JPS6188584A - 位相シフト構造付分布帰還形半導体レ−ザ - Google Patents
位相シフト構造付分布帰還形半導体レ−ザInfo
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- JPS6188584A JPS6188584A JP59210724A JP21072484A JPS6188584A JP S6188584 A JPS6188584 A JP S6188584A JP 59210724 A JP59210724 A JP 59210724A JP 21072484 A JP21072484 A JP 21072484A JP S6188584 A JPS6188584 A JP S6188584A
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- Japan
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- diffraction grating
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/124—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts
- H01S5/1243—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts by other means than a jump in the grating period, e.g. bent waveguides
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野） 本発明は分布帰還形半導体レーザに関
する。
する。
（従来技術とその問題点］ 光フアイバ通信において、
長距離・大容量化は重要な課題である。ＩＱｂ／ｓ 、
１００Ｋｍを越えるような伝送システムを実現するた
めには、光ファイバの波長分散による伝送波形歪を避け
るため、光源としての半導体レーザには高速変調時ｌこ
も単一軸モード動作が要求される。この目的のために、
内部に波長選択のための回折格子を形成した分布帰還形
半導体レーザ（以下ＤＦＢレーサと略す）の研究・開発
か進められている。ＤＦＢレーザを実用化するためには
、素子特性の改良とともに、生産歩留りの向上が重要で
ある。しかしながら、ＤＦＥレーサでは、レーザの両端
面の反射がない場合、原理的にブラック波長の両側の軸
モードが同程度の発振しきい値を有するため、複数の軸
モードで発振しやすく、これが安定な単一軸モードで動
作する素子が得られる歩留り（以下単一軸モード歩留り
と略す〕を悪くする大きな原因の一つとなっていた。
長距離・大容量化は重要な課題である。ＩＱｂ／ｓ 、
１００Ｋｍを越えるような伝送システムを実現するた
めには、光ファイバの波長分散による伝送波形歪を避け
るため、光源としての半導体レーザには高速変調時ｌこ
も単一軸モード動作が要求される。この目的のために、
内部に波長選択のための回折格子を形成した分布帰還形
半導体レーザ（以下ＤＦＢレーサと略す）の研究・開発
か進められている。ＤＦＢレーザを実用化するためには
、素子特性の改良とともに、生産歩留りの向上が重要で
ある。しかしながら、ＤＦＥレーサでは、レーザの両端
面の反射がない場合、原理的にブラック波長の両側の軸
モードが同程度の発振しきい値を有するため、複数の軸
モードで発振しやすく、これが安定な単一軸モードで動
作する素子が得られる歩留り（以下単一軸モード歩留り
と略す〕を悪くする大きな原因の一つとなっていた。
従来、その対策として、板屋らが、昭和５８年度電子通
信学会総合全国大会罰演論文集分冊４の９４４で報告し
ている様な、両端面の反射率を違えることにより、ブラ
ッグ波長の両側の軸モードの発振しきい値に差をつける
等の方法が用いられてきたが、この方法では、十分なし
きい値の差をつけることが困難であり、実用的なレベル
で十分な単一軸モート留歩りを得ることはできなかった
。
信学会総合全国大会罰演論文集分冊４の９４４で報告し
ている様な、両端面の反射率を違えることにより、ブラ
ッグ波長の両側の軸モードの発振しきい値に差をつける
等の方法が用いられてきたが、この方法では、十分なし
きい値の差をつけることが困難であり、実用的なレベル
で十分な単一軸モート留歩りを得ることはできなかった
。
最近、他の方法として、ＤＦＢレーザ共振器のほぼ中央
部に、回折格子の位相が発振光の位相にしてπ／２．（
波長にして４分１波長）だけシフトする部分を設けるこ
とにより、ブラック波長での発振がｂ］能で、他の軸モ
ードとのしきい値の差が大きく安定な単一軸モード発振
を可能にする方法が提案され実験が行われた。（セカル
テジョ等、昭和５９年度電子通信学会総合全国大会講演
論文集分冊４．１０１８）。位相シフト領域を設けたＤ
ＦＢレーザの原理については、他にもいくつかの報告が
あるので詳しくは述べないが、例えはエレクトロニクス
レターズ誌（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、 ２０
（１９８４）３２６−３２７）Ｊこ報告された宇高らの
計算によればレーザの中央部にπ／２の位相シフト部を
設けた素子では、両端面の反射がない場合、通常の位相
シフト領域をもたないものと比べて、しきい値が下り、
かつ発振軸モードと他の軸モートとのしきい値の差も２
倍程度大きくなり、単一軸モード発振しやすくなること
が明らかにされている。またこの効果は、端面の反射が
ある場合や、位相シフト部かレーザの中央部からずれて
いる場合、あるいは位相シフト［がπ／２から多少ずれ
”’ｃ＞る場合でも有効であり、単一軸モード発振しや
すいことか知られている。以上のようにこの方法は原理
的にしきい値の低い安定な単一軸モードか得られる非常
に有効な方法である。しかしながら、この方法は、回折
格子の位相をシフトさせる方法として電子ビーム露光を
行わなければならず、回折格子の作製に時間がかかるこ
とや、電子ビーム露光ζこよる回折格子の作製自体が、
まだ技術的に確立されていないため、量産性等の実用レ
ベルからみてＤＦＢレーザの歩留り向上の目的に、使用
することは困難であった。一方、従来から行われている
２光束干渉露光法による回折格子の作製方法は、量産性
・再現性にすぐれているため、この方法を用いて、先に
述べた回折格子の位相シフトと同様な効果を実現できれ
ば、単一軸モード歩留りの良いＤＦＢレーザをつくるこ
とが可能となる。
部に、回折格子の位相が発振光の位相にしてπ／２．（
波長にして４分１波長）だけシフトする部分を設けるこ
とにより、ブラック波長での発振がｂ］能で、他の軸モ
ードとのしきい値の差が大きく安定な単一軸モード発振
を可能にする方法が提案され実験が行われた。（セカル
テジョ等、昭和５９年度電子通信学会総合全国大会講演
論文集分冊４．１０１８）。位相シフト領域を設けたＤ
ＦＢレーザの原理については、他にもいくつかの報告が
あるので詳しくは述べないが、例えはエレクトロニクス
レターズ誌（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、 ２０
（１９８４）３２６−３２７）Ｊこ報告された宇高らの
計算によればレーザの中央部にπ／２の位相シフト部を
設けた素子では、両端面の反射がない場合、通常の位相
シフト領域をもたないものと比べて、しきい値が下り、
かつ発振軸モードと他の軸モートとのしきい値の差も２
倍程度大きくなり、単一軸モード発振しやすくなること
が明らかにされている。またこの効果は、端面の反射が
ある場合や、位相シフト部かレーザの中央部からずれて
いる場合、あるいは位相シフト［がπ／２から多少ずれ
”’ｃ＞る場合でも有効であり、単一軸モード発振しや
すいことか知られている。以上のようにこの方法は原理
的にしきい値の低い安定な単一軸モードか得られる非常
に有効な方法である。しかしながら、この方法は、回折
格子の位相をシフトさせる方法として電子ビーム露光を
行わなければならず、回折格子の作製に時間がかかるこ
とや、電子ビーム露光ζこよる回折格子の作製自体が、
まだ技術的に確立されていないため、量産性等の実用レ
ベルからみてＤＦＢレーザの歩留り向上の目的に、使用
することは困難であった。一方、従来から行われている
２光束干渉露光法による回折格子の作製方法は、量産性
・再現性にすぐれているため、この方法を用いて、先に
述べた回折格子の位相シフトと同様な効果を実現できれ
ば、単一軸モード歩留りの良いＤＦＢレーザをつくるこ
とが可能となる。
（発明の目的） 本発明の目的は、素子特性および単一
軸モード歩留りのすぐれたＤＦＢレーザを提供すること
にある。
軸モード歩留りのすぐれたＤＦＢレーザを提供すること
にある。
（発明の構成］ 本発明によれば、半導体基板上に、活
性層と、一方の面に周期的凹凸形状の回折格子が形成さ
れた光力イト層とを含む半導体層が形成され、かつ共振
器のほぼ中央部に、前記光ガイド層の回折格子が除去さ
れてほぼ平坦となり、この平坦な部分の前記活性層と前
記光力イト層とを合せた層厚が厚くなっている領域を有
することを特徴とするＤＦＢレーザが得られる。
性層と、一方の面に周期的凹凸形状の回折格子が形成さ
れた光力イト層とを含む半導体層が形成され、かつ共振
器のほぼ中央部に、前記光ガイド層の回折格子が除去さ
れてほぼ平坦となり、この平坦な部分の前記活性層と前
記光力イト層とを合せた層厚が厚くなっている領域を有
することを特徴とするＤＦＢレーザが得られる。
（発明の原理） 本発明の原理を第１図によって説明す
る。この図はレーザ共振器方向の断面を表す。半導体基
板１の上に回折格子２０（ｌを有する光力イト層２と活
性ｈ３およＱ・クラッド層４が形成されている。回折格
子２００の一部は除去され平坦となっており、この部分
が位相シフト領域１２０となっている１、この位相シフ
ト領域１２０によって、先に述べた、回折格子の位相シ
フトと同様の効果か実現される。すなわち、回折番孔０
０のある領域の光導波路としての実効屈折率をＮｅｌと
すると、位相シフト領域１２０の実効屈折率Ｎｅ２は、
Ｎｅｌとは一般に異なる。それは回折格子の有無によっ
て光力イト層２の平均的な厚さが異るためである。この
図の場合はＮｅ２＞Ｎｅｌとなる。
る。この図はレーザ共振器方向の断面を表す。半導体基
板１の上に回折格子２０（ｌを有する光力イト層２と活
性ｈ３およＱ・クラッド層４が形成されている。回折格
子２００の一部は除去され平坦となっており、この部分
が位相シフト領域１２０となっている１、この位相シフ
ト領域１２０によって、先に述べた、回折格子の位相シ
フトと同様の効果か実現される。すなわち、回折番孔０
０のある領域の光導波路としての実効屈折率をＮｅｌと
すると、位相シフト領域１２０の実効屈折率Ｎｅ２は、
Ｎｅｌとは一般に異なる。それは回折格子の有無によっ
て光力イト層２の平均的な厚さが異るためである。この
図の場合はＮｅ２＞Ｎｅｌとなる。
したがって回折格子２００の周期式に対応するブラック
波長λＢ（１次回折格子の場合はλＢ ＝ ２ＡＮｅ
ｌ）の光が、長さＬの位相シフト領域１２０を通過した
とき、位相シフト領域１２０がない場合（すなわち回折
格子が続いている場合）と比べて光の位相φは だけ進むことになる。したがってＬ （Ｎｅ２−Ｎｅｔ
）の値、特にＬの値を適当に選ぶことによりφ−π／
２が実現できる。このことは、セカルテジョらか電子ビ
ーム露光法で、回折格子の位相をπ／２だけシフトさせ
たものと実効的に同じ結果が得られることを示している
。本発明は第１図あるいは以下に述べる実施例から明ら
かなように、回折格子の一光法かそのま才使用できる。
波長λＢ（１次回折格子の場合はλＢ ＝ ２ＡＮｅ
ｌ）の光が、長さＬの位相シフト領域１２０を通過した
とき、位相シフト領域１２０がない場合（すなわち回折
格子が続いている場合）と比べて光の位相φは だけ進むことになる。したがってＬ （Ｎｅ２−Ｎｅｔ
）の値、特にＬの値を適当に選ぶことによりφ−π／
２が実現できる。このことは、セカルテジョらか電子ビ
ーム露光法で、回折格子の位相をπ／２だけシフトさせ
たものと実効的に同じ結果が得られることを示している
。本発明は第１図あるいは以下に述べる実施例から明ら
かなように、回折格子の一光法かそのま才使用できる。
このため高い歩留りで、単−軸七一ドレーザが得られる
。
。
（実施例） 第２図は本発明の実施例の埋め込み形ＤＩ
”Ｂレーザの斜視図を示す。第３図に示すプロセスに従
って製作法を説明する。まず第３図（ａ）に示すようｌ
こ、 （００１ン面のｎ形ＩｎＰ基板１の上に発振波長
３２５ｍπのＨｅ−Ｃｄレーザを用いた、通常の２光束
干渉露光法によって、周期２４０朋の回折格子２００を
形成する。次に（ｂ）に示すように、通常のフォトリン
グラフイーとエツチングによって＜ｙ’ｉｏ〉方向に巾
約８μｍのストライブ状の回折格子２００を除去した節
分１２０を作製する。具体的には、ＡＺ１３５０でパタ
ーンニングした後、硫酸系のエツチング液でストライブ
部分をエツチングする。回折格子の凸の部分が凹の部分
より早くエツチングされるため、この部分はほぼ平坦と
なり位相シフト領域１２０が形成される。次ｌこ、（Ｃ
）に示すように、１回目の液相エピタキシャル成長によ
り（ｂ）で製作した基板１の上にダブルへテロ構造を形
成する。すなわち、ｎ形ＩｎＧａＡＳＰ光カイト層２（
組成は発光波長λ２′にして１．３μｍ、以後ＩｎＧａ
ＡＳＰの組成を表すのにλ２を用いる、厚さは０．１
ｔｔｍ ）、ＪｎＱａＡＳＰ活性層３（λｆ＝１．５５
μｍ厚さ０．１μｍ）、ｐ形ＩｎＰクラッド層４（厚さ
ｌ ｔｔｍ ）を順次成長する。位相シフト領域の長さ
については次のようＩこ決定した。すなわち発明の原理
のきころで述べたように、位相シフトの量はＬ （Ｎｅ
２−Ｎｅ＋）で決まり、Ｎｅｓとｈｅ２とは光ガイド店
および活性層の組成と厚さおよび幅によって決まる。
”Ｂレーザの斜視図を示す。第３図に示すプロセスに従
って製作法を説明する。まず第３図（ａ）に示すようｌ
こ、 （００１ン面のｎ形ＩｎＰ基板１の上に発振波長
３２５ｍπのＨｅ−Ｃｄレーザを用いた、通常の２光束
干渉露光法によって、周期２４０朋の回折格子２００を
形成する。次に（ｂ）に示すように、通常のフォトリン
グラフイーとエツチングによって＜ｙ’ｉｏ〉方向に巾
約８μｍのストライブ状の回折格子２００を除去した節
分１２０を作製する。具体的には、ＡＺ１３５０でパタ
ーンニングした後、硫酸系のエツチング液でストライブ
部分をエツチングする。回折格子の凸の部分が凹の部分
より早くエツチングされるため、この部分はほぼ平坦と
なり位相シフト領域１２０が形成される。次ｌこ、（Ｃ
）に示すように、１回目の液相エピタキシャル成長によ
り（ｂ）で製作した基板１の上にダブルへテロ構造を形
成する。すなわち、ｎ形ＩｎＧａＡＳＰ光カイト層２（
組成は発光波長λ２′にして１．３μｍ、以後ＩｎＧａ
ＡＳＰの組成を表すのにλ２を用いる、厚さは０．１
ｔｔｍ ）、ＪｎＱａＡＳＰ活性層３（λｆ＝１．５５
μｍ厚さ０．１μｍ）、ｐ形ＩｎＰクラッド層４（厚さ
ｌ ｔｔｍ ）を順次成長する。位相シフト領域の長さ
については次のようＩこ決定した。すなわち発明の原理
のきころで述べたように、位相シフトの量はＬ （Ｎｅ
２−Ｎｅ＋）で決まり、Ｎｅｓとｈｅ２とは光ガイド店
および活性層の組成と厚さおよび幅によって決まる。
素子特性の点から活性層の厚さは０．１μｍ、光ガイド
層の厚さは０．１μｍ（ただし回折格子があるため平坦
的な厚さである）幅は１．５μｍが適尚である。
層の厚さは０．１μｍ（ただし回折格子があるため平坦
的な厚さである）幅は１．５μｍが適尚である。
韮た位相シフト領域の厚さは０．２μｍである。したが
って先に述べた活性層および光力イト層の組成と厚さ等
から１．５５μｍの波長に対してＮｅｌとＮｅ２を計算
するとそれぞれ３．２２，３．２７となり、これから位
相シフト量φをπ／２とするために（ａ＝７８１Ｘｎと
すれば良いことがわかる。
って先に述べた活性層および光力イト層の組成と厚さ等
から１．５５μｍの波長に対してＮｅｌとＮｅ２を計算
するとそれぞれ３．２２，３．２７となり、これから位
相シフト量φをπ／２とするために（ａ＝７８１Ｘｎと
すれば良いことがわかる。
以上で本実施例の基本となる構造ができたわけであるが
、素子特性の向上のために、次に埋め込み構造を形成す
る。ここでは埋め込み構造として二重チャンネルブレー
ナ埋め込み形（ＤＣ−ＰＢＨ）を用いた。この構造およ
び製作法ｌこつぃては、水戸らによりエレクトロニクス
・レターズ誌（Ｅｌ−ｅｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、１８
（１９８２） ９５３）に報告されているので、ここで
は簡単に手順を述べる。第３図（ｄ）に示すように（Ｃ
）で製作したダブルヘテロウェーハに、通常のフォトリ
ソグラフィーとＢｒメタノールによるエツチングによっ
て、＜１１０＞方向に、幅１０μｍｉさ３μｍの２本の
平行な溝５０．５１ではさ才れた幅１，５μｍのメサス
トライプ５２を形成する。次に（ｅ）に示すように、２
回目の液４旧エピタキシャル成長で埋め込み構造を形成
する。すなわち、Ｐ形ＩｎＰ層５（平坦部での厚さ０．
５μｍ、以後同じ）ｎ形ＩｎＰ７Ｇ６（厚さＱ、 ５
μｍ）、Ｐ形ＩｎＰ層７（厚さ１．５μｍ）、ｐ形Ｉｎ
ＧａＡｓＰ／！８ （λ２＝１．２μＩｎ、厚さ０．５
μｍ塔順火成長する。次ｌζＰ側およびｎ側に電極６０
．６１をつけた後、位相シフト領域１２０かレーザ共振
器のほぼ中央に位置するようにして、長さ２５０μｍに
素子を切り出す。
、素子特性の向上のために、次に埋め込み構造を形成す
る。ここでは埋め込み構造として二重チャンネルブレー
ナ埋め込み形（ＤＣ−ＰＢＨ）を用いた。この構造およ
び製作法ｌこつぃては、水戸らによりエレクトロニクス
・レターズ誌（Ｅｌ−ｅｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、１８
（１９８２） ９５３）に報告されているので、ここで
は簡単に手順を述べる。第３図（ｄ）に示すように（Ｃ
）で製作したダブルヘテロウェーハに、通常のフォトリ
ソグラフィーとＢｒメタノールによるエツチングによっ
て、＜１１０＞方向に、幅１０μｍｉさ３μｍの２本の
平行な溝５０．５１ではさ才れた幅１，５μｍのメサス
トライプ５２を形成する。次に（ｅ）に示すように、２
回目の液４旧エピタキシャル成長で埋め込み構造を形成
する。すなわち、Ｐ形ＩｎＰ層５（平坦部での厚さ０．
５μｍ、以後同じ）ｎ形ＩｎＰ７Ｇ６（厚さＱ、 ５
μｍ）、Ｐ形ＩｎＰ層７（厚さ１．５μｍ）、ｐ形Ｉｎ
ＧａＡｓＰ／！８ （λ２＝１．２μＩｎ、厚さ０．５
μｍ塔順火成長する。次ｌζＰ側およびｎ側に電極６０
．６１をつけた後、位相シフト領域１２０かレーザ共振
器のほぼ中央に位置するようにして、長さ２５０μｍに
素子を切り出す。
以上が第２図に示した実施例の製作法である。素子の特
性は、パルス電流駆動で調べた。発振しきい値は２０〜
３９ｍＡ、外部微分量子効率は片面１５〜２０チであっ
た。発振波長は約１．５５μｍである。
性は、パルス電流駆動で調べた。発振しきい値は２０〜
３９ｍＡ、外部微分量子効率は片面１５〜２０チであっ
た。発振波長は約１．５５μｍである。
室温で１０ ｎｌＷ以上まで単一軸モード発振する素子
の歩留りは８割近く、位相シフト領域のない素子に比べ
て２倍以上改善された。
の歩留りは８割近く、位相シフト領域のない素子に比べ
て２倍以上改善された。
（発明の効果） 本発明のＤＦＢレーレー、位相シフト
領域を有することから、良好な素子特性がイＳＩられ、
また単一軸モードの歩留りも高い。さらに位相シフト領
域の作製法として通常の２光束干渉露光法とフォｌ−Ｉ
Ｊツクラフイーを用いているため全産性にも優れている
。位相シフト領域１２０の長さや、位ａに関しては、２
０〜３０％程度のばらつきがあっても単一軸モードの選
択性は良好であり、ウェーハ内、あるいはウェーハごと
の素子特性のばらつきも少なかった。
領域を有することから、良好な素子特性がイＳＩられ、
また単一軸モードの歩留りも高い。さらに位相シフト領
域の作製法として通常の２光束干渉露光法とフォｌ−Ｉ
Ｊツクラフイーを用いているため全産性にも優れている
。位相シフト領域１２０の長さや、位ａに関しては、２
０〜３０％程度のばらつきがあっても単一軸モードの選
択性は良好であり、ウェーハ内、あるいはウェーハごと
の素子特性のばらつきも少なかった。
なお、実施例においては、回折格子および光ガイド層が
活性層の下側つまり基板側にある例を示したが、活性層
の上側にあるものも同様な位相シフト構造が可能なので
ある。また、ＩｎＧａＡｓＰ系以外の材料、例えばＡｔ
ＧａＡＳ系でも本発明の構造が可能であることは言うま
でもない。
活性層の下側つまり基板側にある例を示したが、活性層
の上側にあるものも同様な位相シフト構造が可能なので
ある。また、ＩｎＧａＡｓＰ系以外の材料、例えばＡｔ
ＧａＡＳ系でも本発明の構造が可能であることは言うま
でもない。
ストライプ構造として実施例では埋込み構造を採用した
が、ストライプ構造についてはこの発明では本質的では
ないので、実施例で示したストライプ構造以外のストラ
イフ−構造、例えばプレーナストライプ、メサストライ
プ、内部ストライプ等どのような構造でも採用できる。
が、ストライプ構造についてはこの発明では本質的では
ないので、実施例で示したストライプ構造以外のストラ
イフ−構造、例えばプレーナストライプ、メサストライ
プ、内部ストライプ等どのような構造でも採用できる。
第１図は本発明の原理を示す図。第２囚は一実施例を示
す斜視図、第３図は第２図で示した実施例の製造プロセ
スを示す図である。図中、１はｎ形ＩｎＰ基板、２ ｉ
ｊ ｎ形ｉｒ＋ｃａＡｓｐ光カイト層、３はＩｎＧａＡ
ＳＰ活性層、４はＰ形Ｉｒ１Ｐクラッド層、１２０は位
相シフト領域、２００は回折格子、５０゜５１は平行な
２本の溝、５２は活性領域となるメサストライプである
。 代憑人升鷺亡 内１卓 晋。 （ｃ）
す斜視図、第３図は第２図で示した実施例の製造プロセ
スを示す図である。図中、１はｎ形ＩｎＰ基板、２ ｉ
ｊ ｎ形ｉｒ＋ｃａＡｓｐ光カイト層、３はＩｎＧａＡ
ＳＰ活性層、４はＰ形Ｉｒ１Ｐクラッド層、１２０は位
相シフト領域、２００は回折格子、５０゜５１は平行な
２本の溝、５２は活性領域となるメサストライプである
。 代憑人升鷺亡 内１卓 晋。 （ｃ）
Claims (1)
- 半導体基板上に、活性層と一方の面に周期的な凹凸形状
の回折格子が形成された光ガイド層とを少なくとも含む
多層半導体層が形成され、かつ共振器のほぼ中央部に、
前記光ガイド層の回折格子の一部が除去されてほぼ平坦
となっている領域を有することを特徴とする位相シフト
構造付分布帰還形半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210724A JPS6188584A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 位相シフト構造付分布帰還形半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210724A JPS6188584A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 位相シフト構造付分布帰還形半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6188584A true JPS6188584A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16594048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59210724A Pending JPS6188584A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 位相シフト構造付分布帰還形半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6188584A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01238181A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| US5212712A (en) * | 1990-04-19 | 1993-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Laser device and method of manufacturing the same |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP59210724A patent/JPS6188584A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01238181A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| US5212712A (en) * | 1990-04-19 | 1993-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Laser device and method of manufacturing the same |
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