JPH09270566A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH09270566A JPH09270566A JP8103278A JP10327896A JPH09270566A JP H09270566 A JPH09270566 A JP H09270566A JP 8103278 A JP8103278 A JP 8103278A JP 10327896 A JP10327896 A JP 10327896A JP H09270566 A JPH09270566 A JP H09270566A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リアモニター電流が大きく、レーザ光の出射
パターンの変形が無い出力モニター用フォトダイオード
付き半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 フォトダイオード１を有する基板２上
に、フォトダイオード１に隣接して半導体レーザチップ
３をマウントする。半導体レーザチップ３のリア側の端
面３ｂからのレーザ光Ｌr をフォトダイオード１上に集
光するために、フォトダイオード１上にプリズム４を設
ける。プリズム４の反射面４ｄを底面４ａに対して所定
の角度傾斜させ、レーザ光Ｌr を全反射させてフォトダ
イオード１上に集光するとともに、プリズム４の入射面
４ｃを半導体レーザチップ３のリア側の端面３ｂに対し
て０．５〜１０°傾斜させ、レーザ光Ｌr の戻り光がな
いようにする。他の例では、基板２上あるいは基板２と
は別に設けたミラーによりフォトダイオード１上にレー
ザ光Ｌr を集光する。
パターンの変形が無い出力モニター用フォトダイオード
付き半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 フォトダイオード１を有する基板２上
に、フォトダイオード１に隣接して半導体レーザチップ
３をマウントする。半導体レーザチップ３のリア側の端
面３ｂからのレーザ光Ｌr をフォトダイオード１上に集
光するために、フォトダイオード１上にプリズム４を設
ける。プリズム４の反射面４ｄを底面４ａに対して所定
の角度傾斜させ、レーザ光Ｌr を全反射させてフォトダ
イオード１上に集光するとともに、プリズム４の入射面
４ｃを半導体レーザチップ３のリア側の端面３ｂに対し
て０．５〜１０°傾斜させ、レーザ光Ｌr の戻り光がな
いようにする。他の例では、基板２上あるいは基板２と
は別に設けたミラーによりフォトダイオード１上にレー
ザ光Ｌr を集光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体レーザ装置
に関し、特に、レーザ光の出力モニター用のフォトダイ
オードを有する半導体レーザ装置に適用して好適なもの
である。
に関し、特に、レーザ光の出力モニター用のフォトダイ
オードを有する半導体レーザ装置に適用して好適なもの
である。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光の出力モニター用のフォトダイ
オードを有する半導体レーザ装置が知られている。図１
５〜図１７は、この従来の半導体レーザ装置を示す。図
１５〜図１７に示すように、この従来の半導体レーザ装
置においては、フォトダイオード１０１が設けられた基
板１０２上に、このフォトダイオード１０１に隣接して
半導体レーザチップ１０３がマウントされ、いわゆるＬ
ＯＰ（Laseron Photodiode)チップが構成されている。
符号１０３ａ、１０３ｂはそれぞれ半導体レーザチップ
１０３のフロント側の端面およびリア側の端面を示す。
また、Ｌf ´はフロント側の端面１０３ａからのレーザ
光、Ｌr ´はリア側の端面１０３ｂからのレーザ光を示
す。
オードを有する半導体レーザ装置が知られている。図１
５〜図１７は、この従来の半導体レーザ装置を示す。図
１５〜図１７に示すように、この従来の半導体レーザ装
置においては、フォトダイオード１０１が設けられた基
板１０２上に、このフォトダイオード１０１に隣接して
半導体レーザチップ１０３がマウントされ、いわゆるＬ
ＯＰ（Laseron Photodiode)チップが構成されている。
符号１０３ａ、１０３ｂはそれぞれ半導体レーザチップ
１０３のフロント側の端面およびリア側の端面を示す。
また、Ｌf ´はフロント側の端面１０３ａからのレーザ
光、Ｌr ´はリア側の端面１０３ｂからのレーザ光を示
す。
【０００３】図１８は、この従来の半導体レーザ装置を
パッケージングしたものを示す。図１８に示すように、
この半導体レーザ装置においては、直方体状のステム１
０４の一側面上にＬＯＰチップが、その半導体レーザチ
ップ１０３のフロント側の端面１０３ａが上側を向くよ
うにして取り付けられている。このステム１０４は、円
板状のステム１０５上に設けられている。このステム１
０５には、外部リード１０６〜１０８が設けられてい
る。これらのうち、外部リード１０６はワイヤ１０９を
通して半導体レーザチップ１０３の一方の電極に接続さ
れている。外部リード１０７はワイヤ１１０を通してフ
ォトダイオード１０１に接続されている。外部リード１
０８は接地用であり、ステム１０５に接続されている。
また、ＬＯＰチップはステム１０４とともに円筒状のキ
ャップ１１１により封止されている。このキャップ１１
１の上面には開口１１１ａが設けられ、この開口１１１
ａに窓１１２が取り付けられている。そして、この窓１
１２を通して半導体レーザチップ１０３のフロント側の
端面１０３ａからのレーザ光Ｌf ´が取り出されるよう
になっている。
パッケージングしたものを示す。図１８に示すように、
この半導体レーザ装置においては、直方体状のステム１
０４の一側面上にＬＯＰチップが、その半導体レーザチ
ップ１０３のフロント側の端面１０３ａが上側を向くよ
うにして取り付けられている。このステム１０４は、円
板状のステム１０５上に設けられている。このステム１
０５には、外部リード１０６〜１０８が設けられてい
る。これらのうち、外部リード１０６はワイヤ１０９を
通して半導体レーザチップ１０３の一方の電極に接続さ
れている。外部リード１０７はワイヤ１１０を通してフ
ォトダイオード１０１に接続されている。外部リード１
０８は接地用であり、ステム１０５に接続されている。
また、ＬＯＰチップはステム１０４とともに円筒状のキ
ャップ１１１により封止されている。このキャップ１１
１の上面には開口１１１ａが設けられ、この開口１１１
ａに窓１１２が取り付けられている。そして、この窓１
１２を通して半導体レーザチップ１０３のフロント側の
端面１０３ａからのレーザ光Ｌf ´が取り出されるよう
になっている。
【０００４】上述の従来の半導体レーザ装置において
は、フォトダイオード１０１は、半導体レーザチップ１
０３のリア側の端面１０２ｂからのレーザ光Ｌr ´の出
力をモニターし、それによって得られるリアモニター電
流によりフロント側の端面１０３ａからのレーザ光Ｌf
´の出力を制御する役割を有している。
は、フォトダイオード１０１は、半導体レーザチップ１
０３のリア側の端面１０２ｂからのレーザ光Ｌr ´の出
力をモニターし、それによって得られるリアモニター電
流によりフロント側の端面１０３ａからのレーザ光Ｌf
´の出力を制御する役割を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の半導体レーザ装置においては、組立工程は簡略化
されるものの、基板１０２上におけるフォトダイオード
１０１および半導体レーザチップ１０３の位置関係に制
約がある。さらに、半導体レーザチップ１０３は通常そ
の接合が下側に来るように基板１０２上にマウントされ
ている。これらの理由により、半導体レーザチップ１０
３のリア側の端面１０３ｂからのレーザ光Ｌr ´の一部
しかフォトダイオード１０１に入射させることができな
かった。このため、この従来の半導体レーザ装置におい
ては、フォトダイオード１０１のリアモニター電流を大
きくすることが困難であった。
従来の半導体レーザ装置においては、組立工程は簡略化
されるものの、基板１０２上におけるフォトダイオード
１０１および半導体レーザチップ１０３の位置関係に制
約がある。さらに、半導体レーザチップ１０３は通常そ
の接合が下側に来るように基板１０２上にマウントされ
ている。これらの理由により、半導体レーザチップ１０
３のリア側の端面１０３ｂからのレーザ光Ｌr ´の一部
しかフォトダイオード１０１に入射させることができな
かった。このため、この従来の半導体レーザ装置におい
ては、フォトダイオード１０１のリアモニター電流を大
きくすることが困難であった。
【０００６】また、モニター用のレーザ光Ｌr ´がステ
ム１０４、１０５やキャップ１１１などで反射されて、
半導体レーザチップ１０３のフロント側に回り込むと、
半導体レーザチップ１０３のフロント側の端面１０３ａ
からのレーザ光Ｌf ´に不要な雑音光が混入する。この
ため、レーザ光Ｌf ´の出射パターンが変形してしまう
という問題があった。
ム１０４、１０５やキャップ１１１などで反射されて、
半導体レーザチップ１０３のフロント側に回り込むと、
半導体レーザチップ１０３のフロント側の端面１０３ａ
からのレーザ光Ｌf ´に不要な雑音光が混入する。この
ため、レーザ光Ｌf ´の出射パターンが変形してしまう
という問題があった。
【０００７】したがって、この発明の目的は、リアモニ
ター電流の大きな半導体レーザ装置を提供することにあ
る。この発明の他の目的は、レーザ光の出射パターンの
変形のない半導体レーザ装置を提供することにある。
ター電流の大きな半導体レーザ装置を提供することにあ
る。この発明の他の目的は、レーザ光の出射パターンの
変形のない半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明における第１の発明は、半導体レーザチッ
プと、半導体レーザチップのリア側の端面からのレーザ
光の出力をモニターするためのフォトダイオードとを有
し、半導体レーザチップおよびフォトダイオードは同一
の基板上に互いに隣接して設けられている半導体レーザ
装置において、フォトダイオード上に、リア側の端面か
らのレーザ光をフォトダイオード上に集光するための集
光手段を有することを特徴とするものである。
に、この発明における第１の発明は、半導体レーザチッ
プと、半導体レーザチップのリア側の端面からのレーザ
光の出力をモニターするためのフォトダイオードとを有
し、半導体レーザチップおよびフォトダイオードは同一
の基板上に互いに隣接して設けられている半導体レーザ
装置において、フォトダイオード上に、リア側の端面か
らのレーザ光をフォトダイオード上に集光するための集
光手段を有することを特徴とするものである。
【０００９】この発明における第２の発明は、半導体レ
ーザチップと、半導体レーザチップのリア側の端面から
のレーザ光の出力をモニターするためのフォトダイオー
ドとを有し、半導体レーザチップおよびフォトダイオー
ドは同一の基板上に互いに隣接して設けられている半導
体レーザ装置において、半導体レーザチップおよびフォ
トダイオード以外の部分における基板上に、リア側の端
面からのレーザ光をフォトダイオード上に集光するため
の集光手段を有することを特徴とするものである。
ーザチップと、半導体レーザチップのリア側の端面から
のレーザ光の出力をモニターするためのフォトダイオー
ドとを有し、半導体レーザチップおよびフォトダイオー
ドは同一の基板上に互いに隣接して設けられている半導
体レーザ装置において、半導体レーザチップおよびフォ
トダイオード以外の部分における基板上に、リア側の端
面からのレーザ光をフォトダイオード上に集光するため
の集光手段を有することを特徴とするものである。
【００１０】この発明における第３の発明は、半導体レ
ーザチップと、半導体レーザチップのリア側の端面から
のレーザ光の出力をモニターするためのフォトダイオー
ドとが同一の基板上に互いに隣接して設けられ、基板が
基台上に設けられた半導体レーザ装置において、フォト
ダイオード上に、リア側の端面からのレーザ光をフォト
ダイオード上に集光するための集光手段を有することを
特徴とするものである。
ーザチップと、半導体レーザチップのリア側の端面から
のレーザ光の出力をモニターするためのフォトダイオー
ドとが同一の基板上に互いに隣接して設けられ、基板が
基台上に設けられた半導体レーザ装置において、フォト
ダイオード上に、リア側の端面からのレーザ光をフォト
ダイオード上に集光するための集光手段を有することを
特徴とするものである。
【００１１】この発明における第４の発明は、半導体レ
ーザチップと、半導体レーザチップのリア側の端面から
のレーザ光の出力をモニターするためのフォトダイオー
ドとが同一の基板上に互いに隣接して設けられ、基板が
基台上に設けられた半導体レーザ装置において、基台上
に、リア側の端面からのレーザ光をフォトダイオード上
に集光するための集光手段を有することを特徴とするも
のである。
ーザチップと、半導体レーザチップのリア側の端面から
のレーザ光の出力をモニターするためのフォトダイオー
ドとが同一の基板上に互いに隣接して設けられ、基板が
基台上に設けられた半導体レーザ装置において、基台上
に、リア側の端面からのレーザ光をフォトダイオード上
に集光するための集光手段を有することを特徴とするも
のである。
【００１２】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、半導体レーザチップのリア側の端面からのレーザ光
をフォトダイオード上に集光する集光手段を有すること
により、フォトダイオードに入射する半導体レーザのリ
ア側の端面からのレーザ光の光量を増加させることがで
きる。
ば、半導体レーザチップのリア側の端面からのレーザ光
をフォトダイオード上に集光する集光手段を有すること
により、フォトダイオードに入射する半導体レーザのリ
ア側の端面からのレーザ光の光量を増加させることがで
きる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。図１〜図３は、この発明の第１の実施形態による半
導体レーザ装置を示す。ここで、図１は斜視図、図２は
平面図、図３は図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿っての断面
図である。図１〜図３に示すように、この半導体レーザ
装置においては、フォトダイオード１が設けられた基板
２上に、このフォトダイオード１に隣接して半導体レー
ザチップ３がマウントされ、いわゆるＬＯＰチップが構
成されている。この半導体レーザチップ３は、フロント
側の端面３ａが基板２の外側を向き、リア側の端面３ｂ
がフォトダイオード１側を向くようにしてマウントされ
ている。また、フォトダイオード１は、半導体レーザチ
ップ３のリア側の端面３ｂからのレーザ光Ｌr の出力を
モニターし、それによって得られるリアモニター電流に
よりフロント側の端面３ａからのレーザ光Ｌf の出力を
制御する役割を有している。
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。図１〜図３は、この発明の第１の実施形態による半
導体レーザ装置を示す。ここで、図１は斜視図、図２は
平面図、図３は図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿っての断面
図である。図１〜図３に示すように、この半導体レーザ
装置においては、フォトダイオード１が設けられた基板
２上に、このフォトダイオード１に隣接して半導体レー
ザチップ３がマウントされ、いわゆるＬＯＰチップが構
成されている。この半導体レーザチップ３は、フロント
側の端面３ａが基板２の外側を向き、リア側の端面３ｂ
がフォトダイオード１側を向くようにしてマウントされ
ている。また、フォトダイオード１は、半導体レーザチ
ップ３のリア側の端面３ｂからのレーザ光Ｌr の出力を
モニターし、それによって得られるリアモニター電流に
よりフロント側の端面３ａからのレーザ光Ｌf の出力を
制御する役割を有している。
【００１４】ここで、基板２は、例えばシリコン（Ｓ
ｉ）基板のような半導体基板である。この場合、フォト
ダイオード１としては、例えば基板２上に形成されたｐ
ｉｎフォトダイオードが用いられる。半導体レーザチッ
プ３としては、例えばＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系半導体
レーザチップが用いられる。
ｉ）基板のような半導体基板である。この場合、フォト
ダイオード１としては、例えば基板２上に形成されたｐ
ｉｎフォトダイオードが用いられる。半導体レーザチッ
プ３としては、例えばＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系半導体
レーザチップが用いられる。
【００１５】この半導体レーザ装置には、さらに、基板
２のフォトダイオード１上の部分に、このフォトダイオ
ード１をほぼ覆うようにしてプリズム４が設けられてい
る。このプリズム４は、半導体レーザチップ３のリア側
の端面３ｂからのモニター用のレーザ光Ｌr を、フォト
ダイオード１上に集光する役割を有している。このプリ
ズム４は例えば台形状の断面形状を有している。この場
合には、プリズム４の底面４ａは上面４ｂよりも大きく
なっている。
２のフォトダイオード１上の部分に、このフォトダイオ
ード１をほぼ覆うようにしてプリズム４が設けられてい
る。このプリズム４は、半導体レーザチップ３のリア側
の端面３ｂからのモニター用のレーザ光Ｌr を、フォト
ダイオード１上に集光する役割を有している。このプリ
ズム４は例えば台形状の断面形状を有している。この場
合には、プリズム４の底面４ａは上面４ｂよりも大きく
なっている。
【００１６】このプリズム４の半導体レーザチップ３側
の入射面４ｃは、モニター用のレーザ光Ｌr の戻り光が
生じないように、この半導体レーザチップ３のリア側の
端面３ｂに対して傾斜している。具体的には、この入射
面４ｃは半導体レーザチップ３のリア側の端面３ｂに対
して、例えば０．５〜１０°傾斜している。また、この
入射面４ｃは、この入射面４ｃに入射するモニター用の
レーザ光Ｌr を含む大きさを有している。また、このプ
リズム４は、入射面４ｃの反対側に反射面４ｄを有して
いる。この反射面４ｄは、入射面４ｃからプリズム４内
に入射したモニター用のレーザ光Ｌr がこの反射面４ｄ
で全反射してフォトダイオード１上に集光されるよう
に、プリズム４の底面４ａに対して所定の角度傾斜して
いる。
の入射面４ｃは、モニター用のレーザ光Ｌr の戻り光が
生じないように、この半導体レーザチップ３のリア側の
端面３ｂに対して傾斜している。具体的には、この入射
面４ｃは半導体レーザチップ３のリア側の端面３ｂに対
して、例えば０．５〜１０°傾斜している。また、この
入射面４ｃは、この入射面４ｃに入射するモニター用の
レーザ光Ｌr を含む大きさを有している。また、このプ
リズム４は、入射面４ｃの反対側に反射面４ｄを有して
いる。この反射面４ｄは、入射面４ｃからプリズム４内
に入射したモニター用のレーザ光Ｌr がこの反射面４ｄ
で全反射してフォトダイオード１上に集光されるよう
に、プリズム４の底面４ａに対して所定の角度傾斜して
いる。
【００１７】図４は、上述のように構成されたこの半導
体レーザ装置をパッケージングしたものを示す。図４に
示すように、この半導体レーザ装置においては、例えば
金属製の直方体状のステム５の一側面上に、ＬＯＰチッ
プがその半導体レーザチップ３のフロント側の端面３ａ
が上側を向くようにして取り付けらている。このステム
５は、例えば金属製の円板状のステム６上に設けられて
いる。このステム６には、外部リード７〜９が設けられ
ている。これらのうち、外部リード７はワイヤ１０を通
して半導体レーザチップ３の一方の電極に接続されてい
る。外部リード８はワイヤ１１を通してフォトダイオー
ド１に接続されている。外部リード９は接地用であり、
ステム６に接続されている。また、ＬＯＰチップはステ
ム５とともに、例えば金属製の円筒状のキャップ１２に
より封止されている。このキャップ１２の上面には開口
１２ａが設けられ、この開口１２ａに例えばガラス製の
窓１３が取り付けられている。そして、この窓１３を通
して半導体レーザチップ３のフロント側の端面３ａから
のレーザ光Ｌf が取り出されるようになっている。
体レーザ装置をパッケージングしたものを示す。図４に
示すように、この半導体レーザ装置においては、例えば
金属製の直方体状のステム５の一側面上に、ＬＯＰチッ
プがその半導体レーザチップ３のフロント側の端面３ａ
が上側を向くようにして取り付けらている。このステム
５は、例えば金属製の円板状のステム６上に設けられて
いる。このステム６には、外部リード７〜９が設けられ
ている。これらのうち、外部リード７はワイヤ１０を通
して半導体レーザチップ３の一方の電極に接続されてい
る。外部リード８はワイヤ１１を通してフォトダイオー
ド１に接続されている。外部リード９は接地用であり、
ステム６に接続されている。また、ＬＯＰチップはステ
ム５とともに、例えば金属製の円筒状のキャップ１２に
より封止されている。このキャップ１２の上面には開口
１２ａが設けられ、この開口１２ａに例えばガラス製の
窓１３が取り付けられている。そして、この窓１３を通
して半導体レーザチップ３のフロント側の端面３ａから
のレーザ光Ｌf が取り出されるようになっている。
【００１８】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、フォトダイオード１上にプリズム４が設けられてい
るので、半導体レーザチップ３のリア側の端面３ｂから
のモニター用のレーザ光Ｌr を、このプリズム４により
フォトダイオード１上に集光することができる。このた
め、フォトダイオード１に入射するモニター用のレーザ
光Ｌr の光量が増加するので、このフォトダイオード１
により大きなリアモニター電流が得られる。また、モニ
ター用のレーザ光Ｌr のほぼ全部がプリズム４内に入射
するため、ステム５、６およびキャップ１２などによる
反射はほとんどなくなる。このため、雑音光の発生が抑
えられるので、半導体レーザチップ３のフロント側の端
面３ａからのレーザ光Ｌf の出射パターンの変形がな
い。
ば、フォトダイオード１上にプリズム４が設けられてい
るので、半導体レーザチップ３のリア側の端面３ｂから
のモニター用のレーザ光Ｌr を、このプリズム４により
フォトダイオード１上に集光することができる。このた
め、フォトダイオード１に入射するモニター用のレーザ
光Ｌr の光量が増加するので、このフォトダイオード１
により大きなリアモニター電流が得られる。また、モニ
ター用のレーザ光Ｌr のほぼ全部がプリズム４内に入射
するため、ステム５、６およびキャップ１２などによる
反射はほとんどなくなる。このため、雑音光の発生が抑
えられるので、半導体レーザチップ３のフロント側の端
面３ａからのレーザ光Ｌf の出射パターンの変形がな
い。
【００１９】図５〜図７は、この発明の第２の実施形態
による半導体レーザ装置を示す。ここで、図５は斜視
図、図６は平面図、図７は図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿
っての断面図である。図５〜図７に示すように、この半
導体レーザ装置においては、プリズム４の形状が第１の
実施形態と異なり、三角形状の断面形状を有している。
すなわち、プリズム４は三角プリズムである。その他の
ことは第１の実施形態による半導体レーザ装置と同様で
あるので、説明を省略する。この第２の実施形態によれ
ば、第１の実施形態と同様な効果が得られる。
による半導体レーザ装置を示す。ここで、図５は斜視
図、図６は平面図、図７は図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿
っての断面図である。図５〜図７に示すように、この半
導体レーザ装置においては、プリズム４の形状が第１の
実施形態と異なり、三角形状の断面形状を有している。
すなわち、プリズム４は三角プリズムである。その他の
ことは第１の実施形態による半導体レーザ装置と同様で
あるので、説明を省略する。この第２の実施形態によれ
ば、第１の実施形態と同様な効果が得られる。
【００２０】図８〜図１０は、この発明の第３の実施形
態による半導体レーザ装置を示す。ここで、図８は斜視
図、図９は平面図、図１０は図８のＸ−Ｘ線に沿っての
断面図である。図８〜図１０に示すように、この半導体
レーザ装置においては、モニター用のレーザ光Ｌr をフ
ォトダイオード１上に集光する手段として、フォトダイ
オード１に関して半導体レーザチップ３と反対側の部分
における基板２上に、ミラー１４が設けられている。こ
のミラー１４は、逆台形状の断面形状を有し、底面１４
ａは上面１４ｂよりも小さくなっている。また、このミ
ラー１４は、半導体レーザチップ３側に、底面１４ａに
対して所定の角度傾斜した反射面１４ｃを有している。
この反射面１４ｃの傾斜角度は、この反射面１４ｃに入
射するモニター用のレーザ光Ｌr がこの反射面１４ｃで
反射されてフォトダイオード１上に集光されるように選
ばれる。この反射面１４ｃ上には、好適には、入射した
レーザ光Ｌr がすべて反射されるように、例えば誘電体
多層膜や金属膜のような全反射膜が設けられる。その他
のことは第１の実施形態による半導体レーザ装置と同様
であるので、説明を省略する。この第３の実施形態によ
れば、第１の実施形態と同様な効果が得られる。
態による半導体レーザ装置を示す。ここで、図８は斜視
図、図９は平面図、図１０は図８のＸ−Ｘ線に沿っての
断面図である。図８〜図１０に示すように、この半導体
レーザ装置においては、モニター用のレーザ光Ｌr をフ
ォトダイオード１上に集光する手段として、フォトダイ
オード１に関して半導体レーザチップ３と反対側の部分
における基板２上に、ミラー１４が設けられている。こ
のミラー１４は、逆台形状の断面形状を有し、底面１４
ａは上面１４ｂよりも小さくなっている。また、このミ
ラー１４は、半導体レーザチップ３側に、底面１４ａに
対して所定の角度傾斜した反射面１４ｃを有している。
この反射面１４ｃの傾斜角度は、この反射面１４ｃに入
射するモニター用のレーザ光Ｌr がこの反射面１４ｃで
反射されてフォトダイオード１上に集光されるように選
ばれる。この反射面１４ｃ上には、好適には、入射した
レーザ光Ｌr がすべて反射されるように、例えば誘電体
多層膜や金属膜のような全反射膜が設けられる。その他
のことは第１の実施形態による半導体レーザ装置と同様
であるので、説明を省略する。この第３の実施形態によ
れば、第１の実施形態と同様な効果が得られる。
【００２１】図１１〜図１３は、この発明の第４の実施
形態による半導体レーザ装置を示す。ここで、図１１は
斜視図、図１２は一部を断面とした側面図、図１３は上
面図である。図１１〜図１３に示すように、この半導体
レーザ装置においては、モニター用のレーザ光Ｌr をフ
ォトダイオード１上に集光する手段として、ステム６上
に、ステム５と隣接して例えばＳｉチップなどからなる
ミラー１４が設けられている。このミラー１４は三角形
状の断面形状を有している。このミラー１４は、ステム
５側に、底面１４ａに対して例えば４５°傾斜した反射
面１４ｃを有している。この反射面１４ｃ上には、好適
には、例えば誘電体多層膜や金属膜などからなる全反射
膜が設けられる。その他のことは第１の実施形態による
半導体レーザ装置と同様であるので、説明を省略する。
この第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な
効果が得られる。
形態による半導体レーザ装置を示す。ここで、図１１は
斜視図、図１２は一部を断面とした側面図、図１３は上
面図である。図１１〜図１３に示すように、この半導体
レーザ装置においては、モニター用のレーザ光Ｌr をフ
ォトダイオード１上に集光する手段として、ステム６上
に、ステム５と隣接して例えばＳｉチップなどからなる
ミラー１４が設けられている。このミラー１４は三角形
状の断面形状を有している。このミラー１４は、ステム
５側に、底面１４ａに対して例えば４５°傾斜した反射
面１４ｃを有している。この反射面１４ｃ上には、好適
には、例えば誘電体多層膜や金属膜などからなる全反射
膜が設けられる。その他のことは第１の実施形態による
半導体レーザ装置と同様であるので、説明を省略する。
この第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な
効果が得られる。
【００２２】図１４は、この発明の第５の実施形態によ
るレーザカプラを示す。図１４に示すように、このレー
ザカプラにおいては、光信号検出用の一対のフォトダイ
オードＰＤ１およびＰＤ２が設けられたフォトダイオー
ドＩＣ１５上に、プリズム１６と、ＬＯＰチップとが互
いに隣接してマウントされている。プリズム１６はフォ
トダイオードＰＤ１およびＰＤ２を覆うように設けられ
ている。また、ＬＯＰチップは、第１の実施形態による
半導体レーザ装置と同様に構成されたものである。ここ
で、フォトダイオードＩＣ１５は、フォトダイオードＰ
Ｄ１およびＰＤ２のほか、これらのフォトダイオードＰ
Ｄ１およびＰＤ２の出力信号の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変
換アンプ、演算処理部（いずれも図示せず）などがＩＣ
化されたものであり、ＳｉＩＣである。
るレーザカプラを示す。図１４に示すように、このレー
ザカプラにおいては、光信号検出用の一対のフォトダイ
オードＰＤ１およびＰＤ２が設けられたフォトダイオー
ドＩＣ１５上に、プリズム１６と、ＬＯＰチップとが互
いに隣接してマウントされている。プリズム１６はフォ
トダイオードＰＤ１およびＰＤ２を覆うように設けられ
ている。また、ＬＯＰチップは、第１の実施形態による
半導体レーザ装置と同様に構成されたものである。ここ
で、フォトダイオードＩＣ１５は、フォトダイオードＰ
Ｄ１およびＰＤ２のほか、これらのフォトダイオードＰ
Ｄ１およびＰＤ２の出力信号の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変
換アンプ、演算処理部（いずれも図示せず）などがＩＣ
化されたものであり、ＳｉＩＣである。
【００２３】この場合、ＬＯＰチップの基板２は、半導
体レーザチップ３をフォトダイオードＩＣ１５の表面か
ら十分高いところに位置させ、この半導体レーザチップ
３のフロント側の端面３ａからのレーザ光Ｌf がフォト
ダイオードＩＣ１５の表面で反射されて雑音光となるの
を防止する役割も有する。この第５の実施形態によれ
ば、第１の実施形態と同様な効果が得られる。
体レーザチップ３をフォトダイオードＩＣ１５の表面か
ら十分高いところに位置させ、この半導体レーザチップ
３のフロント側の端面３ａからのレーザ光Ｌf がフォト
ダイオードＩＣ１５の表面で反射されて雑音光となるの
を防止する役割も有する。この第５の実施形態によれ
ば、第１の実施形態と同様な効果が得られる。
【００２４】以上この発明の実施形態について具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。例えば、上述の第１〜第５の実施形態
において挙げた数値、材料、構造などはあくまで例にす
ぎず、これに限定されるものではない。例えば、上述の
第１〜第５の実施形態において、フォトダイオード１お
よび半導体レーザチップ３は他の構造のものであっても
よい。また、フォトダイオード１は基板２上に直接形成
されたものであるが、これは、基板２上にディスクリー
トに設けられたフォトダイオードチップであってもよ
い。
説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。例えば、上述の第１〜第５の実施形態
において挙げた数値、材料、構造などはあくまで例にす
ぎず、これに限定されるものではない。例えば、上述の
第１〜第５の実施形態において、フォトダイオード１お
よび半導体レーザチップ３は他の構造のものであっても
よい。また、フォトダイオード１は基板２上に直接形成
されたものであるが、これは、基板２上にディスクリー
トに設けられたフォトダイオードチップであってもよ
い。
【００２５】また、例えば、上述の第１および第２の実
施形態において、プリズム４の反射面４ｄ上に、例えば
誘電体多層膜からなる全反射膜を設けてもよい。また、
例えば、第５の実施形態において、レーザカプラの光源
として用いられるＬＯＰチップは、第２または第３の実
施形態と同様なものであってもよい。さらに、プリズム
４の代わりに、フォトダイオードＩＣ１５上にプリズム
やミラーなどを設けて、フォトダイオード１上にモニタ
ー用のレーザ光Ｌr を集光するようにしてもよい。
施形態において、プリズム４の反射面４ｄ上に、例えば
誘電体多層膜からなる全反射膜を設けてもよい。また、
例えば、第５の実施形態において、レーザカプラの光源
として用いられるＬＯＰチップは、第２または第３の実
施形態と同様なものであってもよい。さらに、プリズム
４の代わりに、フォトダイオードＩＣ１５上にプリズム
やミラーなどを設けて、フォトダイオード１上にモニタ
ー用のレーザ光Ｌr を集光するようにしてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、半導体レーザチップのリア側の端面からのレーザ光
をフォトダイオード上に集光するための集光手段を有す
ることにより、フォトダイオードに入射する半導体レー
ザチップのリア側の端面からのレーザ光の光量を増加さ
せることができる。これによって、フォトダイオードの
リアモニター電流の大きな半導体レーザ装置を得ること
ができる。また、半導体レーザチップのリア側の端面か
らのレーザ光のほぼ全部がフォトダイオードに入射する
ので、不要な反射はほとんどなく雑音光が抑えられる。
これによって、フロント側の端面からのレーザ光の出射
パターンの変形のない半導体レーザ装置を得ることがで
きる。
ば、半導体レーザチップのリア側の端面からのレーザ光
をフォトダイオード上に集光するための集光手段を有す
ることにより、フォトダイオードに入射する半導体レー
ザチップのリア側の端面からのレーザ光の光量を増加さ
せることができる。これによって、フォトダイオードの
リアモニター電流の大きな半導体レーザ装置を得ること
ができる。また、半導体レーザチップのリア側の端面か
らのレーザ光のほぼ全部がフォトダイオードに入射する
ので、不要な反射はほとんどなく雑音光が抑えられる。
これによって、フロント側の端面からのレーザ光の出射
パターンの変形のない半導体レーザ装置を得ることがで
きる。
【図１】 この発明の第１の実施形態による半導体レー
ザ装置を示す斜視図である。
ザ装置を示す斜視図である。
【図２】 この発明の第１の実施形態による半導体レー
ザ装置を示す平面図である。
ザ装置を示す平面図である。
【図３】 この発明の第１の実施形態による半導体レー
ザ装置を示す断面図である。
ザ装置を示す断面図である。
【図４】 この発明の第１の実施形態による半導体レー
ザ装置を示す斜視図である。
ザ装置を示す斜視図である。
【図５】 この発明の第２の実施形態による半導体レー
ザ装置を示す斜視図である。
ザ装置を示す斜視図である。
【図６】 この発明の第２の実施形態による半導体レー
ザ装置を示す平面図である。
ザ装置を示す平面図である。
【図７】 この発明の第２の実施形態による半導体レー
ザ装置を示す断面図である。
ザ装置を示す断面図である。
【図８】 この発明の第３の実施形態による半導体レー
ザ装置を示す斜視図である。
ザ装置を示す斜視図である。
【図９】 この発明の第３の実施形態による半導体レー
ザ装置を示す平面図である。
ザ装置を示す平面図である。
【図１０】 この発明の第３の実施形態による半導体レ
ーザ装置を示す断面図である。
ーザ装置を示す断面図である。
【図１１】 この発明の第４の実施形態による半導体レ
ーザ装置を示す斜視図である。
ーザ装置を示す斜視図である。
【図１２】 この発明の第４の実施形態による半導体レ
ーザ装置を示す一部を断面とした側面図である。
ーザ装置を示す一部を断面とした側面図である。
【図１３】 この発明の第４の実施形態による半導体レ
ーザ装置を示す上面図である。
ーザ装置を示す上面図である。
【図１４】 この発明の第５の実施形態によるレーザカ
プラを示す斜視図である。
プラを示す斜視図である。
【図１５】 従来の半導体レーザ装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図１６】 従来の半導体レーザ装置を示す平面図であ
る。
る。
【図１７】 従来の半導体レーザ装置を示す断面図であ
る。
る。
【図１８】 従来の半導体レーザ装置を示す斜視図であ
る。
る。
１・・・フォトダイオード、２・・・基板、３・・・半
導体レーザチップ、３ａ，３ｂ・・・端面、４・・・プ
リズム、４ａ，１４ａ・・・底面、４ｃ・・・入射面、
４ｄ，１４ｃ・・・反射面、１４・・・ミラー、Ｌf ，
Ｌr ・・・レーザ光
導体レーザチップ、３ａ，３ｂ・・・端面、４・・・プ
リズム、４ａ，１４ａ・・・底面、４ｃ・・・入射面、
４ｄ，１４ｃ・・・反射面、１４・・・ミラー、Ｌf ，
Ｌr ・・・レーザ光
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体レーザチップと、 上記半導体レーザチップのリア側の端面からのレーザ光
の出力をモニターするためのフォトダイオードとを有
し、 上記半導体レーザチップおよび上記フォトダイオードは
同一の基板上に互いに隣接して設けられている半導体レ
ーザ装置において、 上記フォトダイオード上に、上記リア側の端面からのレ
ーザ光を上記フォトダイオード上に集光するための集光
手段を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 上記集光手段はプリズムであることを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 上記プリズムは上記半導体レーザチップ
側に上記半導体レーザチップの上記リア側の端面に対し
て傾斜した側面を有することを特徴とする請求項２記載
の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 半導体レーザチップと、 上記半導体レーザチップのリア側の端面からのレーザ光
の出力をモニターするためのフォトダイオードとを有
し、 上記半導体レーザチップおよび上記フォトダイオードは
同一の基板上に互いに隣接して設けられている半導体レ
ーザ装置において、 上記半導体レーザチップおよび上記フォトダイオード以
外の部分における上記基板上に、上記リア側の端面から
のレーザ光を上記フォトダイオード上に集光するための
集光手段を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 上記フォトダイオードに関して上記半導
体レーザチップと反対側の部分における上記基板上に上
記集光手段が設けられていることを特徴とする請求項４
記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 上記集光手段はミラーであることを特徴
とする請求項４記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 半導体レーザチップと、上記半導体レー
ザチップのリア側の端面からのレーザ光の出力をモニタ
ーするためのフォトダイオードとが同一の基板上に互い
に隣接して設けられ、 上記基板が基台上に設けられた半導体レーザ装置におい
て、 上記フォトダイオード上に、上記リア側の端面からのレ
ーザ光を上記フォトダイオード上に集光するための集光
手段を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項８】 上記集光手段はプリズムであることを特
徴とする請求項７記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項９】 半導体レーザチップと、上記半導体レー
ザチップのリア側の端面からのレーザ光の出力をモニタ
ーするためのフォトダイオードとが同一の基板上に互い
に隣接して設けられ、 上記基板が基台上に設けられた半導体レーザ装置におい
て、 上記基台上に、上記リア側の端面からのレーザ光を上記
フォトダイオード上に集光するための集光手段を有する
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項１０】 上記基台は第１の基台とこの第１の基
台上に設けられた第２の基台とからなり、上記第２の基
台の一側面に上記基板が設けられ、かつ、上記第１の基
台上に上記集光手段が設けられていることを特徴とする
請求項９記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１１】 上記集光手段はミラーであることを特
徴とする請求項１０記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8103278A JPH09270566A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8103278A JPH09270566A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270566A true JPH09270566A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=14349894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8103278A Pending JPH09270566A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270566A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009212524A (ja) * | 2009-04-10 | 2009-09-17 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| US7620090B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-11-17 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US11670733B2 (en) | 2020-09-14 | 2023-06-06 | Nichia Corporation | Light emitting device |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP8103278A patent/JPH09270566A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7620090B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-11-17 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP2009212524A (ja) * | 2009-04-10 | 2009-09-17 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| US11670733B2 (en) | 2020-09-14 | 2023-06-06 | Nichia Corporation | Light emitting device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040309 |
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| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040408 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040713 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040903 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041012 |