップ１２、窓
部材１３．受光素子１５．ヒートシンク１６、光半導体
素子１Ｂおよびシールドリング１９から構成される。
部材１３．受光素子１５．ヒートシンク１６、光半導体
素子１Ｂおよびシールドリング１９から構成される。
光半導体素子１８としては例えばレーザダイオードなど
が使用される。光半導体素子１８はステム１１上に設け
られたヒートシンク１６にサブマウントＬ７を介して取
り付けられている。本実施例ではステム１１は鉄、ヒー
トシンク１６は銅、サブマウント１７はシリコンあるい
はダイアモンドが使用されている。
が使用される。光半導体素子１８はステム１１上に設け
られたヒートシンク１６にサブマウントＬ７を介して取
り付けられている。本実施例ではステム１１は鉄、ヒー
トシンク１６は銅、サブマウント１７はシリコンあるい
はダイアモンドが使用されている。
受光素子１５はステム１１上の所定位置に取り付けられ
、前記光半導体素子１Ｂの後方向への光出力Ｂをモニタ
光として検知する。
、前記光半導体素子１Ｂの後方向への光出力Ｂをモニタ
光として検知する。
またシールドリング１９はその最上部が光半導体素子１
８に料量し、しかも光半導体素子１８とほぼ同じ高さと
なり窓部Ｗをその下方から覆うように構成された半円状
部１９１とこれと直交外周部で支持する脚部１９２と脚
部１９１の底部であってステム上に窓部Ｗの外周に対応
してリング状に形成されたリング部１９３とからなる。
８に料量し、しかも光半導体素子１８とほぼ同じ高さと
なり窓部Ｗをその下方から覆うように構成された半円状
部１９１とこれと直交外周部で支持する脚部１９２と脚
部１９１の底部であってステム上に窓部Ｗの外周に対応
してリング状に形成されたリング部１９３とからなる。
一方、実施例光半導体素子１８．受光素子１５等を内封
するようにコバルト等からなるキャンプ１２がステム１
１にに取り付けられている。キャ −・・プ１２上部に
は所定の大きさの開口部が形成さ ′れ、この開口部は
窓部材１３によって覆われ窓部Ｗを形成している。窓部
材１３には光半導体素子１８から出力された光を透過す
るような軟質ガラスやサファイヤ等が使用される。窓部
材１３はキャップ１２の開口部にロウ剤１４によって固
定され窓部Ｗは堅密封止状態となっている。
するようにコバルト等からなるキャンプ１２がステム１
１にに取り付けられている。キャ −・・プ１２上部に
は所定の大きさの開口部が形成さ ′れ、この開口部は
窓部材１３によって覆われ窓部Ｗを形成している。窓部
材１３には光半導体素子１８から出力された光を透過す
るような軟質ガラスやサファイヤ等が使用される。窓部
材１３はキャップ１２の開口部にロウ剤１４によって固
定され窓部Ｗは堅密封止状態となっている。
なお第２図中、２０は光半導体素子１８用電極、２１ば
受光素子１５用電極である 以上の構成において光半導体素子１８の前方向より出力
された光Ａは窓部Ｗを通過して装置外へ放射される一方
、光半導体素子１８の後方向より出力された光Ｂは受光
素子１５でモニタされその出力状態が検出される。ここ
で光半導体素子１８の後方向光出力Ｂの一部が反射した
場合、その反射光は本実施例の構成によればシールドリ
ング１９によって遮蔽されてしまう。シールドリング１
９には例えば鉄などが使用されるが、遮蔽効果を考えた
場合シールドリング１９表面は黒色の粗面状態のものが
望ましい。すなわち光半導体素子１８の後方向出力１３
の反射光がシールドリング１９によって遮蔽されてしま
うと、光半導体素子１８の前方向光出力Ａに重畳されな
いので、実際に利用される光半導体素子１８の前方向の
光出力Ａの正確な評価を行うことができる。
受光素子１５用電極である 以上の構成において光半導体素子１８の前方向より出力
された光Ａは窓部Ｗを通過して装置外へ放射される一方
、光半導体素子１８の後方向より出力された光Ｂは受光
素子１５でモニタされその出力状態が検出される。ここ
で光半導体素子１８の後方向光出力Ｂの一部が反射した
場合、その反射光は本実施例の構成によればシールドリ
ング１９によって遮蔽されてしまう。シールドリング１
９には例えば鉄などが使用されるが、遮蔽効果を考えた
場合シールドリング１９表面は黒色の粗面状態のものが
望ましい。すなわち光半導体素子１８の後方向出力１３
の反射光がシールドリング１９によって遮蔽されてしま
うと、光半導体素子１８の前方向光出力Ａに重畳されな
いので、実際に利用される光半導体素子１８の前方向の
光出力Ａの正確な評価を行うことができる。
上記実施例ではモニタ光検出用として受光素子６一
１５とステム１１上に配設したが、受光素子１５をステ
ム１１」二に設げず、このステム１１の受光素子１５が
置かれていたところに相当する部分を透明にしてモニタ
光をステム外部に引き出してモニタ光検出にもよく、か
かる実施例にも本発明は適用できる。
ム１１」二に設げず、このステム１１の受光素子１５が
置かれていたところに相当する部分を透明にしてモニタ
光をステム外部に引き出してモニタ光検出にもよく、か
かる実施例にも本発明は適用できる。
（７）発明の効果
以上詳細に説明したように、本発明の光半導体装置によ
れば、簡単な構成にて光半導体素子の後方向光出力の反
射光が前方向光出力へ重畳することを防止したので、放
射パターンが均一となり、光半導体装置としての光出力
評価も正確に行うことができる。
れば、簡単な構成にて光半導体素子の後方向光出力の反
射光が前方向光出力へ重畳することを防止したので、放
射パターンが均一となり、光半導体装置としての光出力
評価も正確に行うことができる。
第１図は本発明の一実施例を示す光半導体装置の断面図
、第２図は本発明の一実施例におけるキャンプを取り除
いた状態の平面図、第３図は従来の光半導体装置の一例
を示す断面図、第４図は従来の装置のキャップを取り除
いた状態の平面図である。 １．１１・・・ステム、 ２，１２パ・・キャン
プ、 ３．１３・・・窓部材、４．１４・・・ロウ
剤、 ５，１５・・・受光素子、 ６．１６
・・・ヒートシンク、１８・・・光半導体素子、
１９・・・シールドリング。 ｎ ■
、第２図は本発明の一実施例におけるキャンプを取り除
いた状態の平面図、第３図は従来の光半導体装置の一例
を示す断面図、第４図は従来の装置のキャップを取り除
いた状態の平面図である。 １．１１・・・ステム、 ２，１２パ・・キャン
プ、 ３．１３・・・窓部材、４．１４・・・ロウ
剤、 ５，１５・・・受光素子、 ６．１６
・・・ヒートシンク、１８・・・光半導体素子、
１９・・・シールドリング。 ｎ ■
Claims (1)
- 半導体レーザなどの光半導体素子と、該光半導体素子の
モニタ光を検出するモニタ手段とを備えた光半導体装置
において、前記光半導体素子の近傍に前記光半導体素子
のモニタ光出力の反射光の前方向光出力への重畳を防止
する遮蔽板を設けたことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17601384A JPS6154689A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17601384A JPS6154689A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154689A true JPS6154689A (ja) | 1986-03-18 |
Family
ID=16006193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17601384A Pending JPS6154689A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154689A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0543564U (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-11 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
| WO1994008367A1 (en) * | 1992-10-07 | 1994-04-14 | Diomed Limited | Laser diode assembly |
| JPH0645363U (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| EP0622874A1 (de) * | 1993-04-24 | 1994-11-02 | Robert Bosch Gmbh | Anordnung zur Ankopplung eines optoelektronischen Empfangselementes an ein optoelektronisches Sendeelement |
| EP0693808A1 (en) * | 1994-07-21 | 1996-01-24 | Nec Corporation | Semiconductor light-emitting device having oblique top surface of stem for eliminating stray light |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP17601384A patent/JPS6154689A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0543564U (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-11 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
| WO1994008367A1 (en) * | 1992-10-07 | 1994-04-14 | Diomed Limited | Laser diode assembly |
| JPH0645363U (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| EP0622874A1 (de) * | 1993-04-24 | 1994-11-02 | Robert Bosch Gmbh | Anordnung zur Ankopplung eines optoelektronischen Empfangselementes an ein optoelektronisches Sendeelement |
| EP0693808A1 (en) * | 1994-07-21 | 1996-01-24 | Nec Corporation | Semiconductor light-emitting device having oblique top surface of stem for eliminating stray light |
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