JPH084178B2 - 分布ブラツグ反射型半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
分布ブラツグ反射型半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPH084178B2 JPH084178B2 JP17897887A JP17897887A JPH084178B2 JP H084178 B2 JPH084178 B2 JP H084178B2 JP 17897887 A JP17897887 A JP 17897887A JP 17897887 A JP17897887 A JP 17897887A JP H084178 B2 JPH084178 B2 JP H084178B2
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は分布ブラツグ反射型半導体レーザの製造方法
に関するものである。
に関するものである。
従来よりこの種の分布ブラツク反射型半導体レーザ
は、ギガビツト／秒レベルの超高速変調時にも安定した
単一縦モード動作を示すことから、長距離，大容量光フ
アイバ通信用光源として有望視されている。また、この
種の分布ブラツク反射型半導体レーザのうちで、波長制
御機能等を付加した高性能な分布ブラツグ反射型半導体
レーザの製造にあたつては、回折格子を結晶内に形成し
かつ制御用電流電極を具備した低損失な非活性導波路層
を、活性導波路層と突き合わせて整合的に結合させるこ
とが必須である。
は、ギガビツト／秒レベルの超高速変調時にも安定した
単一縦モード動作を示すことから、長距離，大容量光フ
アイバ通信用光源として有望視されている。また、この
種の分布ブラツク反射型半導体レーザのうちで、波長制
御機能等を付加した高性能な分布ブラツグ反射型半導体
レーザの製造にあたつては、回折格子を結晶内に形成し
かつ制御用電流電極を具備した低損失な非活性導波路層
を、活性導波路層と突き合わせて整合的に結合させるこ
とが必須である。
第３図はAbe氏らがエレクトロニクス・レターズ誌（E
lectron.Lett.17,945（'81））に提案した突き合わせ結
合型の分布ブラツグ反射型半導体レーザを示す断面図で
ある。同図において、31は半導体基板、32は活性導波路
層、33は非活性導波路層たる出力導波路層、34はメルト
パツク防止層、35はクラツド層、36は分布ブラツグ反射
器、37は分布ブラツグ反射器形成層である。
lectron.Lett.17,945（'81））に提案した突き合わせ結
合型の分布ブラツグ反射型半導体レーザを示す断面図で
ある。同図において、31は半導体基板、32は活性導波路
層、33は非活性導波路層たる出力導波路層、34はメルト
パツク防止層、35はクラツド層、36は分布ブラツグ反射
器、37は分布ブラツグ反射器形成層である。
このように構成される分布ブラツク反射型半導体レー
ザでは、実際の製作工程上、活性導波路層32,メルトバ
ツク防止層34およびクラツド層35からなる積層構造を所
定の領域に形成した後、出力導波路層33および分布ブラ
ツグ反射器形成層37を前記積層構造の形成されていない
領域に形成し、次いで前記分布ブラツグ反射器形成層37
の上面に回折格子を具備してなる分布ブラツグ反射器36
を形成する。
ザでは、実際の製作工程上、活性導波路層32,メルトバ
ツク防止層34およびクラツド層35からなる積層構造を所
定の領域に形成した後、出力導波路層33および分布ブラ
ツグ反射器形成層37を前記積層構造の形成されていない
領域に形成し、次いで前記分布ブラツグ反射器形成層37
の上面に回折格子を具備してなる分布ブラツグ反射器36
を形成する。
このような製作工程を経て製作された分布ブラツク反
射型半導体レーザは、活性導波路層32と非活性導波路た
る出力導波路層33との整合的結合には成功しているもの
の、分布ブラツグ反射器36が露出しているために非活性
導波路層たる出力導波路層33に波長制御等に用いる電極
が形成し難い，分布ブラツグ反射器36を損傷しないよう
に細心の注意を要する，信頼性上も懸念が想起されるな
どの問題があつた。また、発振しきい値や低減や横モー
ド制御を図るためのいわゆる埋込みヘテロ構造（Buried
Heterostructure）を適用する際にクラツド層35と分布
ブラツグ反射器36との間に存在する段差のために共振器
軸方向にわたつて均一な幅を有するストライプを形成す
ることが困難であり、したがつて良好な素子特性が得ら
れないという問題があつた。
射型半導体レーザは、活性導波路層32と非活性導波路た
る出力導波路層33との整合的結合には成功しているもの
の、分布ブラツグ反射器36が露出しているために非活性
導波路層たる出力導波路層33に波長制御等に用いる電極
が形成し難い，分布ブラツグ反射器36を損傷しないよう
に細心の注意を要する，信頼性上も懸念が想起されるな
どの問題があつた。また、発振しきい値や低減や横モー
ド制御を図るためのいわゆる埋込みヘテロ構造（Buried
Heterostructure）を適用する際にクラツド層35と分布
ブラツグ反射器36との間に存在する段差のために共振器
軸方向にわたつて均一な幅を有するストライプを形成す
ることが困難であり、したがつて良好な素子特性が得ら
れないという問題があつた。
このような問題を解決するものとしては、第４図に示
すようにクラツド層45および分布ブラツグ反射器46の上
面全面にわたってさらに第２のクラツド層48を積層する
ことが考えられるが、しかしながら、このような構成に
おいては、段差部49上に堆積した結晶の品質に問題があ
り、例えば非発光再結合によるリーク電流を発生せしめ
ることから、高性能な素子特性は望むべくもなかつた。
すようにクラツド層45および分布ブラツグ反射器46の上
面全面にわたってさらに第２のクラツド層48を積層する
ことが考えられるが、しかしながら、このような構成に
おいては、段差部49上に堆積した結晶の品質に問題があ
り、例えば非発光再結合によるリーク電流を発生せしめ
ることから、高性能な素子特性は望むべくもなかつた。
また、従来の他の例として東盛らはBIG−分布ブラツ
グ反射型半導体レーザを提案している（東盛他，信号技
法OQE85−７）。第５図はこの要部断面図を示したもの
である。同図において、51は半導体基板、52は活性導波
路層、53は保護層、54は非活性導波路層、55は分布ブラ
ツグ反射器、56はクラツド層を示している。
グ反射型半導体レーザを提案している（東盛他，信号技
法OQE85−７）。第５図はこの要部断面図を示したもの
である。同図において、51は半導体基板、52は活性導波
路層、53は保護層、54は非活性導波路層、55は分布ブラ
ツグ反射器、56はクラツド層を示している。
このように構成される分布ブラツグ反射型半導体レー
ザは、実際の製作工程上、活性導波路層52および保護層
53を所定の領域に形成した後、分布ブラツグ反射器55を
前記活性導波路層52および保護層53が形成されていない
領域に化学エツチングを用いて形成するが、その際マス
クで覆われた活性導波路領域上をエツチング液が流れ、
結合部分と他の領域とのエツチング速度が著しく異な
り、結合部付近のエツチング速度が速くなり、前記結合
部における他の領域の表面が不近一にエツチングされる
ため、その後、前記活性導波層52,保護層53および分布
ブラツグ反射器55を包み込むように非活性導波路層54を
形成しても、結合部での導波路形状が同図に示すように
直線状とはならない。また、第６図に示すようにマスク
を用いることなく、保護層63の上面も含めて分布ブラツ
グ反射器65を形成しようとすれば、活性導波路層62およ
び保護層63の厚さの和が段差として残存するので、活性
導波路層62と非活性導波路層64との結合部近傍におい
て、露光あるいはエツチング工程時に均一な施工が困難
となり、したがつて分布ブラツグ反射器65の前記結合部
付近における形成不全により、反射率の低下等、素子特
性上の問題を生じることになる。なお、66はクラツド層
である。さらに非活性導波路層64が活性層駆動用電流の
経路たる活性導波路層62の上面領域にも形成されてなる
ことから、この非活性導波路層64は不純物を添加した導
電層でなることが要請され、したがつて非活性導波路層
64は光に対する自由キヤリア吸収効果等により、本質的
に低損失導波路層とはなり得ないという問題があつた。
ザは、実際の製作工程上、活性導波路層52および保護層
53を所定の領域に形成した後、分布ブラツグ反射器55を
前記活性導波路層52および保護層53が形成されていない
領域に化学エツチングを用いて形成するが、その際マス
クで覆われた活性導波路領域上をエツチング液が流れ、
結合部分と他の領域とのエツチング速度が著しく異な
り、結合部付近のエツチング速度が速くなり、前記結合
部における他の領域の表面が不近一にエツチングされる
ため、その後、前記活性導波層52,保護層53および分布
ブラツグ反射器55を包み込むように非活性導波路層54を
形成しても、結合部での導波路形状が同図に示すように
直線状とはならない。また、第６図に示すようにマスク
を用いることなく、保護層63の上面も含めて分布ブラツ
グ反射器65を形成しようとすれば、活性導波路層62およ
び保護層63の厚さの和が段差として残存するので、活性
導波路層62と非活性導波路層64との結合部近傍におい
て、露光あるいはエツチング工程時に均一な施工が困難
となり、したがつて分布ブラツグ反射器65の前記結合部
付近における形成不全により、反射率の低下等、素子特
性上の問題を生じることになる。なお、66はクラツド層
である。さらに非活性導波路層64が活性層駆動用電流の
経路たる活性導波路層62の上面領域にも形成されてなる
ことから、この非活性導波路層64は不純物を添加した導
電層でなることが要請され、したがつて非活性導波路層
64は光に対する自由キヤリア吸収効果等により、本質的
に低損失導波路層とはなり得ないという問題があつた。
さらに従来の他の例として第７図に示すような分布ブ
ラツグ反射型半導体レーザが提案されている。同図にお
いて、71は半導体基板、72は活性導波路層、73は保護
層、74は非活性導波路層、75はマスクである。
ラツグ反射型半導体レーザが提案されている。同図にお
いて、71は半導体基板、72は活性導波路層、73は保護
層、74は非活性導波路層、75はマスクである。
このように構成される分布ブラツグ反射型半導体レー
ザは、実際の製作工程上、半導体基板71上の所定の領域
に活性導波路層72と保護層73とが順次積層されてなる積
層構造を形成した後、前記積層構造の前後のみに液相エ
ピタキシヤル法により非活性導波路層74を形成したもの
である。この方法においては、非活性導波路層74を形成
する際に液相エピタキシヤル法による選択成長を行なう
ので、融液の表面張力等に起因する盛上り成長が活性導
波路層72との結合部付近で生じてしまう。したがつて上
面が平坦で高さが保護層73の上面と略一致した非活性導
波層を得ることができなかつた。また、次なる製作工程
において、前記非活性導波路層74の上面に回折格子を形
成して分布ブラツク反射器を形成しようとする場合、前
記非活性導波路層74の盛上り成長部分の存在のために二
光束干渉露光および引き続くエツチング時において周期
の一定した回折格子は形成できなかつた。このように高
効率な分布ブラツグ反射作用を有する非活性導波路層の
形成は困難であり、かつ活性導波路層72との結合におい
ても整合を得るに至らなかつた。
ザは、実際の製作工程上、半導体基板71上の所定の領域
に活性導波路層72と保護層73とが順次積層されてなる積
層構造を形成した後、前記積層構造の前後のみに液相エ
ピタキシヤル法により非活性導波路層74を形成したもの
である。この方法においては、非活性導波路層74を形成
する際に液相エピタキシヤル法による選択成長を行なう
ので、融液の表面張力等に起因する盛上り成長が活性導
波路層72との結合部付近で生じてしまう。したがつて上
面が平坦で高さが保護層73の上面と略一致した非活性導
波層を得ることができなかつた。また、次なる製作工程
において、前記非活性導波路層74の上面に回折格子を形
成して分布ブラツク反射器を形成しようとする場合、前
記非活性導波路層74の盛上り成長部分の存在のために二
光束干渉露光および引き続くエツチング時において周期
の一定した回折格子は形成できなかつた。このように高
効率な分布ブラツグ反射作用を有する非活性導波路層の
形成は困難であり、かつ活性導波路層72との結合におい
ても整合を得るに至らなかつた。
以上説明したように前述した各従来例では、結合部に
おける導波路層の形状が整合的でないあるいは分布ブラ
ツグ反射器の形成が不均一に行なわれるために前記結合
部において反射散乱が発生する問題があつた。また、導
波路層における吸収損失が本質的に不可避であるために
損失を生じるのみならず、高効率結合が得難く、光出力
の低下、レーザしきい値の上昇、発振効率の低下をもた
らす等の問題点を有していた。
おける導波路層の形状が整合的でないあるいは分布ブラ
ツグ反射器の形成が不均一に行なわれるために前記結合
部において反射散乱が発生する問題があつた。また、導
波路層における吸収損失が本質的に不可避であるために
損失を生じるのみならず、高効率結合が得難く、光出力
の低下、レーザしきい値の上昇、発振効率の低下をもた
らす等の問題点を有していた。
したがつて本発明は、前述した従来の問題に鑑みてな
されたものであり、その目的は、結合部における反射散
乱等の発生を低減し、異種導波路間の結合を高め、出力
導波路層には均一な分布ブラツグ反射器が形成され、さ
らにその出力導波路層を低損失材料で形成し高効率化を
実現可能とした分布ブラツグ反射型半導体レーザの製造
方法を提供することにある。
されたものであり、その目的は、結合部における反射散
乱等の発生を低減し、異種導波路間の結合を高め、出力
導波路層には均一な分布ブラツグ反射器が形成され、さ
らにその出力導波路層を低損失材料で形成し高効率化を
実現可能とした分布ブラツグ反射型半導体レーザの製造
方法を提供することにある。
本発明による分布ブラツグ反射型半導体レーザの製造
方法は、第１導電型を有する半導体基板上の所定領域に
活性導波路層と厚さが活性導波路層と光学的に整合して
結合する非活性導波路層の厚さから活性導波路層の厚さ
を減じたものに略等しい保護層とを順次積層させてなる
積層構造を形成する工程と、半導体基板上の積層構造を
形成した領域以外の領域のみに厚さが積層構造と略等し
く上面が略平坦な非活性導波路層を気相エピタキシヤル
成長法により形成する工程と、保護層および非活性導波
路層の上面に回折格子を形成する工程と、回折格子の上
面に保護層と同一の材料からなる第２の導電型を有する
クラツド層を形成する工程とにより達成される。
方法は、第１導電型を有する半導体基板上の所定領域に
活性導波路層と厚さが活性導波路層と光学的に整合して
結合する非活性導波路層の厚さから活性導波路層の厚さ
を減じたものに略等しい保護層とを順次積層させてなる
積層構造を形成する工程と、半導体基板上の積層構造を
形成した領域以外の領域のみに厚さが積層構造と略等し
く上面が略平坦な非活性導波路層を気相エピタキシヤル
成長法により形成する工程と、保護層および非活性導波
路層の上面に回折格子を形成する工程と、回折格子の上
面に保護層と同一の材料からなる第２の導電型を有する
クラツド層を形成する工程とにより達成される。
気相エピタキシヤル成長にあつては、半導体基板面上
における成長種の移動（マイグレーシヨン）が速やかで
あり、平坦性が良好である。SiO2等のマスクを利用した
選択成長にあつても、マスク上に到来した成長種は速や
かに半導体基板上（マスクに覆われていない領域）に移
動し、さらにマスク端部近傍とマスクから離れた点にお
ける成長種の濃度勾配を抑制する効果が顕著である。し
たがつて上面が平坦な選択成長層が得られる。さらに保
護層上に回折格子を形成した後に保護層と同じ材料から
なるクラツド層を形成することにより、活性導波路層上
の回折格子は完全に消失される。
における成長種の移動（マイグレーシヨン）が速やかで
あり、平坦性が良好である。SiO2等のマスクを利用した
選択成長にあつても、マスク上に到来した成長種は速や
かに半導体基板上（マスクに覆われていない領域）に移
動し、さらにマスク端部近傍とマスクから離れた点にお
ける成長種の濃度勾配を抑制する効果が顕著である。し
たがつて上面が平坦な選択成長層が得られる。さらに保
護層上に回折格子を形成した後に保護層と同じ材料から
なるクラツド層を形成することにより、活性導波路層上
の回折格子は完全に消失される。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明による分布ブラツグ反
射型半導体レーザの製造方法の一実施例を示す製造工程
の要部断面図である。まず、同図（ａ）に示すようにｎ
型InP基板１上の全面にわたつてInGaAsPからなる活性導
波路層（厚さ0.15μm,バンドギヤツプの波長λｇ＝1.55
μｍ）2.1nPからなる保護層（厚さ0.1μｍ）３を例えば
液相エピタキシヤル法を用いて順次積層形成し、次いで
このｎ型InP基板１の所定領域とする保護層３上にSiO2
マスク４を例えばスパツタリング法およびフオトリソグ
ラフイ法を用いて形成し、このSiO2マスク４と化学エツ
チング法とにより前記活性導波路層２および保護層３の
不要部分を除去して＜０１＞方向の流さ約200μｍの
ストライプ状領域を形成する。次に同図（ｂ）に示すよ
うに前記SiO2マスク４を選択成長マスクとして前記スト
ライプ状領域以外の領域のみにノンドープInGaAsPから
なる非活性導波路層（厚さ0.25μm λｇ＝1.3μｍ）５
を有機金属気相成長（MOVPE）法を用いて形成する。こ
の場合、形成条件は、基板温度約660℃，圧力約50Torr,
PH3流量約60cc/min,AsH3流量約30cc/min,TEGバブラ（約
16℃）へのキヤリアガス約28cc/min,TMIバブラ（約30
℃）へのキヤリアガス約60cc/min,希釈水素ガス流量約
３/min,成長時間は約10分である。ここで圧力が約50T
orrと大気圧に比べて極めて低いので、成長原料ガスが
基板面上で速やかに移動し、平坦な成長面が得られる効
果が一層促進される。したがつて前記SiO2マスク４上に
成長は起らず、しかも液相エピタキシヤル法を用いた際
に発生するマスク端部での盛上り成長は全くなく、同図
（ｂ）に示すように平坦な成長表面が得られる。次に前
記SiO2マスク４を例えばドライエツチング法を用いて除
去した後、同図（ｃ）に示すように保護層３および非活
性導波路層５の全面にわたつて二光束干渉露光法と化学
エツチングとを用いてピツチが約2400Å，深さが約500
Å程度の回折格子６を形成する。この場合、前記保護層
３および非活性導波路層５の上面をMOVPE法により平坦
とすることができるので、回折格子６もまた全面にわた
つて均一に形成することができる。次に同図（ｄ）に示
すように回折格子６上にＰ型InPからなるクラツド層
（厚さ2.0μｍ）７を例えば液相エピタキシヤル法を用
いて形成する。この場合、前記クラツド層７は前記保護
層３と同じInPを用いているために保護層３上に形成さ
れた回折格子６は同図（ｅ）に示すように実質的に消失
したものと同様となる。これによつて分布ブラツグ反射
器は、非活性導波路層５上には活性導波路層２との結合
部から端部に至るまで完全に均一に形成され、活性導波
路層２上には些も存在せず、また、非活性導波路層５は
低損失なノンドープ成長層をもつて形成されてなる理想
的な形態で得ることができる。最後に横モード制御のた
めの埋込成長による狭ストライプ幅化およびP,n側それ
ぞれの電極形成を行なつて実際の半導体レーザ素子とし
て完成する。
射型半導体レーザの製造方法の一実施例を示す製造工程
の要部断面図である。まず、同図（ａ）に示すようにｎ
型InP基板１上の全面にわたつてInGaAsPからなる活性導
波路層（厚さ0.15μm,バンドギヤツプの波長λｇ＝1.55
μｍ）2.1nPからなる保護層（厚さ0.1μｍ）３を例えば
液相エピタキシヤル法を用いて順次積層形成し、次いで
このｎ型InP基板１の所定領域とする保護層３上にSiO2
マスク４を例えばスパツタリング法およびフオトリソグ
ラフイ法を用いて形成し、このSiO2マスク４と化学エツ
チング法とにより前記活性導波路層２および保護層３の
不要部分を除去して＜０１＞方向の流さ約200μｍの
ストライプ状領域を形成する。次に同図（ｂ）に示すよ
うに前記SiO2マスク４を選択成長マスクとして前記スト
ライプ状領域以外の領域のみにノンドープInGaAsPから
なる非活性導波路層（厚さ0.25μm λｇ＝1.3μｍ）５
を有機金属気相成長（MOVPE）法を用いて形成する。こ
の場合、形成条件は、基板温度約660℃，圧力約50Torr,
PH3流量約60cc/min,AsH3流量約30cc/min,TEGバブラ（約
16℃）へのキヤリアガス約28cc/min,TMIバブラ（約30
℃）へのキヤリアガス約60cc/min,希釈水素ガス流量約
３/min,成長時間は約10分である。ここで圧力が約50T
orrと大気圧に比べて極めて低いので、成長原料ガスが
基板面上で速やかに移動し、平坦な成長面が得られる効
果が一層促進される。したがつて前記SiO2マスク４上に
成長は起らず、しかも液相エピタキシヤル法を用いた際
に発生するマスク端部での盛上り成長は全くなく、同図
（ｂ）に示すように平坦な成長表面が得られる。次に前
記SiO2マスク４を例えばドライエツチング法を用いて除
去した後、同図（ｃ）に示すように保護層３および非活
性導波路層５の全面にわたつて二光束干渉露光法と化学
エツチングとを用いてピツチが約2400Å，深さが約500
Å程度の回折格子６を形成する。この場合、前記保護層
３および非活性導波路層５の上面をMOVPE法により平坦
とすることができるので、回折格子６もまた全面にわた
つて均一に形成することができる。次に同図（ｄ）に示
すように回折格子６上にＰ型InPからなるクラツド層
（厚さ2.0μｍ）７を例えば液相エピタキシヤル法を用
いて形成する。この場合、前記クラツド層７は前記保護
層３と同じInPを用いているために保護層３上に形成さ
れた回折格子６は同図（ｅ）に示すように実質的に消失
したものと同様となる。これによつて分布ブラツグ反射
器は、非活性導波路層５上には活性導波路層２との結合
部から端部に至るまで完全に均一に形成され、活性導波
路層２上には些も存在せず、また、非活性導波路層５は
低損失なノンドープ成長層をもつて形成されてなる理想
的な形態で得ることができる。最後に横モード制御のた
めの埋込成長による狭ストライプ幅化およびP,n側それ
ぞれの電極形成を行なつて実際の半導体レーザ素子とし
て完成する。
このような方法により製作された半導体レーザ素子
は、しきい値電流が約15mA,しきい値電流付近の微分量
子効率が0.2W/Aでしきい値電流の約２倍では第２図に示
すように隣接モードを約40dB程度抑圧した単一モード発
振が得られた。また、同一条件でしきい値電流の約５倍
では隣接モードを約30dB程度抑圧した単一モード発振が
得られた。
は、しきい値電流が約15mA,しきい値電流付近の微分量
子効率が0.2W/Aでしきい値電流の約２倍では第２図に示
すように隣接モードを約40dB程度抑圧した単一モード発
振が得られた。また、同一条件でしきい値電流の約５倍
では隣接モードを約30dB程度抑圧した単一モード発振が
得られた。
このような方法によれば、回折格子６が均一に形成さ
れた非活性導波路層５を、気相エピタキシヤル法により
整合的に活性導波路層２と突き合わせることによつて従
来の如き突き合わせ結合部近傍の回折格子の深さ不均一
および結合部での非活性導波路層５の異常成長による光
の結合効率の低下が抑制され、高性能な素子特性を得る
ことができる。
れた非活性導波路層５を、気相エピタキシヤル法により
整合的に活性導波路層２と突き合わせることによつて従
来の如き突き合わせ結合部近傍の回折格子の深さ不均一
および結合部での非活性導波路層５の異常成長による光
の結合効率の低下が抑制され、高性能な素子特性を得る
ことができる。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、気相エピタキシ
ヤル法により、活性導波路層と、上部に均一な深さの回
折格子を形成した非活性導波路層とを光学的に整合する
ように突き合わせて結合することにより、突き合わせ部
分での光学的な反射散乱，電気的なリークの発生等がな
くなるので、高性能な分布ブラツグ反射型半導体レーザ
を得ることができるという極めて優れた効果が得られ
る。
ヤル法により、活性導波路層と、上部に均一な深さの回
折格子を形成した非活性導波路層とを光学的に整合する
ように突き合わせて結合することにより、突き合わせ部
分での光学的な反射散乱，電気的なリークの発生等がな
くなるので、高性能な分布ブラツグ反射型半導体レーザ
を得ることができるという極めて優れた効果が得られ
る。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明による分布ブラツグ反射
型半導体レーザの製造方法の一実施例を説明する製造工
程の断面図、第２図は本発明による分布ブラツグ反射型
半導体レーザの製造方法により得られた分布ブラツグ反
射型半導体レーザの発振波長スペクトル特性を示す図、
第３図〜第７図は従来の分布ブラツグ反射型半導体レー
ザを示す要部断面図である。 １……ｎ型InP基板、２……活性導波路層、３……保護
層、４……SiO2マスク、５……非活性導波路層、６……
回折格子、７……クラツド層。
型半導体レーザの製造方法の一実施例を説明する製造工
程の断面図、第２図は本発明による分布ブラツグ反射型
半導体レーザの製造方法により得られた分布ブラツグ反
射型半導体レーザの発振波長スペクトル特性を示す図、
第３図〜第７図は従来の分布ブラツグ反射型半導体レー
ザを示す要部断面図である。 １……ｎ型InP基板、２……活性導波路層、３……保護
層、４……SiO2マスク、５……非活性導波路層、６……
回折格子、７……クラツド層。
Claims (1)
- 【請求項１】第１の導電型を有する半導体基板上の所定
領域に活性導波路層と厚さが該活性導波路層と光学的に
整合して結合する非活性導波路層の厚さから該活性導波
路層の厚さを減じたものと略等しい保護層とを順次積層
させてなる積層構造を形成する第１の工程と、前記半導
体基板上の該積層構造を形成した領域以外の領域のみに
厚さが該積層構造と略等しく上面が略平坦な非活性導波
路層を気相エピタキシヤル成長法により形成する第２の
工程と、前記保護層および非活性導波路層の上面に回折
格子を形成する第３の工程と、前記回折格子の上面に前
記保護層と同一材料からなる第２の導電型を有するクラ
ツド層を形成する第４の工程とを含んでなる分布ブラツ
グ反射型半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17897887A JPH084178B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 分布ブラツグ反射型半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17897887A JPH084178B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 分布ブラツグ反射型半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6423591A JPS6423591A (en) | 1989-01-26 |
| JPH084178B2 true JPH084178B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=16057976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17897887A Expired - Lifetime JPH084178B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 分布ブラツグ反射型半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084178B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07109922B2 (ja) * | 1988-12-26 | 1995-11-22 | 日本電信電話株式会社 | 分布反射型半導体レーザの製造方法 |
| JP2012033975A (ja) * | 2011-11-14 | 2012-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザの作製方法 |
-
1987
- 1987-07-20 JP JP17897887A patent/JPH084178B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6423591A (en) | 1989-01-26 |
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Legal Events
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