JPS58162090A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS58162090A JPS58162090A JP57046025A JP4602582A JPS58162090A JP S58162090 A JPS58162090 A JP S58162090A JP 57046025 A JP57046025 A JP 57046025A JP 4602582 A JP4602582 A JP 4602582A JP S58162090 A JPS58162090 A JP S58162090A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は高速変調時（；於いても単−縦モードで発振す
ることができる半導体レーザ（：関するものである。
ることができる半導体レーザ（：関するものである。
従来技術と問題点
光通信用光源として用いられる半導体レーザ（二は、高
速変調時シー於いても発振波長２発振モードが安定して
いることが要求される。このような要求を満す半導体レ
ーザとしては、その内部に半導体結晶層の膜厚が周期的
−二液化する周期構造を有し、この周期構造により光を
帰還２反射させ、レーザ発振を得るよう（＝した所謂、
分布帰還形半導体レーデと分布反射形半導体レーデとが
知られている。
速変調時シー於いても発振波長２発振モードが安定して
いることが要求される。このような要求を満す半導体レ
ーザとしては、その内部に半導体結晶層の膜厚が周期的
−二液化する周期構造を有し、この周期構造により光を
帰還２反射させ、レーザ発振を得るよう（＝した所謂、
分布帰還形半導体レーデと分布反射形半導体レーデとが
知られている。
このうち分布層造形（以後ＤＦＢと称する）レーデは活
性層または活性層と接して形成される光ガイド層Ｃ：光
の発振する方向Ｃ二そって前記の周期構造を設けたもの
であるが、素子製作上１：大きな間融点をかかえていた
。つまりそれはＤＦＢレーザの製作工程のうち最後４＝
あるペレット化の過程である。従来のファブリペロ共振
器を用いる形のレーデ（以後ＦＰシレーと称する）では
、結晶のへき間柱を利用し、へき１ｌｌＩ：よってペレ
ット化すると共６：、へきＭ面を鏡面とし、ファブリペ
ロ共振器を構成していた。しかし、ＤＦＢレーザー：於
いては、へき關を利用してペレット化を行なうとファプ
リペロ共振器も同時（＝構成されてしまうため、レーザ
発振時Ｃ二ＤＦＢモードでの発振の他にファブリペロモ
ードでの発振も生じてしまい、ＤＦＥレーデとしての性
能が著しく損われることになる。この問題をさけるため
、従来のＤＦＢレーザに於いてはペレット化のときワイ
ヤーソーを用いてウェハを切断し、ペレットの四周を粗
面とすること（二より、〕ｒプリペロ共振器の形成を防
ぐか、或はへき開５；より大きなペレットを得、その一
部だけに１極を形成し、°磁流注入領域な限定すること
１：より、他の部分を光の損失領域とし、ファブリペロ
モードでの発振を防ぐと言った方法がとられている。
性層または活性層と接して形成される光ガイド層Ｃ：光
の発振する方向Ｃ二そって前記の周期構造を設けたもの
であるが、素子製作上１：大きな間融点をかかえていた
。つまりそれはＤＦＢレーザの製作工程のうち最後４＝
あるペレット化の過程である。従来のファブリペロ共振
器を用いる形のレーデ（以後ＦＰシレーと称する）では
、結晶のへき間柱を利用し、へき１ｌｌＩ：よってペレ
ット化すると共６：、へきＭ面を鏡面とし、ファブリペ
ロ共振器を構成していた。しかし、ＤＦＢレーザー：於
いては、へき關を利用してペレット化を行なうとファプ
リペロ共振器も同時（＝構成されてしまうため、レーザ
発振時Ｃ二ＤＦＢモードでの発振の他にファブリペロモ
ードでの発振も生じてしまい、ＤＦＥレーデとしての性
能が著しく損われることになる。この問題をさけるため
、従来のＤＦＢレーザに於いてはペレット化のときワイ
ヤーソーを用いてウェハを切断し、ペレットの四周を粗
面とすること（二より、〕ｒプリペロ共振器の形成を防
ぐか、或はへき開５；より大きなペレットを得、その一
部だけに１極を形成し、°磁流注入領域な限定すること
１：より、他の部分を光の損失領域とし、ファブリペロ
モードでの発振を防ぐと言った方法がとられている。
しかしこれらの方法のうち、ワイヤーソーを用いる方法
では結晶Ｃ：高密度の欠陥が導入される問題があり、素
子の信頼性を低下させる欠点がある。
では結晶Ｃ：高密度の欠陥が導入される問題があり、素
子の信頼性を低下させる欠点がある。
また、大きなペレットの一部を用いる方法では結晶の有
効利用という面からみて問題がある。一方、分布反射形
レーデ（以後ＤＢＲレーデと称する）についても、ファ
ブリペロモードでの発振を抑圧することが大きな１ＩＪ
ｉであることはＤＦＢレーザと同様であった。
効利用という面からみて問題がある。一方、分布反射形
レーデ（以後ＤＢＲレーデと称する）についても、ファ
ブリペロモードでの発振を抑圧することが大きな１ＩＪ
ｉであることはＤＦＢレーザと同様であった。
発明の目的
本発明は前述の如き欠点な改善したものであり、その目
的は分布帰道形成は分布反射形の半導体レーデに於いて
、ファブリペロモードでの発振を抑え、特性の良い分布
帰還モード、分布反射モードの発振を得られるようにす
ること礪：ある。以下実施例につ４Ａて詳細−一説明す
る。
的は分布帰道形成は分布反射形の半導体レーデに於いて
、ファブリペロモードでの発振を抑え、特性の良い分布
帰還モード、分布反射モードの発振を得られるようにす
ること礪：ある。以下実施例につ４Ａて詳細−一説明す
る。
発明の実施例
第１図は本発明の一実施例の断面図であり、ＤＦＢレー
ザに本発明を適用した場合についてのものである。同図
に於いて、１はル形ＩＭＰ基板、２は語形１ｎＦ基板１
６二周期的、且つストライプ状感：溝を設けることによ
り形成した回折格子、５は光ガイド層となる筒形Ｇａ１
％Ａ＃Ｐ四元混晶層、４は活性層となるＧｇ１％ＡＩＰ
四元混晶層、５はＰ形１ｖｂＰ結晶層、６は光吸収層と
なる禁制帯幅が絡形Ｇａ１ｎＡＩＦ四元混晶層５ 、
Ｇｇ１％ＡａＰ四元混晶層４よりも小さいＧｇ１％Ａｅ
Ｐ四元混晶層、７はＰ形Ｉ旙Ｐ結晶層、８は語形ＩＭＰ
結晶層、９，１０はそれぞれへき開等の手段１：より形
成された素子端面、１１．１２はオーミック電極、１５
は出射されるレーザ光である。尚、ル形Ｇａ１ｖｂＡｚ
Ｐ四元混晶層３、Ｇａ１ｎＡａＰ四元混晶層４．６の禁
制帯幅は、各四元混晶層を構成する元素の割合をかえる
ことＣ：より、異なるものとすることができる。
ザに本発明を適用した場合についてのものである。同図
に於いて、１はル形ＩＭＰ基板、２は語形１ｎＦ基板１
６二周期的、且つストライプ状感：溝を設けることによ
り形成した回折格子、５は光ガイド層となる筒形Ｇａ１
％Ａ＃Ｐ四元混晶層、４は活性層となるＧｇ１％ＡＩＰ
四元混晶層、５はＰ形１ｖｂＰ結晶層、６は光吸収層と
なる禁制帯幅が絡形Ｇａ１ｎＡＩＦ四元混晶層５ 、
Ｇｇ１％ＡａＰ四元混晶層４よりも小さいＧｇ１％Ａｅ
Ｐ四元混晶層、７はＰ形Ｉ旙Ｐ結晶層、８は語形ＩＭＰ
結晶層、９，１０はそれぞれへき開等の手段１：より形
成された素子端面、１１．１２はオーミック電極、１５
は出射されるレーザ光である。尚、ル形Ｇａ１ｖｂＡｚ
Ｐ四元混晶層３、Ｇａ１ｎＡａＰ四元混晶層４．６の禁
制帯幅は、各四元混晶層を構成する元素の割合をかえる
ことＣ：より、異なるものとすることができる。
オーミック電極１２からオーミック電極１１へ向けての
電流注入−二応じてＧａ１％ＡｚＰ四元混晶層４で発生
した光はル形Ｇａ１ｎＡｚＰ四元混晶層３へもれて、Ｇ
ａ１ｎＡｚＰ四元混晶層４、語形Ｇａ１ｎＡｚＰ四元混
晶層３中を伝搬する。このとき回折格子２の周期Ａを、
Ｊ ＝１ｍ なる関係を満足させるようＣ；定めてお
け２％ ば、いわゆる分布帰道モードでのレーザ発振が引き起さ
れる。ここで、λはレーデ発振の波長、路は回折格子２
、語形ＧｔｘｌｓＡｚＰ四元混晶層３、ＧｇｌルＡｚＰ
四元混晶層４、Ｐ形ＩＭＰ結晶層５４二より構成される
光導波路の実効屈折率、馬は回折格子の次数である。
電流注入−二応じてＧａ１％ＡｚＰ四元混晶層４で発生
した光はル形Ｇａ１ｎＡｚＰ四元混晶層３へもれて、Ｇ
ａ１ｎＡｚＰ四元混晶層４、語形Ｇａ１ｎＡｚＰ四元混
晶層３中を伝搬する。このとき回折格子２の周期Ａを、
Ｊ ＝１ｍ なる関係を満足させるようＣ；定めてお
け２％ ば、いわゆる分布帰道モードでのレーザ発振が引き起さ
れる。ここで、λはレーデ発振の波長、路は回折格子２
、語形ＧｔｘｌｓＡｚＰ四元混晶層３、ＧｇｌルＡｚＰ
四元混晶層４、Ｐ形ＩＭＰ結晶層５４二より構成される
光導波路の実効屈折率、馬は回折格子の次数である。
一方、先導波路の両端からの光の反射ζ二より′生じる
ファブリペロモードでのレーザ発振を考えると、へき開
ｄ；より形成した一方の素子端面９の方向Ｃ；進んだ光
は、素子端Ｗ４９が充反な反射率（約５０％）を有する
ので、素子１面９で反射されるが、他方の素子端面１０
の方向感＝進んだ光は、素子端ｇｉｉ１０に接して設け
られている禁制帯幅がル形Ｇ＠Ｉ＊ＡｚＰ四元混晶層６
、Ｇａｌ＊ＡｚＰ四元混晶層４よりも小さいＧａｌ＊Ａ
ｚＰ四元混晶層６で吸収を受け、減衰するので、素子端
面１０（＝は僅かしか到達しない。また、素子端面１０
（＝達し、そこで反射された光は再びＧｇｌ＊ＡｅＰ四
元混晶層６で吸収を受は一部 減貫すので、先導波路−一部る光の量は橋めて少なく１
．従って、〕ｒプリベロモードでのレーデ発振をほぼ完
全に防ぐことができる。
ファブリペロモードでのレーザ発振を考えると、へき開
ｄ；より形成した一方の素子端面９の方向Ｃ；進んだ光
は、素子端Ｗ４９が充反な反射率（約５０％）を有する
ので、素子１面９で反射されるが、他方の素子端面１０
の方向感＝進んだ光は、素子端ｇｉｉ１０に接して設け
られている禁制帯幅がル形Ｇ＠Ｉ＊ＡｚＰ四元混晶層６
、Ｇａｌ＊ＡｚＰ四元混晶層４よりも小さいＧａｌ＊Ａ
ｚＰ四元混晶層６で吸収を受け、減衰するので、素子端
面１０（＝は僅かしか到達しない。また、素子端面１０
（＝達し、そこで反射された光は再びＧｇｌ＊ＡｅＰ四
元混晶層６で吸収を受は一部 減貫すので、先導波路−一部る光の量は橋めて少なく１
．従って、〕ｒプリベロモードでのレーデ発振をほぼ完
全に防ぐことができる。
同１１！ｌｃ示した素子を製造する場合は、先ず回折格
子２を形成した語形１ｎＦ基板１上４：液相成長法等の
手段４二より、原形Ｇａｌ酪ＡｚＰ四元混晶層５ 、
Ｇｇｌ＊ＡｚＰ四元混晶＠４、Ｐ形１ｓＦ結晶鳩５を順
次成１Ｉｔ８せる。その後、Ｐ形ＩＭＰ結晶層５、Ｑｇ
ｌ＊ＡｚＰ四元混晶層４、算形Ｇ６Ｉ％ＡＩＰ四元混晶
層５、語形１ｘＰ基板１の一部を化学エツチング等の適
当な手段４二より除去し、この除去した部分に、０ｇ１
ｎＡｚＰ四元混晶層６、Ｐ形１ｎＰ結晶１１１４７、製
形Ｉ％Ｐ結晶４９８を順次成長させる。この後、オーミ
ック電極１１．１２を形成し、更Ｃ：へき開−エツチン
グ等の手段Ｃ：よ番ノペレットイヒし、同図に示した素
子を得る。
子２を形成した語形１ｎＦ基板１上４：液相成長法等の
手段４二より、原形Ｇａｌ酪ＡｚＰ四元混晶層５ 、
Ｇｇｌ＊ＡｚＰ四元混晶＠４、Ｐ形１ｓＦ結晶鳩５を順
次成１Ｉｔ８せる。その後、Ｐ形ＩＭＰ結晶層５、Ｑｇ
ｌ＊ＡｚＰ四元混晶層４、算形Ｇ６Ｉ％ＡＩＰ四元混晶
層５、語形１ｘＰ基板１の一部を化学エツチング等の適
当な手段４二より除去し、この除去した部分に、０ｇ１
ｎＡｚＰ四元混晶層６、Ｐ形１ｎＰ結晶１１１４７、製
形Ｉ％Ｐ結晶４９８を順次成長させる。この後、オーミ
ック電極１１．１２を形成し、更Ｃ：へき開−エツチン
グ等の手段Ｃ：よ番ノペレットイヒし、同図に示した素
子を得る。
同図シニ於いては、オーミック電極１２はＧｇ１ｒｈＡ
ｓＰ、四元混晶層６の上部まで形成されているが、Ｐ形
ＩＭＰ結晶層７．２形１ｎＰ結晶層８との間（；形成さ
れるｐ−ｓ接合Ｑより８→７→６→１（符号のみで示す
）と流れようとする電流は阻止されている。勿論、オー
ミック電極１２を？形Ｉ％Ｐ結晶層５上のみに設けるよ
うにしても良く、そのときは、Ｐ形ＩＭＰ結晶層７、ル
形Ｉ％Ｐ結晶１１８の形成は不要である。
ｓＰ、四元混晶層６の上部まで形成されているが、Ｐ形
ＩＭＰ結晶層７．２形１ｎＰ結晶層８との間（；形成さ
れるｐ−ｓ接合Ｑより８→７→６→１（符号のみで示す
）と流れようとする電流は阻止されている。勿論、オー
ミック電極１２を？形Ｉ％Ｐ結晶層５上のみに設けるよ
うにしても良く、そのときは、Ｐ形ＩＭＰ結晶層７、ル
形Ｉ％Ｐ結晶１１８の形成は不要である。
また、第１図の構成は本発明の原理を示す最も簡単なも
ので、レーザ素子としての性能向上のために、この構成
を基本としていわゆる埋めこみ構造レーデ等を製作する
ことは極めて容易である。
ので、レーザ素子としての性能向上のために、この構成
を基本としていわゆる埋めこみ構造レーデ等を製作する
ことは極めて容易である。
第２図は本発明の他の実施例の断面図であり、光出力モ
ニタ用の受光素子を集積化した半導体レーザに本発明を
適用した場合（二ついてのものである。同図Ｃ二於いて
、１４はプロトン注入等の手段により高抵抗化したＩＭ
Ｐ結晶層、１５は絡形ＧｔｌｓＡｓＦ四元混晶層３、Ｇ
ｇｌ算ＡｚＰ四元混晶層４より禁制帯幅が小さい霧形Ｇ
＠ｌ＊ＡｚＰ四元混晶層、１６は話形Ｇｇｌ＊ＡｚＰ四
元滉晶層５、Ｇａ１ｎＡｉＰ四元混晶層４より禁制帯幅
が小さいＰ形Ｑｔｘ１％ＡｚＰ四元混晶層、１７はＰ形
Ｇｇｌ算ＡａｐＰ四元混晶層Ｌ６ｋに形成されたオーミ
ック電橋、１８はレーザダイオード駆動用の信号源、１
９は鑞流針であり、他の第１図と同一符号は同一部分を
表わしている。
ニタ用の受光素子を集積化した半導体レーザに本発明を
適用した場合（二ついてのものである。同図Ｃ二於いて
、１４はプロトン注入等の手段により高抵抗化したＩＭ
Ｐ結晶層、１５は絡形ＧｔｌｓＡｓＦ四元混晶層３、Ｇ
ｇｌ算ＡｚＰ四元混晶層４より禁制帯幅が小さい霧形Ｇ
＠ｌ＊ＡｚＰ四元混晶層、１６は話形Ｇｇｌ＊ＡｚＰ四
元滉晶層５、Ｇａ１ｎＡｉＰ四元混晶層４より禁制帯幅
が小さいＰ形Ｑｔｘ１％ＡｚＰ四元混晶層、１７はＰ形
Ｇｇｌ算ＡａｐＰ四元混晶層Ｌ６ｋに形成されたオーミ
ック電橋、１８はレーザダイオード駆動用の信号源、１
９は鑞流針であり、他の第１図と同一符号は同一部分を
表わしている。
信号源１８より信号電流をオーミック電橋１２からオー
ミック電極１１Ｃ；向けて流すと、信号電流に応じたレ
ーデ発振が得られ、この際、素子端面１０方向に進んだ
レーデ光は、ＩＭＦ結晶層１４を介して外形ＧＩＩｘＡ
ｚＰ四元混晶層１５、Ｐ形Ｇａ１ｎＡｚＰ四元温晶層１
６に入射し、ここで吸収されるので、素子端１ｉｉ１Ｇ
からの反射光は極めて弱くなり、従って、）ｒプリペロ
モード発振を完全におさえることができる。一方、旙形
、Ｐ形Ｇａ ＩルＡｚＰ四元混晶層１５ 、１６に吸収
されたレーザ光は、両者の間に形成されたと１接合Ｃ二
光起電力を生じさせるものであるから、電流計１９にレ
ーデ光の強弱に応じた電流値が示されることになる。即
ち、同図に示した半導体レーザは、光出力の安定化の為
のモニタ用受光素子を集積化すると共櫨：、そのモニタ
用受光素子（二より素子端面に於ける反射を防止し、）
ｒプリベロモードの発振を防ぐものであり、ＤＦＢレー
デの高性能化と多機能化とを同時に満足させたものであ
る。
ミック電極１１Ｃ；向けて流すと、信号電流に応じたレ
ーデ発振が得られ、この際、素子端面１０方向に進んだ
レーデ光は、ＩＭＦ結晶層１４を介して外形ＧＩＩｘＡ
ｚＰ四元混晶層１５、Ｐ形Ｇａ１ｎＡｚＰ四元温晶層１
６に入射し、ここで吸収されるので、素子端１ｉｉ１Ｇ
からの反射光は極めて弱くなり、従って、）ｒプリペロ
モード発振を完全におさえることができる。一方、旙形
、Ｐ形Ｇａ ＩルＡｚＰ四元混晶層１５ 、１６に吸収
されたレーザ光は、両者の間に形成されたと１接合Ｃ二
光起電力を生じさせるものであるから、電流計１９にレ
ーデ光の強弱に応じた電流値が示されることになる。即
ち、同図に示した半導体レーザは、光出力の安定化の為
のモニタ用受光素子を集積化すると共櫨：、そのモニタ
用受光素子（二より素子端面に於ける反射を防止し、）
ｒプリベロモードの発振を防ぐものであり、ＤＦＢレー
デの高性能化と多機能化とを同時に満足させたものであ
る。
第５図は本発明のその他の実施例の断面図であり、本発
明を分布反射形半導体レーザ（＝適用した場合について
のものである。同図（二示した素子と第１図に示した素
子との異なる点は、Ｐ形１ｎＰ結晶層５上に該Ｐ形１ｎ
Ｐ結晶層５の一部が露出するような絶縁層２０を設け、
絶縁層２０上にオーミック電［ｉ１２を設けるようＣ二
した点と、ル形１ｎＰ基板１に回折格子を形成しない部
分（オーミック電極１２とＰ形Ｉ％Ｐ結晶層５とが接触
している部分の下方）を設けた点と、Ｐ形ＩＭＰ結晶層
７、筒形Ｉ％Ｐ結晶層８とが設けられていない点である
。尚、他の１１図と同一符号は同一部分を表わしている
。
明を分布反射形半導体レーザ（＝適用した場合について
のものである。同図（二示した素子と第１図に示した素
子との異なる点は、Ｐ形１ｎＰ結晶層５上に該Ｐ形１ｎ
Ｐ結晶層５の一部が露出するような絶縁層２０を設け、
絶縁層２０上にオーミック電［ｉ１２を設けるようＣ二
した点と、ル形１ｎＰ基板１に回折格子を形成しない部
分（オーミック電極１２とＰ形Ｉ％Ｐ結晶層５とが接触
している部分の下方）を設けた点と、Ｐ形ＩＭＰ結晶層
７、筒形Ｉ％Ｐ結晶層８とが設けられていない点である
。尚、他の１１図と同一符号は同一部分を表わしている
。
同図シー示した半導体レーデに於いても、素子端Ｅｉｉ
１Ｇ方向に進むレーザ光はＧｇｌ絡ＡｐＰ四元混晶層６
感＝吸収される為、ファブリペロモードでの発振を防止
することができ、特性の良い分布反射モード０レーデ発
振を得ることができる。
１Ｇ方向に進むレーザ光はＧｇｌ絡ＡｐＰ四元混晶層６
感＝吸収される為、ファブリペロモードでの発振を防止
することができ、特性の良い分布反射モード０レーデ発
振を得ることができる。
以下に、第１図鑑＝示した構造を有する半導体レーデを
作製し、特性を測定したときの測定結果を示す。
作製し、特性を測定したときの測定結果を示す。
但し、１はキャリヤ密度−５＜ ｊＱ” ａｍ−” 、
ＥＰＤ（エッチビット密度） ＝ ５ｘ １０”ｃｗ
ｈ−家、厚さ＝８０μｍのＳ’ｓをドープした語形１ｎ
Ｐ ｉ二より形成し、５はキャリヤ密度＝７ ％ １０
１？、扉−１，厚さ−０，２，ｍＯ＆ｓをドーグしたＧ
ａ（１４４Ｉｓ０７４ＡＩ１１．Ｉ４’０．４４により
、４は厚さ−０・１５声高のＧ’０．４２１ルｏ、ｓ・
ル０．８１１Ｆ０．１２ により、５はキャリヤ密度＝
１Ｘ ＩＱ” Ｃｎ１−” ｇ厚さ−２，５μ屡のＩｎ
をドープしたＰ形１ｎＰ （二より形成した。
ＥＰＤ（エッチビット密度） ＝ ５ｘ １０”ｃｗ
ｈ−家、厚さ＝８０μｍのＳ’ｓをドープした語形１ｎ
Ｐ ｉ二より形成し、５はキャリヤ密度＝７ ％ １０
１？、扉−１，厚さ−０，２，ｍＯ＆ｓをドーグしたＧ
ａ（１４４Ｉｓ０７４ＡＩ１１．Ｉ４’０．４４により
、４は厚さ−０・１５声高のＧ’０．４２１ルｏ、ｓ・
ル０．８１１Ｆ０．１２ により、５はキャリヤ密度＝
１Ｘ ＩＱ” Ｃｎ１−” ｇ厚さ−２，５μ屡のＩｎ
をドープしたＰ形１ｎＰ （二より形成した。
マタ、６ハ’ｔ’ｒ リヤ密［−３ｘ １０″（２３１
１−” 、 Ｊ９Ｔサ−１，２／１１１１１０算形Ｇ＃
０．４７１” Ｏ，５ａＡＩにより、７はキャリヤ密
度富４）１０”’罵−魯、厚さ＝１．５声罵のＺ路をド
ープしたＰ形ＩＭＰ Ｉ：より、８はキャリヤ密度５
ｘ １０１ ？ Ｃｍ−８，厚さ−１，０声ｗａ（ＱＴ
−をドープしたル形１ｎＰ Ｃより形成した。また各結
晶層６〜８はいわゆるスライドボード法Ｃ二より、液相
成長させたものであり、各結晶層５〜８の成長温度は５
９０℃〜６０５℃の間シーある。また、回折格子２は＜
１００＞基板１上（ニフォトレジストを塗布し、Ａｙイ
オンレーザの４８８１ＯＡの光の干渉を利用して露光し
、現像後、ＨＣｌ２鵡０＝１：１のエツチング液（２０
℃）を用い、ｌ＜１１０＞方向の１つに沿って設けるこ
とＣ：より形成されたものである。各結晶４９５〜８の
成員後、Ａｘ −Ｇ ａ −Ｎｉ合金金ら成るオーミッ
ク電ｔｊ１１と、Ａ藝−ム合金から成るストライプ構造
のオーミック電極１２を形成し、この後、へき開（二よ
り素子端面９，１０を形成した。尚、素子端面９，１０
間の間隔は２６０μ罵とし、このうち結晶ｌ１６の部分
’ＩＢｏ声罵とした。このようにして作製した素子をダ
イヤモンドヒートシンクにマウンシし、順方向電流を流
したところ、室温に於いて閾値１２０＋＋ａＡで、嫂ｊ
１１．５３μ講の分布帰還モードのし尚、実施例に於い
ては、基板として導電形が３形のものを用いたが、Ｐ形
のものを用いる場合は、他の半導体結晶の導電形を全て
逆にすれば良い。
１−” 、 Ｊ９Ｔサ−１，２／１１１１１０算形Ｇ＃
０．４７１” Ｏ，５ａＡＩにより、７はキャリヤ密
度富４）１０”’罵−魯、厚さ＝１．５声罵のＺ路をド
ープしたＰ形ＩＭＰ Ｉ：より、８はキャリヤ密度５
ｘ １０１ ？ Ｃｍ−８，厚さ−１，０声ｗａ（ＱＴ
−をドープしたル形１ｎＰ Ｃより形成した。また各結
晶層６〜８はいわゆるスライドボード法Ｃ二より、液相
成長させたものであり、各結晶層５〜８の成長温度は５
９０℃〜６０５℃の間シーある。また、回折格子２は＜
１００＞基板１上（ニフォトレジストを塗布し、Ａｙイ
オンレーザの４８８１ＯＡの光の干渉を利用して露光し
、現像後、ＨＣｌ２鵡０＝１：１のエツチング液（２０
℃）を用い、ｌ＜１１０＞方向の１つに沿って設けるこ
とＣ：より形成されたものである。各結晶４９５〜８の
成員後、Ａｘ −Ｇ ａ −Ｎｉ合金金ら成るオーミッ
ク電ｔｊ１１と、Ａ藝−ム合金から成るストライプ構造
のオーミック電極１２を形成し、この後、へき開（二よ
り素子端面９，１０を形成した。尚、素子端面９，１０
間の間隔は２６０μ罵とし、このうち結晶ｌ１６の部分
’ＩＢｏ声罵とした。このようにして作製した素子をダ
イヤモンドヒートシンクにマウンシし、順方向電流を流
したところ、室温に於いて閾値１２０＋＋ａＡで、嫂ｊ
１１．５３μ講の分布帰還モードのし尚、実施例に於い
ては、基板として導電形が３形のものを用いたが、Ｐ形
のものを用いる場合は、他の半導体結晶の導電形を全て
逆にすれば良い。
また、ＧｇＡｚ −ＧｔｔＡＩＡａ系、Ｇａ８に−Ｇａ
ＡＩＡｄＪｂ系等の材料を用いても、本発明を実現でき
ることは勿論である。
ＡＩＡｄＪｂ系等の材料を用いても、本発明を実現でき
ることは勿論である。
発明の詳細
な説明したように本発明は光吸収層（実施例Ｃｍ於いて
はＧｇｌ蕗ＡａＰ四元混晶層６）を、少なくとも活性層
（実施例砿二於いてはＧαＩｎＡｚＰ四元混晶１）と素
子端１ｉｉ（実施例（：於いては素子端＠ １０ ）と
の間５；設けたものであり、光吸収層が素子端面で反射
する光を吸収し、フｒブリペロモードのレーザ発振を防
止するものであるから、特性の良い分布帰還モード又は
分布反射モードのレーザ発振を得ることができる利点が
ある。また、素子をペレット化する場合、従来のように
ワイヤソーを使用しないので、素子の信頼性及び結晶利
用効率が向上する利点がある。
はＧｇｌ蕗ＡａＰ四元混晶層６）を、少なくとも活性層
（実施例砿二於いてはＧαＩｎＡｚＰ四元混晶１）と素
子端１ｉｉ（実施例（：於いては素子端＠ １０ ）と
の間５；設けたものであり、光吸収層が素子端面で反射
する光を吸収し、フｒブリペロモードのレーザ発振を防
止するものであるから、特性の良い分布帰還モード又は
分布反射モードのレーザ発振を得ることができる利点が
ある。また、素子をペレット化する場合、従来のように
ワイヤソーを使用しないので、素子の信頼性及び結晶利
用効率が向上する利点がある。
実施例の断面図である。
１は筒形１％戸基板、２は回折格子、６は宵形Ｇｇｌ絡
ＡｚＰ四元混晶層、４は活性層となるＧｇ１ｎＡｚＰ四
元混晶層、５はＰ形Ｉ％Ｐ結晶層、６は光吸収層となる
ＧＩＬＩｓＡＩＰ四元混晶層、７はＰ形Ｉ％Ｐ結晶層、
８は霧形Ｉ襲Ｐ結晶層、９，１０は素子端面、１１，１
２．１７はオーミック電極、１３はレーザ光、１４は高
抵抗化されたＩＭＰ結晶層、１５は島形Ｇａ１ｎＡｚＰ
四元搗晶層、１６はＰ形Ｇａ１％Ａ＃Ｐ四元混晶層、１
Ｂは信号源、１９は磁流針、２０は絶縁層である。
ＡｚＰ四元混晶層、４は活性層となるＧｇ１ｎＡｚＰ四
元混晶層、５はＰ形Ｉ％Ｐ結晶層、６は光吸収層となる
ＧＩＬＩｓＡＩＰ四元混晶層、７はＰ形Ｉ％Ｐ結晶層、
８は霧形Ｉ襲Ｐ結晶層、９，１０は素子端面、１１，１
２．１７はオーミック電極、１３はレーザ光、１４は高
抵抗化されたＩＭＰ結晶層、１５は島形Ｇａ１ｎＡｚＰ
四元搗晶層、１６はＰ形Ｇａ１％Ａ＃Ｐ四元混晶層、１
Ｂは信号源、１９は磁流針、２０は絶縁層である。
特許出願人 日本電信電話公社
代理人 弁理士 玉蟲久五部（外５名）第１図
第 ３ 図
３９５−
Claims (1)
- 半導体基板上シー少なくとも活性層を含む複数の半導体
層を有し、且つ前記半導体層の少なくとも一部（；膜厚
が周期的に変化する周期ストライプ構造が形成されてい
る分布帰還または分布反射の機能を有する半導体レーデ
に於いて、少なくとも前記活性層のレーデ光の発振する
方向の一方の端面と素子端面との間に、禁制帯幅が前記
活性層の禁制帯幅より小さい光吸収層を設けたことを特
徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57046025A JPS58162090A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57046025A JPS58162090A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162090A true JPS58162090A (ja) | 1983-09-26 |
Family
ID=12735503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57046025A Pending JPS58162090A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162090A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60133782A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-16 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS62195191A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発・受光素子 |
| JPS63108790A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光出力モニタ付半導体レ−ザ |
| WO2020065744A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ、半導体レーザアレイおよび半導体レーザの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5096189A (ja) * | 1973-12-24 | 1975-07-31 | ||
| JPS5214393A (en) * | 1975-07-16 | 1977-02-03 | Post Office | Laser and optical detector |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP57046025A patent/JPS58162090A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5096189A (ja) * | 1973-12-24 | 1975-07-31 | ||
| JPS5214393A (en) * | 1975-07-16 | 1977-02-03 | Post Office | Laser and optical detector |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60133782A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-16 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS62195191A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発・受光素子 |
| JPS63108790A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光出力モニタ付半導体レ−ザ |
| WO2020065744A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ、半導体レーザアレイおよび半導体レーザの製造方法 |
| JPWO2020065744A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2021-08-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ、半導体レーザアレイおよび半導体レーザの製造方法 |
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