JPS6373683A - 分布帰還型半導体レ−ザ - Google Patents
分布帰還型半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6373683A JPS6373683A JP61218458A JP21845886A JPS6373683A JP S6373683 A JPS6373683 A JP S6373683A JP 61218458 A JP61218458 A JP 61218458A JP 21845886 A JP21845886 A JP 21845886A JP S6373683 A JPS6373683 A JP S6373683A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- current blocking
- type
- distributed feedback
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 101100008044 Caenorhabditis elegans cut-1 gene Proteins 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005021 gait Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、分布帰還型半導体レーデに関する。
［従来の技術とその問題点コ
光フアイバ通信では長距離・大容量伝送を行うためには
、光源となる半導体レーデの発振波長が高速変調時にも
単一であると共に、光ファイバとの高効率表結合を得る
ために横モードも単一であることが要求される。これら
の要求を満すものとして活性領域の光の進行方向に沿っ
て周期的な凹凸（以下、回折格子と記す）を有する分布
帰還型半導体レーザ（ＤＦＢレーデ）が、主にＬＰＥ
（Ｌｌ（１−ｕｉｄ ｐｈａｓ＠ｅｐｉｔａｘｙ ）法
により製造されている。
、光源となる半導体レーデの発振波長が高速変調時にも
単一であると共に、光ファイバとの高効率表結合を得る
ために横モードも単一であることが要求される。これら
の要求を満すものとして活性領域の光の進行方向に沿っ
て周期的な凹凸（以下、回折格子と記す）を有する分布
帰還型半導体レーザ（ＤＦＢレーデ）が、主にＬＰＥ
（Ｌｌ（１−ｕｉｄ ｐｈａｓ＠ｅｐｉｔａｘｙ ）法
により製造されている。
一方、ＬＰＥ法に比べて大面積にわたって膜厚、組成の
均一性に優れると共に、量産性にも優れたＭＯＣｖＤ
（Ｍ＠ｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈ＠ｒｎｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｓｐｏｓｉ−ｔｌｏｎ ）法により製造
される分布帰還型半導体レーザが開発されている。第２
図は、ＭＯＣｖＤ法にて得られたりッジ型の分布帰還型
半導体レーデを示している（ Ｍ、 Ｒａｚｓｇｈｌ他
ＩＥＦＪＥ Ｊ、 Ｑｕａｎｔｕｍ、 Ｅｌ＠ｃｔｒｏ
ｎ。
均一性に優れると共に、量産性にも優れたＭＯＣｖＤ
（Ｍ＠ｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈ＠ｒｎｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｓｐｏｓｉ−ｔｌｏｎ ）法により製造
される分布帰還型半導体レーザが開発されている。第２
図は、ＭＯＣｖＤ法にて得られたりッジ型の分布帰還型
半導体レーデを示している（ Ｍ、 Ｒａｚｓｇｈｌ他
ＩＥＦＪＥ Ｊ、 Ｑｕａｎｔｕｍ、 Ｅｌ＠ｃｔｒｏ
ｎ。
ｖｏｌ、 ＱＥ−２１，Ｎ６６ 、 Ｐ２Ｏ３，１９８
５）。図中１は、ｎ型のＩｎＰからなる基板でちる。基
板１の主面には、ｎ型１ｎＰからなるクラッド層２、ノ
ンドーグＧａＩｎＡｓＰ （λｇ ＝Ｌ ５５ ｐｍ
）からなる活性層３、主面に回折格子を有するｐ型Ｇａ
ＩｎＡｍＰ （λ、＝１３ｐｒｎ ）からなる導波路層
４が順次積層されている。
５）。図中１は、ｎ型のＩｎＰからなる基板でちる。基
板１の主面には、ｎ型１ｎＰからなるクラッド層２、ノ
ンドーグＧａＩｎＡｓＰ （λｇ ＝Ｌ ５５ ｐｍ
）からなる活性層３、主面に回折格子を有するｐ型Ｇａ
ＩｎＡｍＰ （λ、＝１３ｐｒｎ ）からなる導波路層
４が順次積層されている。
導波路層上の所定領域には、ｐ型ＩｎＰからなるクラッ
ド層５及びｐ型ＧｉＩｎＡｓＰからなるキャップ層６が
順次積層されている。
ド層５及びｐ型ＧｉＩｎＡｓＰからなるキャップ層６が
順次積層されている。
このように構成された分布帰還型半導体レーデは、活性
領域内に回折格子を持ち、回折格子による進行波と後進
波との結合を利用して光の帰還を行う。更に、回折格子
による波長選択性によって単一波長でレーデ発振するよ
うになっている。また、横モードの単−化及び低しきい
値電流動作を実現するためにリッジ構造を採用している
。このような分布帰還型半導体レーザでは、リッジ構造
のためＬＰＥ法で作られたものに比べて低しきい値電流
及び単−横そ−ド動作を十分には実現できない問題があ
った。
領域内に回折格子を持ち、回折格子による進行波と後進
波との結合を利用して光の帰還を行う。更に、回折格子
による波長選択性によって単一波長でレーデ発振するよ
うになっている。また、横モードの単−化及び低しきい
値電流動作を実現するためにリッジ構造を採用している
。このような分布帰還型半導体レーザでは、リッジ構造
のためＬＰＥ法で作られたものに比べて低しきい値電流
及び単−横そ−ド動作を十分には実現できない問題があ
った。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであシ、ＭＯ
ＣＶＤ法にて製造が可能であり、かつ、低しきい値で単
−縦・横モード動作を十分に実現することができる分布
帰還型半導体レーデを提供するものである。
ＣＶＤ法にて製造が可能であり、かつ、低しきい値で単
−縦・横モード動作を十分に実現することができる分布
帰還型半導体レーデを提供するものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、第１導電型の半導体基板上に順次積層された
第１導電型のクラッド層、活性層、光の進行方向に沿っ
て周期釣力凹凸を形成した第２クラッド層、前記活性層
より禁制帯幅の大きなエツチング停止層、及び電流阻止
層と、該電流阻止層を貫挿して形成されたストライプ状
のチャネルと、核チャネル内で前記半導体基板方向に凹
み、かつ、前記活性層より小さい屈折率で前記電流阻止
層上に形成された導波路層と、該導波路層上に形成され
た第２導電型のクラッド層とを具備することを特徴とす
る分布帰還型半導体レーデである。
第１導電型のクラッド層、活性層、光の進行方向に沿っ
て周期釣力凹凸を形成した第２クラッド層、前記活性層
より禁制帯幅の大きなエツチング停止層、及び電流阻止
層と、該電流阻止層を貫挿して形成されたストライプ状
のチャネルと、核チャネル内で前記半導体基板方向に凹
み、かつ、前記活性層より小さい屈折率で前記電流阻止
層上に形成された導波路層と、該導波路層上に形成され
た第２導電型のクラッド層とを具備することを特徴とす
る分布帰還型半導体レーデである。
ここで、活性層を量子井戸層としても良い。一般に分布
帰還型半導体レーデでは偏波依存性がほとんどないため
、電界が主に導波路層と平行女偏波であるＴＥ波と、磁
界が主に導波路層と平行な偏波であるＴＭ波とが同時に
発振してしまうことがあシ、２本の発振モードとなって
しまい単一波長ではないことがある。活性層を量子井戸
層とすることにより、ＴＥ波、ＴＭ波モード間に利得差
を与えることが可能とな夛、ＴＥモードでの単一波長動
作を実現できるものである。
帰還型半導体レーデでは偏波依存性がほとんどないため
、電界が主に導波路層と平行女偏波であるＴＥ波と、磁
界が主に導波路層と平行な偏波であるＴＭ波とが同時に
発振してしまうことがあシ、２本の発振モードとなって
しまい単一波長ではないことがある。活性層を量子井戸
層とすることにより、ＴＥ波、ＴＭ波モード間に利得差
を与えることが可能とな夛、ＴＥモードでの単一波長動
作を実現できるものである。
［作用コ
本発明に係る分布帰還型半導体レーザによれば、中間層
上に回折格子が形成されているため、単一波長での動作
が可能である。また、チャネル内とそれ以外の部分では
屈折率差が生じ（チャネル内では導波路層が屈曲してい
るため、それ以外の部分より実効屈折率が大きく表る）
、安定した基本横モード動作が可能である。しかも、電
流阻止層を内在しているので、低しきい値電流での動作
を実現することができる。
上に回折格子が形成されているため、単一波長での動作
が可能である。また、チャネル内とそれ以外の部分では
屈折率差が生じ（チャネル内では導波路層が屈曲してい
るため、それ以外の部分より実効屈折率が大きく表る）
、安定した基本横モード動作が可能である。しかも、電
流阻止層を内在しているので、低しきい値電流での動作
を実現することができる。
［実施例コ
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例である波長１．３１１ｍ
ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ分布帰還型半導体レーデの概
略構成を示す説明図である。図中１０は、（１００）Ｉ
ｎＰからなるｎ型の半導体基板である。半導体基板１０
上には、ＭＯＣＶＤ法にて形成され之ｎ型ＩｎＰからな
るクラッド層１１、ノンドープＧａＩｔ＋ＡｓＰ（λ、
＝ １．３μｍ）からなる活性層１２及びｐ型ＩｎＰ
からなる中間層１３が順次積層されている。
。第１図は、本発明の一実施例である波長１．３１１ｍ
ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ分布帰還型半導体レーデの概
略構成を示す説明図である。図中１０は、（１００）Ｉ
ｎＰからなるｎ型の半導体基板である。半導体基板１０
上には、ＭＯＣＶＤ法にて形成され之ｎ型ＩｎＰからな
るクラッド層１１、ノンドープＧａＩｔ＋ＡｓＰ（λ、
＝ １．３μｍ）からなる活性層１２及びｐ型ＩｎＰ
からなる中間層１３が順次積層されている。
中間層１３の主面には、Ｈ・−Ｃｄレーザ或はＡｒレー
デを用いた干渉露光法及びＫＫＩ １２１エツチング液
（２ＣＨ３ＣＯＯＨ：ＨＣｔ：Ｈ２０□）等を用い九化
学エツチングにより、♂クチ１（＝λ／２ ｎ ｓ ｆ
ｆ ：λは発振波長であり１．３μｍ 、 ｎ＠ｆｆ
は活性領域の等測的な屈折率）〜２０００Ｘの回折格子
が形成されている。
デを用いた干渉露光法及びＫＫＩ １２１エツチング液
（２ＣＨ３ＣＯＯＨ：ＨＣｔ：Ｈ２０□）等を用い九化
学エツチングにより、♂クチ１（＝λ／２ ｎ ｓ ｆ
ｆ ：λは発振波長であり１．３μｍ 、 ｎ＠ｆｆ
は活性領域の等測的な屈折率）〜２０００Ｘの回折格子
が形成されている。
中間層１３上には、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰ （λｇ ＝
１．１ μｍ）からなるエツチング停止層１４、ｎ型Ｉ
ｎＰからなる電流阻止層１５、ｐ型ＩｎＰからなる電流
阻止層１６が順次積層されている。これらの電流阻止層
ノ５，１６には、幅２〜５μｍの窓を持つ５１０２から
々るストライプマスクを＜０１１＞方向に形成し、この
マスクを介して３ＨＣ２：Ｈ３ＰＯ４のエツチング液で
選択エツチングして開口し之ストライプ状のチャネルが
形成されている。なお、この選択エッチングは、自動的
にエツチング停止層１４の表面にチャネルが達したとこ
ろで停止する。チャネルによりて露出した回折格子及び
電流阻止層１６上には、ｐ型のＧａＩｎＡｓＰ （λｇ
＝１．１ μｍ ）からなる導波路層１７が形成され
ている。導波路層１７上には、一連の成長処理によりル
型のＩｎＰからなるクラッド層１８、ｐ型のＧａＩｎＡ
ａＰ （λｇ ＝＝ １．３ ｆｉｒｎ ）からなるキ
ャップ層１９が順次積層されている。なお、半導体基板
１０を１００μｍ程度の厚さに研摩した後、電極形成を
行ってレーデチップに切出される。
１．１ μｍ）からなるエツチング停止層１４、ｎ型Ｉ
ｎＰからなる電流阻止層１５、ｐ型ＩｎＰからなる電流
阻止層１６が順次積層されている。これらの電流阻止層
ノ５，１６には、幅２〜５μｍの窓を持つ５１０２から
々るストライプマスクを＜０１１＞方向に形成し、この
マスクを介して３ＨＣ２：Ｈ３ＰＯ４のエツチング液で
選択エツチングして開口し之ストライプ状のチャネルが
形成されている。なお、この選択エッチングは、自動的
にエツチング停止層１４の表面にチャネルが達したとこ
ろで停止する。チャネルによりて露出した回折格子及び
電流阻止層１６上には、ｐ型のＧａＩｎＡｓＰ （λｇ
＝１．１ μｍ ）からなる導波路層１７が形成され
ている。導波路層１７上には、一連の成長処理によりル
型のＩｎＰからなるクラッド層１８、ｐ型のＧａＩｎＡ
ａＰ （λｇ ＝＝ １．３ ｆｉｒｎ ）からなるキ
ャップ層１９が順次積層されている。なお、半導体基板
１０を１００μｍ程度の厚さに研摩した後、電極形成を
行ってレーデチップに切出される。
このように構成された分布帰還型半導体レーデ２０によ
れば、中間層Ｘ３上に回折格子が形成されているので単
一波長での動作を行うことができる。チャネル内とそれ
以外の部分では、屈折率差が生じ、安定した基本横モー
ド動作を行うことができる。しかも、電流阻止層１５．
１６を内在しているので、低しきい値電流で動作させる
ことができる。
れば、中間層Ｘ３上に回折格子が形成されているので単
一波長での動作を行うことができる。チャネル内とそれ
以外の部分では、屈折率差が生じ、安定した基本横モー
ド動作を行うことができる。しかも、電流阻止層１５．
１６を内在しているので、低しきい値電流で動作させる
ことができる。
なお、実施例では、波長１．３ μｍ組成のＧａＩｎＡ
ｓＰ／ＩｎＰ分布帰還型半導体レーデ２０について説明
したが、１．１〜１．６μｍの波長範囲で所望の発光波
長を選択しても良い。また、より確実に単一波長動作を
得るために回折格子を形成した中間層１３の中央部付近
で左右の回折格子間に約π／２の位相差を与えても良い
し、レーデチップを切出す際に一方の面を活性層１２に
対して斜めに形成しても良い。また、結晶材料としては
、ＧａＡＡＡｓ／ＧａＡａ等の他の結晶系のものを採用
しても良い。また、結晶成長法もＭＯＣＶＤ法の他にも
Ｉ、ＰＥ法、ＭＢＫ （ｍｏｌｅｃｕ−１ａ（Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ ）法、或はこれらの方法を組合せた
ものを用いても良い。
ｓＰ／ＩｎＰ分布帰還型半導体レーデ２０について説明
したが、１．１〜１．６μｍの波長範囲で所望の発光波
長を選択しても良い。また、より確実に単一波長動作を
得るために回折格子を形成した中間層１３の中央部付近
で左右の回折格子間に約π／２の位相差を与えても良い
し、レーデチップを切出す際に一方の面を活性層１２に
対して斜めに形成しても良い。また、結晶材料としては
、ＧａＡＡＡｓ／ＧａＡａ等の他の結晶系のものを採用
しても良い。また、結晶成長法もＭＯＣＶＤ法の他にも
Ｉ、ＰＥ法、ＭＢＫ （ｍｏｌｅｃｕ−１ａ（Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ ）法、或はこれらの方法を組合せた
ものを用いても良い。
［発明の効果コ
以上説明した如く、本発明に係る分布帰還型半導体レー
デによれば、 ＭＯＣＶＤ法で製造が可能であシ、かつ
、低しきい値で単−縦・横モード動作を十分に実現する
ことができるものである。
デによれば、 ＭＯＣＶＤ法で製造が可能であシ、かつ
、低しきい値で単−縦・横モード動作を十分に実現する
ことができるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図、
第２図は、従来の分布帰還型半導体レーデの概略構成を
示す説明図である。 ＩＯ・・・半導体基板、１１・・・クラッド層、１２・
・・活性層、１３・・・中間層、１４・・・エツチング
停止層、１５．１６・・・電流阻止層、１７・・・導波
路層、１８・・・クラッド層、１９・・・キャップ層、
２０・・・分布帰還型半導体レーデ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
第２図は、従来の分布帰還型半導体レーデの概略構成を
示す説明図である。 ＩＯ・・・半導体基板、１１・・・クラッド層、１２・
・・活性層、１３・・・中間層、１４・・・エツチング
停止層、１５．１６・・・電流阻止層、１７・・・導波
路層、１８・・・クラッド層、１９・・・キャップ層、
２０・・・分布帰還型半導体レーデ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
Claims (2)
- （１）第１導電型の半導体基板上に順次積層された第１
導電型のクラッド層、活性層、光の進行方向に沿って周
期的な凹凸を形成した第２クラッド層、前記活性層より
禁制帯幅の大きなエッチング停止層、及び電流阻止層と
、該電流阻止層を貫挿して形成されたストライプ状のチ
ャネルと、該チャネル内で前記半導体基板方向に凹み、
かつ、前記活性層より小さい屈折率で前記電流阻止層上
に形成された導波路層と、該導波路層上に形成された第
２導電型のクラッド層とを具備することを特徴とする分
布帰還型半導体レーザ。 - （２）活性層が量子井戸層であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の分布帰還型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218458A JPS6373683A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 分布帰還型半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218458A JPS6373683A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 分布帰還型半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373683A true JPS6373683A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16720218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61218458A Pending JPS6373683A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 分布帰還型半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373683A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63263785A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| JPH0240984A (ja) * | 1988-07-30 | 1990-02-09 | Tokyo Univ | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
| EP0475714A2 (en) * | 1990-09-10 | 1992-03-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | A distributed feedback semiconductor laser device and a method of producing the same |
| EP0526128A2 (en) * | 1991-07-24 | 1993-02-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for producing a distributed feedback semiconductor laser device |
| EP1028504A1 (en) * | 1999-02-10 | 2000-08-16 | TRW Inc. | High power single mode semiconductor lasers and optical amplifiers using 2D bragg gratings |
| EP1168541A2 (en) * | 2000-06-23 | 2002-01-02 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corporation | High power single mode laser and method of fabrication |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP61218458A patent/JPS6373683A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63263785A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| JPH0240984A (ja) * | 1988-07-30 | 1990-02-09 | Tokyo Univ | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
| EP0475714A2 (en) * | 1990-09-10 | 1992-03-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | A distributed feedback semiconductor laser device and a method of producing the same |
| EP0526128A2 (en) * | 1991-07-24 | 1993-02-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for producing a distributed feedback semiconductor laser device |
| US5292685A (en) * | 1991-07-24 | 1994-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a distributed feedback semiconductor laser device |
| EP1028504A1 (en) * | 1999-02-10 | 2000-08-16 | TRW Inc. | High power single mode semiconductor lasers and optical amplifiers using 2D bragg gratings |
| US6366598B1 (en) | 1999-02-10 | 2002-04-02 | Trw Inc. | High power single mode semiconductor lasers and optical amplifiers using 2D Bragg gratings |
| EP1168541A2 (en) * | 2000-06-23 | 2002-01-02 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corporation | High power single mode laser and method of fabrication |
| EP1168541A3 (en) * | 2000-06-23 | 2003-03-26 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corporation | High power single mode laser and method of fabrication |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2746326B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| JPS58222588A (ja) | ヘテロ構造注入レ−ザ | |
| JPH0656906B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6373683A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH1197799A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6259718B1 (en) | Distributed feedback laser device high in coupling efficiency with optical fiber | |
| JPS6328520B2 (ja) | ||
| JPS6114787A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JP5163355B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP4100792B2 (ja) | スポットサイズ変換器付き半導体レーザ装置、及びその製造方法 | |
| JPH0147031B2 (ja) | ||
| JPS6215879A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JP2771276B2 (ja) | 半導体光集積素子とその製造方法 | |
| JP3797735B2 (ja) | 光集積回路およびその製造方法 | |
| JPH084178B2 (ja) | 分布ブラツグ反射型半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS60165782A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2747324B2 (ja) | 半導体光スイッチ | |
| JPS59165478A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH02263491A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS58105586A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6188584A (ja) | 位相シフト構造付分布帰還形半導体レ−ザ | |
| JPS60165780A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2000244064A (ja) | 半導体レーザ直接結合型光導波路素子 | |
| JPH07202261A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPS60143684A (ja) | 半導体レ−ザ |