JPH0451075B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0451075B2 JPH0451075B2 JP61018697A JP1869786A JPH0451075B2 JP H0451075 B2 JPH0451075 B2 JP H0451075B2 JP 61018697 A JP61018697 A JP 61018697A JP 1869786 A JP1869786 A JP 1869786A JP H0451075 B2 JPH0451075 B2 JP H0451075B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- laser device
- laser element
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 57
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は通信、計測、情報処理等種々の分野に
利用される発振波長の安定化された半導体レーザ
装置に関するものである。
利用される発振波長の安定化された半導体レーザ
装置に関するものである。
＜従来技術＞
光通信、光計測、光情報処理等の光応用分野に
おける半導体レーザの用途が拡大されるに従つて
発振波長の安定化された半導体レージが必要とさ
れる様になつてきた。通常一般に用いられている
半導体レーザは、温度変化や電流変化によつて発
振波長が連続的あるいは不連続に変化しまた同時
に大きな光出力雑音が発生するため、システムと
して組み込んだ場合に精度や信頼性の面で大きな
障害となる。この様な問題を解決する手段の一つ
として、外部共振器型半導体レーザが開発され
た。従来の外部共振器型半導体レーザの一例を第
４図に示す。半導体レーザ素子１は放熱を良くす
るためにエピタキシヤル成長層を下側にしてマウ
ントベース２に固着されている。マウントベース
２から数μｍ以内にある活性層１０の前方発光端
面より出射されたレーザ光は出射窓５より外部に
放射される。マウントベース２は出射窓５と台６
及び側壁７より構成されている外囲器に固着され
ており、また反射部材３はマウントベース２に固
着され、レーザ素子１の後方出射光の一部が反射
部材３の反射面４で反射されてレーザ素子１に帰
還されている。本図では電流経路となる配線等は
省略している。反射部材は、劈開面上にAu等の
金属や誘電体の多層反射膜を被覆して反射面４を
形成した半導体チツプを用いると簡単に装着する
ことができる。
おける半導体レーザの用途が拡大されるに従つて
発振波長の安定化された半導体レージが必要とさ
れる様になつてきた。通常一般に用いられている
半導体レーザは、温度変化や電流変化によつて発
振波長が連続的あるいは不連続に変化しまた同時
に大きな光出力雑音が発生するため、システムと
して組み込んだ場合に精度や信頼性の面で大きな
障害となる。この様な問題を解決する手段の一つ
として、外部共振器型半導体レーザが開発され
た。従来の外部共振器型半導体レーザの一例を第
４図に示す。半導体レーザ素子１は放熱を良くす
るためにエピタキシヤル成長層を下側にしてマウ
ントベース２に固着されている。マウントベース
２から数μｍ以内にある活性層１０の前方発光端
面より出射されたレーザ光は出射窓５より外部に
放射される。マウントベース２は出射窓５と台６
及び側壁７より構成されている外囲器に固着され
ており、また反射部材３はマウントベース２に固
着され、レーザ素子１の後方出射光の一部が反射
部材３の反射面４で反射されてレーザ素子１に帰
還されている。本図では電流経路となる配線等は
省略している。反射部材は、劈開面上にAu等の
金属や誘電体の多層反射膜を被覆して反射面４を
形成した半導体チツプを用いると簡単に装着する
ことができる。
上記構成において半導体レーザ素子１の後方出
射端面と反射面４との距離ｄで定まる謂ゆる外部
縦モードλe＝2d／（me＋〓）が生じる。このた
め、半導体レーザ素子１はその共振器長ｌで定ま
るレーザ縦モードλ＝2nl／ｍと上記外部縦モー
ドλeの合致（又は近似）する利得分布のピーク近
傍の縦モードでのみ安定に発振するゞとになる。
ｍ，meは整数、は半導体レーザ導波路の実効
屈折率である。実験結果によれば、外部共振器長
ｄ＝50μｍで第５図に示す様に一定光出力で31℃
の広い温度範囲の間、一つの縦モードで安定に発
振する半導体レーザ装置が実現されシステムの要
求を十分に満す特性を有するものが得られてい
る。しかし、一般に半導体レーザは出力光強度の
安定を図るため後方出射光を発光器により検出
し、前方光出力強度をモニターするモニター構造
を具備しているが、第４図に示す構成で反射部材
３によつて後方出射光が遮られ、これをモニタ手
段として用いることができなくなる。このため新
たに前方出射光の一部を分離して受光器３に導く
方式を導入しなければならなかつた。従つて、光
学部品等を精度良く配置しなければならず、また
前方出射光からモニタ光を分離するため光出力強
度が若干弱くなるという欠点を有していた。
射端面と反射面４との距離ｄで定まる謂ゆる外部
縦モードλe＝2d／（me＋〓）が生じる。このた
め、半導体レーザ素子１はその共振器長ｌで定ま
るレーザ縦モードλ＝2nl／ｍと上記外部縦モー
ドλeの合致（又は近似）する利得分布のピーク近
傍の縦モードでのみ安定に発振するゞとになる。
ｍ，meは整数、は半導体レーザ導波路の実効
屈折率である。実験結果によれば、外部共振器長
ｄ＝50μｍで第５図に示す様に一定光出力で31℃
の広い温度範囲の間、一つの縦モードで安定に発
振する半導体レーザ装置が実現されシステムの要
求を十分に満す特性を有するものが得られてい
る。しかし、一般に半導体レーザは出力光強度の
安定を図るため後方出射光を発光器により検出
し、前方光出力強度をモニターするモニター構造
を具備しているが、第４図に示す構成で反射部材
３によつて後方出射光が遮られ、これをモニタ手
段として用いることができなくなる。このため新
たに前方出射光の一部を分離して受光器３に導く
方式を導入しなければならなかつた。従つて、光
学部品等を精度良く配置しなければならず、また
前方出射光からモニタ光を分離するため光出力強
度が若干弱くなるという欠点を有していた。
＜発明の目的＞
本発明は上記現状に鑑み、製造工程が簡単で、
発振波長の安定性に優れたかつレーザ光の強度を
検知する機能が具備された半導体レーザ装置を提
供することを目的とする。
発振波長の安定性に優れたかつレーザ光の強度を
検知する機能が具備された半導体レーザ装置を提
供することを目的とする。
＜発明の構成と原理＞
本発明は上述の目的を達成するために、外部共
振器型半導体レーザ装置において、半導体レーザ
素子の後方出射端面に対向して配置された反射部
材のさらに後方に受光器を配置し、反射鏡と半導
体レーザ端面間を少なくとも１回以上往復反射し
た後方レーザ出射光が反射鏡の後方で受光器に受
光される構成とするものである。
振器型半導体レーザ装置において、半導体レーザ
素子の後方出射端面に対向して配置された反射部
材のさらに後方に受光器を配置し、反射鏡と半導
体レーザ端面間を少なくとも１回以上往復反射し
た後方レーザ出射光が反射鏡の後方で受光器に受
光される構成とするものである。
一般に半導体レーザの出射レーザ光は、出射端
面より謂ゆるガウシアン分布に近い分布をもつて
放射状に拡がつている。即ち、活性層と垂直方向
のレーザビーム拡がりの半値半幅は10゜〜20゜であ
る。以下、この放射角と後方の受光器へ到達する
光量を考える。半導体レーザ素子の後方出射光の
うち、反射部材の反射面に遮られることなく反射
部材の後方へ届く光の放射角θ0は θ0≧tan-1（hM／ｄ） ……(1) である。ここでhMは反射部材の高さのうち半導
体レーザの活性層より上方のレベルにある厚みで
あり、ｄは外部共振器即ち反射部材の反射面と半
導体レーザ素子の後方出射端面間の距離である。
また、反射面と半導体レーザ素子を１回づつ反射
して反射部材の後方へ届く放射角θ1は tan-1（hM／ｄ）＞θ1≧tan-1（hM／ｄ×３）……(2) であり、またこの時、後方に届く光量は半導体レ
ーザ素子の出射光が反射面とレーザ後方端面に反
射されるときに減衰し、光量受光率α1は α1＝Rr・RM ……(3) となる。
面より謂ゆるガウシアン分布に近い分布をもつて
放射状に拡がつている。即ち、活性層と垂直方向
のレーザビーム拡がりの半値半幅は10゜〜20゜であ
る。以下、この放射角と後方の受光器へ到達する
光量を考える。半導体レーザ素子の後方出射光の
うち、反射部材の反射面に遮られることなく反射
部材の後方へ届く光の放射角θ0は θ0≧tan-1（hM／ｄ） ……(1) である。ここでhMは反射部材の高さのうち半導
体レーザの活性層より上方のレベルにある厚みで
あり、ｄは外部共振器即ち反射部材の反射面と半
導体レーザ素子の後方出射端面間の距離である。
また、反射面と半導体レーザ素子を１回づつ反射
して反射部材の後方へ届く放射角θ1は tan-1（hM／ｄ）＞θ1≧tan-1（hM／ｄ×３）……(2) であり、またこの時、後方に届く光量は半導体レ
ーザ素子の出射光が反射面とレーザ後方端面に反
射されるときに減衰し、光量受光率α1は α1＝Rr・RM ……(3) となる。
Rrはレーザ素子後方端面の反射率、RMは反射
部材の反射面の反射率である。この様にして、反
射面とレーザ素子の後方出射端面をｍ回往復反射
するレーザ光の放射角θmと光量受光率αnは以下
の如くとなる。
部材の反射面の反射率である。この様にして、反
射面とレーザ素子の後方出射端面をｍ回往復反射
するレーザ光の放射角θmと光量受光率αnは以下
の如くとなる。
θm−１＞θm≧tan-1｛hM／ｄ（2m＋１）｝ …(4)
αn＝（Rr・RM）m ……(5)
（ｍ＝０，１，２，３……）
第３図にこの関係を示す。第３図はhM＝40μ
ｍ，ｄ＝50μｍ，Rr＝0.32，RM＝0.9の場合であ
る。図中の破線はレーザ素子の出射光分布におけ
る半値半幅15゜の光量比を示しており、実線はレ
ーザ放射角θと光量受光率αの関係を示す。この
図より明らかな様にθが大きいところでは直接後
方に光が到達する。この例ではθ≧39゜でα＝１
であるがレーザの出射光量自体が微弱である。ま
た、θが小さい場合にはレーザ素子の出射光量自
体は大きいが、出射光が後方へ到達するためには
反射部材の反射面とレーザ後方端面間を出射光が
繰り返し多重反射するため、αが微小となる。す
なわちθが大きくても小さくても、後方に届く光
量は少なくなる。従つて、上記例の場合、ｍ＝１
の15゜〜39゜，ｍ＝２の9゜〜15゜及びｍ＝３の6.5゜〜
9゜
の最小と最大の範囲である6.5゜〜39゜の間で適宜θ
値を決定することが有効である。(4)及び(5)式から
わかる様に、ｄ，Rr，RMが大きい程またhMが小
さい程、後方へ届く光量すなわちモニタ光量を大
きくすることができる。しかしｄは発振波長の安
定化のためには、実験的に30〜70μｍに制限され
ており、Rrは大きくするとレーザ素子内に帰還
する光量が減小し、外部共振器の効果が薄くなる
ため必要以上に大きくすることはできない。RM
は0.9〜１と大きくする方が良い。一方、レーザ
素子に光を戻して外部共振器を構成するのは共振
器の共振方向の延長上にある反射面の微小部分の
みであり、原理的にhMは小さくできる。
ｍ，ｄ＝50μｍ，Rr＝0.32，RM＝0.9の場合であ
る。図中の破線はレーザ素子の出射光分布におけ
る半値半幅15゜の光量比を示しており、実線はレ
ーザ放射角θと光量受光率αの関係を示す。この
図より明らかな様にθが大きいところでは直接後
方に光が到達する。この例ではθ≧39゜でα＝１
であるがレーザの出射光量自体が微弱である。ま
た、θが小さい場合にはレーザ素子の出射光量自
体は大きいが、出射光が後方へ到達するためには
反射部材の反射面とレーザ後方端面間を出射光が
繰り返し多重反射するため、αが微小となる。す
なわちθが大きくても小さくても、後方に届く光
量は少なくなる。従つて、上記例の場合、ｍ＝１
の15゜〜39゜，ｍ＝２の9゜〜15゜及びｍ＝３の6.5゜〜
9゜
の最小と最大の範囲である6.5゜〜39゜の間で適宜θ
値を決定することが有効である。(4)及び(5)式から
わかる様に、ｄ，Rr，RMが大きい程またhMが小
さい程、後方へ届く光量すなわちモニタ光量を大
きくすることができる。しかしｄは発振波長の安
定化のためには、実験的に30〜70μｍに制限され
ており、Rrは大きくするとレーザ素子内に帰還
する光量が減小し、外部共振器の効果が薄くなる
ため必要以上に大きくすることはできない。RM
は0.9〜１と大きくする方が良い。一方、レーザ
素子に光を戻して外部共振器を構成するのは共振
器の共振方向の延長上にある反射面の微小部分の
みであり、原理的にhMは小さくできる。
一方、半導体レーザの活性層より上にある厚み
hLの層がhMの２倍以下であると反射面で反射した
レーザ光が半導体レーザ後方端面に当らずに前方
へ出射されることになるのでこの点を考慮する必
要がある。
hLの層がhMの２倍以下であると反射面で反射した
レーザ光が半導体レーザ後方端面に当らずに前方
へ出射されることになるのでこの点を考慮する必
要がある。
以上の如くhMを小さくすることにより、反射
面とレーザ端面を少なくとも１回以上反射したレ
ーザ光を受光すれば、波長安定化の機能を損なわ
ずに簡単にモニター光量を得ることができる。
面とレーザ端面を少なくとも１回以上反射したレ
ーザ光を受光すれば、波長安定化の機能を損なわ
ずに簡単にモニター光量を得ることができる。
＜実施例＞
第１図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ
装置の構成図である。
装置の構成図である。
半導体レーザ素子１がマウントベース２上に固
有され、半導体レーザ素子１の後方出射光端面９
に対向してマウントベース２上に反射部材３が配
置されている。反射部材３の反射面４は半導体レ
ーザ素子１の後方端面９と若干の距離を隔てて対
面し、この間で外部共振器が形成される。反射部
材３のさらに後方には太陽電池等の受光器８がマ
ウントベース２に固定されて配置されている。ま
たこれらは全て第４図同様に外囲器内に収容保持
され、外囲器の出射窓よりレーザ光が放射され
る。
有され、半導体レーザ素子１の後方出射光端面９
に対向してマウントベース２上に反射部材３が配
置されている。反射部材３の反射面４は半導体レ
ーザ素子１の後方端面９と若干の距離を隔てて対
面し、この間で外部共振器が形成される。反射部
材３のさらに後方には太陽電池等の受光器８がマ
ウントベース２に固定されて配置されている。ま
たこれらは全て第４図同様に外囲器内に収容保持
され、外囲器の出射窓よりレーザ光が放射され
る。
半導体レーザ素子１に駆動電流を注入してレー
ザ発振させると半導体レーザ素子１の活性層１０
より前方と後方にレーザ光が出射される。前方の
レーザ光は使用に供し、後方のレーザ光は反射部
材３の反射面４で反射された後再度レーザ素子の
後方端面９に帰還される。この外部共振器の付設
により前述した如く半導体レーザ素子１は安定な
縦モードでレーザ発振する。また後方端面９へ帰
還された反射光はこの面で再度反射され再度反射
面４へ進行する。後方端面より出射されたレーザ
光は放射角を有する放射光であるため、このよう
に後方端面９と反射面４の間を多重往復反射され
たレーザ光は順次反射面４の上方へ拡がり、反射
部材３を外れて後方の受光器８へモニター光とし
て照射される。この受光器８で光強度が検出され
光強度に対応した電気信号が出力される。従つて
受光器８に照射される光量に対応して出力される
電気信号を検知することによつて半導体レーザ素
子１のレーザ出力光強度をモニターすることがで
き、またこの電気信号を半導体レーザ素子１の駆
動回路へフイードバツクさせて半導体レーザ素子
１の駆動電流を制御することにより、半導体レー
ザ素子１の出力光を常に一定の強度に制御設定す
ることができる。
ザ発振させると半導体レーザ素子１の活性層１０
より前方と後方にレーザ光が出射される。前方の
レーザ光は使用に供し、後方のレーザ光は反射部
材３の反射面４で反射された後再度レーザ素子の
後方端面９に帰還される。この外部共振器の付設
により前述した如く半導体レーザ素子１は安定な
縦モードでレーザ発振する。また後方端面９へ帰
還された反射光はこの面で再度反射され再度反射
面４へ進行する。後方端面より出射されたレーザ
光は放射角を有する放射光であるため、このよう
に後方端面９と反射面４の間を多重往復反射され
たレーザ光は順次反射面４の上方へ拡がり、反射
部材３を外れて後方の受光器８へモニター光とし
て照射される。この受光器８で光強度が検出され
光強度に対応した電気信号が出力される。従つて
受光器８に照射される光量に対応して出力される
電気信号を検知することによつて半導体レーザ素
子１のレーザ出力光強度をモニターすることがで
き、またこの電気信号を半導体レーザ素子１の駆
動回路へフイードバツクさせて半導体レーザ素子
１の駆動電流を制御することにより、半導体レー
ザ素子１の出力光を常に一定の強度に制御設定す
ることができる。
上記実施例において、活性層１０はマウント面
より5μｍの高さにある。また後方端面９と反射
面４間の距離に相当する外部共振器長ｄは50μｍ
であり、反射部材３の厚みは45μｍである。そし
て反射面４の反射率は0.9としている。反射面４
は金属の蒸着膜又はメツキ膜で形成している。一
方、半導体レーザ素子１の後方端面９の反射率は
0.32とする。以上よりhM＝40μｍ，ｄ＝50μｍ，
Rr＝0.32，RM＝0.9となり、第３図にて説明した
様に受光器８によつて光出力をモニターすること
が可能となる。
より5μｍの高さにある。また後方端面９と反射
面４間の距離に相当する外部共振器長ｄは50μｍ
であり、反射部材３の厚みは45μｍである。そし
て反射面４の反射率は0.9としている。反射面４
は金属の蒸着膜又はメツキ膜で形成している。一
方、半導体レーザ素子１の後方端面９の反射率は
0.32とする。以上よりhM＝40μｍ，ｄ＝50μｍ，
Rr＝0.32，RM＝0.9となり、第３図にて説明した
様に受光器８によつて光出力をモニターすること
が可能となる。
第２図は本発明の他の実施例であり活性層１０
はレーザ素子の略々中央レベル付近即ちマウント
面から60μｍにある。また反射部材３は100μｍの
厚さに設定されている。他の構成は第１図と同一
である。この場合も第１図と同様のモニタ光量が
得られた。通常、活性層は放熱を良くするために
第１図の様にマウント面近傍に位置する様に形成
するが本実施例の様にレーザ素子の中央付近に設
定しても、信頼性に問題のないことが判明した。
このようにすることで、反射部材が薄くて製造し
にくいという欠点を補うことができる。
はレーザ素子の略々中央レベル付近即ちマウント
面から60μｍにある。また反射部材３は100μｍの
厚さに設定されている。他の構成は第１図と同一
である。この場合も第１図と同様のモニタ光量が
得られた。通常、活性層は放熱を良くするために
第１図の様にマウント面近傍に位置する様に形成
するが本実施例の様にレーザ素子の中央付近に設
定しても、信頼性に問題のないことが判明した。
このようにすることで、反射部材が薄くて製造し
にくいという欠点を補うことができる。
＜発明の効果＞
以上の如く本発明によれば、簡単に発振波長の
安定化された出力光強度検知機能を有する半導体
レーザ装置を実現することができる。
安定化された出力光強度検知機能を有する半導体
レーザ装置を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体レーザ
装置の構成図である。第２図は本発明の他の実施
例を示す半導体レーザ装置の構成図である。第３
図は垂直方向の放射角とレーザの光量比及び光量
受光率を示す説明図である。第４図は従来の半導
体レーザ装置の構成図である。第５図は外部共振
器型半導体レーザ装置の温度−発振波長を示す説
明図である。 １……半導体レーザ素子、２……マウントベー
ス、３……反射部材、４……反射面、８……受光
器、９……レーザ後方端面、１０……活性層。
装置の構成図である。第２図は本発明の他の実施
例を示す半導体レーザ装置の構成図である。第３
図は垂直方向の放射角とレーザの光量比及び光量
受光率を示す説明図である。第４図は従来の半導
体レーザ装置の構成図である。第５図は外部共振
器型半導体レーザ装置の温度−発振波長を示す説
明図である。 １……半導体レーザ素子、２……マウントベー
ス、３……反射部材、４……反射面、８……受光
器、９……レーザ後方端面、１０……活性層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体レーザ素子の一方のレーザ光出射端面
から至近距離に配置された出力レーザ光の一部を
前記半導体レーザ素子に帰還させる反射面を有す
る反射部材を備えた外部共振器型半導体レーザ装
置において、前記反射部材の後方に受光器を配置
し、前記反射面と前記レーザ光出射端面間の各々
を少なくとも１回以上反射したレーザ光をモニタ
ー光として前記受光器により検出することを特徴
とする半導体レーザ装置。 ２ 半導体レーザ素子の活性層を含む平面より上
側にある反射部材の厚みが前記半導体レーザ素子
と反射面間の距離よりも小さく設定された特許請
求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 ３ 半導体レーザ素子の活性層が前記半導体レー
ザ素子の厚みの中央レベル付近に位置する特許請
求の範囲第１項又は第２項記載の半導体レーザ装
置。 ４ 半導体レーザ素子の活性層を含む平面より上
側にある反射部材の厚みが前記半導体レーザ素子
の活性層より上にある厚みの半分以下である特許
請求の範囲第１項、第２項又は第３項記載の半導
体レーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61018697A JPS62174993A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 半導体レ−ザ装置 |
| US06/937,969 US4817109A (en) | 1985-12-10 | 1986-12-04 | External resonator type semiconductor laser apparatus |
| DE3642445A DE3642445C2 (de) | 1985-12-10 | 1986-12-09 | Halbleiterlaser mit externem Resonator und einem Fotodetektor |
| GB8629386A GB2186112B (en) | 1985-12-10 | 1986-12-09 | Semi-conductor laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61018697A JPS62174993A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62174993A JPS62174993A (ja) | 1987-07-31 |
| JPH0451075B2 true JPH0451075B2 (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=11978817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61018697A Granted JPS62174993A (ja) | 1985-12-10 | 1986-01-28 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62174993A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2715484B2 (ja) * | 1988-11-14 | 1998-02-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1986
- 1986-01-28 JP JP61018697A patent/JPS62174993A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62174993A (ja) | 1987-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4558449A (en) | Semiconductor laser with coupled loss modulator for optical telecommunications | |
| US4803695A (en) | Semiconductor laser apparatus having an external reflecting means | |
| JPH0831653B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| US4284963A (en) | Etalon laser diode | |
| US6347107B1 (en) | System and method of improving intensity control of laser diodes using back facet photodiode | |
| US4297651A (en) | Methods for simultaneous suppression of laser pulsations and continuous monitoring of output power | |
| US5438208A (en) | Mirror coupled monolithic laser diode and photodetector | |
| WO1985000702A1 (en) | Coupled cavity laser | |
| EP0602603A2 (en) | Semiconductor laser with optimum resonator | |
| US4817109A (en) | External resonator type semiconductor laser apparatus | |
| US4860305A (en) | External cavity type semiconductor laser apparatus | |
| US4901328A (en) | Semiconductor VSIS laser | |
| US4773077A (en) | Internal reflection interferometric semiconductor laser apparatus | |
| JPH0451075B2 (ja) | ||
| US4549300A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2001274505A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6384184A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2003209317A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| US5070511A (en) | Laser arrangement having at least one laser resonator and a passive resonator coupled thereto | |
| EP4404400A2 (en) | Multi-junction laser diode with improved wavelength stability | |
| US4823353A (en) | Semiconductor laser array apparatus | |
| JPS58162090A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| CA1118085A (en) | Methods for simultaneous suppression of laser pulsations and continuous monitoring of output power | |
| JPS6196787A (ja) | 光素子 | |
| JPS6164182A (ja) | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |