JPS61288479A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61288479A JPS61288479A JP60130559A JP13055985A JPS61288479A JP S61288479 A JPS61288479 A JP S61288479A JP 60130559 A JP60130559 A JP 60130559A JP 13055985 A JP13055985 A JP 13055985A JP S61288479 A JPS61288479 A JP S61288479A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- semiconductor
- laser
- light
- laser light
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は通信、計測、情報処理等種々の分野に利用され
る発振波長の安定化された半導体レーザ装置に関するも
のである。
る発振波長の安定化された半導体レーザ装置に関するも
のである。
〈従来技術〉
光通信、光計測、光情報処理等の分野における半導体レ
ーザの用途拡大とともに発振波長の安定化された半導体
レーザが必要とされる様になってきた。通常の半導体レ
ーザは温度変化や電流変化によって発振波長が連続的あ
るいは不連続に変化し、また同時に大きな光出力雑音が
発生する。この様な問題を解決するために、従来よりＤ
ＦＢもしくはＤＢＲ等の回折格子型レーザ、内部反射干
渉型レーザ、複合共振器型レーザ、外部共振器型レーザ
等の波長安定化を企図したレーザ素子構造がされている
。しかし、ＤＦＢ及びＤＢＲレーザは導波路内部に回折
格子を形成しているため、優れた波長安定性を示すもの
の製造工程が煩雑であシ、また半導体レーザの材質によ
っては製作そのものが困難であったシする。共振器内部
に一部実効屈折率の異なる領域を設けて内部反射を生起
させその干渉効果で縦モードの選択性を得る内部反射干
渉型レーザは再現性及び強い内部反射が得られず、十分
に実用化されるに到っていない。劈開面を介して２つの
半導体レーザを配置した構造の通称Ｃ３（ｃｌｅａｖｅ
ｄ ｃｏｕｐｌｅｄ ｃａｖｉｔｙ）レーザやエツ
チングにより２つの半導体レーザに分離した上記Ｃ３レ
ーザと類似の構造をもつレーザ等の謂ゆる複合共振器レ
ーザはそれぞれ独立して各半導体レーザをレーザ駆動す
ることができるため、波長を同調させることができ、発
振波長の安定性が期待されるが、その駆動方法には高度
な技術を要し、制御を行なわなければかえって、微小な
縦モード変化を生じ、光出力雑音が発生するといった欠
点がある。従来の外部共振器型半導体レーザの一例を第
２図に示す。半導体レーザ素子１けマウントベース２に
固着されており、前方発光端面よシ出射されたレーザ光
は出射窓４より外部に放射される。マウントベース２は
出射窓４と台５及び側壁６により構成されている外囲器
に固着されておシ、また外部腕３も外囲器に固着され、
レーザ素子１の後方出射光の一部が外部腕３で反射され
てレーザ素子１に帰還される。
ーザの用途拡大とともに発振波長の安定化された半導体
レーザが必要とされる様になってきた。通常の半導体レ
ーザは温度変化や電流変化によって発振波長が連続的あ
るいは不連続に変化し、また同時に大きな光出力雑音が
発生する。この様な問題を解決するために、従来よりＤ
ＦＢもしくはＤＢＲ等の回折格子型レーザ、内部反射干
渉型レーザ、複合共振器型レーザ、外部共振器型レーザ
等の波長安定化を企図したレーザ素子構造がされている
。しかし、ＤＦＢ及びＤＢＲレーザは導波路内部に回折
格子を形成しているため、優れた波長安定性を示すもの
の製造工程が煩雑であシ、また半導体レーザの材質によ
っては製作そのものが困難であったシする。共振器内部
に一部実効屈折率の異なる領域を設けて内部反射を生起
させその干渉効果で縦モードの選択性を得る内部反射干
渉型レーザは再現性及び強い内部反射が得られず、十分
に実用化されるに到っていない。劈開面を介して２つの
半導体レーザを配置した構造の通称Ｃ３（ｃｌｅａｖｅ
ｄ ｃｏｕｐｌｅｄ ｃａｖｉｔｙ）レーザやエツ
チングにより２つの半導体レーザに分離した上記Ｃ３レ
ーザと類似の構造をもつレーザ等の謂ゆる複合共振器レ
ーザはそれぞれ独立して各半導体レーザをレーザ駆動す
ることができるため、波長を同調させることができ、発
振波長の安定性が期待されるが、その駆動方法には高度
な技術を要し、制御を行なわなければかえって、微小な
縦モード変化を生じ、光出力雑音が発生するといった欠
点がある。従来の外部共振器型半導体レーザの一例を第
２図に示す。半導体レーザ素子１けマウントベース２に
固着されており、前方発光端面よシ出射されたレーザ光
は出射窓４より外部に放射される。マウントベース２は
出射窓４と台５及び側壁６により構成されている外囲器
に固着されておシ、また外部腕３も外囲器に固着され、
レーザ素子１の後方出射光の一部が外部腕３で反射され
てレーザ素子１に帰還される。
この構成において半導体レーザ１の後方出射端、面と、
外部腕３との距離して定まる謂ゆる外部縦モードλｅ
＝ ２Ｌ／（ｍｅ＋工）が生じる。このため、半導体レ
ーザーはその共振器長ｌで決まるレーザ縦モードλ＝２
τｌ／ｍと上記外部縦モードλｅの合致する（又は近似
する）利得分布のピーク近傍の縦モードでのみ安定に発
振することになる。ｍ。
外部腕３との距離して定まる謂ゆる外部縦モードλｅ
＝ ２Ｌ／（ｍｅ＋工）が生じる。このため、半導体レ
ーザーはその共振器長ｌで決まるレーザ縦モードλ＝２
τｌ／ｍと上記外部縦モードλｅの合致する（又は近似
する）利得分布のピーク近傍の縦モードでのみ安定に発
振することになる。ｍ。
ｍｅは整数、Ｔは半導体レーザ導波路の実効屈折率であ
る。通常、ｎ１＝（２〜２０）ＸＬと設定される。例え
ば、１＝２５０ｐｔｒＬ、 ｎ＝４．０のとき、外部共
振器長りを５０μｒｒＬ〜０．５ｆｉに設定する。良く
知られている様にレーザ縦モード間隔Δλ＝λ：／２τ
ｌで表わされ外部モードの縦モード間隔ΔλｅはΔλｅ
＝λ／２Ｌで表わされる。ここでλは発６
。
る。通常、ｎ１＝（２〜２０）ＸＬと設定される。例え
ば、１＝２５０ｐｔｒＬ、 ｎ＝４．０のとき、外部共
振器長りを５０μｒｒＬ〜０．５ｆｉに設定する。良く
知られている様にレーザ縦モード間隔Δλ＝λ：／２τ
ｌで表わされ外部モードの縦モード間隔ΔλｅはΔλｅ
＝λ／２Ｌで表わされる。ここでλは発６
。
振波長である。従って上述の例ではレーザ縦モードと外
部モードの合致する縦モード間隔は７８００がこの波長
差変化するまで半導体レーザーは１つ、の縦モードで安
定に発振する。
部モードの合致する縦モード間隔は７８００がこの波長
差変化するまで半導体レーザーは１つ、の縦モードで安
定に発振する。
しかし、第２因の構造では半導体レーザーの端面と外部
腕３を平行に対向させるのに困難を有し、また製造工程
が複雑となる欠点を有した。
腕３を平行に対向させるのに困難を有し、また製造工程
が複雑となる欠点を有した。
第２図の構造を改良したものとして第３図に示す如く外
部腕３０代りに璧開面上にＡｕ等の金属８を蒸着した半
導体チップ７を半導体レーザチップｌの後方に配置した
構造が提案されている。この構造では外部腕として用い
たＡｕ等の金属８によシ得られるレーザ光の反射率は、
金属の光吸収のため上限に限界があシまた酸化等により
反射率が漸次減少する場合もあった。また、外部腕とし
て用いた半導体チップは単に反射面を形成する作用のみ
を得るために設けられていた。
部腕３０代りに璧開面上にＡｕ等の金属８を蒸着した半
導体チップ７を半導体レーザチップｌの後方に配置した
構造が提案されている。この構造では外部腕として用い
たＡｕ等の金属８によシ得られるレーザ光の反射率は、
金属の光吸収のため上限に限界があシまた酸化等により
反射率が漸次減少する場合もあった。また、外部腕とし
て用いた半導体チップは単に反射面を形成する作用のみ
を得るために設けられていた。
〈発明の目的〉
本発明は上記現状に鑑み、製造工程が簡単で、発振波長
の安定性に優れたかつレーザ光の強度を検知する機能を
有する半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
の安定性に優れたかつレーザ光の強度を検知する機能を
有する半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
〈発明の概要〉
本発明は上述の目的を達成するために、レーザ光を反射
帰還させる外部腕として半導体レーザ素子近傍に配置さ
れる半導体レーザ駆動用のＳｉもしくは化合物半導体か
らなる半導体素子あるいは光検出器の機能を有する半導
体素子の劈開面を使用する。その璧開面には少なくとも
一部分に半導体レーザからのレーザ光をより良く反射さ
せるために反射率を向上させる様な誘電体からなる反射
膜の被覆を施す。これによシ、外部腕を半導体レーザ端
面と平行に配置させることが容易となシ、半導体レーザ
からの距離も正確に設定することができ、高反射率の誘
電体膜の被覆がなされている為、波長安定性の優れた種
々の機能を有する半導体レーザを簡単と製造することが
できる。
帰還させる外部腕として半導体レーザ素子近傍に配置さ
れる半導体レーザ駆動用のＳｉもしくは化合物半導体か
らなる半導体素子あるいは光検出器の機能を有する半導
体素子の劈開面を使用する。その璧開面には少なくとも
一部分に半導体レーザからのレーザ光をより良く反射さ
せるために反射率を向上させる様な誘電体からなる反射
膜の被覆を施す。これによシ、外部腕を半導体レーザ端
面と平行に配置させることが容易となシ、半導体レーザ
からの距離も正確に設定することができ、高反射率の誘
電体膜の被覆がなされている為、波長安定性の優れた種
々の機能を有する半導体レーザを簡単と製造することが
できる。
〈実施例〉
以下、本発明を第１図に示す１実施例に従って詳細に説
明する。第１図において第３図と同一の機能を有するも
のは同一符号にて記載している。
明する。第１図において第３図と同一の機能を有するも
のは同一符号にて記載している。
半導体レーザ素子１はｐ型ＧａＡｓ基板１１上に順次液
相エピタキシャル成長法によシ成長されたダブルへテロ
接合構造のレーザ発振用多層半導体層より形成されてい
る。即ち、多層半導体層はＧａＡｓ基板１１側よシ順次
ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層１２Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層１３、ＧａＡｌ１Ａｓ活性層１４、ｎ型クラッド層１
５、ｎ型ＧａＡｌＡｓキャップ層１６よ構成る。また電
流阻止層１２にはＶ字状ストライプ溝１７が形成され、
この部分が電流通路となる。キャップ層１６及びＧａＡ
ｓ１ｌには各々、ｎ側電極１８、ｐ側電極１９が形成さ
れている。
相エピタキシャル成長法によシ成長されたダブルへテロ
接合構造のレーザ発振用多層半導体層より形成されてい
る。即ち、多層半導体層はＧａＡｓ基板１１側よシ順次
ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層１２Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層１３、ＧａＡｌ１Ａｓ活性層１４、ｎ型クラッド層１
５、ｎ型ＧａＡｌＡｓキャップ層１６よ構成る。また電
流阻止層１２にはＶ字状ストライプ溝１７が形成され、
この部分が電流通路となる。キャップ層１６及びＧａＡ
ｓ１ｌには各々、ｎ側電極１８、ｐ側電極１９が形成さ
れている。
この半導体レーザ素子１は真空ピンセット等でマウント
ベース２の所定の位置にＩｎ等の融着材２６で固着され
ている。半導体レーザ素子１に対向して同一マウントベ
ース２上に配置される半導体チップ７は光検出器として
の機能を有し、Ｐ型ＧａＡｓ層２０とｎ型ＧａＡｓ層２
１及び各層に形成されたｎ側電極２２をｐ側電極２３よ
シ構成される。
ベース２の所定の位置にＩｎ等の融着材２６で固着され
ている。半導体レーザ素子１に対向して同一マウントベ
ース２上に配置される半導体チップ７は光検出器として
の機能を有し、Ｐ型ＧａＡｓ層２０とｎ型ＧａＡｓ層２
１及び各層に形成されたｎ側電極２２をｐ側電極２３よ
シ構成される。
またその側面の１つは骨間によ膜形成された受光面２４
であり、この受光面２４は半導体レーザ素子１の後方の
レーザ光出射面に対面している。またその一部に電子ビ
ーム蒸着法あるいはスパッタ法によ’）Ａ１２０ｓとａ
−８ｉ（アモルファスシリコン）の誘電体多層膜が縦長
帯状に被覆され、この誘電体多層膜でレーザ光を反射す
る反射膜２５、が形成されている。
であり、この受光面２４は半導体レーザ素子１の後方の
レーザ光出射面に対面している。またその一部に電子ビ
ーム蒸着法あるいはスパッタ法によ’）Ａ１２０ｓとａ
−８ｉ（アモルファスシリコン）の誘電体多層膜が縦長
帯状に被覆され、この誘電体多層膜でレーザ光を反射す
る反射膜２５、が形成されている。
この様にして製作された半導体チップ７は半導体レーザ
素子１の後方に配置されるが、その際受光面２４と半導
体レーザ素子１の光出射面との平行度を維持するため受
光面２４を半導体レーザ素子１の後方レーザ光出射面と
接触させたのち、後方へ所定の距離だけ移動させてマウ
ントベース２にＩｎ等の融着材２６を介して固着される
。ｎ側電極１８．２２には電流注入取出のためＡｕ等か
ら成るリード線２７．２８が接続されている。後端面か
らの出射光は後端面と上述の様にして平行に対向する反
射膜９によシ効率よく反射されて半導体レーザ素子に帰
還し、波長の安定なレーザとなる。一方反射膜２５の被
覆されていない面はレーザ光が半導体素子７に当るため リード線２７を介してｎ側電極１８とｐ側電極１９から
半導体レーザ素子１に駆動電流を注入すると、注入され
た電流はＧａＡｓ基板１１上から電流阻止層１２の除去
されたストライプ溝１７のみを電流通路として流れ、そ
の直上の活性層１４内で横モードの安定なレーザ発振が
開始される。レーザ光は半導体レーザ素子１の前面方向
と後面方向の双方向へ出射されるが、後方へ出射された
光は半導体チップ７の受光面２４及び反射膜２５に照射
される。半導体レーザ素子工よシ出射されるレーザ光は
光軸に対して一定の拡がり角（光軸に対し片方向へ約２
０°〜２５°）を有している。従って、出射面と受光面
２４の距離を適当に設定することによシ、受光面２４へ
照射されるレーザ光は反射膜２５とその溝方向の受光面
２４領域へ拡ががって存在する。反射膜２５に照射され
たレーザ光光はこの面で反射され、半導体レーザ素子ｌ
へ帰還される。反射膜２５以外の受光面２４へ照射され
たレーザ光は半導体チップ７で光電変換され、レーザ光
強度に対応した電気信号が半導体チップ７のリード線２
８を介して取り出される。反射膜２５は反射率が高く設
定されているため反射膜２５へ照射されたレーザ光は効
率良く反射されて半導体レーザ素子１へ帰還され、波長
の安定なレーザ光が半導体レーザ素子１の前面より出射
される。
素子１の後方に配置されるが、その際受光面２４と半導
体レーザ素子１の光出射面との平行度を維持するため受
光面２４を半導体レーザ素子１の後方レーザ光出射面と
接触させたのち、後方へ所定の距離だけ移動させてマウ
ントベース２にＩｎ等の融着材２６を介して固着される
。ｎ側電極１８．２２には電流注入取出のためＡｕ等か
ら成るリード線２７．２８が接続されている。後端面か
らの出射光は後端面と上述の様にして平行に対向する反
射膜９によシ効率よく反射されて半導体レーザ素子に帰
還し、波長の安定なレーザとなる。一方反射膜２５の被
覆されていない面はレーザ光が半導体素子７に当るため リード線２７を介してｎ側電極１８とｐ側電極１９から
半導体レーザ素子１に駆動電流を注入すると、注入され
た電流はＧａＡｓ基板１１上から電流阻止層１２の除去
されたストライプ溝１７のみを電流通路として流れ、そ
の直上の活性層１４内で横モードの安定なレーザ発振が
開始される。レーザ光は半導体レーザ素子１の前面方向
と後面方向の双方向へ出射されるが、後方へ出射された
光は半導体チップ７の受光面２４及び反射膜２５に照射
される。半導体レーザ素子工よシ出射されるレーザ光は
光軸に対して一定の拡がり角（光軸に対し片方向へ約２
０°〜２５°）を有している。従って、出射面と受光面
２４の距離を適当に設定することによシ、受光面２４へ
照射されるレーザ光は反射膜２５とその溝方向の受光面
２４領域へ拡ががって存在する。反射膜２５に照射され
たレーザ光光はこの面で反射され、半導体レーザ素子ｌ
へ帰還される。反射膜２５以外の受光面２４へ照射され
たレーザ光は半導体チップ７で光電変換され、レーザ光
強度に対応した電気信号が半導体チップ７のリード線２
８を介して取り出される。反射膜２５は反射率が高く設
定されているため反射膜２５へ照射されたレーザ光は効
率良く反射されて半導体レーザ素子１へ帰還され、波長
の安定なレーザ光が半導体レーザ素子１の前面より出射
される。
半導体チップ７はこの前面からのレーザ出力光に対する
モニター用受光器となる。従って半導体チップ７からの
電気信号により半導体レーザ素子１の駆動電流を調整し
、レーザ出力強度を一定に保持するように制御すること
が可能となる。半導体チップ７の受光面２４で反射膜２
５が形成されていない部分に低反射膜を被覆するとレー
ザ光が半導体チップ７内へ効率良く入射され受光感度が
向上する。尚、一般に受光素子の入射面は効率を向上さ
せるために低反射膜が被覆されることが多いが、本実施
例の場合、半導体レーザ素子１から近い距離に半導体チ
ップ７を置くことが可能であるため全面π適当な反射率
をもつ膜を被覆して、半導体レーザ素子１への帰還光を
得るとともに半導体チップ７内へもレーザ光を入射さ、
せて光検出器として機能させるようにすることもできる
。また、半導体レーザ素子１の駆動等を目的としてＳｉ
や化合物半導体から成る集積回路素子等を半導体レーザ
素子１の近傍に配置し、これら集積回路素子の一端面を
反射鏡とする構成も可能である。
モニター用受光器となる。従って半導体チップ７からの
電気信号により半導体レーザ素子１の駆動電流を調整し
、レーザ出力強度を一定に保持するように制御すること
が可能となる。半導体チップ７の受光面２４で反射膜２
５が形成されていない部分に低反射膜を被覆するとレー
ザ光が半導体チップ７内へ効率良く入射され受光感度が
向上する。尚、一般に受光素子の入射面は効率を向上さ
せるために低反射膜が被覆されることが多いが、本実施
例の場合、半導体レーザ素子１から近い距離に半導体チ
ップ７を置くことが可能であるため全面π適当な反射率
をもつ膜を被覆して、半導体レーザ素子１への帰還光を
得るとともに半導体チップ７内へもレーザ光を入射さ、
せて光検出器として機能させるようにすることもできる
。また、半導体レーザ素子１の駆動等を目的としてＳｉ
や化合物半導体から成る集積回路素子等を半導体レーザ
素子１の近傍に配置し、これら集積回路素子の一端面を
反射鏡とする構成も可能である。
〈発明の効果〉
以上の如く、゛本発明によれば簡単に発振波長の安定化
された出力光強度検知機能を有する半導体レーザ装置を
実現することができる。
された出力光強度検知機能を有する半導体レーザ装置を
実現することができる。
第１図は本発明の１実施例を示す半導体し＝ザ装置の構
成斜視図である。第２図及び第３因は従来の半導体レー
ザ装置の構成を示す模式図である。 １・・・半導体レーザ、 ２・・・マウントペース、３
・・・外部腕、 ５・・・台、 ７・・・半導体チップ
、８・・・反射膜、 １１・・・ｐ型ＧａＡｓ基板、
１２・・・ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層、 １３・・・ｐ型
Ｇ ａＡＩＡｓクラッド層、 １４−ＧａＡｌＡｓ活
性層、１５・・・ｎ型Ｇ ａｆｉｌ Ａ ｓクラッド層
、 １６・・・ｎ型ＧａＡｌＡｓキャップ層、 １７
・・・ストライプ溝、１８．２２・・・ｎ側電極、 １
９．２３・・・ｐ側電極、 ２０・・・ｐ型半導体層、
２１・・・ｎ型半導体層、 ２４・・・受光面、 ２
５・・・反射膜、 ２６・・・融着材、 ２７．２８・
・・リード線。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図
成斜視図である。第２図及び第３因は従来の半導体レー
ザ装置の構成を示す模式図である。 １・・・半導体レーザ、 ２・・・マウントペース、３
・・・外部腕、 ５・・・台、 ７・・・半導体チップ
、８・・・反射膜、 １１・・・ｐ型ＧａＡｓ基板、
１２・・・ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層、 １３・・・ｐ型
Ｇ ａＡＩＡｓクラッド層、 １４−ＧａＡｌＡｓ活
性層、１５・・・ｎ型Ｇ ａｆｉｌ Ａ ｓクラッド層
、 １６・・・ｎ型ＧａＡｌＡｓキャップ層、 １７
・・・ストライプ溝、１８．２２・・・ｎ側電極、 １
９．２３・・・ｐ側電極、 ２０・・・ｐ型半導体層、
２１・・・ｎ型半導体層、 ２４・・・受光面、 ２
５・・・反射膜、 ２６・・・融着材、 ２７．２８・
・・リード線。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザ素子の一方のレーザ光出射端面から数
ｍｍ以内の距離を隔てて一つの側面を前記レーザ光出射
端面と平行に対向させて固着された半導体素子を備え、
該半導体素子の前記側面が劈開面から成りかつ少なくと
も一部分に出射されたレーザ光を前記半導体レーザ素子
へ帰還せしめる誘電体反射膜が被覆されていることを特
徴とする半導体レーザ装置。 ２、半導体素子が出射されたレーザ光の強度を検知する
受光器としての機能を具備する特許請求の範囲第１項記
載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130559A JPH0766995B2 (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 半導体レーザ装置 |
| EP86304512A EP0206661B1 (en) | 1985-06-14 | 1986-06-12 | A semiconductor laser apparatus |
| DE3650379T DE3650379T2 (de) | 1985-06-14 | 1986-06-12 | Halbleiterlaservorrichtung. |
| US06/873,991 US4803695A (en) | 1985-06-14 | 1986-06-13 | Semiconductor laser apparatus having an external reflecting means |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130559A JPH0766995B2 (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61288479A true JPS61288479A (ja) | 1986-12-18 |
| JPH0766995B2 JPH0766995B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=15037153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60130559A Expired - Fee Related JPH0766995B2 (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4803695A (ja) |
| EP (1) | EP0206661B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0766995B2 (ja) |
| DE (1) | DE3650379T2 (ja) |
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