JPH0964383A - 光電子装置 - Google Patents
光電子装置Info
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- JPH0964383A JPH0964383A JP21335095A JP21335095A JPH0964383A JP H0964383 A JPH0964383 A JP H0964383A JP 21335095 A JP21335095 A JP 21335095A JP 21335095 A JP21335095 A JP 21335095A JP H0964383 A JPH0964383 A JP H0964383A
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- JP
- Japan
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- light
- laser diode
- inclined surface
- stem
- photodiode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定した発光特性を有する光電子装置を提供
する。 【構成】 ステムと、前記ステムの主面に固定されたヒ
ートシンクと、前記ヒートシンクの先端側面に取り付け
られるレーザダイオードと、前記レーザダイオードから
発光された後方出射光を受光するように前記ステムの傾
斜面に固定されたホトダイオードと、前記レーザダイオ
ードの前方出射光を透過させる窓を有しかつ前記ヒート
シンクやレーザダイオード等を被うように前記ステムの
主面に取り付けられたキャップと、を有する光電子装置
であって、前記窓から前方出射光以外の不要な出射光が
出ないように不要出力光防止手段が設けられている。ホ
トダイオード固定領域から外れたレーザダイオード直下
の傾斜面部分を傾斜面とは異なる角度の傾斜面とするこ
とによって不要出力光防止手段を構成する。
する。 【構成】 ステムと、前記ステムの主面に固定されたヒ
ートシンクと、前記ヒートシンクの先端側面に取り付け
られるレーザダイオードと、前記レーザダイオードから
発光された後方出射光を受光するように前記ステムの傾
斜面に固定されたホトダイオードと、前記レーザダイオ
ードの前方出射光を透過させる窓を有しかつ前記ヒート
シンクやレーザダイオード等を被うように前記ステムの
主面に取り付けられたキャップと、を有する光電子装置
であって、前記窓から前方出射光以外の不要な出射光が
出ないように不要出力光防止手段が設けられている。ホ
トダイオード固定領域から外れたレーザダイオード直下
の傾斜面部分を傾斜面とは異なる角度の傾斜面とするこ
とによって不要出力光防止手段を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は情報処理装置用光源や光
通信用光源として使用される光電子装置に関する。
通信用光源として使用される光電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光電子装置の一つとして、レーザダイオ
ードの後方出射光をモニタするホトダイオードをパッケ
ージ内に内蔵した構造が知られている。
ードの後方出射光をモニタするホトダイオードをパッケ
ージ内に内蔵した構造が知られている。
【０００３】レーザダイオードの直下にホトダイオード
（受光素子）を配置した場合、一部の後方出射光は前記
受光素子の受光面で反射してパッケージ外に出ることが
あり、ファーフィールドパターン（ＦＦＰ）およびニア
フィールドパターン（ＮＦＰ）に乱れを生じる。
（受光素子）を配置した場合、一部の後方出射光は前記
受光素子の受光面で反射してパッケージ外に出ることが
あり、ファーフィールドパターン（ＦＦＰ）およびニア
フィールドパターン（ＮＦＰ）に乱れを生じる。
【０００４】そこで反射光がパッケージ外に出ないよう
にステムのホトダイオード搭載部を数度の角度を付けた
傾斜面としている。傾斜面を設けたホトダイオードを固
定する光電子装置については、例えば、新光電気株式会
社発行「ハーメチックシール」カタログ番号９１Ｇ０８
に記載されている。
にステムのホトダイオード搭載部を数度の角度を付けた
傾斜面としている。傾斜面を設けたホトダイオードを固
定する光電子装置については、例えば、新光電気株式会
社発行「ハーメチックシール」カタログ番号９１Ｇ０８
に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の光電子装置は、
レーザダイオードの直下にホトダイオードを配置した場
合は、後方出射光の反射光が前方出射光とともにパッケ
ージ外に放出されないため、干渉が起きず、ファーフィ
ールドパターンやニアフィールドパターンが乱れない。
レーザダイオードの直下にホトダイオードを配置した場
合は、後方出射光の反射光が前方出射光とともにパッケ
ージ外に放出されないため、干渉が起きず、ファーフィ
ールドパターンやニアフィールドパターンが乱れない。
【０００６】しかし、図４に示すように、ホトダイオー
ド８をレーザダイオード４の直下から遠ざけて使用する
場合、レーザダイオード４の後方出射光７の一部がホト
ダイオード８が固定される傾斜面１６で反射し、さらに
ホトダイオード８の側面で反射して反射光１０としてキ
ャップ１５の窓１８からパッケージの外へ飛び出し、前
方出射光９と干渉を起こすことがわかった。例えば、後
方出射面６から傾斜面１６の上端までの距離を１．０２
ｍｍとし、レーザダイオード４の傾斜面の角度を１２度
とし、ホトダイオード８を直下から０．２ｍｍ前後離し
た場合、共振器に対して５度前後の角度の後方出射光７
がパッケージ外に飛び出し、ファーフィールドパターン
およびニアフィールドパターンを乱すことが本発明者に
よってあきらかにされた。この場合、反射光の一部が共
振器に戻れば、雑音が発生する。なお、図４において、
１はステム、２はヒートシンク、３はサブマウント、４
はレーザダイオードチップ、５は前方出射面、６は後方
出射面、１９はリードである。
ド８をレーザダイオード４の直下から遠ざけて使用する
場合、レーザダイオード４の後方出射光７の一部がホト
ダイオード８が固定される傾斜面１６で反射し、さらに
ホトダイオード８の側面で反射して反射光１０としてキ
ャップ１５の窓１８からパッケージの外へ飛び出し、前
方出射光９と干渉を起こすことがわかった。例えば、後
方出射面６から傾斜面１６の上端までの距離を１．０２
ｍｍとし、レーザダイオード４の傾斜面の角度を１２度
とし、ホトダイオード８を直下から０．２ｍｍ前後離し
た場合、共振器に対して５度前後の角度の後方出射光７
がパッケージ外に飛び出し、ファーフィールドパターン
およびニアフィールドパターンを乱すことが本発明者に
よってあきらかにされた。この場合、反射光の一部が共
振器に戻れば、雑音が発生する。なお、図４において、
１はステム、２はヒートシンク、３はサブマウント、４
はレーザダイオードチップ、５は前方出射面、６は後方
出射面、１９はリードである。
【０００７】本発明の目的は、安定した発光特性を有す
る光電子装置を提供することにある。
る光電子装置を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００１０】（１）ステムと、前記ステムの主面に固定
されたヒートシンクと、前記ヒートシンクの先端側面に
取り付けられるレーザダイオードと、前記レーザダイオ
ードから発光された後方出射光を受光するように前記ス
テムの傾斜面に固定されたホトダイオードと、前記レー
ザダイオードの前方出射光を透過させる窓を有しかつ前
記ヒートシンクやレーザダイオード等を被うように前記
ステムの主面に取り付けられたキャップと、を有する光
電子装置であって、前記窓から前方出射光以外の不要な
出射光が出ないように不要出力光防止手段が設けられて
いる。前記不要出力光防止手段は前記ホトダイオード固
定領域から外れたレーザダイオード直下の傾斜面部分を
傾斜面とは異なる角度の傾斜面とすることによって構成
されている。
されたヒートシンクと、前記ヒートシンクの先端側面に
取り付けられるレーザダイオードと、前記レーザダイオ
ードから発光された後方出射光を受光するように前記ス
テムの傾斜面に固定されたホトダイオードと、前記レー
ザダイオードの前方出射光を透過させる窓を有しかつ前
記ヒートシンクやレーザダイオード等を被うように前記
ステムの主面に取り付けられたキャップと、を有する光
電子装置であって、前記窓から前方出射光以外の不要な
出射光が出ないように不要出力光防止手段が設けられて
いる。前記不要出力光防止手段は前記ホトダイオード固
定領域から外れたレーザダイオード直下の傾斜面部分を
傾斜面とは異なる角度の傾斜面とすることによって構成
されている。
【００１１】（２）前記手段（１）の構成において、前
記不要出力光防止手段は階段状の傾斜面によって構成さ
れている。
記不要出力光防止手段は階段状の傾斜面によって構成さ
れている。
【００１２】
【作用】前記（１）の手段によれば、ホトダイオード固
定域から外れたレーザダイオード直下の傾斜面は前記ホ
トダイオード固定面の傾斜とは異なる面となり、後方出
射光の反射光がパッケージの外に放出されないような角
度の面となっていることから、ファーフィールドパター
ン，ニアフィールドパターンに乱れが生じなくなる。
定域から外れたレーザダイオード直下の傾斜面は前記ホ
トダイオード固定面の傾斜とは異なる面となり、後方出
射光の反射光がパッケージの外に放出されないような角
度の面となっていることから、ファーフィールドパター
ン，ニアフィールドパターンに乱れが生じなくなる。
【００１３】前記（２）の手段によれば、レーザダイオ
ード直下の傾斜面は階段状となり、各傾斜面は後方出射
光の反射光がパッケージの外に放出されないような角度
の面となっていることから、ファーフィールドパター
ン，ニアフィールドパターンに乱れが生じなくなる。
ード直下の傾斜面は階段状となり、各傾斜面は後方出射
光の反射光がパッケージの外に放出されないような角度
の面となっていることから、ファーフィールドパター
ン，ニアフィールドパターンに乱れが生じなくなる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１５】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００１６】（実施例１）図１は、本発明の実施例１で
ある光電子装置の断面図、図２は一部の拡大断面図であ
る。
ある光電子装置の断面図、図２は一部の拡大断面図であ
る。
【００１７】本実施例１の光電子装置は図１に示される
ように、それぞれアセンブリの主体部品となる板状のス
テム１およびこのステム１の主面側に気密固定されたキ
ャップ１５とからなっている。前記ステム１は数ｍｍの
厚さの円形の金属板となっていて、その主面（上面）の
中央部には銅製のヒートシンク２が鑞材等で固定されて
いる。ヒートシンク２はステム１に一体に形成してもよ
い。
ように、それぞれアセンブリの主体部品となる板状のス
テム１およびこのステム１の主面側に気密固定されたキ
ャップ１５とからなっている。前記ステム１は数ｍｍの
厚さの円形の金属板となっていて、その主面（上面）の
中央部には銅製のヒートシンク２が鑞材等で固定されて
いる。ヒートシンク２はステム１に一体に形成してもよ
い。
【００１８】ヒートシンク２の先端一側面（中心側）に
は、サブマウント３を介してレーザダイオード（レーザ
ダイオードチップ）４が固定されている。図２にも示す
ように、レーザダイオード４の前方出射面５はヒートシ
ンク２の先端側となり、後方出射面６はステム１の主面
に対面する面となっている。
は、サブマウント３を介してレーザダイオード（レーザ
ダイオードチップ）４が固定されている。図２にも示す
ように、レーザダイオード４の前方出射面５はヒートシ
ンク２の先端側となり、後方出射面６はステム１の主面
に対面する面となっている。
【００１９】レーザダイオードチップ４は、たとえば、
幅が４００μｍ，長さが２５０μｍ，高さ（厚さ）が１
００μｍとなっている。したがって、共振器長さは３０
０μｍとなる。また、共振器はレーザダイオードチップ
４の表面から３〜５μｍ程度の深さに位置している。
幅が４００μｍ，長さが２５０μｍ，高さ（厚さ）が１
００μｍとなっている。したがって、共振器長さは３０
０μｍとなる。また、共振器はレーザダイオードチップ
４の表面から３〜５μｍ程度の深さに位置している。
【００２０】前記ステム１の主面には、レーザダイオー
ドチップ４の下端の後方出射面６から発光される後方出
射光７を受光し、前方出射光９の光強度をモニタするホ
トダイオード（受光素子）８が固定されている。このホ
トダイオード８はステム１の主面に設けられた所望の角
度θ1 を有する傾斜面１６、たとえば、１２°の角度を
有する傾斜面１６に図示しない接合材を介して固定され
ている。これはレーザダイオード４から発光された後方
出射光７のホトダイオード８の受光面における反射光が
キャップ１５の窓１８内に入らなくするためである。
ドチップ４の下端の後方出射面６から発光される後方出
射光７を受光し、前方出射光９の光強度をモニタするホ
トダイオード（受光素子）８が固定されている。このホ
トダイオード８はステム１の主面に設けられた所望の角
度θ1 を有する傾斜面１６、たとえば、１２°の角度を
有する傾斜面１６に図示しない接合材を介して固定され
ている。これはレーザダイオード４から発光された後方
出射光７のホトダイオード８の受光面における反射光が
キャップ１５の窓１８内に入らなくするためである。
【００２１】また、ホトダイオード８は、図２に示すよ
うにヒートシンク２からｎ2 （たとえば、０．３５ｍ
ｍ）の距離離して傾斜面１６上に固定される。そして、
ヒートシンク２からｎ1 （たとえば、０．４ｍｍ）程離
れた位置からヒートシンク２側に掛けて、前記傾斜面１
６とは反対側に傾斜する傾斜面１７が設けられている。
この傾斜面１７の角度θ2 は１２°となっている。ｎ3
はコイニング形成時の金型クリアランスであり、たとえ
ば、０．１５ｍｍ程度となっている。前記傾斜面１６お
よび傾斜面１７はコイニングによって形成される。な
お、レーザダイオード４の後方出射面６とステム１の主
面との距離ｈ1 は、たとえば１．０２ｍｍとなる。
うにヒートシンク２からｎ2 （たとえば、０．３５ｍ
ｍ）の距離離して傾斜面１６上に固定される。そして、
ヒートシンク２からｎ1 （たとえば、０．４ｍｍ）程離
れた位置からヒートシンク２側に掛けて、前記傾斜面１
６とは反対側に傾斜する傾斜面１７が設けられている。
この傾斜面１７の角度θ2 は１２°となっている。ｎ3
はコイニング形成時の金型クリアランスであり、たとえ
ば、０．１５ｍｍ程度となっている。前記傾斜面１６お
よび傾斜面１７はコイニングによって形成される。な
お、レーザダイオード４の後方出射面６とステム１の主
面との距離ｈ1 は、たとえば１．０２ｍｍとなる。
【００２２】前記傾斜面１７を設けることによって、後
方出射光７の各角度のレーザ光は傾斜面１７で反射して
ヒートシンク２側に進む。同図の二点鎖線で示すレーザ
光は、共振器に沿うレーザ光（角度０°）であり、点線
で示すレーザ光は、共振器に対して５°の角度を有する
レーザ光である。また、１２°の角度を有するレーザ光
は、ホトダイオード８の左側面上部に当たり、その後傾
斜面１７の下方向に進むため、キャップ１５の窓１８に
は戻らなくなる。
方出射光７の各角度のレーザ光は傾斜面１７で反射して
ヒートシンク２側に進む。同図の二点鎖線で示すレーザ
光は、共振器に沿うレーザ光（角度０°）であり、点線
で示すレーザ光は、共振器に対して５°の角度を有する
レーザ光である。また、１２°の角度を有するレーザ光
は、ホトダイオード８の左側面上部に当たり、その後傾
斜面１７の下方向に進むため、キャップ１５の窓１８に
は戻らなくなる。
【００２３】このように、共振器に対して１２°程度の
角度を有するレーザ光は、傾斜面１７やホトダイオード
８の側面に当たってヒートシンク２側に進み、１２°程
度の角度以上のレーザ光は、ホトダイオード８の受光面
に当たり、その後はキャップ１５の周内壁側に進むた
め、後方出射光７の反射光がキャップ１５の窓１８に入
り込まなくなり、ファーフィールドパターンやニアフィ
ールドパターンを乱さなくなる。
角度を有するレーザ光は、傾斜面１７やホトダイオード
８の側面に当たってヒートシンク２側に進み、１２°程
度の角度以上のレーザ光は、ホトダイオード８の受光面
に当たり、その後はキャップ１５の周内壁側に進むた
め、後方出射光７の反射光がキャップ１５の窓１８に入
り込まなくなり、ファーフィールドパターンやニアフィ
ールドパターンを乱さなくなる。
【００２４】一方、前記ステム１には３本のリード１９
が固定されている。１本のリード１９はステム１の裏面
に電気的，機械的に固定され、他の２本のリード１９は
ステム１を貫通し、かつガラスのような絶縁体を介して
ステム１に対して電気的に絶縁されて固定されている。
前記ステム１の主面に突出する２本のリード１９の上端
は、それぞれ図示しないワイヤを介してレーザダイオー
ド４およびホトダイオード８の各電極に接続されてい
る。
が固定されている。１本のリード１９はステム１の裏面
に電気的，機械的に固定され、他の２本のリード１９は
ステム１を貫通し、かつガラスのような絶縁体を介して
ステム１に対して電気的に絶縁されて固定されている。
前記ステム１の主面に突出する２本のリード１９の上端
は、それぞれ図示しないワイヤを介してレーザダイオー
ド４およびホトダイオード８の各電極に接続されてい
る。
【００２５】他方、前記ステム１の主面には、窓１８を
有する金属製のキャップ１５が気密的に固定され、レー
ザダイオード４およびヒートシンク２等を封止してい
る。前記窓１８は、キャップ１５の天井部分に設けた円
形穴を透明なガラス板２０で塞ぐように取り付けること
によって形成される。ガラス板２０は接合材２１でキャ
ップ１５に固定される。
有する金属製のキャップ１５が気密的に固定され、レー
ザダイオード４およびヒートシンク２等を封止してい
る。前記窓１８は、キャップ１５の天井部分に設けた円
形穴を透明なガラス板２０で塞ぐように取り付けること
によって形成される。ガラス板２０は接合材２１でキャ
ップ１５に固定される。
【００２６】所定のリード１９に電圧を印加させること
によって、レーザダイオード４の共振器端からレーザ光
２２（前方出射光９，後方出射光７）が出射される。前
方出射光９は窓１８を通過してステム１とキャップ１５
とによって形成されるパッケージ外に放出される。
によって、レーザダイオード４の共振器端からレーザ光
２２（前方出射光９，後方出射光７）が出射される。前
方出射光９は窓１８を通過してステム１とキャップ１５
とによって形成されるパッケージ外に放出される。
【００２７】本実施例１の光電子装置では、ホトダイオ
ード８は傾斜面１６上に固定されるとともに、レーザダ
イオード４の直下の傾斜面部分は、反射光がキャップ１
５の窓１８に進まないように逆の傾斜面１７としてある
ことから、後方出射光７の反射光がキャップ１５の窓１
８に入らず、ファーフィールドパターンやニアフィール
ドパターンを乱さなくなる。また、後方出射光７の反射
光が共振器に戻ることもなく、戻り光による雑音も発生
しなくなる。
ード８は傾斜面１６上に固定されるとともに、レーザダ
イオード４の直下の傾斜面部分は、反射光がキャップ１
５の窓１８に進まないように逆の傾斜面１７としてある
ことから、後方出射光７の反射光がキャップ１５の窓１
８に入らず、ファーフィールドパターンやニアフィール
ドパターンを乱さなくなる。また、後方出射光７の反射
光が共振器に戻ることもなく、戻り光による雑音も発生
しなくなる。
【００２８】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図３に示すように、前記傾斜面１７を階段状に形成して
もファーフィールドパターンやニアフィールドパターン
の乱れを防止できる。また、傾斜面１６や傾斜面１７の
角度も他の角度でもよい。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図３に示すように、前記傾斜面１７を階段状に形成して
もファーフィールドパターンやニアフィールドパターン
の乱れを防止できる。また、傾斜面１６や傾斜面１７の
角度も他の角度でもよい。
【００２９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３０】（１）ホトダイオード固定域から外れたレ
ーザダイオード直下の傾斜面はホトダイオード固定面の
傾斜とは異なる面となり、後方出射光の反射光がパッケ
ージの外に放出されないような角度の面となっているこ
とから、ファーフィールドパターン，ニアフィールドパ
ターンに乱れが生じなくなる。
ーザダイオード直下の傾斜面はホトダイオード固定面の
傾斜とは異なる面となり、後方出射光の反射光がパッケ
ージの外に放出されないような角度の面となっているこ
とから、ファーフィールドパターン，ニアフィールドパ
ターンに乱れが生じなくなる。
【図１】本発明の実施例１である光電子装置の概略を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本実施例１におけるレーザダイオードやホトダ
イオード等を示す拡大模式図である。
イオード等を示す拡大模式図である。
【図３】本発明の実施例２である光電子装置の一部を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】従来の光電子装置の概略を示す断面図である。
１…ステム、２…ヒートシンク、３…サブマウント、４
…レーザダイオード（レーザダイオードチップ）、５…
前方出射面、６…後方出射面、７…後方出射光、８…ホ
トダイオード、９…前方出射光、１０…反射光、１５…
キャップ、１６…傾斜面、１７…傾斜面、１８…窓、１
９…リード、２０…ガラス板、２１…接合材、２２…レ
ーザ光。
…レーザダイオード（レーザダイオードチップ）、５…
前方出射面、６…後方出射面、７…後方出射光、８…ホ
トダイオード、９…前方出射光、１０…反射光、１５…
キャップ、１６…傾斜面、１７…傾斜面、１８…窓、１
９…リード、２０…ガラス板、２１…接合材、２２…レ
ーザ光。
Claims (3)
- 【請求項１】 ステムと、前記ステムの主面に固定され
たヒートシンクと、前記ヒートシンクの先端側面に取り
付けられるレーザダイオードと、前記レーザダイオード
から発光された後方出射光を受光するように前記ステム
の傾斜面に固定されたホトダイオードと、前記レーザダ
イオードの前方出射光を透過させる窓を有しかつ前記ヒ
ートシンクやレーザダイオード等を被うように前記ステ
ムの主面に取り付けられたキャップと、を有する光電子
装置であって、前記窓から前方出射光以外の不要な出射
光が出ないように不要出力光防止手段が設けられている
ことを特徴とする光電子装置。 - 【請求項２】 前記不要出力光防止手段は前記ホトダイ
オード固定領域から外れたレーザダイオード直下の傾斜
面部分を傾斜面とは異なる角度の傾斜面とすることによ
って構成されていることを特徴とする請求項１記載の光
電子装置。 - 【請求項３】 前記不要出力光防止手段は階段状の傾斜
面によって構成されていることを特徴とする請求項２記
載の光電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21335095A JPH0964383A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 光電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21335095A JPH0964383A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 光電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964383A true JPH0964383A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16637714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21335095A Pending JPH0964383A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 光電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964383A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303975A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Opnext Japan Inc | モニタ用フォトダイオード付光モジュール。 |
| WO2004008548A1 (ja) * | 2002-07-11 | 2004-01-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体光源装置 |
| JP2004072072A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-03-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2006086285A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
-
1995
- 1995-08-22 JP JP21335095A patent/JPH0964383A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303975A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Opnext Japan Inc | モニタ用フォトダイオード付光モジュール。 |
| JP2004072072A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-03-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP4645008B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2011-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| WO2004008548A1 (ja) * | 2002-07-11 | 2004-01-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体光源装置 |
| JP2006086285A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
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