JPH06338659A - レ−ザ素子 - Google Patents
レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPH06338659A JPH06338659A JP5129420A JP12942093A JPH06338659A JP H06338659 A JPH06338659 A JP H06338659A JP 5129420 A JP5129420 A JP 5129420A JP 12942093 A JP12942093 A JP 12942093A JP H06338659 A JPH06338659 A JP H06338659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- periodic structure
- phase shift
- resonator
- diffraction grating
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
- H01S5/106—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying thickness along the optical axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
- H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
- H01S5/1218—Multiplicity of periods in superstructured configuration, e.g. more than one period in an alternate sequence
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1225—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers with a varying coupling constant along the optical axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/124—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts
- H01S5/1243—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts by other means than a jump in the grating period, e.g. bent waveguides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、共振器方向に沿った結合係数をκ
を含めた各種パラメータを制御性よく容易に製作できる
レ−ザ素子を提供しようとするものである。 【構成】光導波路13に沿って第一の周期構造12を有し、
この第一の周期構造12によって光帰還を行うレ−ザ素子
において、光導波路13の幅、厚さ、および屈折率の少な
くともいずれかの構造因子、レ−ザ媒質の組成、もしく
は第一周期構造である回折格子周期の連続的な変化が、
共振器軸方向の一部、あるいは全部にわたって第一の周
期構造より、第二、第三のあるいはそれ以上の次数の周
期構造で変化していることを特徴としている。この構成
であると、レーザ素子を製作する際、上記各種パラメー
タの良好な制御性を備えて、位相シフト量を自由に制御
できる。しかも位相シフト領域への光の集中が抑えら
れ、共振器で平坦な光の分布を得ることもできる。
を含めた各種パラメータを制御性よく容易に製作できる
レ−ザ素子を提供しようとするものである。 【構成】光導波路13に沿って第一の周期構造12を有し、
この第一の周期構造12によって光帰還を行うレ−ザ素子
において、光導波路13の幅、厚さ、および屈折率の少な
くともいずれかの構造因子、レ−ザ媒質の組成、もしく
は第一周期構造である回折格子周期の連続的な変化が、
共振器軸方向の一部、あるいは全部にわたって第一の周
期構造より、第二、第三のあるいはそれ以上の次数の周
期構造で変化していることを特徴としている。この構成
であると、レーザ素子を製作する際、上記各種パラメー
タの良好な制御性を備えて、位相シフト量を自由に制御
できる。しかも位相シフト領域への光の集中が抑えら
れ、共振器で平坦な光の分布を得ることもできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レ−ザ素子に係わ
り、光導波路に沿って第一の周期構造を有し、この第一
の周期構造によって光帰還を行う分布帰還型および分布
反射型等のレ−ザ素子に関する。
り、光導波路に沿って第一の周期構造を有し、この第一
の周期構造によって光帰還を行う分布帰還型および分布
反射型等のレ−ザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】光導波路内に、周期的屈折率変化構造
（回折格子）を持つ分布帰還型レ−ザダイオ−ド（以
下、ＤＦＢ−ＬＤという）は、長距離大容量光通信等に
おいて、既に必須のものになっている。
（回折格子）を持つ分布帰還型レ−ザダイオ−ド（以
下、ＤＦＢ−ＬＤという）は、長距離大容量光通信等に
おいて、既に必須のものになっている。
【０００３】しかしながら、このＤＦＢ−ＬＤは、レ−
ザ共振器両端面の反射率を最適に調節しない場合、必ず
しも単一モ−ドで発振しないことが当初より指摘されて
いる。（参考文献：William Streifer, Robert D. Burn
ham and Donald R. ScifresIEEE J. Quantum Electroni
cs, vol. QE-11, pp.154-161, April, 1975）そこで、
確実に単一縦モ−ドで発振させる方法として、レ−ザ共
振器内で導波光の位相を変化させる位相シフトの構造が
提案されている。（参考文献：“Antisymmetric taper
of distributed feedback lasers”H.A.Haus and C.V.S
hank IEEE J. Quantum Electronics, vol. QE-12,pp.
532-539, 1975）実際に単一モ−ド発振の効果が確認さ
れている構造は、レ−ザ共振器中央近傍において回折格
子の位相をπ（発振波長の位相にしてπ／２）だけ変化
させて両端面の反射を抑えた、λ／４（λ：素子の発振
波長）シフト型ＤＦＢレ−ザである。（参考文献：Utak
a et al. Electronics Letters, vol. 20, No.24, 198
4,pp.1008-1010）また、レ−ザ共振器中央近傍において
導波路の幅を変えて活性媒質の実効屈折率を変化させ
た、等価屈折率型λ／４シフト型ＤＦＢレ−ザも提案さ
れている。これは、実効屈折率を変化させた部分の前後
で導波光が位相の変化を経験するものである。つまり、
この構造では、通常の位相シフト型ＤＦＢレ−ザが回折
格子で集中的にシフトさせるのに対し、分布的に導波光
の位相をシフトさせるものである。（参考文献：Soda e
t al. IEEE J. Quantum Electronics, vol. QE-23, N
o.6pp.804-814, June, 1987）以上、回折格子自身の位
相を不連続とする方法および導波路の幅、並びに厚さを
変化させる二つが、現在公知とされている、主な位相シ
フト方法である。
ザ共振器両端面の反射率を最適に調節しない場合、必ず
しも単一モ−ドで発振しないことが当初より指摘されて
いる。（参考文献：William Streifer, Robert D. Burn
ham and Donald R. ScifresIEEE J. Quantum Electroni
cs, vol. QE-11, pp.154-161, April, 1975）そこで、
確実に単一縦モ−ドで発振させる方法として、レ−ザ共
振器内で導波光の位相を変化させる位相シフトの構造が
提案されている。（参考文献：“Antisymmetric taper
of distributed feedback lasers”H.A.Haus and C.V.S
hank IEEE J. Quantum Electronics, vol. QE-12,pp.
532-539, 1975）実際に単一モ−ド発振の効果が確認さ
れている構造は、レ−ザ共振器中央近傍において回折格
子の位相をπ（発振波長の位相にしてπ／２）だけ変化
させて両端面の反射を抑えた、λ／４（λ：素子の発振
波長）シフト型ＤＦＢレ−ザである。（参考文献：Utak
a et al. Electronics Letters, vol. 20, No.24, 198
4,pp.1008-1010）また、レ−ザ共振器中央近傍において
導波路の幅を変えて活性媒質の実効屈折率を変化させ
た、等価屈折率型λ／４シフト型ＤＦＢレ−ザも提案さ
れている。これは、実効屈折率を変化させた部分の前後
で導波光が位相の変化を経験するものである。つまり、
この構造では、通常の位相シフト型ＤＦＢレ−ザが回折
格子で集中的にシフトさせるのに対し、分布的に導波光
の位相をシフトさせるものである。（参考文献：Soda e
t al. IEEE J. Quantum Electronics, vol. QE-23, N
o.6pp.804-814, June, 1987）以上、回折格子自身の位
相を不連続とする方法および導波路の幅、並びに厚さを
変化させる二つが、現在公知とされている、主な位相シ
フト方法である。
【０００４】次に、これら従来の二つの位相シフトの問
題点を考察する。まず、回折格子をシフトさせるλ／４
シフト型ＤＦＢレ−ザについて述べる。λ／４シフト型
ＤＦＢレ−ザでは、光波の帰還量を示す結合係数κが大
きい場合、軸方向の光強度は、図６中のII線に示すよう
に、伝搬光が回折格子のシフト部に集中しやすい。これ
によって、軸方向ホ−ルバ−ニングを引き起こし、単一
モ−ド性を崩す等、レ−ザの性能を大きく損なってい
た。この原因の一つとしては、前述したように回折格子
で集中的に導波光の位相を変化させていることがあげら
れる。（参考文献：Soda et al. IEEE Journual of Q
uantum Electronics,vol. QE-23, No.6 June, 1987）
逆に、結合係数κが小さい場合には、図６中のIII 線に
示すように、共振器内の光が端面付近に集中して、やは
り軸方向の光強度分布が不均一になり、しきい値電流の
上昇や隣接モ−ドの抑圧比の低下を招いていた。
題点を考察する。まず、回折格子をシフトさせるλ／４
シフト型ＤＦＢレ−ザについて述べる。λ／４シフト型
ＤＦＢレ−ザでは、光波の帰還量を示す結合係数κが大
きい場合、軸方向の光強度は、図６中のII線に示すよう
に、伝搬光が回折格子のシフト部に集中しやすい。これ
によって、軸方向ホ−ルバ−ニングを引き起こし、単一
モ−ド性を崩す等、レ−ザの性能を大きく損なってい
た。この原因の一つとしては、前述したように回折格子
で集中的に導波光の位相を変化させていることがあげら
れる。（参考文献：Soda et al. IEEE Journual of Q
uantum Electronics,vol. QE-23, No.6 June, 1987）
逆に、結合係数κが小さい場合には、図６中のIII 線に
示すように、共振器内の光が端面付近に集中して、やは
り軸方向の光強度分布が不均一になり、しきい値電流の
上昇や隣接モ−ドの抑圧比の低下を招いていた。
【０００５】以上のように、λ／４シフト型ＤＦＢレ−
ザは、結合係数κの調節が非常に難しいものである。ま
た、製作工程においては、回折格子をシフトさせる方法
として、ネガレジストとポジレジストを用いる方法（参
考文献Ａ）や、位相シフト膜を用いる方法（参考文献
Ｂ）等、種々の方法が提案されているが、歩留りの良い
確実な方法というものではない。（参考文献Ａ：Electr
onics Letters, vol. 20, No.24, 1984, pp.1008-101
0）（参考文献Ｂ：電子情報通信学会研究報告 OQE86-
150）また、これらの回折格子を直接シフトさせる方法
は、回折格子シフト部で段差を生じたり、シフト部を境
に回折格子形状が違う等の問題も抱えている。
ザは、結合係数κの調節が非常に難しいものである。ま
た、製作工程においては、回折格子をシフトさせる方法
として、ネガレジストとポジレジストを用いる方法（参
考文献Ａ）や、位相シフト膜を用いる方法（参考文献
Ｂ）等、種々の方法が提案されているが、歩留りの良い
確実な方法というものではない。（参考文献Ａ：Electr
onics Letters, vol. 20, No.24, 1984, pp.1008-101
0）（参考文献Ｂ：電子情報通信学会研究報告 OQE86-
150）また、これらの回折格子を直接シフトさせる方法
は、回折格子シフト部で段差を生じたり、シフト部を境
に回折格子形状が違う等の問題も抱えている。
【０００６】以上のように、回折格子を直接シフトさせ
る位相シフト構造には、多くの問題点が、依然としてあ
る。次に、導波路の幅を変化させる等価位相シフト構造
について述べる。
る位相シフト構造には、多くの問題点が、依然としてあ
る。次に、導波路の幅を変化させる等価位相シフト構造
について述べる。
【０００７】この構造では、位相シフト量をλ／４とす
る場合、通常、位相シフト領域は数十μｍにわたるの
で、前述した回折格子位相を不連続とする方法に比べ、
位相シフト領域への導波光の集中はかなり抑えることが
できる。
る場合、通常、位相シフト領域は数十μｍにわたるの
で、前述した回折格子位相を不連続とする方法に比べ、
位相シフト領域への導波光の集中はかなり抑えることが
できる。
【０００８】また、均一で連続的な形状の回折格子で済
むために、製作上の困難も無い。従って、回折格子を直
接シフトさせる位相シフト構造よりは、優れた位相シフ
ト構造であるといえる。
むために、製作上の困難も無い。従って、回折格子を直
接シフトさせる位相シフト構造よりは、優れた位相シフ
ト構造であるといえる。
【０００９】しかし、幅が一定で均一な導波路の作製で
さえ、その幅の寸法の制御に精度が必要なのに、位相シ
フト部の幅、形状を正確に制御することは至難の技であ
る。従って、位相のシフト量の正確な調整が難しかっ
た。
さえ、その幅の寸法の制御に精度が必要なのに、位相シ
フト部の幅、形状を正確に制御することは至難の技であ
る。従って、位相のシフト量の正確な調整が難しかっ
た。
【００１０】また、出力光の遠視野像は、導波路の幅の
変化部で、活性層の等価屈折率が急激に変化するため、
導波モ−ドと、等価屈折率変化部からの放射モ−ドとの
緩衝のため、図８に示すように、激しい凹凸を有するこ
とが多かった。この放射モ−ドの放射角度も予想がつき
にくく、制御するのが困難であった。素子の遠視野像
は、ファイバ等、他の光学素子への結合を考えると、凹
凸が少なく、かつ広がり角が小さいことが望ましい。
変化部で、活性層の等価屈折率が急激に変化するため、
導波モ−ドと、等価屈折率変化部からの放射モ−ドとの
緩衝のため、図８に示すように、激しい凹凸を有するこ
とが多かった。この放射モ−ドの放射角度も予想がつき
にくく、制御するのが困難であった。素子の遠視野像
は、ファイバ等、他の光学素子への結合を考えると、凹
凸が少なく、かつ広がり角が小さいことが望ましい。
【００１１】これらの二種類の位相シフト型の構造以外
の分布帰還型レ−ザ素子で、単一モ−ドで発振させる構
造として、共振器内において、回折格子の周期が連続的
に変化した構造や、導波路の幅がテ−パ状に連続的に変
化した構造も提案されている。これにより、ファ−フィ
−ルドパタ−ンの乱れの問題は解決できる。
の分布帰還型レ−ザ素子で、単一モ−ドで発振させる構
造として、共振器内において、回折格子の周期が連続的
に変化した構造や、導波路の幅がテ−パ状に連続的に変
化した構造も提案されている。これにより、ファ−フィ
−ルドパタ−ンの乱れの問題は解決できる。
【００１２】回折格子の周期を連続的に変化させる構造
では、連続的に周期の変化した回折格子（チャ−プド回
折格子）の製作および素子上の所望の回折格子周期の特
定が製造上の難点であり、導波路の幅が連続的に変化し
た構造でも、やはり導波路の幅の制御性の困難さが依然
として残っている。
では、連続的に周期の変化した回折格子（チャ−プド回
折格子）の製作および素子上の所望の回折格子周期の特
定が製造上の難点であり、導波路の幅が連続的に変化し
た構造でも、やはり導波路の幅の制御性の困難さが依然
として残っている。
【００１３】ところで、導波路構造を変化させて、等価
的に位相シフトを形成する方法としては、導波層の厚さ
を変化させる方法も考えられている（特開昭６１−８８
５８４）。
的に位相シフトを形成する方法としては、導波層の厚さ
を変化させる方法も考えられている（特開昭６１−８８
５８４）。
【００１４】しかし、この方法には次の欠点があった。
すなわち、基板に位相シフトに対応する溝をつけ、次に
成長する導波路の厚さを変化させるとすると、基板に形
成した回折格子は、従来のエッチング方法では平坦にな
ってしまう。従って、位相シフト領域中にも回折格子を
残すことは難しい。
すなわち、基板に位相シフトに対応する溝をつけ、次に
成長する導波路の厚さを変化させるとすると、基板に形
成した回折格子は、従来のエッチング方法では平坦にな
ってしまう。従って、位相シフト領域中にも回折格子を
残すことは難しい。
【００１５】また、回折格子の存在する部分と平坦な部
分では、露出している部分の結晶の方位が異なるため
に、次に成長する導波層の結晶性が異なるばかりか、同
じ厚さに結晶成長しないため、活性層に段差を生じてい
た。
分では、露出している部分の結晶の方位が異なるため
に、次に成長する導波層の結晶性が異なるばかりか、同
じ厚さに結晶成長しないため、活性層に段差を生じてい
た。
【００１６】また、成長層の厚さの制御が難しく、所望
の位相シフトを得ることができなかった。このため、上
記の構造は、とても現実的なものとはいえなかった。ま
た、導波層を成長してから、回折格子を形成する方法
は、層構造が決定されているために、位相シフトり量は
制御しやすい。
の位相シフトを得ることができなかった。このため、上
記の構造は、とても現実的なものとはいえなかった。ま
た、導波層を成長してから、回折格子を形成する方法
は、層構造が決定されているために、位相シフトり量は
制御しやすい。
【００１７】しかし、この方法でも、導波層の厚さを変
化させてから回折格子を形成する場合、段差凹部にはフ
ォトレジストが凸部に比べて厚く塗布されるので、凹部
では回折格子形状、深さが違ったり、あるいは回折格子
が全く形成されなかったりした。
化させてから回折格子を形成する場合、段差凹部にはフ
ォトレジストが凸部に比べて厚く塗布されるので、凹部
では回折格子形状、深さが違ったり、あるいは回折格子
が全く形成されなかったりした。
【００１８】このように、凹部および凸部双方に関して
の回折格子形状、深さの制御性は著しく悪かった。とこ
ろで、コヒ−レント光通信等に用いるために、狭スペク
トル線幅を得る方法として、共振器内に複数の位相シフ
トを設ける方法も提案されている。（参考文献：Kimura
et al., Electron. Lett., vol. 23, 1987 pp.1014）
この素子構造を実現するために、従来の位相シフト方法
を用いた場合には、さらに製作が困難となっていた。
の回折格子形状、深さの制御性は著しく悪かった。とこ
ろで、コヒ−レント光通信等に用いるために、狭スペク
トル線幅を得る方法として、共振器内に複数の位相シフ
トを設ける方法も提案されている。（参考文献：Kimura
et al., Electron. Lett., vol. 23, 1987 pp.1014）
この素子構造を実現するために、従来の位相シフト方法
を用いた場合には、さらに製作が困難となっていた。
【００１９】以上のように、一点に集中する位相シフト
は勿論のこと、共振器に沿った一定の範囲に等価的に位
相シフト領域を設ける方法にも、その効果、制御性、生
産性に難点があった。
は勿論のこと、共振器に沿った一定の範囲に等価的に位
相シフト領域を設ける方法にも、その効果、制御性、生
産性に難点があった。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】以上述べてきたよう
に、従来の構造では、次のような欠点があった。 （１）分布帰還型および分布反射型等のレ−ザ素子にお
ける結合係数κ等、共振器方向他の構造パラメ−タの制
御が困難であること。
に、従来の構造では、次のような欠点があった。 （１）分布帰還型および分布反射型等のレ−ザ素子にお
ける結合係数κ等、共振器方向他の構造パラメ−タの制
御が困難であること。
【００２１】（２）等価位相シフト構造の段差部での悪
影響、すなわち、放射モ−ドによる遠視野像の乱れがあ
ること、並びに位相シフト領域の精度および段差部の加
工が難しいこと。
影響、すなわち、放射モ−ドによる遠視野像の乱れがあ
ること、並びに位相シフト領域の精度および段差部の加
工が難しいこと。
【００２２】（３）位相シフト領域への光の集中を原因
とする軸方向ホ−ルバ−ニングの発生によって、素子の
性能が低下すること。本発明の目的は、上記欠点を克服
し、共振器方向に沿った結合係数をκを含めた各種パラ
メータを制御性よく容易に製作できるレ−ザ素子を提供
することにある。
とする軸方向ホ−ルバ−ニングの発生によって、素子の
性能が低下すること。本発明の目的は、上記欠点を克服
し、共振器方向に沿った結合係数をκを含めた各種パラ
メータを制御性よく容易に製作できるレ−ザ素子を提供
することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、光導波路に沿って第一の周期構造を有し、
この第一の周期構造によって光帰還を行うレ−ザ素子に
おいて、光導波路の幅、厚さ、および屈折率の少なくと
もいずれかの構造因子、レ−ザ媒質の組成、もしくは第
一周期構造である回折格子周期の連続的な変化が、共振
器軸方向の一部、あるいは全部にわたって第一の周期構
造より、第二、第三のあるいはそれ以上の次数の周期構
造で変化していることを特徴としている。
するために、光導波路に沿って第一の周期構造を有し、
この第一の周期構造によって光帰還を行うレ−ザ素子に
おいて、光導波路の幅、厚さ、および屈折率の少なくと
もいずれかの構造因子、レ−ザ媒質の組成、もしくは第
一周期構造である回折格子周期の連続的な変化が、共振
器軸方向の一部、あるいは全部にわたって第一の周期構
造より、第二、第三のあるいはそれ以上の次数の周期構
造で変化していることを特徴としている。
【００２４】また、前記第一の周期構造より大きい第
二、第三あるいはそれ以上の次数の周期構造の構造因子
の変化の程度が、共振器軸方向の一部、あるいは全部に
わたって変調されていることを特徴としている。
二、第三あるいはそれ以上の次数の周期構造の構造因子
の変化の程度が、共振器軸方向の一部、あるいは全部に
わたって変調されていることを特徴としている。
【００２５】
【作用】即ち、本発明は、第一の基本的周期構造である
回折格子よりも大きな周期で共振器方向に導波路構造パ
ラメータ（例えば幅，厚さ，等の幾何構造，レーザ媒質
の組成及び等価屈折率等）を変化させる二重の周期構造
を設けるものである。さらに場合によっては二重の周期
構造に加え同様に導波路構造パラメータを変化させた三
重，四重あるいはそれ以上の次数の周期構造を設けるも
のである。
回折格子よりも大きな周期で共振器方向に導波路構造パ
ラメータ（例えば幅，厚さ，等の幾何構造，レーザ媒質
の組成及び等価屈折率等）を変化させる二重の周期構造
を設けるものである。さらに場合によっては二重の周期
構造に加え同様に導波路構造パラメータを変化させた三
重，四重あるいはそれ以上の次数の周期構造を設けるも
のである。
【００２６】そして、必要に応じてディメンジョン等の
制御が容易である大きい方の構造の変化の程度を共振器
方向に沿って変調するものである。第二の周期構造、及
びここで言う変調とは、例えば厚さを変化させた場合は
その厚い部分と薄い部分の比率を軸方向の場所によって
任意に変化させるような事をいう。
制御が容易である大きい方の構造の変化の程度を共振器
方向に沿って変調するものである。第二の周期構造、及
びここで言う変調とは、例えば厚さを変化させた場合は
その厚い部分と薄い部分の比率を軸方向の場所によって
任意に変化させるような事をいう。
【００２７】例えば、基本回折格子の周期の整数倍に近
い周期を第二の周期構造とすれば、第二の周期構造によ
って導波路から放射される放射モードの出射の方向が予
測可能であると共に、導波される光波の帰還に寄与する
ことで放射モードの割合を少なくし遠視野像の乱れを抑
えることができる。
い周期を第二の周期構造とすれば、第二の周期構造によ
って導波路から放射される放射モードの出射の方向が予
測可能であると共に、導波される光波の帰還に寄与する
ことで放射モードの割合を少なくし遠視野像の乱れを抑
えることができる。
【００２８】放射の少ない導波モード光の場合、位相シ
フト型レーザ素子の位相シフト領域の段差の変化の割合
が少なくて放射モードの影響が少ない場合、あるいは吸
収帯等を設けて放射光が導波光と干渉しないように工夫
されている場合等には、第二の周期構造が第一の周期構
造の整数倍であることにはこだわらない。このとき、共
振器内の任意の位置に任意量の位相シフトを設けること
もできる。
フト型レーザ素子の位相シフト領域の段差の変化の割合
が少なくて放射モードの影響が少ない場合、あるいは吸
収帯等を設けて放射光が導波光と干渉しないように工夫
されている場合等には、第二の周期構造が第一の周期構
造の整数倍であることにはこだわらない。このとき、共
振器内の任意の位置に任意量の位相シフトを設けること
もできる。
【００２９】さて、位相シフト型としての効果を出すた
めには例えば少なくとも第二の周期構造を変調する訳で
あるが、その変化の割合は構造パラメータの周期的変化
を基本として、変調の程度によって制御することにな
る。つまり構造パラメータの変化の精度によるものでは
なく、変調の程度によって等価位相シフト構造が実現す
る。第二の周期構造は従来の等価位相シフト構造の位相
シフト領域長よりも小さいが、第一の周期構造よりも十
分大きいので制御が容易である。従って変調により設計
どおりの緩やかな等価位相シフト構造を得ることのでき
る素子構造である。
めには例えば少なくとも第二の周期構造を変調する訳で
あるが、その変化の割合は構造パラメータの周期的変化
を基本として、変調の程度によって制御することにな
る。つまり構造パラメータの変化の精度によるものでは
なく、変調の程度によって等価位相シフト構造が実現す
る。第二の周期構造は従来の等価位相シフト構造の位相
シフト領域長よりも小さいが、第一の周期構造よりも十
分大きいので制御が容易である。従って変調により設計
どおりの緩やかな等価位相シフト構造を得ることのでき
る素子構造である。
【００３０】さらにこの素子構造には次のようなメリッ
トもある。つまり第二の周期構造の変化は結合係数κ等
の共振器軸方向での変化も制御可能となることである。
また例えば第二の周期構造が第一の周期構造の整数倍の
場合は、活性層そのものの変調により、ゲイン／ロスの
周期構造による光帰還も実現できる。従って単一縦モー
ドでの発振能力を向上させることもできる。
トもある。つまり第二の周期構造の変化は結合係数κ等
の共振器軸方向での変化も制御可能となることである。
また例えば第二の周期構造が第一の周期構造の整数倍の
場合は、活性層そのものの変調により、ゲイン／ロスの
周期構造による光帰還も実現できる。従って単一縦モー
ドでの発振能力を向上させることもできる。
【００３１】上記構成を有するレ−ザ素子によれば、レ
ーザ素子を製作する際、上記各種パラメータの良好な制
御性を備えて、位相シフト量を自由に制御できる。しか
も位相シフト領域への光の集中を抑えて、共振器で平坦
な光の分布を得ることもできる。
ーザ素子を製作する際、上記各種パラメータの良好な制
御性を備えて、位相シフト量を自由に制御できる。しか
も位相シフト領域への光の集中を抑えて、共振器で平坦
な光の分布を得ることもできる。
【００３２】
【実施例】この説明に際し、全図にわたり同一の部分に
は同一の参照符号を付し、重複する説明を避けることに
する。まず、この発明の第１の実施例に係わるレ−ザ素
子について説明する。
は同一の参照符号を付し、重複する説明を避けることに
する。まず、この発明の第１の実施例に係わるレ−ザ素
子について説明する。
【００３３】図１は、この発明の第１の実施例に係わる
レ−ザ素子の断面構造を示す図で、（ａ）図は共振器中
央近傍にて結合係数κが位相シフト領域以外よりも小さ
くした例を示す断面図、（ｂ）図は共振器中央近傍にて
結合係数κが位相シフト領域以外よりも大きくした例を
示す断面図である。
レ−ザ素子の断面構造を示す図で、（ａ）図は共振器中
央近傍にて結合係数κが位相シフト領域以外よりも小さ
くした例を示す断面図、（ｂ）図は共振器中央近傍にて
結合係数κが位相シフト領域以外よりも大きくした例を
示す断面図である。
【００３４】第１の実施例は、共振器内の回折格子に凹
凸を設ける第一の構造を有するものである。図１におい
て、参照符号１１はＩｎＰ基板、参照符号１２はＩｎＰ
基板１１上に形成された回折格子、参照符号１３はＩｎ
ＧａＡｓ導波層、参照符号１４はＩｎＧａＡｓＰ活性
層、参照符号１５はＩｎＰクラッド層である。
凸を設ける第一の構造を有するものである。図１におい
て、参照符号１１はＩｎＰ基板、参照符号１２はＩｎＰ
基板１１上に形成された回折格子、参照符号１３はＩｎ
ＧａＡｓ導波層、参照符号１４はＩｎＧａＡｓＰ活性
層、参照符号１５はＩｎＰクラッド層である。
【００３５】図１に示すように、基板１１に製作した第
一の周期的凹凸（回折格子１２）にフォトリソグラフィ
で約２μｍ周期の第二の周期的凹凸を設ける。図１
（ａ）に示す例では、共振器中央近傍の位相シフト領域
で結合係数κが位相シフト領域以外の領域よりも小とな
る場合を示してある。結合係数κは回折格子が活性層に
近い程大きく、離れている場合には小さい。
一の周期的凹凸（回折格子１２）にフォトリソグラフィ
で約２μｍ周期の第二の周期的凹凸を設ける。図１
（ａ）に示す例では、共振器中央近傍の位相シフト領域
で結合係数κが位相シフト領域以外の領域よりも小とな
る場合を示してある。結合係数κは回折格子が活性層に
近い程大きく、離れている場合には小さい。
【００３６】また、図１（ｂ）に示す例では、図１
（ａ）とは逆の結合係数κの配置としてある。基板に設
けた２μｍ程度の比較的浅い周期的凹凸は導波層の結晶
成長の際に十分に平坦に埋め込む事ができる。このよう
に、第二の周期的凹凸を変調して素子を製作する。
（ａ）とは逆の結合係数κの配置としてある。基板に設
けた２μｍ程度の比較的浅い周期的凹凸は導波層の結晶
成長の際に十分に平坦に埋め込む事ができる。このよう
に、第二の周期的凹凸を変調して素子を製作する。
【００３７】次に、この発明の第２の実施例に係わるレ
−ザ素子について説明する。図２は、この発明の第２の
実施例に係わるレ−ザ素子の平面図である。第２の実施
例は、共振器の幅を変調するものである。
−ザ素子について説明する。図２は、この発明の第２の
実施例に係わるレ−ザ素子の平面図である。第２の実施
例は、共振器の幅を変調するものである。
【００３８】図２には、回折格子１２を含む層構造の幅
方向の平面図を示してある。幅の広い部分では回折格子
１２による導波光の帰還が大きく、狭い部分に比べゲイ
ン（レーザ利得）を大きくとることができる。よって、
幅の周期的変化に対応する等価屈折率による帰還だけで
なく、ゲインの周期化による帰還も可能である。これら
の構造がフォトリソグラフィでのパターニングのみで得
られる。
方向の平面図を示してある。幅の広い部分では回折格子
１２による導波光の帰還が大きく、狭い部分に比べゲイ
ン（レーザ利得）を大きくとることができる。よって、
幅の周期的変化に対応する等価屈折率による帰還だけで
なく、ゲインの周期化による帰還も可能である。これら
の構造がフォトリソグラフィでのパターニングのみで得
られる。
【００３９】次に、この発明の第３の実施例に係わるレ
−ザ素子について説明する。図３は、この発明の第３の
実施例に係わるレ−ザ素子の断面図である。第３の実施
例は、第二の周期構造で活性層に周期的変調を設けるも
のである。
−ザ素子について説明する。図３は、この発明の第３の
実施例に係わるレ−ザ素子の断面図である。第３の実施
例は、第二の周期構造で活性層に周期的変調を設けるも
のである。
【００４０】図３に示すように、第二の周期的凹凸の構
造パラメ−タを深くすると、第二の周期構造は、もはや
平坦に埋め込まれなくなり、活性層にも第二の周期と同
じ周期構造が生じる。この構造により回折格子による帰
還に加え、導波層，そして活性層の周期構造による光帰
還も実現できる。
造パラメ−タを深くすると、第二の周期構造は、もはや
平坦に埋め込まれなくなり、活性層にも第二の周期と同
じ周期構造が生じる。この構造により回折格子による帰
還に加え、導波層，そして活性層の周期構造による光帰
還も実現できる。
【００４１】次に、この発明の第４の実施例に係わるレ
−ザ素子について説明する。図４は、この発明の第４の
実施例に係わるレ−ザ素子の断面図である。第４の実施
例は、共振器内の複数ヶ所に位相シフト領域を設ける第
四の構造を有するものである。
−ザ素子について説明する。図４は、この発明の第４の
実施例に係わるレ−ザ素子の断面図である。第４の実施
例は、共振器内の複数ヶ所に位相シフト領域を設ける第
四の構造を有するものである。
【００４２】活性層の厚さ及び幅方向の等価屈折率を変
調する構造は、前述した三つの実施例で明らかなように
共振器内の任意の位置に任意の位相シフト量で設けるこ
とができる。図４には、共振器内に厚さを変調する構造
を三ヶ所設けた実施例を示してある。
調する構造は、前述した三つの実施例で明らかなように
共振器内の任意の位置に任意の位相シフト量で設けるこ
とができる。図４には、共振器内に厚さを変調する構造
を三ヶ所設けた実施例を示してある。
【００４３】次に、この発明の第５の実施例に係わるレ
−ザ素子について説明する。図５は、この発明の第５の
実施例に係わるレ−ザ素子の断面図である。第５の実施
例は、周期が連続的変化した回折格子（チャープド回折
格子）のチャープを第二の周期で変調するものである。
図５に示すように、第５の実施例の場合、第二の周期構
造は、チャープド回折格子のチャープの周期である。
−ザ素子について説明する。図５は、この発明の第５の
実施例に係わるレ−ザ素子の断面図である。第５の実施
例は、周期が連続的変化した回折格子（チャープド回折
格子）のチャープを第二の周期で変調するものである。
図５に示すように、第５の実施例の場合、第二の周期構
造は、チャープド回折格子のチャープの周期である。
【００４４】尚、第１〜第５の実施例において位相シフ
ト型の素子として用いる場合には、図１〜図５ではそれ
ぞれ、省略してあるが、素子の両端面に無反射膜を付着
することにより反射率を低下させ、最大の位相シフトの
効果が得られるようにしている。
ト型の素子として用いる場合には、図１〜図５ではそれ
ぞれ、省略してあるが、素子の両端面に無反射膜を付着
することにより反射率を低下させ、最大の位相シフトの
効果が得られるようにしている。
【００４５】従来の位相シフト構造では、図６中のII
線、またはIII 線に示されるように、結合係数κの変化
に対し、共振器内の光強度分布が非常に敏感であった
が、本発明によれば、光強度分布の偏りを自由に制御で
きる。例えば共振器中央部に第一の構造を用いて位相シ
フトを設けると、図６中のＩ線に示されるように、平坦
な光強度分布を得ることができる。
線、またはIII 線に示されるように、結合係数κの変化
に対し、共振器内の光強度分布が非常に敏感であった
が、本発明によれば、光強度分布の偏りを自由に制御で
きる。例えば共振器中央部に第一の構造を用いて位相シ
フトを設けると、図６中のＩ線に示されるように、平坦
な光強度分布を得ることができる。
【００４６】図７は、第１の実施例に係わるレ−ザ素子
の特性を示す図で、（ａ）図はしきい値以下及びしきい
値以上の代表的な発振スペクトルを示す図、（ｂ）図は
代表的な遠視野像の例を示す図である。
の特性を示す図で、（ａ）図はしきい値以下及びしきい
値以上の代表的な発振スペクトルを示す図、（ｂ）図は
代表的な遠視野像の例を示す図である。
【００４７】図７（ａ）に示されるしきい値以下のスペ
クトルでは、λ／４シフト型の特徴である阻止帯（スト
ップバンド）中央での共振ピークが見られる。また、図
７（ａ）に示されるしきい値以上のスペクトルでは、十
分に隣接モードの抑圧された単一縦モードで発振してい
ることがわかる。
クトルでは、λ／４シフト型の特徴である阻止帯（スト
ップバンド）中央での共振ピークが見られる。また、図
７（ａ）に示されるしきい値以上のスペクトルでは、十
分に隣接モードの抑圧された単一縦モードで発振してい
ることがわかる。
【００４８】また、従来の共振器中央近傍で導波路の幅
を広げる構造での遠視野像が図８に示すように激しい凹
凸を持っていたのに対し、本発明の構造では図７（ｂ）
のように滑らかで広がり角の小さなパターンを得てい
る。また、この素子は高出力，高速変調動作時にも十分
に隣接モードの抑圧のとれた単一縦モードで発振した。
しかも、このような優れた性能を持つ素子が同一半導体
基板から歩留り良く得られた。
を広げる構造での遠視野像が図８に示すように激しい凹
凸を持っていたのに対し、本発明の構造では図７（ｂ）
のように滑らかで広がり角の小さなパターンを得てい
る。また、この素子は高出力，高速変調動作時にも十分
に隣接モードの抑圧のとれた単一縦モードで発振した。
しかも、このような優れた性能を持つ素子が同一半導体
基板から歩留り良く得られた。
【００４９】また、第二の構造と製造方法を用いた素子
でも第一の構造と製造方法を用いた素子と同様の性能お
よび歩留りが得られた。次に、第四の構造を用いて共振
器長を１．０ｍｍ，位相シフト領域を三ヶ所持つ素子を
製作した素子において、狭いスペクトル線幅が得られ
た。この様な通常よりも長い共振器では単一モード発振
とスペクトル線幅の狭搾のためには結合係数κを厳密に
制御する必要があるが、本発明を用いた場合比較的容易
にこれを制御することができた。
でも第一の構造と製造方法を用いた素子と同様の性能お
よび歩留りが得られた。次に、第四の構造を用いて共振
器長を１．０ｍｍ，位相シフト領域を三ヶ所持つ素子を
製作した素子において、狭いスペクトル線幅が得られ
た。この様な通常よりも長い共振器では単一モード発振
とスペクトル線幅の狭搾のためには結合係数κを厳密に
制御する必要があるが、本発明を用いた場合比較的容易
にこれを制御することができた。
【００５０】本発明の構造と製造方法はＩｎＧａＡｓＰ
を用いた素子のみにでなく、ＡｌＧａＡｓや他の材料を
用いた素子にももちろん適用できる。さらに、光導波路
に沿って第一の周期構造を有し、この第一の周期構造に
よって光帰還を行う分布帰還型、あるいは分布反射型等
のレ−ザ素子であれば、この発明は、その効果を失うこ
となく有効に適用でき、そして、光通信の分野に、有効
に用いることが可能である。
を用いた素子のみにでなく、ＡｌＧａＡｓや他の材料を
用いた素子にももちろん適用できる。さらに、光導波路
に沿って第一の周期構造を有し、この第一の周期構造に
よって光帰還を行う分布帰還型、あるいは分布反射型等
のレ−ザ素子であれば、この発明は、その効果を失うこ
となく有効に適用でき、そして、光通信の分野に、有効
に用いることが可能である。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
共振器方向に沿った結合係数をκを含めた各種パラメー
タを制御性よく容易に製作できるレ−ザ素子を提供でき
る。
共振器方向に沿った結合係数をκを含めた各種パラメー
タを制御性よく容易に製作できるレ−ザ素子を提供でき
る。
【図１】図１はこの発明の第１の実施例に係わるレ−ザ
素子の断面構造を示す図で、（ａ）図は共振器中央近傍
にて結合係数κが位相シフト領域以外よりも小さくした
例を示す断面図、（ｂ）図は共振器中央近傍にて結合係
数κが位相シフト領域以外よりも大きくした例を示す断
面図。
素子の断面構造を示す図で、（ａ）図は共振器中央近傍
にて結合係数κが位相シフト領域以外よりも小さくした
例を示す断面図、（ｂ）図は共振器中央近傍にて結合係
数κが位相シフト領域以外よりも大きくした例を示す断
面図。
【図２】図２はこの発明の第２の実施例に係わるレ−ザ
素子の平面図。
素子の平面図。
【図３】図３はこの発明の第３の実施例に係わるレ−ザ
素子の断面図。
素子の断面図。
【図４】図４はこの発明の第４の実施例に係わるレ−ザ
素子の断面図。
素子の断面図。
【図５】図５はこの発明の第５の実施例に係わるレ−ザ
素子の断面図。
素子の断面図。
【図６】図６は共振器内の光強度分布を示す図。
【図７】図７はこの発明に係わるレ−ザ素子の特性を示
す図で、（ａ）図は代表的な発振スペクトルを示す図、
（ｂ）図は代表的な遠視野像の例を示す図。
す図で、（ａ）図は代表的な発振スペクトルを示す図、
（ｂ）図は代表的な遠視野像の例を示す図。
【図８】図８は従来のレ−ザ素子における代表的な遠視
野像の例を示す図。
野像の例を示す図。
１１…ＩｎＰ基板、１２…回折格子、１３…ＩｎＧａＡ
ｓ導波層、１４…ＩｎＧａＡｓＰ活性層、１５…ＩｎＰ
クラッド層。
ｓ導波層、１４…ＩｎＧａＡｓＰ活性層、１５…ＩｎＰ
クラッド層。
Claims (2)
- 【請求項１】 光導波路に沿って第一の周期構造を有
し、前記第一の周期構造によって光帰還を行うレ−ザ素
子において、 前記光導波路の幅、厚さ、および屈折率の少なくともい
ずれかの構造因子、レ−ザ媒質の組成、もしくは第一周
期構造である回折格子周期の連続的な変化が、共振器軸
方向の一部、あるいは全部にわたって前記第一の周期構
造より、第二、第三のあるいはそれ以上の次数の周期構
造で変化していることを特徴とするレ−ザ素子。 - 【請求項２】 前記第一の周期構造より大きい第二、第
三あるいはそれ以上の次数の周期構造の構造因子の変化
の程度が、共振器軸方向の一部、あるいは全部にわたっ
て変調されていることを特徴とする請求項１に記載のレ
−ザ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05129420A JP3086767B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | レ−ザ素子 |
| US08/224,305 US5392311A (en) | 1993-05-31 | 1994-04-07 | Laser element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05129420A JP3086767B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338659A true JPH06338659A (ja) | 1994-12-06 |
| JP3086767B2 JP3086767B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=15009077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05129420A Expired - Fee Related JP3086767B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | レ−ザ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5392311A (ja) |
| JP (1) | JP3086767B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6175581B1 (en) | 1997-08-05 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| JP2018006440A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
| WO2022259349A1 (ja) * | 2021-06-08 | 2022-12-15 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0580161U (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | 東洋電機製造株式会社 | 回転電機のエンコーダ取付構造 |
| JP3714430B2 (ja) * | 1996-04-15 | 2005-11-09 | シャープ株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ装置 |
| US5715271A (en) * | 1996-08-01 | 1998-02-03 | Northern Telecom Limited | Polarization independent grating resonator filter |
| GB9809583D0 (en) * | 1998-05-06 | 1998-07-01 | Marconi Gec Ltd | Optical devices |
| US6909734B2 (en) | 1999-09-02 | 2005-06-21 | Agility Communications, Inc. | High-power, manufacturable sampled grating distributed Bragg reflector lasers |
| CN1240167C (zh) * | 2000-05-04 | 2006-02-01 | 艾吉利提通信公司 | 用于取样光栅分布型布拉格反射激光器的改进反射镜和腔 |
| US6690693B1 (en) | 2000-05-04 | 2004-02-10 | Agility Communications, Inc. | Power and wavelength control of sampled grating distributed Bragg reflector lasers |
| US6937638B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-08-30 | Agility Communications, Inc. | Manufacturable sampled grating mirrors |
| US6788719B2 (en) * | 2000-05-04 | 2004-09-07 | Agility Communications, Inc. | Open loop control of SGDBR lasers |
| US7061943B2 (en) * | 2000-06-29 | 2006-06-13 | Agility Communications, Inc. | Controller calibration for small form factor sampled grating distributed Bragg reflector laser |
| WO2002093701A1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Agility Communications, Inc. | Controller calibration for small form factor sampled grating distributed bragg reflector laser |
| WO2002093695A2 (en) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Agility Communications, Inc. | Sampled grating distributed bragg reflector laser controller |
| CN100456578C (zh) * | 2007-03-08 | 2009-01-28 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 基于对称式布拉格光栅的双波长分布反馈式光纤激光器 |
| CN110679050B (zh) * | 2017-05-08 | 2021-08-24 | 统雷量子电子有限公司 | 具有波纹化侧壁的分布式反馈带间级联激光器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6147685A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-08 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 分布帰還形半導体レ−ザ |
| EP0391334B1 (en) * | 1989-04-04 | 1994-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and wavelength selective fitter, and methods of driving the same |
| US5088097A (en) * | 1990-04-04 | 1992-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and method of driving the same |
| US5325392A (en) * | 1992-03-06 | 1994-06-28 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Distributed reflector and wavelength-tunable semiconductor laser |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP05129420A patent/JP3086767B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-07 US US08/224,305 patent/US5392311A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6175581B1 (en) | 1997-08-05 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| JP2018006440A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
| WO2022259349A1 (ja) * | 2021-06-08 | 2022-12-15 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3086767B2 (ja) | 2000-09-11 |
| US5392311A (en) | 1995-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4665528A (en) | Distributed-feedback semiconductor laser device | |
| US8494320B2 (en) | Optical element and method for manufacturing the same | |
| JP3086767B2 (ja) | レ−ザ素子 | |
| JPH10117040A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP2001036192A (ja) | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US4775980A (en) | Distributed-feedback semiconductor laser device | |
| US7083995B2 (en) | Optical semiconductor device and process for producing the same | |
| JP3450169B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| US6526087B1 (en) | Distributed feedback semiconductor laser | |
| JP2553217B2 (ja) | レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPS63166281A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ装置 | |
| JPH10178232A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH0290688A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JP2763090B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法、ならびに結晶成長方法 | |
| US6307989B1 (en) | Optically functional device | |
| JPS6114787A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JP2732604B2 (ja) | 分布帰還型レーザ | |
| JPS59165481A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH0656904B2 (ja) | 集積化分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH09307179A (ja) | 位相シフト型分布帰還半導体レーザ | |
| JPH06196799A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JP2003309321A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JPH11163465A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
| JPS6188584A (ja) | 位相シフト構造付分布帰還形半導体レ−ザ | |
| JPH0467355B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080707 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |