JPH0499082A - 半導体レーザ用ステム - Google Patents
半導体レーザ用ステムInfo
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- JPH0499082A JPH0499082A JP2208519A JP20851990A JPH0499082A JP H0499082 A JPH0499082 A JP H0499082A JP 2208519 A JP2208519 A JP 2208519A JP 20851990 A JP20851990 A JP 20851990A JP H0499082 A JPH0499082 A JP H0499082A
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- JP
- Japan
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- laser
- photodiode
- stem
- semiconductor laser
- pedestal
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- Pending
Links
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- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- UVTGXFAWNQTDBG-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Pb] Chemical compound [Fe].[Pb] UVTGXFAWNQTDBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザを収納する容器に関し、特に半導
体レーザ用ステムに関する。
体レーザ用ステムに関する。
従来の半導体レーザ用ステムは、第３図（ａ）〜（Ｃ）
に示すように、ステム基台７上に突き立たレーザ載置台
１を備えており、レーザ載置台周囲のステム基台表面は
平坦、すなわち、半導体レーザ２の後面のステム基台表
面は、平面になっており、その上に直接あるいは、絶縁
材２０を融着させた上にモニタ用ホトダイオード４を融
着させていた。なお、第３図（ａ）は平面図、（ｂ）。
に示すように、ステム基台７上に突き立たレーザ載置台
１を備えており、レーザ載置台周囲のステム基台表面は
平坦、すなわち、半導体レーザ２の後面のステム基台表
面は、平面になっており、その上に直接あるいは、絶縁
材２０を融着させた上にモニタ用ホトダイオード４を融
着させていた。なお、第３図（ａ）は平面図、（ｂ）。
（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ’ 、Ｂ−Ｂ’における各断面
図である。
図である。
上述した従来の半導体レーザ用ステムでは、半導体レー
ザの光放射面とホトダイオードの受光面は向い合うため
、ホトダイオードより数％の反射光があり、この反射光
のさらに数％は、半導体レーザの発振領域（活性層）に
戻る。このため、本来の半導体レーザの両端面による共
振器の他に、半導体レーザの前方（ステムと反対面）と
ホトダイオードの面との間にも共振器ができ（複数共振
器）、この２つの共振器で発振される光が半導体レーザ
の前方端面より放射されると、雑音の原因となる（戻り
光雑音）。
ザの光放射面とホトダイオードの受光面は向い合うため
、ホトダイオードより数％の反射光があり、この反射光
のさらに数％は、半導体レーザの発振領域（活性層）に
戻る。このため、本来の半導体レーザの両端面による共
振器の他に、半導体レーザの前方（ステムと反対面）と
ホトダイオードの面との間にも共振器ができ（複数共振
器）、この２つの共振器で発振される光が半導体レーザ
の前方端面より放射されると、雑音の原因となる（戻り
光雑音）。
この、戻り光雑音を防ぐためと、半導体レーザの前方放
射光の強度を強くするために、半導体レーザの後方端面
（ステム側）に高反射膜を成長させることがある。する
と、ホトダイオードからの反射光が半導体レーザの中に
印加されるのも抑制されるが、半導体レーザの後方端面
から放射される光（モニター光）も小さくなり、ホトダ
イオードでの光出力が小さくなってしまっていた。
射光の強度を強くするために、半導体レーザの後方端面
（ステム側）に高反射膜を成長させることがある。する
と、ホトダイオードからの反射光が半導体レーザの中に
印加されるのも抑制されるが、半導体レーザの後方端面
から放射される光（モニター光）も小さくなり、ホトダ
イオードでの光出力が小さくなってしまっていた。
本発明の半導体レーザ用ステムは、半導体レーザとモニ
タ用ホトダイオードが同一パッケージに搭載されるもの
であり、半導体レーザ後方のステム表面は凹面となって
いる。すなわち、複数のリードを備えたステム基台表面
にレーザ載置台を備え、前記レーザ載置台に設置した半
導体レーザの後方出射光を受光する位置にホトダイオー
ド載置部を備えた半導体レーザ用ステムにおいて、前記
レーザ装置台周辺のステム基台の一部領域に反射率の高
い凹面を設け、前記凹面の焦点位置にホトダイオードを
設置するホトダイオード載置部を備えた構成になってい
る。
タ用ホトダイオードが同一パッケージに搭載されるもの
であり、半導体レーザ後方のステム表面は凹面となって
いる。すなわち、複数のリードを備えたステム基台表面
にレーザ載置台を備え、前記レーザ載置台に設置した半
導体レーザの後方出射光を受光する位置にホトダイオー
ド載置部を備えた半導体レーザ用ステムにおいて、前記
レーザ装置台周辺のステム基台の一部領域に反射率の高
い凹面を設け、前記凹面の焦点位置にホトダイオードを
設置するホトダイオード載置部を備えた構成になってい
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例の図で、本発明によ
るステムに半導体レーザを組み込んで半導体レーザ装置
とした例を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ
）のＡ−Ａ’における断面図、（Ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ
’における断面図である０図中５はホトダイオード載置
部で、鉄製である。この載置部側面にはＩｎＧａＡｓの
ホトダイオード４（受光面積０．３５Ｘ０．３３ｍｍ２
）が融着してあり、この載置部５は、ステム基台上に突
出た鉄製のリード８の上に融着されている。なお、ホト
ダイオードの受光面は、ステム基台７に設けた凹面６（
面積１．ＩＸｏ、８ｍｍ２）の焦点に位置している。さ
らに、鉄製のリード９とホトダイオード４の間にはφ２
５μｍ金線がボンディングされている。鉄製のステム基
台表面にはコバー材で形成したレーザ載置部１を融着し
である。このレーザ載置台１の側面には、窒化ホウ素材
のヒートシンク３を融着し、このヒートシンク３に、活
性層がＩ ｎＧａＰの半導体レーザ２を融着している。
（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例の図で、本発明によ
るステムに半導体レーザを組み込んで半導体レーザ装置
とした例を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ
）のＡ−Ａ’における断面図、（Ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ
’における断面図である０図中５はホトダイオード載置
部で、鉄製である。この載置部側面にはＩｎＧａＡｓの
ホトダイオード４（受光面積０．３５Ｘ０．３３ｍｍ２
）が融着してあり、この載置部５は、ステム基台上に突
出た鉄製のリード８の上に融着されている。なお、ホト
ダイオードの受光面は、ステム基台７に設けた凹面６（
面積１．ＩＸｏ、８ｍｍ２）の焦点に位置している。さ
らに、鉄製のリード９とホトダイオード４の間にはφ２
５μｍ金線がボンディングされている。鉄製のステム基
台表面にはコバー材で形成したレーザ載置部１を融着し
である。このレーザ載置台１の側面には、窒化ホウ素材
のヒートシンク３を融着し、このヒートシンク３に、活
性層がＩ ｎＧａＰの半導体レーザ２を融着している。
半導体レーザ２と鉄製のり−ド１１の間にはφ２５μ金
線がボンディングされている。レーザ載置台１の周辺の
ステム基台７の一部領域、すなわち、半導体レーザの後
端面に対向する領域に、ホトダイオード載置部５が焦点
になるように凹面６が形成されている。なお、リード８
．９．１１は、ステム基台７から絶縁材１５によって絶
縁されている。また、ステム基台７とリードは全てその
表面には、金メツキ処理されている。
線がボンディングされている。レーザ載置台１の周辺の
ステム基台７の一部領域、すなわち、半導体レーザの後
端面に対向する領域に、ホトダイオード載置部５が焦点
になるように凹面６が形成されている。なお、リード８
．９．１１は、ステム基台７から絶縁材１５によって絶
縁されている。また、ステム基台７とリードは全てその
表面には、金メツキ処理されている。
半導体レーザ２の後方出射ビームは、凹面６で反射され
、ホトダイオード４の受光面に集光される。
、ホトダイオード４の受光面に集光される。
第２図＜ａ）〜（Ｃ）は本発明の実施例２の図であり、
第１図と同様、（ａ）は平面図、（ｂ）、（Ｃ）は断面
図である０本実施例では、実施例１と違い、鉄製リード
８の先端をつぶして、このつぶれた部分をホトダイオー
ド装置部２５としている。この他は先の実施例と同じで
ある。この実施例は、先の実施例１と同様の効果をもた
せながら、ホトダイオード載置部２５とり−ド８を一体
化させたことで、ホトダイオード４の位置精度を向上さ
せ、かつ、部品点数を減らせる利点がある。
第１図と同様、（ａ）は平面図、（ｂ）、（Ｃ）は断面
図である０本実施例では、実施例１と違い、鉄製リード
８の先端をつぶして、このつぶれた部分をホトダイオー
ド装置部２５としている。この他は先の実施例と同じで
ある。この実施例は、先の実施例１と同様の効果をもた
せながら、ホトダイオード載置部２５とり−ド８を一体
化させたことで、ホトダイオード４の位置精度を向上さ
せ、かつ、部品点数を減らせる利点がある。
以上説明したように本発明は、レーザ載置台下方のステ
ム基台表面が凹面であり、かつその凹面の反射率が高く
仕上げられているため、このステムを用いて半導体レー
ザ装置を組立てると、凹面によって、半導体レーザ後方
から出射されたビームは、ホトダイオードに集光される
。この結果、下記に示す効果が得られる。
ム基台表面が凹面であり、かつその凹面の反射率が高く
仕上げられているため、このステムを用いて半導体レー
ザ装置を組立てると、凹面によって、半導体レーザ後方
から出射されたビームは、ホトダイオードに集光される
。この結果、下記に示す効果が得られる。
（１）半導体レーザ後方出射ビームは、高反射率の凹面
によって、反射され、ホトダイオードの方に集光される
ため、半導体レーザの方へは戻らず、戻り光雑音を防ぐ
効果があり、雑音のないレーザ光が得られる。
によって、反射され、ホトダイオードの方に集光される
ため、半導体レーザの方へは戻らず、戻り光雑音を防ぐ
効果があり、雑音のないレーザ光が得られる。
半導体レーザ後方出射ビームは、この凹面全体で反射さ
れ、ホトダイオードの受光面に集光されるため、ホトダ
イオードで直接ビームを受けるより広い面積の出射光を
受光できる効果がある。
れ、ホトダイオードの受光面に集光されるため、ホトダ
イオードで直接ビームを受けるより広い面積の出射光を
受光できる効果がある。
２０・・・ホトダイオードを基準電位から離すための絶
縁材。
縁材。
Claims (1)
- 複数のリードを備えたステム基台表面にレーザ載置台を
備え、前記レーザ載置台に設置した半導体レーザの後方
出射光を受光する位置にホトダイオード載置部を備えた
半導体レーザ用ステムにおいて、前記レーザ載置台周辺
のステム基台の一部領域に反射率の高い凹面を設け、前
記凹面の焦点位置にホトダイオードを設置するホトダイ
オード載置部を備えたことを特徴とする半導体レーザ用
ステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208519A JPH0499082A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体レーザ用ステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208519A JPH0499082A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体レーザ用ステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499082A true JPH0499082A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16557519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2208519A Pending JPH0499082A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体レーザ用ステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499082A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5438208A (en) * | 1993-01-27 | 1995-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mirror coupled monolithic laser diode and photodetector |
| JP2013037025A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-21 | Ricoh Co Ltd | 光源装置、光走査装置及び画像形成装置 |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP2208519A patent/JPH0499082A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5438208A (en) * | 1993-01-27 | 1995-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mirror coupled monolithic laser diode and photodetector |
| JP2013037025A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-21 | Ricoh Co Ltd | 光源装置、光走査装置及び画像形成装置 |
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