JPH11145557A - 半導体光素子とその作製方法 - Google Patents
半導体光素子とその作製方法Info
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- JPH11145557A JPH11145557A JP31248297A JP31248297A JPH11145557A JP H11145557 A JPH11145557 A JP H11145557A JP 31248297 A JP31248297 A JP 31248297A JP 31248297 A JP31248297 A JP 31248297A JP H11145557 A JPH11145557 A JP H11145557A
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Abstract
構造の相互の位置関係を厳密に規定する。 【解決手段】 基板1上に、活性層2、クラッド層3を
形成する。SiO2 膜11上に幅a、周期bのライン−
スペースパタン12を形成する。両側には窓領域13を
形成する。ライン−スペースパタン12をSiO2 膜1
1に転写し、エッチングマスク14、エッチングマスク
窓領域15を形成する。半導体基板に対し反応性ビーム
エッチングを行い、溝4を形成する。溝4の領域は、窓
領域15に比べて微細なため、マイクロローディング効
果が発現し、窓領域15に比べてエッチング速度が低下
する。こうして、溝4の形成の際に、レーザ共振器の端
面となる加工側壁5が同時に形成される。
Description
をする半導体レーザの構造と作製方法に関するものであ
り、より具体的には高性能な分布帰還型共振器レーザ、
または分布ブラッグ反射型共振器レーザの構造と、この
構造を簡便に作製する方法に関するものである。
信号の劣化を防ぎ高品質な光伝送を得るため、縦単一モ
ードで動作する半導体レーザが使用されている。従来、
この縦単一モードで動作する半導体レーザとしては、分
布帰還型共振器(DFB)レーザ、または分布ブラッグ
反射型共振器(DBR)レーザが知られている。これら
のDFB/DBRレーザの概略構造を図8に示す。DF
B/DBRレーザは、発振波長を縦単一モードとするた
めに、その光導波構造中に次式で決まる関係を有する屈
折率周期構造が形成されている。 Λ=λ/(2ne ) ・・・(1) 式(1)中のΛは周期構造の繰り返し寸法、λはレーザ
の波長、ne は光導波構造の平均屈折率である。この屈
折率周期構造が導波光に対して反射効果をもたらすこと
となる。通常、光通信に用いられる半導体レーザにおい
ては、λ=1.55μm、ne =3.2であるので、Λ
は概ね240nmとなる。
は、まず図8(a)に示すように、半導体基板31上に
活性層32を成長させ、続いて光導波を効率良く行うた
めのガイド層33を成長させる。さらに、上述した屈折
率の周期構造を得るために、図8(b)に示すように、
ガイド層33上に周期Λでなるエッチング用のマスクパ
タン34を形成する。そして、このマスクパタン34を
有する基板をエッチングすることにより、図8(c)の
ようにガイド層33を周期的な凹凸構造を有する形状に
加工する。なお、エッチング用のマスクパタン34の形
成には電子ビーム露光を使用し、ガイド層33のエッチ
ングには硫酸−過酸化水素水−水の混合液でもって、概
ね30nmの深さの溝をエッチングした。
ド層35を成長させてレーザ用の基板とする。この場
合、上記凹凸構造を形成する工程では、半導体基板を一
旦結晶成長反応炉から外部に取り出すため、基板への不
純物混入が発生し、その上に再成長させるクラッド層3
5の品質劣化を引き起こし、ひいてはレーザ特性の劣化
の原因にもなっていた。この基板を半導体レーザ素子に
するためには、基板の上下に電極36を形成した後、基
板を所定の劈開位置37,38で劈開していた。劈開位
置37,38はほぼ400μm離れており、この2点間
の距離でレーザの共振器が決められる。そして、ガイド
層33内に形成した凹凸構造の周期は240nmと極め
て微細であり、この凹凸構造と劈開位置37,38の相
互の位置関係を厳密に決めることは全く不可能であり、
個々の素子ごとにその相対位置は異なっていた。
レーザでは、レーザ共振器の内部に存在する光の定在波
と、ガイド層33に設けた屈折率の周期構造との位置関
係で発振閾値やスペクトル線幅といった重要なレーザ特
性が決定される。そして、レーザ共振器の内部に存在す
る光の定在波は、レーザ共振器の端面の位置による制約
を受ける。ところが、従来のように、レーザ共振器の端
面を劈開で形成する場合には、屈折率周期構造がnmサ
イズと微細構造であることから、屈折率周期構造と劈開
位置37,38の相互の位置関係を厳密に規定すること
は不可能であった。このため、この相互位置関係が素子
ごとに異なり、端面でレーザ光が反射されてレーザ共振
器に戻る際の、戻り光とレーザ共振器の内部で発生する
光の定在波との相互関係が素子ごとに異なることとな
る。その結果、半導体レーザ素子の特性にばらつきが生
じるという問題点があった。また、このような問題を避
けるためには、図8(e)に示すように、劈開面に無反
射膜39をコーティングする工程が不可欠であった。こ
れがために、素子の価格が極めて高価となるという問題
点があった。本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、レーザ共振器の端面と共振器内の屈折率周
期構造の相互の位置関係を厳密に規定することができ、
無反射膜のコーティング工程が不要な半導体光素子とそ
の作製方法を提供することを目的とする。
載のように、活性層と、この活性層の上下に導電型が互
いに異なるクラッド層とを有する半導体基板に光導波路
を形成する半導体光素子の作製方法であって、上記基板
上において光導波路の光軸方向に沿った長さLの領域
に、光軸方向に垂直で光軸方向の幅がaのストライプ状
のエッチングマスクを光軸方向に沿って周期bで形成す
ると共に、エッチングマスク領域の端部の片側若しくは
両側に光軸方向の長さがcであるエッチングマスク窓領
域を形成する工程と、上記エッチングマスク領域及びエ
ッチングマスク窓領域を設けた半導体基板をエッチング
することにより、光軸方向の幅がb−aで周期がbであ
る溝、及び光軸方向の長さがcである窓領域を形成する
工程を少なくとも含むようにしたものである。このよう
に、半導体基板上にストライプ状のエッチングマスクと
エッチングマスク窓領域を形成し、この半導体基板にエ
ッチングを施すことにより、屈折率周期構造を与える溝
とレーザ発振における定在波を規定する共振器端面(導
波路端面)とを同時にエッチングで形成することができ
るため、レーザ共振器の端面と共振器内の屈折率周期構
造の相互の位置関係を厳密に規定することができる。ま
た、請求項2に記載のように、エッチングマスク窓領域
の長さcをエッチングマスクの周期bより10倍以上大
きな寸法として、マイクロローディング効果によるエッ
チングレートの相違を用いて上記溝と窓領域を異なる深
さにエッチングすることにより、光軸方向の幅がb−a
で周期がbである溝と光軸方向の長さがcである窓領域
を同一のエッチング工程で形成するようにしたものであ
る。
Lのエッチングマスク領域の片側の端部に、光軸方向に
垂直で光軸方向の幅が2aのストライプ状のエッチング
マスクを配置するようにしたものである。このように、
エッチングマスク領域の片側の端部に幅が2aのエッチ
ングマスクを配置することにより、レーザ共振器端面に
おける光の位相が節になるように規定することができ
る。また、請求項4に記載のように、光導波路内に、光
軸方向の幅がaの凸部と幅がb−aの溝とが光軸方向に
沿って周期bで配設された屈折率の周期構造を有する半
導体光素子であって、上記光導波路の端面と屈折率周期
構造の相互の位置関係が一定の関係を有するものであ
る。また、請求項5に記載のように、上記屈折率周期構
造は、両端部に幅aの凸部と幅2aの凸部とを有し、上
記光導波路の一方の端面の位置が幅aの凸部の最外端の
位置と一致し、光導波路の他方の端面の位置が幅2aの
凸部の最外端の位置と一致するものである。
実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図
1は本発明の第1の実施の形態となる半導体レーザの概
略構成を示す斜視図である。本実施の形態の半導体レー
ザは、n型InP基板(第1のクラッド層)1、InG
aAsP(バンドギャップ波長=1.5μm)からなる
活性層2、及びp-型InPからなる第2のクラッド層
3より構成される半導体基板に形成される。クラッド層
3には、光軸方向(図1左右方向)の幅が120nm、
周期が240nmの溝4が形成されている。この溝4の
底は、活性層2の表面から400nm上のところに位置
する。5は溝4を形成するエッチング工程の際に同時に
形成される加工側壁であり、レーザ共振器の端面を構成
する。6はリッジ型導波路であり、高さは1.1μmで
ある。リッジ型導波路6の頂部と基板1の下部には、電
流注入用の電極7が設けられている。
ーザの作製方法を説明する。まず、図2(a)に示すよ
うに、n型InP基板1上に、InGaAsP(バンド
ギャップ波長=1.5μm)からなる活性層2、厚さ
1.2μmのp- 型InPからなるクラッド層3を有機
金属化学気相成長法により順次形成する。
0.2μmのSiO2 膜11を堆積する。そして、この
SiO2 膜11上の長さ(図2左右方向)Lが600μ
m、幅(紙面に垂直な方向)が500μmの領域に、光
軸方向(図2左右方向)の幅aが120nm、繰り返し
周期bが240nmのライン−スペースパタン12を電
子ビーム露光法により形成する。このとき、上記領域の
長さ方向の両側には、パタンが存在しない、長さcが3
0μmの窓領域13を形成した。
−スペースパタン12をマスクとして、SiO2 膜11
に対しC2F6ガスによる反応性イオンエッチングを行
い、ライン−スペースパタン12をSiO2 膜11に転
写する。こうして、光導波路の光軸方向に垂直で光軸方
向の幅がa、周期がbの複数のエッチングマスク14が
半導体基板上に形成される。同時に、エッチングマスク
14が形成された領域の両側には、光軸方向の長さがc
のエッチングマスク窓領域15が形成される。
ク14及びエッチングマスク窓領域15を用いて、半導
体基板に対し臭素−窒素混合ガスを用いた反応性ビーム
エッチングを行い、溝4を形成する。このとき、溝4の
領域は、パタン寸法の大きなエッチングマスク窓領域1
5に比べて微細なため、ビームエッチングの有する一つ
の特徴であるマイクロローディング効果が発現し、窓領
域15に比べてエッチング速度が低下する。このマイク
ロローディング効果は、パタンの寸法比が10倍程度で
顕著になる。
圧力0.04mTorr、窒素ガス圧力0.24mTo
rr、マイクロ波放電電力40W、ビーム加速電圧35
0Vとした。このとき、溝4の領域のエッチング速度
は、窓領域15のエッチング速度の約1/3であった。
このような特徴を用いることにより、溝4の底が活性層
2の表面から400nm上の位置になるようにエッチン
グしたとき(つまり、溝4の深さは800nm)、窓領
域15におけるエッチング深さは2.4μmとなる。
を形成するエッチング工程の際に、エッチングマスク窓
領域15がエッチング作用を受けることにより、加工側
壁5が形成され、この加工側壁5がレーザ共振器の端面
を形成する。なお、溝4の底が活性層2の表面から40
0nm上の位置になるようにしたのは、この溝4が活性
層2を導波する光に対して周期的屈折率変化を及ぼすの
に充分な深さであることによる。
後、図3(a)に示すように、溝4を形成した領域の上
に、溝4と垂直で幅(図3奥行き方向)が2μmのスト
ライプパタン16をフォトリソグラフィーを用いて形成
する。そして、このストライプパタン16をマスクとし
て、クラッド層3に対し深さ1.1μmのエッチングを
行う。こうして、光軸方向の幅が120nmで深さが8
00nm、周期が240nmである溝4を有する高さ
1.1μmのリッジ型導波路6が形成される。
分には、ストライプパタン16の形成時にパタン(不図
示)が形成され、これがマスクとなる。したがって、リ
ッジ型導波路6を形成するエッチング工程において、基
板1がエッチングされることはない。次に、ストライプ
パタン16を除去した後、図4に示すように、リッジ型
導波路6の上と基板1の下に金電極7を形成する。最後
に、上述の窓領域15に相当する部分で素子を半導体基
板から切り出すことにより、図1のレーザ素子が完成す
る。
を形成する領域の右端において、本来、マスクが存在し
ない位置をマスクとしている。つまり、図2、図5
(a)に示すように、最右端のエッチングマスク14a
の幅は、通常のエッチングマスク14の幅a=120n
mに対して2倍の2a=240nmとなっている。
も、左端と同様に通常のマスク14となっている場合、
作製後のレーザ共振器内に存在し得る光の定在波20に
は、図5(d)、図5(e)に示すように2つの状態が
ある。したがって、レーザ発振中でもわずかの擾乱でこ
の2状態の間をレーザ発振光が移り変わることになり、
レーザ動作が不安定となる。
れば、作製後のレーザ共振器内の光の定在波20が取り
得る状態は、図5(b)に示すように、共振器端面で定
在波の節になるというただひとつの状態に決定される。
これにより、非常に安定したレーザ動作が得られる。以
上のようにして作製した半導体レーザは、閾値10mA
で発振し、この半導体レーザで得られた発振スペクトル
は安定した縦単一モード動作を示した。
の形態となる半導体レーザの概略構成を示す斜視図であ
る。図6の半導体レーザは、溝4の繰り返し周期構造を
リッジ型導波路6a内で右領域17、左領域18で示し
た2つの領域に分割し、相互の周期の位相を半周期だけ
ずらした、いわゆるλ/4構造を有するものであり、そ
の作製方法は、実施の形態の1と同様である。この半導
体レーザの発振特性は、20GHzを超える高速変調動
作に対してもモードホッピングを生じることなく、安定
な単一モード発振特性を示した。
の形態となる半導体レーザの概略構成を示す斜視図であ
る。図7の半導体レーザは、活性層2を光軸方向に沿っ
てストライプ状に形成し、このストライプの両側に半絶
縁性のFeドープInP結晶10を成長させた半導体基
板に対し、実施の形態の1と同様の作製方法を用いたも
のである。この半導体レーザでは、活性層2への電流閉
じこめが効率良く行われるため、発振閾値は4mAと低
い値であった。
板とするレーザについて述べたが、これに限るものでは
なく、例えばGaAsを基板とするレーザについても本
発明が適用可能なことは言うまでもない。
共振器内の屈折率周期構造の相互の位置関係を厳密に規
定することができるので、特性の揃った半導体レーザを
得ることができる。また、従来用いられていた、活性層
をエピタキシャル成長させた後、一旦成長を中断して活
性層に屈折率の周期構造を設け、再びクラッド層、コン
タクト層を成長させるという、いわゆる再成長工程が不
要となるので、素子作製の大幅な簡略化を図ることがで
きる。また、共振器端面に無反射コーティングを施す必
要がないので、極めて安価に高性能半導体レーザを得る
ことができる。
グマスク領域の片側の端部に幅が2aのエッチングマス
クを配置するか、あるいは請求項5に記載のように、光
導波路の他方の端面の位置を幅2aの凸部の最外端の位
置と一致させることにより、レーザ共振器内の光の定在
波の節が共振器端面に位置するように規定することがで
き、非常に安定したレーザ動作を得ることができる。
ザの概略構成を示す斜視図である。
めの工程断面図である。
めの工程斜視図である。
めの工程斜視図である。
を示す図である。
の概略構成を示す斜視図である。
の概略構成を示す斜視図である。
めの工程断面図である。
…溝、5…加工側壁、6…リッジ型導波路、7…電極、
14…エッチングマスク、15…エッチングマスク窓領
域。
Claims (5)
- 【請求項1】 活性層と、この活性層の上下に導電型が
互いに異なるクラッド層とを有する半導体基板に光導波
路を形成する半導体光素子の作製方法であって、 前記基板上において光導波路の光軸方向に沿った長さL
の領域に、光軸方向に垂直で光軸方向の幅がaのストラ
イプ状のエッチングマスクを光軸方向に沿って周期bで
形成すると共に、エッチングマスク領域の端部の片側若
しくは両側に光軸方向の長さがcであるエッチングマス
ク窓領域を形成する工程と、 前記エッチングマスク領域及びエッチングマスク窓領域
を設けた半導体基板をエッチングすることにより、光軸
方向の幅がb−aで周期がbである溝、及び光軸方向の
長さがcである窓領域を形成する工程を少なくとも含む
ことを特徴とする半導体光素子の作製方法。 - 【請求項2】 前記エッチングマスク窓領域の長さcを
エッチングマスクの周期bより10倍以上大きな寸法と
して、マイクロローディング効果によるエッチングレー
トの相違を用いて前記溝と窓領域を異なる深さにエッチ
ングすることにより、光軸方向の幅がb−aで周期がb
である溝と光軸方向の長さがcである窓領域を同一のエ
ッチング工程で形成することを特徴とする請求項1記載
の半導体光素子の作製方法。 - 【請求項3】 前記長さLのエッチングマスク領域の片
側の端部に、光軸方向に垂直で光軸方向の幅が2aのス
トライプ状のエッチングマスクを配置することを特徴と
する請求項1記載の半導体光素子の作製方法。 - 【請求項4】 光導波路内に、光軸方向の幅がaの凸部
と幅がb−aの溝とが光軸方向に沿って周期bで配設さ
れた屈折率の周期構造を有する半導体光素子であって、 前記光導波路の端面と屈折率周期構造の相互の位置関係
が一定の関係を有することを特徴とする半導体光素子。 - 【請求項5】前記屈折率周期構造は、両端部に幅aの凸
部と幅2aの凸部とを有し、前記光導波路の一方の端面
の位置が幅aの凸部の最外端の位置と一致し、光導波路
の他方の端面の位置が幅2aの凸部の最外端の位置と一
致するものであることを特徴とする請求項4記載の半導
体光素子。
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---|---|---|---|
JP31248297A JP3455404B2 (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 半導体光素子とその作製方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006165027A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
US10063031B2 (en) | 2016-08-08 | 2018-08-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing optical device |
JP2019012769A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
-
1997
- 1997-11-13 JP JP31248297A patent/JP3455404B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2019012769A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
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