JP2003303975A - モニタ用フォトダイオード付光モジュール。 - Google Patents
モニタ用フォトダイオード付光モジュール。Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＬＤの光パワをモニタするＰＤを搭載する光モ
ジュールを、部品点数が少なく、はんだ等の接続回数や
ワイヤボンディング等の電気接続の回数も少なく、低い
製造コストで実現する。ＰＤ用のベースを用いず、ジャ
ンクションアップ型のＬＤにも適用可能なＰＤ光モジュ
ールを提供する。 【解決手段】ＬＤ11の後方光13の光軸中心14と垂直方向
に、オフセット23した位置に、ＰＤ20を受光面２１が光
軸中心とほぼ平行になるように搭載する。あるいは、後
方光の光軸中心に対して０〜３０°程度ＰＤの受光面が
傾くようにＰＤ20を搭載する。更に、ＬＤ側の側面を傾
けたＰＤを用いて、ＬＤ搭載基板との間で繰り返し反射
させたあと、受光面２１に入射させる。 【効果】ＰＤ用のベースを用いず、ジャンクションアッ
プ型のＬＤにも適用でき、低コストなＰＤ搭載ができ
る。
ジュールを、部品点数が少なく、はんだ等の接続回数や
ワイヤボンディング等の電気接続の回数も少なく、低い
製造コストで実現する。ＰＤ用のベースを用いず、ジャ
ンクションアップ型のＬＤにも適用可能なＰＤ光モジュ
ールを提供する。 【解決手段】ＬＤ11の後方光13の光軸中心14と垂直方向
に、オフセット23した位置に、ＰＤ20を受光面２１が光
軸中心とほぼ平行になるように搭載する。あるいは、後
方光の光軸中心に対して０〜３０°程度ＰＤの受光面が
傾くようにＰＤ20を搭載する。更に、ＬＤ側の側面を傾
けたＰＤを用いて、ＬＤ搭載基板との間で繰り返し反射
させたあと、受光面２１に入射させる。 【効果】ＰＤ用のベースを用いず、ジャンクションアッ
プ型のＬＤにも適用でき、低コストなＰＤ搭載ができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、モニタ用フォトダ
イオード付光モジュール、更に詳しく言えば、半導体レ
ーザとその半導体レーザの光パワをモニタするフォトダ
イオードを内蔵した光モジュールに関するものである。
イオード付光モジュール、更に詳しく言えば、半導体レ
ーザとその半導体レーザの光パワをモニタするフォトダ
イオードを内蔵した光モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバによる長距離通信で用いる光
モジュールは、主に半導体レーザ（以下、ＬＤと略称す
る場合有り）を光源としている。光モジュールの使用環
境の温度変化やLDの経年劣化の影響で、LDの光パワは変
化しやすいため、光モジュールには、フォトダイオード
（以下、ＰＤとも略称）を内蔵し、ＬＤの光パワをモニ
タする機能を有していることが多い。この場合、一般に
ＬＤの前方の光出力を光ファイバに光結合して光通信用
に用い、後方の光出力をＰＤで受光して、前方の光パワ
が一定になるように、ＬＤの駆動電流を制御する。
モジュールは、主に半導体レーザ（以下、ＬＤと略称す
る場合有り）を光源としている。光モジュールの使用環
境の温度変化やLDの経年劣化の影響で、LDの光パワは変
化しやすいため、光モジュールには、フォトダイオード
（以下、ＰＤとも略称）を内蔵し、ＬＤの光パワをモニ
タする機能を有していることが多い。この場合、一般に
ＬＤの前方の光出力を光ファイバに光結合して光通信用
に用い、後方の光出力をＰＤで受光して、前方の光パワ
が一定になるように、ＬＤの駆動電流を制御する。
【０００３】このようにＬＤの光パワをモニタするＰＤ
を内蔵した光モジュールにおいて、ＰＤの搭載方法がい
くつか提案されてきた。最も一般的で簡単な方法は、Ｐ
Ｄ用のベース（サブマウント、ヘッダ等の名称で呼ばれ
ることもある）に、ＰＤをはんだ等で固定した後、この
ＰＤ用のベースをＬＤの後方に、はんだ等で固定・搭載
する。この構造を記載した文献としては、公開特許公報
「半導体レーザ装置（特開平６−２８９２５８号公
報）」や「光モジュール（特開平９−２１９２９号公
報）」等がある。
を内蔵した光モジュールにおいて、ＰＤの搭載方法がい
くつか提案されてきた。最も一般的で簡単な方法は、Ｐ
Ｄ用のベース（サブマウント、ヘッダ等の名称で呼ばれ
ることもある）に、ＰＤをはんだ等で固定した後、この
ＰＤ用のベースをＬＤの後方に、はんだ等で固定・搭載
する。この構造を記載した文献としては、公開特許公報
「半導体レーザ装置（特開平６−２８９２５８号公
報）」や「光モジュール（特開平９−２１９２９号公
報）」等がある。
【０００４】また、前述のＰＤ用のベースを用いない方
法としては、ＬＤを搭載する基板に、エッチング等で溝
（チャネル）を形成し、ＬＤの後方光をこの溝に導光・
反射させ、ＬＤを搭載した基板面と同一面に、後方光の
光軸とほぼ垂直にＰＤの入射面を搭載し、前述の反射光
を受光する例がある。この構造を記載した文献として、
例えば、「高さの低い光学的サブアセンブリ（特開平９
−２２２５４０号公報）」がある。
法としては、ＬＤを搭載する基板に、エッチング等で溝
（チャネル）を形成し、ＬＤの後方光をこの溝に導光・
反射させ、ＬＤを搭載した基板面と同一面に、後方光の
光軸とほぼ垂直にＰＤの入射面を搭載し、前述の反射光
を受光する例がある。この構造を記載した文献として、
例えば、「高さの低い光学的サブアセンブリ（特開平９
−２２２５４０号公報）」がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＰＤ用のベースを使用
した場合、ＬＤの後方光の広がりに相対して、ＰＤに直
接入射するようにＰＤを搭載することが可能なため、後
方光の光パワを効率良く検出することができ、また、Ｐ
Ｄの搭載位置をある程度自由に決められる利点がある。
しかし、ＰＤ用のベースを使用するために、１ヶ部品点
数が多くなり、部品コストが増える。更に、はんだ等に
よる接続工程の回数や、ワイヤボンディング等の電気接
続の回数も１回多くなる。特に、はんだ接続の場合は、
先付けのはんだが再溶融しないように、はんだの温度階
層が必要であり、光モジュール全体で、はんだの温度階
層の設計自由度が低下する。
した場合、ＬＤの後方光の広がりに相対して、ＰＤに直
接入射するようにＰＤを搭載することが可能なため、後
方光の光パワを効率良く検出することができ、また、Ｐ
Ｄの搭載位置をある程度自由に決められる利点がある。
しかし、ＰＤ用のベースを使用するために、１ヶ部品点
数が多くなり、部品コストが増える。更に、はんだ等に
よる接続工程の回数や、ワイヤボンディング等の電気接
続の回数も１回多くなる。特に、はんだ接続の場合は、
先付けのはんだが再溶融しないように、はんだの温度階
層が必要であり、光モジュール全体で、はんだの温度階
層の設計自由度が低下する。
【０００６】また、ＰＤ用のベースを用いず、ＬＤ搭載
基板の溝中に後方光を導光・反射させて、ＰＤに入射す
る構造は、ジャンクションダウン型のＬＤ（光の出射点
がＬＤ搭載基板のはんだ接続面の近い側にあるＬＤ）
で、ＬＤの発光点から導光用の溝までの距離が小さい場
合には適している。しかし、ジャンクションアップ型の
ＬＤ（光の出射点がＬＤ搭載基板のはんだ接続面と反対
側の面の近い側にあるＬＤ）では、ＬＤの発光点から、
導光用の溝までの距離が大きく、モニタに導光できる光
量が小さくなるため、ＬＤの光パワをモニタするにはＰ
Ｄへの受光量が不足する場合がある。
基板の溝中に後方光を導光・反射させて、ＰＤに入射す
る構造は、ジャンクションダウン型のＬＤ（光の出射点
がＬＤ搭載基板のはんだ接続面の近い側にあるＬＤ）
で、ＬＤの発光点から導光用の溝までの距離が小さい場
合には適している。しかし、ジャンクションアップ型の
ＬＤ（光の出射点がＬＤ搭載基板のはんだ接続面と反対
側の面の近い側にあるＬＤ）では、ＬＤの発光点から、
導光用の溝までの距離が大きく、モニタに導光できる光
量が小さくなるため、ＬＤの光パワをモニタするにはＰ
Ｄへの受光量が不足する場合がある。
【０００７】本発明の主な目的は、光モジュールを構成
する部品点数が少なく、かつ、ＰＤ用のベースを用い
ず、ＬＤの発光点から、モニタ用ＰＤに導光できる光量
を多くすることができるモニタ用フォトダイオード付光
モジュールを提供することである。本発明の他の目的
は、前記主な目的を達成するとともに、ジャンクション
アップ型のＬＤにも適用可能なモニタ用フォトダイオー
ド付光モジュールを提供することである。
する部品点数が少なく、かつ、ＰＤ用のベースを用い
ず、ＬＤの発光点から、モニタ用ＰＤに導光できる光量
を多くすることができるモニタ用フォトダイオード付光
モジュールを提供することである。本発明の他の目的
は、前記主な目的を達成するとともに、ジャンクション
アップ型のＬＤにも適用可能なモニタ用フォトダイオー
ド付光モジュールを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体レーザと前記半導体レーザから出
射された出射光の光パワをモニタするフォトダイオード
を内蔵した光モジュールにおいて、前記フォトダイオー
ドを半導体レーザが搭載される基板に直接固定するとと
もに、前記フォトダイオードの受光面を前記半導体レー
ザの後方光の光軸中心と一定の角度(0ないし60度)とな
るように構成する。 ここで、半導体レーザが搭載される基板とは、半導体レ
ーザ素子が直接基板表面に固着される場合と、基板表面
にサブマウントを介して固着される場合とを含む。前記
フォトダイオード及び前記半導体レーザの前記基板への
固定はジャンクションアップ、ジャンクションダウンの
いずれでもよい。また、直接固定とははんだ付けされる
場合を含む。
に、本発明は、半導体レーザと前記半導体レーザから出
射された出射光の光パワをモニタするフォトダイオード
を内蔵した光モジュールにおいて、前記フォトダイオー
ドを半導体レーザが搭載される基板に直接固定するとと
もに、前記フォトダイオードの受光面を前記半導体レー
ザの後方光の光軸中心と一定の角度(0ないし60度)とな
るように構成する。 ここで、半導体レーザが搭載される基板とは、半導体レ
ーザ素子が直接基板表面に固着される場合と、基板表面
にサブマウントを介して固着される場合とを含む。前記
フォトダイオード及び前記半導体レーザの前記基板への
固定はジャンクションアップ、ジャンクションダウンの
いずれでもよい。また、直接固定とははんだ付けされる
場合を含む。
【０００９】前記一定の角度を設ける好ましい実施形態
では、前記フォトダイオードの受光面が前記半導体レー
ザの後方光の光軸中心とほぼ並行で、前記後方光の光軸
中心と所定のオフセットをもつ位置になるように、前記
フォトダイオードが基板に直接固定されるもの（後方光
を直接受光面に入射させるものと、フォトダイオードの
側面、基板平面及び基板に形成された溝の面の反射を利
用して受光面に入射させるものがある）、また、前記基
板に溝を形成し、溝内面への前記フォトダイオードの直
接固定に使うはんだの厚さ制御するもの、溝を構成する
傾斜面を利用するもの、フォトダイオード素子の厚さに
傾斜を付けるものがある。
では、前記フォトダイオードの受光面が前記半導体レー
ザの後方光の光軸中心とほぼ並行で、前記後方光の光軸
中心と所定のオフセットをもつ位置になるように、前記
フォトダイオードが基板に直接固定されるもの（後方光
を直接受光面に入射させるものと、フォトダイオードの
側面、基板平面及び基板に形成された溝の面の反射を利
用して受光面に入射させるものがある）、また、前記基
板に溝を形成し、溝内面への前記フォトダイオードの直
接固定に使うはんだの厚さ制御するもの、溝を構成する
傾斜面を利用するもの、フォトダイオード素子の厚さに
傾斜を付けるものがある。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明による光モ
ジュールの一実施形態の主要部の構成を示す断面図であ
る。本実施例は、半導体レーザと前記半導体レーザから
の出射光の光パワをモニタするフォトダイオードとを内
蔵した光モジュールにおいて、前記フォトダイオードの
受光面が前記半導体レーザの後方光の光軸中心とほぼ並
行で、前記後方光の光軸中心と所定のオフセットをもつ
位置になるように、前記フォトダイオードが基板に直接
固定される。ベースとなるＳｉ基板１０上に半導体レー
ザ１１が固定され、Ｓｉ基板１０の前方（図面右側）に
異方性エッチングで形成された溝１６に、前方レンズ１
５が、はんだや接着剤等で固定される。更に、Ｓｉ基板
１０の後方（図面左側）の異方性エッチングで形成され
た溝１７に、フォトダイオード２０が、はんだ２２で直
接固定される。フォトダイオード２０の溝１７上へのフ
ォトダイオード２０の固定は、半導体レーザ１１の後方
光の光軸中心１４と垂直方向にオフセット２３した位置
に、フォトダイオード２０の受光面２１が光軸中心１４
とほぼ平行になるようにフォトダイオードが搭載（固
定）される。
施の形態について説明する。図１は、本発明による光モ
ジュールの一実施形態の主要部の構成を示す断面図であ
る。本実施例は、半導体レーザと前記半導体レーザから
の出射光の光パワをモニタするフォトダイオードとを内
蔵した光モジュールにおいて、前記フォトダイオードの
受光面が前記半導体レーザの後方光の光軸中心とほぼ並
行で、前記後方光の光軸中心と所定のオフセットをもつ
位置になるように、前記フォトダイオードが基板に直接
固定される。ベースとなるＳｉ基板１０上に半導体レー
ザ１１が固定され、Ｓｉ基板１０の前方（図面右側）に
異方性エッチングで形成された溝１６に、前方レンズ１
５が、はんだや接着剤等で固定される。更に、Ｓｉ基板
１０の後方（図面左側）の異方性エッチングで形成され
た溝１７に、フォトダイオード２０が、はんだ２２で直
接固定される。フォトダイオード２０の溝１７上へのフ
ォトダイオード２０の固定は、半導体レーザ１１の後方
光の光軸中心１４と垂直方向にオフセット２３した位置
に、フォトダイオード２０の受光面２１が光軸中心１４
とほぼ平行になるようにフォトダイオードが搭載（固
定）される。
【００１１】前記構造において、ＬＤ１１から出射され
た前方光１２は前方レンズ１５でビームの変換が行わ
れ、最終的には光ファイバ（図示無し）に入射され伝送
される。光１２の光量を安定化するために、ＬＤ１１の
後方に出射された光１３をＰＤ２０の受光面２１で受光
し、光量をモニタする。ここで、一般にＬＤ１１の後方
光１３の垂直方向（図１のＹ方向）の広がり角は、半値
全幅で３０〜５０°程度ある。このため、ＰＤ２０の受
光面２１を後方光の光軸１４とほぼ並行となるようにＰ
Ｄ２０を搭載しても、光軸１４に対してオフセット２３
をわずかに与えると、前方の光量を制御するために必要
なレベルの光量がＰＤ２０で検出できる。
た前方光１２は前方レンズ１５でビームの変換が行わ
れ、最終的には光ファイバ（図示無し）に入射され伝送
される。光１２の光量を安定化するために、ＬＤ１１の
後方に出射された光１３をＰＤ２０の受光面２１で受光
し、光量をモニタする。ここで、一般にＬＤ１１の後方
光１３の垂直方向（図１のＹ方向）の広がり角は、半値
全幅で３０〜５０°程度ある。このため、ＰＤ２０の受
光面２１を後方光の光軸１４とほぼ並行となるようにＰ
Ｄ２０を搭載しても、光軸１４に対してオフセット２３
をわずかに与えると、前方の光量を制御するために必要
なレベルの光量がＰＤ２０で検出できる。
【００１２】例えば、ＬＤ１１の後方光１３の半値全幅
が４０°前後で、オフセット２３を５０〜１００ミクロ
ン程度に設定し、直径３００ミクロンの受光面２１を有
するＰＤ２０で実測した場合、後方光１３の光量全体の
１０〜１５％以上（光結合効率としては、−１０〜−８
ｄB以上）が受光可能であり、実用上問題無いレベルで
あることを確認している。
が４０°前後で、オフセット２３を５０〜１００ミクロ
ン程度に設定し、直径３００ミクロンの受光面２１を有
するＰＤ２０で実測した場合、後方光１３の光量全体の
１０〜１５％以上（光結合効率としては、−１０〜−８
ｄB以上）が受光可能であり、実用上問題無いレベルで
あることを確認している。
【００１３】なお、前記実施形態で、Ｓｉ基板１０上の
溝１６，１７は、異方性エッチングで形成された例を示
したが、ダイシング等で同様の溝を形成してもよい。ま
た、前記実施例ではベースとしてＳｉ基板を用いたが、
セラミック基盤等を用いてもよく、この場合は異方性エ
ッチングできないため、ダイシング等で同様の溝を形成
する。
溝１６，１７は、異方性エッチングで形成された例を示
したが、ダイシング等で同様の溝を形成してもよい。ま
た、前記実施例ではベースとしてＳｉ基板を用いたが、
セラミック基盤等を用いてもよく、この場合は異方性エ
ッチングできないため、ダイシング等で同様の溝を形成
する。
【００１４】図２は、本発明による光モジュールの第２
の実施形態の主要部の構成を示す断面図である。同図に
おいて、図１の構成部分と実質的に同じ部分は、図１の対
応する部分と同じ番号で表示されている（他の実施形態
においても同様である）。 本実施形態の光モジュールは、基板１０aの平面上に半
導体レーザ１１がＬＤ用サブマウント３３介して固定さ
れ、また、フォトダイオード２０が、はんだ２２でＳｉ基
板１０aの平面上に直接固定される。光軸付近に穴の開
いた垂直な基板１０ｂが右前方にろう付け等で基板１０
aに接合されている。さらに、金属ホルダ３１ｂと同時に
モールド成形されたレンズ３１ａが、ＬＤ１１の前方光
１２に対してＸＹ軸方向に調芯して、ＹＡＧレーザスポ
ット３２で溶接固定される。基板１０ａは放熱性の良い
ＣｕＷ等で、基板１０ｂはＦｅＮｉの５０アロイ等のレ
ーザ溶接の容易な材質を選ぶことができる。ＬＤ１１
は、ＬＤ用サブマウント３３上にはんだ付けされる。光
学系の、前方光１２、後方光１３、光軸中心１４、受光
面２１、オフセット２３の位置関係は第１の実施形態と
同様である。 図3は、本発明による光モジュールの第3の実施形態の主
要部の構成を示す断面図である。本実施形態は、フォト
ダイオード２０a の受光面２１がレンズ光軸中心１４に
対して、一定角度θｘだけ傾斜した点を除いては、図１
に示した光モジュールと同様の構成である。 Ｓｉ基板１０上にＬＤ１１と、ＬＤ１１の前方の溝１６
にレンズ１５が固定される。ここでは、Ｓｉ基板１０の
後方に異方性エッチングで形成された溝１７に、ＰＤ２
０ａは、光軸方向（図１のＺ方向）に分割された、はん
だ４３、４４により、角度θｘだけ傾斜して固定され
る。これは、後方光の光軸１４に対して、ＰＤ２０ａの
受光面２１を垂直から角度θｘだけ傾斜搭載して、ＬＤ
１１の後方光１３の全体光量に対するＰＤ２０ａでの受
光量の効率を改善するためである。本実施形態の実施例
による実測では、θｘ＝０°に対して、θｘ＝１０°で
効率は２倍前後、θｘ＝２０°で効率は４倍前後、θｘ
＝３０°で効率は６倍前後改善され、わずかにθｘだけ
傾斜する意義は大きい。
の実施形態の主要部の構成を示す断面図である。同図に
おいて、図１の構成部分と実質的に同じ部分は、図１の対
応する部分と同じ番号で表示されている（他の実施形態
においても同様である）。 本実施形態の光モジュールは、基板１０aの平面上に半
導体レーザ１１がＬＤ用サブマウント３３介して固定さ
れ、また、フォトダイオード２０が、はんだ２２でＳｉ基
板１０aの平面上に直接固定される。光軸付近に穴の開
いた垂直な基板１０ｂが右前方にろう付け等で基板１０
aに接合されている。さらに、金属ホルダ３１ｂと同時に
モールド成形されたレンズ３１ａが、ＬＤ１１の前方光
１２に対してＸＹ軸方向に調芯して、ＹＡＧレーザスポ
ット３２で溶接固定される。基板１０ａは放熱性の良い
ＣｕＷ等で、基板１０ｂはＦｅＮｉの５０アロイ等のレ
ーザ溶接の容易な材質を選ぶことができる。ＬＤ１１
は、ＬＤ用サブマウント３３上にはんだ付けされる。光
学系の、前方光１２、後方光１３、光軸中心１４、受光
面２１、オフセット２３の位置関係は第１の実施形態と
同様である。 図3は、本発明による光モジュールの第3の実施形態の主
要部の構成を示す断面図である。本実施形態は、フォト
ダイオード２０a の受光面２１がレンズ光軸中心１４に
対して、一定角度θｘだけ傾斜した点を除いては、図１
に示した光モジュールと同様の構成である。 Ｓｉ基板１０上にＬＤ１１と、ＬＤ１１の前方の溝１６
にレンズ１５が固定される。ここでは、Ｓｉ基板１０の
後方に異方性エッチングで形成された溝１７に、ＰＤ２
０ａは、光軸方向（図１のＺ方向）に分割された、はん
だ４３、４４により、角度θｘだけ傾斜して固定され
る。これは、後方光の光軸１４に対して、ＰＤ２０ａの
受光面２１を垂直から角度θｘだけ傾斜搭載して、ＬＤ
１１の後方光１３の全体光量に対するＰＤ２０ａでの受
光量の効率を改善するためである。本実施形態の実施例
による実測では、θｘ＝０°に対して、θｘ＝１０°で
効率は２倍前後、θｘ＝２０°で効率は４倍前後、θｘ
＝３０°で効率は６倍前後改善され、わずかにθｘだけ
傾斜する意義は大きい。
【００１５】ここで、θｘの角度の最適範囲について、
図９、図１０を用いて説明する。
図９、図１０を用いて説明する。
【００１６】図９は、光モジュールの主要部品の配置関
係を示す断面図であり、図１０にＰＤの傾き角度θｘと
光結合効率の関係を示す。ＬＤ１１の後方光１３とＰＤ
２０との光結合効率は、ＬＤ１１の後方光１３の広がり
角θbeamと、ＬＤ１１とＰＤ２０の受光面２１の中心間
距離Ｌと、受光面の面積Ｓとの配置関係で主に決まる。
係を示す断面図であり、図１０にＰＤの傾き角度θｘと
光結合効率の関係を示す。ＬＤ１１の後方光１３とＰＤ
２０との光結合効率は、ＬＤ１１の後方光１３の広がり
角θbeamと、ＬＤ１１とＰＤ２０の受光面２１の中心間
距離Ｌと、受光面の面積Ｓとの配置関係で主に決まる。
【００１７】ところで、モニタＰＤの光結合効率とし
て、最低限どの程度必要かを概算する。一般に光通信用
のＬＤの前方出力は１〜１０ｍＷ程度で、後方出力はそ
の１／１０〜１／５程度で、０．１〜２ｍＷ、特に０．
２〜０．５ｍＷ程度が多い。モニタ用のＰＤの受光量
は、０．０５ｍＷ程度以上あれば問題にならない場合が
多い。従って、ＬＤの後方光とモニタＰＤとの光結合効
率は、０．０５／０．５〜０．０５／０．２、つまり、
−１０〜−６ｄＢ程度となり、−５ｄＢ以内であれば、
実用上問題無いと考えられる。
て、最低限どの程度必要かを概算する。一般に光通信用
のＬＤの前方出力は１〜１０ｍＷ程度で、後方出力はそ
の１／１０〜１／５程度で、０．１〜２ｍＷ、特に０．
２〜０．５ｍＷ程度が多い。モニタ用のＰＤの受光量
は、０．０５ｍＷ程度以上あれば問題にならない場合が
多い。従って、ＬＤの後方光とモニタＰＤとの光結合効
率は、０．０５／０．５〜０．０５／０．２、つまり、
−１０〜−６ｄＢ程度となり、−５ｄＢ以内であれば、
実用上問題無いと考えられる。
【００１８】実際に使用するＬＤとＰＤを決定すると、
後方光１３の広がり角θbeamの範囲内に受光面２１が含
まれる配置のＬを設定すると、θｘが９０度付近ではほ
ぼ１００％、つまり０ｄＢの光結合効率になる。但し、
コストの関係から受光面積Ｓの小さいＰＤを使用した
り、実装の容易さの点からＬＤとＰＤの中心間距離Ｌを
大きめにしたりして、θｘが９０度付近で、５０％程
度、つまり−３ｄＢ程度の光結合効率になるように設定
することも多い。
後方光１３の広がり角θbeamの範囲内に受光面２１が含
まれる配置のＬを設定すると、θｘが９０度付近ではほ
ぼ１００％、つまり０ｄＢの光結合効率になる。但し、
コストの関係から受光面積Ｓの小さいＰＤを使用した
り、実装の容易さの点からＬＤとＰＤの中心間距離Ｌを
大きめにしたりして、θｘが９０度付近で、５０％程
度、つまり−３ｄＢ程度の光結合効率になるように設定
することも多い。
【００１９】図１０において、θｘが９０度付近で０ｄ
Ｂ程度と結合効率大となり、光軸１４に対するオフセッ
トの無い場合を太い実線１０１で、オフセットを最適化
して結合効率を効率改善分１０３のように改善した場合
を細い実線１０２で示す。オフセットを最適化した場合
は、ＰＤの傾き角度θｘを１０度以上くらいに、オフセ
ット無しの場合でも、θｘを２０度以上くらいに設定す
ると、−５ｄＢ以内となることがわかる。
Ｂ程度と結合効率大となり、光軸１４に対するオフセッ
トの無い場合を太い実線１０１で、オフセットを最適化
して結合効率を効率改善分１０３のように改善した場合
を細い実線１０２で示す。オフセットを最適化した場合
は、ＰＤの傾き角度θｘを１０度以上くらいに、オフセ
ット無しの場合でも、θｘを２０度以上くらいに設定す
ると、−５ｄＢ以内となることがわかる。
【００２０】また、前述のように、受光面積Ｓの小さい
ＰＤを使用したりした場合には、θｘが９０度付近で−
３ｄＢ程度と結合効率小となり、光軸１４に対するオフ
セットの無い場合を太い点線１１１で、オフセットを最
適化して結合効率を効率改善分１１３のように改善した
場合を細い点線１１２で示す。オフセットを最適化した
場合は、ＰＤの傾き角度θｘを３０度以上くらいに設定
すると、−５ｄＢ以内となることがわかる。
ＰＤを使用したりした場合には、θｘが９０度付近で−
３ｄＢ程度と結合効率小となり、光軸１４に対するオフ
セットの無い場合を太い点線１１１で、オフセットを最
適化して結合効率を効率改善分１１３のように改善した
場合を細い点線１１２で示す。オフセットを最適化した
場合は、ＰＤの傾き角度θｘを３０度以上くらいに設定
すると、−５ｄＢ以内となることがわかる。
【００２１】一般に、基板に対する実装上、ＰＤの傾き
角度θｘは０度付近にするのが望ましいが、必要なモニ
タＰＤの結合効率に応じて、θｘを０〜３０度程度の範
囲で傾け、オフセットを最適化することが望ましいと、
以上より言える。
角度θｘは０度付近にするのが望ましいが、必要なモニ
タＰＤの結合効率に応じて、θｘを０〜３０度程度の範
囲で傾け、オフセットを最適化することが望ましいと、
以上より言える。
【００２２】はんだ４３、４４により、角度θｘだけ傾
斜搭載する方法を説明する。Ｓｉ基板１０の後方（図面
左側）に形成された溝１７のＬＤ１１側の、はんだ接続
用メタライズ４１の面積は大きく、ＬＤ１１と反対側
の、はんだ接続用メタライズ４２の面積は小さくしてお
き、それぞれのメタライズ上及びその周辺に、同量のは
んだを蒸着やパンチング等で供給しておく。一方、ＰＤ
２０ａ側のはんだ接続用メタライズ５１の面積をメタラ
イズ４２の面積と同じように大きく、メタライズ５２の
面積をメタライズ４２の面積と同じように小さく形成し
ておく。
斜搭載する方法を説明する。Ｓｉ基板１０の後方（図面
左側）に形成された溝１７のＬＤ１１側の、はんだ接続
用メタライズ４１の面積は大きく、ＬＤ１１と反対側
の、はんだ接続用メタライズ４２の面積は小さくしてお
き、それぞれのメタライズ上及びその周辺に、同量のは
んだを蒸着やパンチング等で供給しておく。一方、ＰＤ
２０ａ側のはんだ接続用メタライズ５１の面積をメタラ
イズ４２の面積と同じように大きく、メタライズ５２の
面積をメタライズ４２の面積と同じように小さく形成し
ておく。
【００２３】次に、はんだの位置にメタライズ５１対応
させてＰＤ２０ａを搭載し、ＰＤ２０ａを拘束無しで、
はんだを溶融させる。メタライズの面積が小さい方のは
んだ４４は、はんだの高さが高くなり、はんだ４３は、
はんだの高さが低くなるため、この状態で凝固させ、角
度θｘの傾斜を形成する。ちなみに、はんだ４４と４３
との間の距離４５が４００ミクロンの場合、はんだ間高
低差４６は７０ミクロンで、傾斜角度θｘ＝１０°とな
るので、容易に実現できる。
させてＰＤ２０ａを搭載し、ＰＤ２０ａを拘束無しで、
はんだを溶融させる。メタライズの面積が小さい方のは
んだ４４は、はんだの高さが高くなり、はんだ４３は、
はんだの高さが低くなるため、この状態で凝固させ、角
度θｘの傾斜を形成する。ちなみに、はんだ４４と４３
との間の距離４５が４００ミクロンの場合、はんだ間高
低差４６は７０ミクロンで、傾斜角度θｘ＝１０°とな
るので、容易に実現できる。
【００２４】図４は、本発明による光モジュールの第４
の実施形態の主要部の構成を示す断面図である。本実施
例は、ＰＤ２０の受光面２１がLD１１の光軸１４に対し
角度θｘだけ傾斜してる。ＰＤ２０のはんだ付け部以外
の構成は、図３に示した実施形態と同様である。Ｓｉ基
板１０の後方に形成された溝１７に、はんだを供給し、
その上にθｘだけ傾斜して拘束した状態でＰＤ２０を搭
載し、はんだ４７を溶融・凝固させ、光軸１４に対し角
度θｘの傾斜を形成する。
の実施形態の主要部の構成を示す断面図である。本実施
例は、ＰＤ２０の受光面２１がLD１１の光軸１４に対し
角度θｘだけ傾斜してる。ＰＤ２０のはんだ付け部以外
の構成は、図３に示した実施形態と同様である。Ｓｉ基
板１０の後方に形成された溝１７に、はんだを供給し、
その上にθｘだけ傾斜して拘束した状態でＰＤ２０を搭
載し、はんだ４７を溶融・凝固させ、光軸１４に対し角
度θｘの傾斜を形成する。
【００２５】図５は、本発明による光モジュールの第５
の実施形態の主要部の構成を示す断面図である。本実施
例は、ＰＤ２０ｂの受光面２１がLD１１の光軸１４に対
し角度θｘだけ傾斜している。ＰＤ２０ｂのはんだ付け
部以外の構成は、図３に示した実施形態と同様である。
の実施形態の主要部の構成を示す断面図である。本実施
例は、ＰＤ２０ｂの受光面２１がLD１１の光軸１４に対
し角度θｘだけ傾斜している。ＰＤ２０ｂのはんだ付け
部以外の構成は、図３に示した実施形態と同様である。
【００２６】本実施形態では、ＰＤ２０ｂは、受光面２
１がLDの光軸に対し角度θｘだけだけ傾斜させるため、
ＰＤ２０ｂのはんだ接続面２４を、あらかじめ斜めにカ
ットした断面形状にする。すなわち、ＰＤ２０ｂの厚み
LD１１側を薄く、その反対側を厚くする。Ｓｉ基板１０
の後方に形成された溝１７に、はんだを供給し、その上
にＰＤ２０ｂを搭載し、はんだ４８を溶融・凝固させ、
受光面２１の傾斜角度θｘを形成する。
１がLDの光軸に対し角度θｘだけだけ傾斜させるため、
ＰＤ２０ｂのはんだ接続面２４を、あらかじめ斜めにカ
ットした断面形状にする。すなわち、ＰＤ２０ｂの厚み
LD１１側を薄く、その反対側を厚くする。Ｓｉ基板１０
の後方に形成された溝１７に、はんだを供給し、その上
にＰＤ２０ｂを搭載し、はんだ４８を溶融・凝固させ、
受光面２１の傾斜角度θｘを形成する。
【００２７】図６は、本発明による光モジュールの第６
の実施形態の主要部の構成を示す断面図である。本実施
例は、ＰＤ２１の受光面２１がLDの光軸に対し傾斜角度
θｘだけ傾斜している。ＰＤ２１のはんだ付け部以外の
構成は、図３に示した実施形態と同様である。ＰＤ２０
の受光面２１が角度θｘだけ傾斜するように、ＬＤ１１
の後方（図面左側）のＳｉ基板１０に異方性エッチング
で形成された溝１７の斜面に、ＰＤ２０を搭載し、はん
だ４９を溶融・凝固させ、受光面２１の傾斜θｘを形成
する。異方性エッチングで形成された溝１７の斜面の傾
斜角は、一般に約５４°のため、傾斜θｘもほぼ５４°
になり、ＬＤ１１の後方光１３の全体光量に対するＰＤ
２０での受光量の効率は改善する。但し、前述のよう
に、ＰＤ２０の搭載方向が斜めＹＺ方向８１のため、搭
載方法と、ＬＤ１１とＰＤ２０との間隔に工夫が必要で
ある。また、本実施形態は、Ｓｉ基板１０の異方性エッ
チングで溝１７が形成された例を示したが、ダイシング
等で同様の溝を形成してもよい。
の実施形態の主要部の構成を示す断面図である。本実施
例は、ＰＤ２１の受光面２１がLDの光軸に対し傾斜角度
θｘだけ傾斜している。ＰＤ２１のはんだ付け部以外の
構成は、図３に示した実施形態と同様である。ＰＤ２０
の受光面２１が角度θｘだけ傾斜するように、ＬＤ１１
の後方（図面左側）のＳｉ基板１０に異方性エッチング
で形成された溝１７の斜面に、ＰＤ２０を搭載し、はん
だ４９を溶融・凝固させ、受光面２１の傾斜θｘを形成
する。異方性エッチングで形成された溝１７の斜面の傾
斜角は、一般に約５４°のため、傾斜θｘもほぼ５４°
になり、ＬＤ１１の後方光１３の全体光量に対するＰＤ
２０での受光量の効率は改善する。但し、前述のよう
に、ＰＤ２０の搭載方向が斜めＹＺ方向８１のため、搭
載方法と、ＬＤ１１とＰＤ２０との間隔に工夫が必要で
ある。また、本実施形態は、Ｓｉ基板１０の異方性エッ
チングで溝１７が形成された例を示したが、ダイシング
等で同様の溝を形成してもよい。
【００２８】図７は、本発明による光モジュールの第７
の実施形態の主要部の構成を示す断面図である。本実施
例は、ＰＤの構成面、ベース基板に形成された溝の面に
反射を利用して、ＬＤの後方光をＰＤの受光面に導光す
るものである。 本実施形態は、ジャンクションアップ型のＬＤ（光の出
射点がＬＤ搭載基板のはんだ接続面と反対側の面の近い
側にあるＬＤ）１１が固着された基板１０のＬＤ側に溝
１７が形成されている。Y軸(紙面上方向)に対し角度α
度傾斜した側面２５をもつＰＤ２０ｃは側面２５がＬＤ
１１の発光面の対向するように、そして、受光面２１が溝
１７に向かうようにＰＤ２０ｃの一部が搭載基板１０に
はんだ５０で接続固定される。ＬＤ１１からの後方光１
３の中心ビームは、ＰＤ２０ｃの傾斜側面２５と、溝１
７の面で、反射ビーム６１のように繰り返し反射され
て、ＰＤ２０ｃの受光面２１に入射される。本構成によ
り、ジャンクションアップ型、ジャンクションダウン型
の両方のＬＤによる光モジュールに適用できる。特に、
ジャンクションアップ型のＬＤを構成する場合、ＬＤの
発光点から、導光用の溝までの距離が従来知られている
光モジュールに比べ、短くでき、ＬＤの光パワをモニタ
するＰＤへの受光量不足を解消できる。 図８は、本発明による光モジュールの第８の実施形態の
主要部の構成を示す断面図である。本実施例は、ＬＤの
後方光をＰＤの構成面、ベース基板の面に反射を利用し
て、ＰＤの受光面に導光する他の実施形態で、図7のも
のに比べ、ＬＤ搭載基板に反射面を作る溝が不要であ
る。
の実施形態の主要部の構成を示す断面図である。本実施
例は、ＰＤの構成面、ベース基板に形成された溝の面に
反射を利用して、ＬＤの後方光をＰＤの受光面に導光す
るものである。 本実施形態は、ジャンクションアップ型のＬＤ（光の出
射点がＬＤ搭載基板のはんだ接続面と反対側の面の近い
側にあるＬＤ）１１が固着された基板１０のＬＤ側に溝
１７が形成されている。Y軸(紙面上方向)に対し角度α
度傾斜した側面２５をもつＰＤ２０ｃは側面２５がＬＤ
１１の発光面の対向するように、そして、受光面２１が溝
１７に向かうようにＰＤ２０ｃの一部が搭載基板１０に
はんだ５０で接続固定される。ＬＤ１１からの後方光１
３の中心ビームは、ＰＤ２０ｃの傾斜側面２５と、溝１
７の面で、反射ビーム６１のように繰り返し反射され
て、ＰＤ２０ｃの受光面２１に入射される。本構成によ
り、ジャンクションアップ型、ジャンクションダウン型
の両方のＬＤによる光モジュールに適用できる。特に、
ジャンクションアップ型のＬＤを構成する場合、ＬＤの
発光点から、導光用の溝までの距離が従来知られている
光モジュールに比べ、短くでき、ＬＤの光パワをモニタ
するＰＤへの受光量不足を解消できる。 図８は、本発明による光モジュールの第８の実施形態の
主要部の構成を示す断面図である。本実施例は、ＬＤの
後方光をＰＤの構成面、ベース基板の面に反射を利用し
て、ＰＤの受光面に導光する他の実施形態で、図7のも
のに比べ、ＬＤ搭載基板に反射面を作る溝が不要であ
る。
【００２９】ＰＤ２０ｄのＬＤ側の側面は、予め傾斜側
面２６のように端面の少なくとも一部を角度β度だけ傾
けて研磨形成され、ＰＤ２０ｄをはんだ７１、７２、７
３、７４の４点で個別に接続固定されている（はんだ７
３、７４は、はんだ７１、７２の紙面奥側のため、図示
無し）。はんだ７１、７２、７３、７４は、ＰＤ２０ｄ
の受光面２１を、基板表面９１から、ＬＤ１１の発光点
よりも低い隙間で、数１０から１００ミクロン程度の隙
間があくように、はんだの量を調整して接続される。Ｌ
Ｄ１１からの後方光１３の中心ビームは、ＰＤ２０ｄの
傾斜側面２６と、基板表面９１で、反射ビーム６２のよ
うに繰り返し反射されて、ＰＤ２０ｄの受光面２１に入
射される。本構成により、ＬＤ搭載基板に後方光を導光
・反射させる溝が不要となり、製造工程を少なくする利
点をもつ。
面２６のように端面の少なくとも一部を角度β度だけ傾
けて研磨形成され、ＰＤ２０ｄをはんだ７１、７２、７
３、７４の４点で個別に接続固定されている（はんだ７
３、７４は、はんだ７１、７２の紙面奥側のため、図示
無し）。はんだ７１、７２、７３、７４は、ＰＤ２０ｄ
の受光面２１を、基板表面９１から、ＬＤ１１の発光点
よりも低い隙間で、数１０から１００ミクロン程度の隙
間があくように、はんだの量を調整して接続される。Ｌ
Ｄ１１からの後方光１３の中心ビームは、ＰＤ２０ｄの
傾斜側面２６と、基板表面９１で、反射ビーム６２のよ
うに繰り返し反射されて、ＰＤ２０ｄの受光面２１に入
射される。本構成により、ＬＤ搭載基板に後方光を導光
・反射させる溝が不要となり、製造工程を少なくする利
点をもつ。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、ＬＤの光パワをモニタ
するＰＤを搭載する方法において、ＰＤ用のベースを使
用する必要が無いために、部品点数を１点削減すること
が可能となり、部品コストを下げることが可能になる。
更に、はんだ等による接続回数や、ワイヤボンディング
等の電気接続の回数も１回少なくなる利点もある。特
に、はんだ接続の場合は、ＰＤに関するはんだの接続が
１回減るため、光モジュール全体で、はんだの温度階層
の設計自由度を広げる効果もある。また、ＰＤ用のベー
スを用いず、ＬＤ搭載基板の溝中に後方光を導光・反射
させて、ＰＤに入射する構造でも、ＬＤの発光点から導
光用の溝までの距離が小さいジャンクションダウン型の
ＬＤはもちろん、ＬＤの発光点から導光用の溝までの距
離が大きいジャンクションアップ型のＬＤでも、導光で
きる光量が十分に確保できる効果もある。以上により、
ＰＤ用のベースを用いず、ジャンクションアップ型のＬ
Ｄにも適用可能で低コストなＰＤ搭載方法を実現した光
モジュールを提供することができる。
するＰＤを搭載する方法において、ＰＤ用のベースを使
用する必要が無いために、部品点数を１点削減すること
が可能となり、部品コストを下げることが可能になる。
更に、はんだ等による接続回数や、ワイヤボンディング
等の電気接続の回数も１回少なくなる利点もある。特
に、はんだ接続の場合は、ＰＤに関するはんだの接続が
１回減るため、光モジュール全体で、はんだの温度階層
の設計自由度を広げる効果もある。また、ＰＤ用のベー
スを用いず、ＬＤ搭載基板の溝中に後方光を導光・反射
させて、ＰＤに入射する構造でも、ＬＤの発光点から導
光用の溝までの距離が小さいジャンクションダウン型の
ＬＤはもちろん、ＬＤの発光点から導光用の溝までの距
離が大きいジャンクションアップ型のＬＤでも、導光で
きる光量が十分に確保できる効果もある。以上により、
ＰＤ用のベースを用いず、ジャンクションアップ型のＬ
Ｄにも適用可能で低コストなＰＤ搭載方法を実現した光
モジュールを提供することができる。
【図１】本発明による光モジュールの一実施形態の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明による光モジュールの第2の実施形態の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図３】本発明による光モジュールの第３の実施形態の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図４】本発明による光モジュールの第４の実施形態の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図５】本発明による光モジュールの第５の実施形態の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図６】本発明による光モジュールの第６の実施形態の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図７】本発明による光モジュールの第７の実施形態の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図８】本発明による光モジュールの第８の実施形態の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図９】本発明の光モジュールの部品の配置関係を説明
する断面図である。
する断面図である。
【図１０】本発明の光結合効率を説明する図である。
１０…Ｓｉ基板、１０ａ…基板、１０ｂ…基板、１１…
半導体レーザ、１２…前方光、１３…後方光、１４…光
軸、１５…前方レンズ、１６…溝、１７…溝、２０…フ
ォトダイオード、２０ａ…フォトダイオード、２０ｂ…
フォトダイオード、２０ｃ…フォトダイオード、２０ｄ
…フォトダイオード、２１…受光面、２２…はんだ、２
３…オフセット、２４…はんだ接続面、２５…傾斜側
面、２６…傾斜側面、３１ａ…レンズ、３１ｂ…金属ホ
ルダ、３２…ＹＡＧレーザスポット、３３…ＬＤ用サブ
マウント ４１…はんだ接続用メタライズ、４２…はんだ接続用メ
タライズ、４３…はんだ、４４…はんだ、４５…はんだ
間距離、４６…はんだ間高低差、４７…はんだ、４８…
はんだ、４９…はんだ、５０…はんだ、５１…はんだ接
続用メタライズ、５２…はんだ接続用メタライズ、６１
…反射ビーム、６２…反射ビーム、７１…はんだ、７２
…はんだ、８１…斜めＹＺ方向、９１…基板表面、１０
１…結合効率大でオフセット無しの場合、１０２…結合
効率大でオフセット有りの場合、１０３…効率改善分、
１１１ … 結合効率小でオフセット無しの場合、１
１２…結合効率小でオフセット有りの場合、 １１３
… 効率改善分。
半導体レーザ、１２…前方光、１３…後方光、１４…光
軸、１５…前方レンズ、１６…溝、１７…溝、２０…フ
ォトダイオード、２０ａ…フォトダイオード、２０ｂ…
フォトダイオード、２０ｃ…フォトダイオード、２０ｄ
…フォトダイオード、２１…受光面、２２…はんだ、２
３…オフセット、２４…はんだ接続面、２５…傾斜側
面、２６…傾斜側面、３１ａ…レンズ、３１ｂ…金属ホ
ルダ、３２…ＹＡＧレーザスポット、３３…ＬＤ用サブ
マウント ４１…はんだ接続用メタライズ、４２…はんだ接続用メ
タライズ、４３…はんだ、４４…はんだ、４５…はんだ
間距離、４６…はんだ間高低差、４７…はんだ、４８…
はんだ、４９…はんだ、５０…はんだ、５１…はんだ接
続用メタライズ、５２…はんだ接続用メタライズ、６１
…反射ビーム、６２…反射ビーム、７１…はんだ、７２
…はんだ、８１…斜めＹＺ方向、９１…基板表面、１０
１…結合効率大でオフセット無しの場合、１０２…結合
効率大でオフセット有りの場合、１０３…効率改善分、
１１１ … 結合効率小でオフセット無しの場合、１
１２…結合効率小でオフセット有りの場合、 １１３
… 効率改善分。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 松嶋 直樹
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株
式会社日立製作所生産技術研究所内
Ｆターム(参考） 5F047 AA19 AB03
5F073 AB25 EA29 FA02 FA04
5F088 AA01 BA01 BA15 BA16 EA09
EA11 JA03
Claims (9)
- 【請求項１】半導体レーザと前記半導体レーザからの出
射光の光パワをモニタするフォトダイオードとを内蔵し
た光モジュールにおいて、前記フォトダイオードの受光
面が前記半導体レーザの後方光の光軸中心とほぼ並行
で、前記後方光の光軸中心と所定のオフセットをもつ位
置になるように、前記フォトダイオードが基板に直接固
定されたことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項２】前記フォトダイオードが前記半導体レーザ
搭載された基板上に形成された溝に直接はんだで固定さ
れたことを特徴とする請求項１記載の光モジュール。 - 【請求項３】前記フォトダイオードが基板平面状上には
んだで直接固定され、前記半導体レーザの光軸中心が前
記フォトダイオードの受光面よりも高くなるように搭載
されたことを特徴とする請求項１記載の光モジュール。 - 【請求項４】半導体レーザと前記半導体レーザからの出
射光の光パワをモニタするフォトダイオードとを内蔵し
た光モジュールにおいて、前記フォトダイオードの受光
面が前記半導体レーザの後方光の光軸中心に対して角度
０〜３０°傾くように前記フォトダイオードが基板に直
接固定されたことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項５】前記フォトダイオードの基板への直接固定
部は、前記半導体レーザの後方光の光軸方向に分布分離
され、かつ、前記半導体レーザに近い方のメタライズの
面積を前記半導体レーザに遠い方のメタライズの面積よ
り大きくした複数のメタライズ部と、前記メタライズを
はんだで固定する部をもつことを特徴とする請求項４記
載の光モジュール。 - 【請求項６】前記フォトダイオードの基板への直接固定
部は、前記フォトダイオードのはんだ接続面の断面形状
又ははんだの固定形状の少なくとも一方が、半導体レー
ザの後方光の光軸方向に、フォトダイオードの受光面を
傾斜する形状であることを特徴とする請求項４記載の光
モジュール。 - 【請求項７】半導体レーザと前記半導体レーザからの出
射光の光パワをモニタするフォトダイオードとを内蔵し
た光モジュールにおいて、前記フォトダイオードがＳｉ
基板上に異方性エッチングで形成された溝の傾斜面には
んだで直接固定され、前記半導体レーザの後方光の光軸
中心に対して、前記フォトダイオードの受光面が前記溝
の傾斜面の角度に従って傾くように前記フォトダイオー
ドが搭載されたことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項８】半導体レーザと前記半導体レーザからの出
射光の光パワをモニタするフォトダイオードとを内蔵し
た光モジュールにおいて、前記フォトダイオードの側面
が前記フォトダイオードの受光面に対し一定の角度の斜
面をもち、前記フォトダイオードが固定されるＳｉ基板
が異方性エッチングで形成された溝をもち、前記フォト
ダイオードがその受光面が前記溝に向かい、かつ前記斜
面に前記前記半導体レーザの後方光が入射し、前記斜面
で反射した後方光が前記溝を構成する面で反射され前記
受光面に入射するように前記Ｓｉ基板に直接固定された
ことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項９】半導体レーザと前記半導体レーザからの出
射光の光パワをモニタするフォトダイオードとを内蔵し
た光モジュールにおいて、前記フォトダイオードが側面
がその受光面に対し一定の角度の斜面をもち、前記フォ
トダイオードがその受光面が基板平面に隙間をもって対
向し、かつ前記斜面に前記前記半導体レーザの後方光が
入射し、前記斜面で反射した後方光が前記基板平面面で
反射され前記隙間を介して前記受光面に入射するように
前記前記フォトダイオードが複数個のはんだ付け部で前
記基板に直接固定されたことを特徴とする光モジュー
ル。
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