JP2546160B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信等の用途に用い
られるの半導体レーザ装置に関し、特にモニタ用受光素
子を有する高出力用の半導体レーザ装置に関する。
られるの半導体レーザ装置に関し、特にモニタ用受光素
子を有する高出力用の半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信用等の半導体レーザでは、レーザ
出力を後方にてモニタし、そのモニタ出力の入力される
ＡＰＣ（Automatic Power Control ）回路により帰還を
かけて出力の一定化を図っている。そのため、レーザモ
ジュール内には、半導体レーザの後方にモニタ用の受光
素子が配置されるが、従来例における半導体レーザ素子
と受光素子との配置態様は以下のものであった。
出力を後方にてモニタし、そのモニタ出力の入力される
ＡＰＣ（Automatic Power Control ）回路により帰還を
かけて出力の一定化を図っている。そのため、レーザモ
ジュール内には、半導体レーザの後方にモニタ用の受光
素子が配置されるが、従来例における半導体レーザ素子
と受光素子との配置態様は以下のものであった。
【０００３】図３は、第１の従来例を示す断面図であ
る。同図に示されるように、この例では、ステム４上
に、ヒートシンク３を介して単体の半導体レーザ素子１
ａがソルダにて固着され、その後方には、単体の受光素
子２ａが同じくソルダにて固着されている。第２の従来
例として図４に示すものは、第１の従来例に変更を加
え、半導体レーザ素子１ａと受光素子２ａとの間に集束
性ロッドレンズ１２を配置したものである。すなわち、
この従来例では、一旦拡がったレーザ光をロッドレンズ
１２にて集光し受光素子２ａの表面に集束させている。
る。同図に示されるように、この例では、ステム４上
に、ヒートシンク３を介して単体の半導体レーザ素子１
ａがソルダにて固着され、その後方には、単体の受光素
子２ａが同じくソルダにて固着されている。第２の従来
例として図４に示すものは、第１の従来例に変更を加
え、半導体レーザ素子１ａと受光素子２ａとの間に集束
性ロッドレンズ１２を配置したものである。すなわち、
この従来例では、一旦拡がったレーザ光をロッドレンズ
１２にて集光し受光素子２ａの表面に集束させている。
【０００４】図５は、第３の従来例を示す断面図であ
る。この従来例では、同一半導体基板上に半導体レーザ
素子部１と受光素子部２とを設け、半導体レーザ素子部
１の活性層６ａにて生成されたレーザ光の一部がレーザ
素子部の後方に形成された受光素子部にて受光され光電
変換される。
る。この従来例では、同一半導体基板上に半導体レーザ
素子部１と受光素子部２とを設け、半導体レーザ素子部
１の活性層６ａにて生成されたレーザ光の一部がレーザ
素子部の後方に形成された受光素子部にて受光され光電
変換される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、計測器や高速対
応外部変調用の光源等の用途に高出力対応半導体レーザ
が、また直接変調用に高効率レーザが要望されるように
なってきているが、これら高出力乃至高効率の半導体レ
ーザでは、半導体レーザ素子の前方光出力を向上させる
ため、後方側端面に誘電体膜からなる高反射膜コーティ
ングを行うことが一般的になってきている。そのため、
レーザ素子の後方から出射されるモニタ用の光量に不足
が生じるようになってきており、その結果、正常なＡＰ
Ｃ動作が行われなくなったり精度の高い制御が不可能に
なるなどの不都合が生じるようになってきている。
応外部変調用の光源等の用途に高出力対応半導体レーザ
が、また直接変調用に高効率レーザが要望されるように
なってきているが、これら高出力乃至高効率の半導体レ
ーザでは、半導体レーザ素子の前方光出力を向上させる
ため、後方側端面に誘電体膜からなる高反射膜コーティ
ングを行うことが一般的になってきている。そのため、
レーザ素子の後方から出射されるモニタ用の光量に不足
が生じるようになってきており、その結果、正常なＡＰ
Ｃ動作が行われなくなったり精度の高い制御が不可能に
なるなどの不都合が生じるようになってきている。
【０００６】図３に示した第１の従来例では、半導体レ
ーザ素子の出射する後方光の内一部のみしか受光素子２
ａに入力されないため、レーザ素子１ａが高出力化ある
いは高効率化されたものである場合、モニタ用の光量が
不足することになる。一方、第２の従来例では、レーザ
素子１ａの後方出射光の殆どすべてが受光素子に入力す
るため、光量不足は一応解決されている。しかし、この
方法は平面的なステム上にレンズを固定するものである
ため、モニタ光発光部と受光素子の延長線上にレンズを
固定する位置決めが困難という問題点があった。この点
に対処するものとしてステム上にガイド溝を形成するこ
とが考えられるが、このガイド溝にレーザ素子と受光素
子とを位置合わせすることが困難であるため、根本的な
解決策とはなっていない。
ーザ素子の出射する後方光の内一部のみしか受光素子２
ａに入力されないため、レーザ素子１ａが高出力化ある
いは高効率化されたものである場合、モニタ用の光量が
不足することになる。一方、第２の従来例では、レーザ
素子１ａの後方出射光の殆どすべてが受光素子に入力す
るため、光量不足は一応解決されている。しかし、この
方法は平面的なステム上にレンズを固定するものである
ため、モニタ光発光部と受光素子の延長線上にレンズを
固定する位置決めが困難という問題点があった。この点
に対処するものとしてステム上にガイド溝を形成するこ
とが考えられるが、このガイド溝にレーザ素子と受光素
子とを位置合わせすることが困難であるため、根本的な
解決策とはなっていない。
【０００７】上述した第３の従来例では、レーザ素子と
受光素子とが近接しているため、集束用のレンズを用い
ることなく全後方出射光を受光素子に入射させることが
できるが、この構造では、後方側端面に反射膜コーティ
ングを行うことができないため、上述の高出力レーザ、
高効率レーザの要求に応えられないという問題点があっ
た。
受光素子とが近接しているため、集束用のレンズを用い
ることなく全後方出射光を受光素子に入射させることが
できるが、この構造では、後方側端面に反射膜コーティ
ングを行うことができないため、上述の高出力レーザ、
高効率レーザの要求に応えられないという問題点があっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記各問題点を解決する
ため、本発明によれば、同一半導体基板上に、半導体レ
ーザ素子と、該半導体レーザ素子の出力光をモニタする
受光素子と、がそれぞれ半導体基板面から突起する態様
にて形成され、前記半導体レーザ素子と前記受光素子と
の間の半導体基板上には集束用レンズが固着されている
ことを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。そし
て、より好ましくは、前記半導体基板の前記集束用レン
ズの固着個所には、前記レンズの位置決め用の凹部が形
成されており、さらに前記半導体レーザ素子のレンズ側
端面には高反射膜が形成されている。
ため、本発明によれば、同一半導体基板上に、半導体レ
ーザ素子と、該半導体レーザ素子の出力光をモニタする
受光素子と、がそれぞれ半導体基板面から突起する態様
にて形成され、前記半導体レーザ素子と前記受光素子と
の間の半導体基板上には集束用レンズが固着されている
ことを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。そし
て、より好ましくは、前記半導体基板の前記集束用レン
ズの固着個所には、前記レンズの位置決め用の凹部が形
成されており、さらに前記半導体レーザ素子のレンズ側
端面には高反射膜が形成されている。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の一実施
例の製造工程を説明するための図である。まず、図１
（ａ）に示すように、ＩｎＰ基板５上にＳｉＯ2 膜など
の絶縁膜をマスクに用い、気相成長法にて、半導体レー
ザ素子部１、受光素子部２上に、ＩｎＰ層７、ＩｎＧａ
ＡｓＰ層６、ＩｎＧａＡｓ層８を選択的に成長させてレ
ーザ素子と受光素子とを形成する。この際、レーザ素子
と受光素子との間には、レーザ素子の後方出射光を１０
０％集光できる距離＋レンズ長＋モニタ出力光の集束距
離、の距離が設定される。
て説明する。図１（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の一実施
例の製造工程を説明するための図である。まず、図１
（ａ）に示すように、ＩｎＰ基板５上にＳｉＯ2 膜など
の絶縁膜をマスクに用い、気相成長法にて、半導体レー
ザ素子部１、受光素子部２上に、ＩｎＰ層７、ＩｎＧａ
ＡｓＰ層６、ＩｎＧａＡｓ層８を選択的に成長させてレ
ーザ素子と受光素子とを形成する。この際、レーザ素子
と受光素子との間には、レーザ素子の後方出射光を１０
０％集光できる距離＋レンズ長＋モニタ出力光の集束距
離、の距離が設定される。
【００１０】次に、ＩｎＰ基板５裏面に電極９を形成
し、続いてリフトオフ法を用いて、レーザ素子、受光素
子上に電極９を形成する。ここで、レーザ素子上には導
波路上のみに電極が形成される。次に、フォトレジスト
マスクを形成しＲＩＢＥ（Reactive Ion Beam Etching
）法により、レーザ素子部１と受光素子部２にて形成
された溝の底部にＶ字形の溝１０を形成する［図１
（ｂ）］。
し、続いてリフトオフ法を用いて、レーザ素子、受光素
子上に電極９を形成する。ここで、レーザ素子上には導
波路上のみに電極が形成される。次に、フォトレジスト
マスクを形成しＲＩＢＥ（Reactive Ion Beam Etching
）法により、レーザ素子部１と受光素子部２にて形成
された溝の底部にＶ字形の溝１０を形成する［図１
（ｂ）］。
【００１１】次に、図１（ｃ）に示すように、治具１１
により半導体レーザ装置を傾けて保持し、半導体レーザ
の端面のみに高反射膜のコーティングを行う。同様にし
て、受光素子の端面のみに無反射膜のコーティングを行
う。次に、図１（ｂ）の工程で形成したＶ字形の溝１０
にソルダ等を用い集束性ロッドレンズ１２を固定する
［図１（ｄ）］。
により半導体レーザ装置を傾けて保持し、半導体レーザ
の端面のみに高反射膜のコーティングを行う。同様にし
て、受光素子の端面のみに無反射膜のコーティングを行
う。次に、図１（ｂ）の工程で形成したＶ字形の溝１０
にソルダ等を用い集束性ロッドレンズ１２を固定する
［図１（ｄ）］。
【００１２】このようにして得られた半導体レーザ装置
の斜視図と断面図とをそれぞれ図２（ａ）と図２（ｂ）
に示す。同図に示されるように、半導体レーザ素子部１
のレンズ側端面には高反射膜１３が、また受光素子部２
のレンズ側端面には無反射膜１４が形成されている。
の斜視図と断面図とをそれぞれ図２（ａ）と図２（ｂ）
に示す。同図に示されるように、半導体レーザ素子部１
のレンズ側端面には高反射膜１３が、また受光素子部２
のレンズ側端面には無反射膜１４が形成されている。
【００１３】本発明の半導体レーザ装置においては、レ
ーザ素子部１と受光素子部２との距離は、レンズ１２が
モニタ光を１００％集光できる距離＋レンズ長＋レンズ
１２から出射したモニタ光が集束する距離、の合計の距
離に設定されており、この距離はまた各素子の端面に反
射膜、無反射膜のコーティングが可能な距離となってい
るので、この構造により、高出力レーザ・高効率レーザ
を構成することが可能になり、かつレーザをそのように
構成しても、十分なモニタ電流を確保することができ
る。実際、図３の従来例では、得られるモニタ電流は５
０μＡであったが、レーザ素子と受光素子とを同様の仕
様で設計した本実施例のレーザ装置では１５０μＡのモ
ニタ電流を得ることができた。
ーザ素子部１と受光素子部２との距離は、レンズ１２が
モニタ光を１００％集光できる距離＋レンズ長＋レンズ
１２から出射したモニタ光が集束する距離、の合計の距
離に設定されており、この距離はまた各素子の端面に反
射膜、無反射膜のコーティングが可能な距離となってい
るので、この構造により、高出力レーザ・高効率レーザ
を構成することが可能になり、かつレーザをそのように
構成しても、十分なモニタ電流を確保することができ
る。実際、図３の従来例では、得られるモニタ電流は５
０μＡであったが、レーザ素子と受光素子とを同様の仕
様で設計した本実施例のレーザ装置では１５０μＡのモ
ニタ電流を得ることができた。
【００１４】さらに、本発明では、Ｖ字形の溝１０を形
成したことによりレンズ１２の位置決めが容易となっ
た。そして、レーザ素子と受光素子とは、それぞれフォ
トリソグラフィ工程を用いてＩｎＰ基板上に形成されて
いるため、溝１０は、レーザ素子と受光素子とに正確に
位置決めされており、したがって、各素子とレンズとの
間に位置ずれ、角度ずれの起こることはなくなる。
成したことによりレンズ１２の位置決めが容易となっ
た。そして、レーザ素子と受光素子とは、それぞれフォ
トリソグラフィ工程を用いてＩｎＰ基板上に形成されて
いるため、溝１０は、レーザ素子と受光素子とに正確に
位置決めされており、したがって、各素子とレンズとの
間に位置ずれ、角度ずれの起こることはなくなる。
【００１５】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨内にお
いて各種の変更が可能である。例えば、実施例では、Ｉ
ｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系のレーザ素子について説明した
が、これをＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系等他の材料を用い
た素子とすることができ、また、集束用レンズをロッド
レンズ以外のレンズに置き換えることができる。
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨内にお
いて各種の変更が可能である。例えば、実施例では、Ｉ
ｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系のレーザ素子について説明した
が、これをＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系等他の材料を用い
た素子とすることができ、また、集束用レンズをロッド
レンズ以外のレンズに置き換えることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ装置は、同一基板上に半導体レーザ素子と受光素子
とを形成し、半導体レーザ素子と受光素子との間の基板
上に位置決め用溝を設けてそこに集束用レンズを配置
し、レーザ素子の後方光を完全に受光素子に入射させる
ことができるようにしたものであるので、以下の効果を
奏することができる。
ーザ装置は、同一基板上に半導体レーザ素子と受光素子
とを形成し、半導体レーザ素子と受光素子との間の基板
上に位置決め用溝を設けてそこに集束用レンズを配置
し、レーザ素子の後方光を完全に受光素子に入射させる
ことができるようにしたものであるので、以下の効果を
奏することができる。
【００１７】 レーザ素子と受光素子との間に十分の
距離を置くことができるので、レーザ素子の後方側に高
反射膜をコーティングすることができるようになり、集
積化されたレーザ装置においてもレーザ素子を高出力・
高効率の素子とすることができる。 レーザ素子の後方出射光をほぼ完全に受光素子に入
射させることができるので、レーザ素子が高出力化乃至
高効率化されてモニタ光出力が低下しても、十分なモニ
タ電流を確保することができ、ＡＰＣ回路を正常に動作
させることができる。 集束用レンズの位置決めが容易となる。また、レー
ザ素子および受光素子に対して位置決め用溝を正確な位
置に形成することができるので、各素子に対してレンズ
を位置ずれ、角度ずれのない状態で固定できる。
距離を置くことができるので、レーザ素子の後方側に高
反射膜をコーティングすることができるようになり、集
積化されたレーザ装置においてもレーザ素子を高出力・
高効率の素子とすることができる。 レーザ素子の後方出射光をほぼ完全に受光素子に入
射させることができるので、レーザ素子が高出力化乃至
高効率化されてモニタ光出力が低下しても、十分なモニ
タ電流を確保することができ、ＡＰＣ回路を正常に動作
させることができる。 集束用レンズの位置決めが容易となる。また、レー
ザ素子および受光素子に対して位置決め用溝を正確な位
置に形成することができるので、各素子に対してレンズ
を位置ずれ、角度ずれのない状態で固定できる。
【図１】 本発明の一実施例の製造工程を説明するため
の図。
の図。
【図２】 本発明の一実施例の斜視図と断面図。
【図３】 第１の従来例の断面図。
【図４】 第２の従来例の断面図。
【図５】 第３の従来例の断面図。
１ 半導体レーザ素子部 １ａ 半導体レーザ素子 ２ 受光素子部 ２ａ 受光素子 ３ ヒートシンク ４ ステム ５ ＩｎＰ基板 ６ ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ７ ＩｎＰ層 ８ ＩｎＧａＡｓ層 ９ 電極 １０ Ｖ字形の溝 １１ 治具 １２ 集束用ロッドレンズ １３ 高反射膜 １４ 無反射膜
Claims (3)
- 【請求項１】 同一半導体基板上に、半導体レーザ素子
と、該半導体レーザ素子の出力光をモニタする受光素子
と、がそれぞれ半導体基板面から突起する態様にて形成
され、前記半導体レーザ素子と前記受光素子との間の半
導体基板上には集束用レンズが固着されている半導体レ
ーザ装置において、前記集束用レンズの固着個所には前
記レンズの位置決め用の凹部が形成されており、前記半
導体レーザ素子の前記集束用レンズ側の端面には高反射
膜が形成されており、かつ、前記受光素子の前記集束用
レンズ側の端面には反射防止膜が形成されていることを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記半導体基板に形成されたレンズの位
置決め用の凹部は、フォトリソグラフィ法とエッチング
法を用いて形成されたものであることを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記半導体レーザ素子および前記受光素
子は、半導体基板上に選択エピタキシャル成長法を用い
て形成されたものであることを特徴とする請求項１記載
の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5196739A JP2546160B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5196739A JP2546160B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730197A JPH0730197A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2546160B2 true JP2546160B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=16362801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5196739A Expired - Fee Related JP2546160B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546160B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2295265B (en) * | 1994-11-18 | 1998-04-29 | Northern Telecom Ltd | Injection laser assembly incorporating a monitor photosensor |
| WO2002063730A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmitter |
| US11909172B2 (en) * | 2020-01-08 | 2024-02-20 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing optical device and optical device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0642576B2 (ja) * | 1985-02-08 | 1994-06-01 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6211288A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63244893A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1993
- 1993-07-15 JP JP5196739A patent/JP2546160B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0730197A (ja) | 1995-01-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
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