JP2001111169A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JP2001111169A JP2001111169A JP29060599A JP29060599A JP2001111169A JP 2001111169 A JP2001111169 A JP 2001111169A JP 29060599 A JP29060599 A JP 29060599A JP 29060599 A JP29060599 A JP 29060599A JP 2001111169 A JP2001111169 A JP 2001111169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- inp
- grating
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1231—Grating growth or overgrowth details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振器長が短く、ウエハ１枚当たりの半導体
レーザ素子の取得数が多くなる構成を備えた半導体レー
ザ素子を提供する。 【解決手段】 本ＤＦＢ半導体レーザ素子２０は、発振
波長が１．５５μｍであって、ｎ−ＩｎＰ基板２１上
に、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ−ＩｎＰクラ
ッド層２２、活性層２３、ｐ−ＩｎＰクラッド層２４、
及び、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層を酸化してなるＡｌ酸化層２
５Ａで形成されたグレイティング（回折格子）２５Ａ’
を有し、更にｐ−ＩｎＰ保護層２６’、グレイティング
を埋め込んだｐ−ＩｎＰ層２６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓ
コンタクト層２７からなる積層構造を有する。グレイテ
ィングは、２４０ｎｍ（λ＝１．５５μｍ）のピッチで
ある。活性層上の半導体層は、ストライプ状リッジに加
工されている。リッジ上部のコンタクト層を露出させた
窓３１を除く領域には、ＳｉＮX 膜２８が形成され、窓
上を含むＳｉＮX 膜上にｐ側電極２９が、基板の裏面に
は、ｎ側電極３０が形成されている。
レーザ素子の取得数が多くなる構成を備えた半導体レー
ザ素子を提供する。 【解決手段】 本ＤＦＢ半導体レーザ素子２０は、発振
波長が１．５５μｍであって、ｎ−ＩｎＰ基板２１上
に、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ−ＩｎＰクラ
ッド層２２、活性層２３、ｐ−ＩｎＰクラッド層２４、
及び、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層を酸化してなるＡｌ酸化層２
５Ａで形成されたグレイティング（回折格子）２５Ａ’
を有し、更にｐ−ＩｎＰ保護層２６’、グレイティング
を埋め込んだｐ−ＩｎＰ層２６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓ
コンタクト層２７からなる積層構造を有する。グレイテ
ィングは、２４０ｎｍ（λ＝１．５５μｍ）のピッチで
ある。活性層上の半導体層は、ストライプ状リッジに加
工されている。リッジ上部のコンタクト層を露出させた
窓３１を除く領域には、ＳｉＮX 膜２８が形成され、窓
上を含むＳｉＮX 膜上にｐ側電極２９が、基板の裏面に
は、ｎ側電極３０が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回折格子を備えた
半導体レーザ素子に関し、更に詳細には、従来に比べ
て、ウエハ１枚当たりから取得できる半導体レーザ素子
の数を増加できる構成を備えた半導体レーザ素子に関す
るものである。特に、本発明は、ＤＦＢ半導体レーザ素
子に適用した時には、共振器長を短くできる構成を備え
た半導体レーザ素子に関するものである。
半導体レーザ素子に関し、更に詳細には、従来に比べ
て、ウエハ１枚当たりから取得できる半導体レーザ素子
の数を増加できる構成を備えた半導体レーザ素子に関す
るものである。特に、本発明は、ＤＦＢ半導体レーザ素
子に適用した時には、共振器長を短くできる構成を備え
た半導体レーザ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】分布帰還型（ＤＦＢ：Distributed Feed
back）半導体レーザは、活性層に隣接してグレイティン
グ（回折格子）を備える半導体レーザであって、グレイ
ティングのピッチ（λ／４ｎ）により決まる特定の波長
のみに対して反射が起こり、選択した波長のみでレーザ
発振するので、単一縦モード動作が可能になり、光通信
用の光源として多用されている。
back）半導体レーザは、活性層に隣接してグレイティン
グ（回折格子）を備える半導体レーザであって、グレイ
ティングのピッチ（λ／４ｎ）により決まる特定の波長
のみに対して反射が起こり、選択した波長のみでレーザ
発振するので、単一縦モード動作が可能になり、光通信
用の光源として多用されている。
【０００３】ここで、図５を参照して、従来のＤＦＢ半
導体レーザ素子の構成を説明する。図５は従来のＤＦＢ
半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。ＤＦＢ半
導体レーザ素子１５は、発振波長１．５５μｍの半導体
レーザであって、図５に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板１
上に、ＭＯＣＶＤ法により、順次、ｎ−ＩｎＰクラッド
層２、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰクラッド層
４、及びｐ−ＧａＩｎＡｓＰ（λｇ＝１．１μｍ）光導
波路層５をエピタキシャル成長させ、そして、光導波路
層５をエッチングしてグレイティング（回折格子）５Ａ
が形成され、更に、グレイティング５Ａを埋め込むため
に、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ−ＩｎＰ層６を形成した積
層構造を備えている。ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３は、波長
１．５５μｍで発振し、グレイティング５Ａはピッチが
２４０ｎｍ（λ＝１．５５μｍ）で形成されている。
導体レーザ素子の構成を説明する。図５は従来のＤＦＢ
半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。ＤＦＢ半
導体レーザ素子１５は、発振波長１．５５μｍの半導体
レーザであって、図５に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板１
上に、ＭＯＣＶＤ法により、順次、ｎ−ＩｎＰクラッド
層２、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰクラッド層
４、及びｐ−ＧａＩｎＡｓＰ（λｇ＝１．１μｍ）光導
波路層５をエピタキシャル成長させ、そして、光導波路
層５をエッチングしてグレイティング（回折格子）５Ａ
が形成され、更に、グレイティング５Ａを埋め込むため
に、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ−ＩｎＰ層６を形成した積
層構造を備えている。ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３は、波長
１．５５μｍで発振し、グレイティング５Ａはピッチが
２４０ｎｍ（λ＝１．５５μｍ）で形成されている。
【０００４】積層構造のｐ−ＩｎＰ層６、光導波路層
５、ｐ−ＩｎＰクラッド層４、及び活性層３、並びに、
ｎ−ＩｎＰクラッド層２の上部は、エッチングされて、
図５に示すように、幅約１．５μｍ程度のストライプ状
メサに加工されている。ストライプ状メサの両側は、選
択成長法を使ってＭＯＣＶＤ法により成長させたｐ−Ｉ
ｎＰ層７とｎ−ＩｎＰ層８とからなる電流ブロッキング
層で埋め込まれている。ストライプ状メサ上及び電流ブ
ロッキング層上には、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層９、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層１０
が成膜されている。コンタクト層１０上にはｐ側電極１
１が、基板１の裏面にはｎ側電極１２が形成されてい
る。
５、ｐ−ＩｎＰクラッド層４、及び活性層３、並びに、
ｎ−ＩｎＰクラッド層２の上部は、エッチングされて、
図５に示すように、幅約１．５μｍ程度のストライプ状
メサに加工されている。ストライプ状メサの両側は、選
択成長法を使ってＭＯＣＶＤ法により成長させたｐ−Ｉ
ｎＰ層７とｎ−ＩｎＰ層８とからなる電流ブロッキング
層で埋め込まれている。ストライプ状メサ上及び電流ブ
ロッキング層上には、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層９、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層１０
が成膜されている。コンタクト層１０上にはｐ側電極１
１が、基板１の裏面にはｎ側電極１２が形成されてい
る。
【０００５】次いで、図６及び図７を参照して、従来の
ＤＦＢ半導体レーザの作製方法を説明する。図６（ａ）
から（ｃ）及び図７（ｄ）から（ｆ）は、それぞれ、従
来のＤＦＢ半導体レーザを作製する際の工程毎の断面図
である。先ず、図６（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基
板１に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ−ＩｎＰクラッド層
２、波長１．５５μｍで発振するＳＣＨ−ＭＱＷ活性層
３、ｐ−ＩｎＰクラッド層４，ｐ−ＧａＩｎＡｓＰ（λ
ｇ＝１．１μｍ）光導波路層５を、順次、エピタキシャ
ル成長させて積層する。次に、フォトリソグラフィー及
び干渉露光装置を用い、ピッチが２４０ｎｍ（λ＝１．
５５μｍ）のグレイティング（回折格子）パターンを光
導波路層５上にパターニングした後、図６（ｂ）に示す
ように、ケミカルエッチングにより光導波路層５をエッ
チングしてグレーティング５Ａを形成する。次に、ＭＯ
ＣＶＤ法により、図６（ｃ）に示すように、ｐ−ＩｎＰ
層６を光導波路層（グレイティング）５上にエピタキシ
ャル成長させ、グレイティング５Ａを埋め込む。
ＤＦＢ半導体レーザの作製方法を説明する。図６（ａ）
から（ｃ）及び図７（ｄ）から（ｆ）は、それぞれ、従
来のＤＦＢ半導体レーザを作製する際の工程毎の断面図
である。先ず、図６（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基
板１に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ−ＩｎＰクラッド層
２、波長１．５５μｍで発振するＳＣＨ−ＭＱＷ活性層
３、ｐ−ＩｎＰクラッド層４，ｐ−ＧａＩｎＡｓＰ（λ
ｇ＝１．１μｍ）光導波路層５を、順次、エピタキシャ
ル成長させて積層する。次に、フォトリソグラフィー及
び干渉露光装置を用い、ピッチが２４０ｎｍ（λ＝１．
５５μｍ）のグレイティング（回折格子）パターンを光
導波路層５上にパターニングした後、図６（ｂ）に示す
ように、ケミカルエッチングにより光導波路層５をエッ
チングしてグレーティング５Ａを形成する。次に、ＭＯ
ＣＶＤ法により、図６（ｃ）に示すように、ｐ−ＩｎＰ
層６を光導波路層（グレイティング）５上にエピタキシ
ャル成長させ、グレイティング５Ａを埋め込む。
【０００６】次に、ＳｉＮX 膜をコンタクト層６上に成
膜し、パターニングしてエッチングマスク１３を形成
し、次いでエッチングマスク１３をマスクとして使い、
臭素系のエッチング液を使ったウエットエッチング法に
より、ｐ−ＩｎＰ層６、光導波路層５（グレイティング
５Ａ）、ｐ−ＩｎＰクラッド層４、及び活性層３、並び
に、ｎ−ＩｎＰクラッド層２の上部をエッチングして、
図７（ｄ）に示すように、幅約１．５μｍ程度のストラ
イプ状メサに加工する。次いで、エッチングマスク１３
を選択成長用のマスクとしてそのまま用い、ＭＯＣＶＤ
法により、図７（ｅ）に示すように、ｐ−ＩｎＰ層７及
びｎ−ＩｎＰ層８からなる電流ブロッキング層をメサ上
部を除く領域に選択的に成長させる。続いて、エッチン
グマスク１３を除去した後、ＭＯＣＶＤ法により、メサ
上及び電流ブロッキング層上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層
９、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層１０を形成す
る。最後に、ｐ、ｎ両側電極１１、１２をそれぞれ形成
すると、図５に示すＤＦＢ半導体レーザ素子１５を得る
ことができる。
膜し、パターニングしてエッチングマスク１３を形成
し、次いでエッチングマスク１３をマスクとして使い、
臭素系のエッチング液を使ったウエットエッチング法に
より、ｐ−ＩｎＰ層６、光導波路層５（グレイティング
５Ａ）、ｐ−ＩｎＰクラッド層４、及び活性層３、並び
に、ｎ−ＩｎＰクラッド層２の上部をエッチングして、
図７（ｄ）に示すように、幅約１．５μｍ程度のストラ
イプ状メサに加工する。次いで、エッチングマスク１３
を選択成長用のマスクとしてそのまま用い、ＭＯＣＶＤ
法により、図７（ｅ）に示すように、ｐ−ＩｎＰ層７及
びｎ−ＩｎＰ層８からなる電流ブロッキング層をメサ上
部を除く領域に選択的に成長させる。続いて、エッチン
グマスク１３を除去した後、ＭＯＣＶＤ法により、メサ
上及び電流ブロッキング層上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層
９、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層１０を形成す
る。最後に、ｐ、ｎ両側電極１１、１２をそれぞれ形成
すると、図５に示すＤＦＢ半導体レーザ素子１５を得る
ことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＤＦ
Ｂ半導体レーザでは、レーザ光とグレイティング（回折
格子）との結合係数が小さいため、単一縦モードの確率
を上げるためには、４００μｍから６００μｍ程度の比
較的長い共振器長にする必要がある。しかし、半導体レ
ーザ素子の共振器長が長くなるということは、一枚のウ
エハから作製できる半導体レーザ素子の数が減少するこ
とであって、半導体レーザ素子の製造コストを低下させ
ることが難しくなる。
Ｂ半導体レーザでは、レーザ光とグレイティング（回折
格子）との結合係数が小さいため、単一縦モードの確率
を上げるためには、４００μｍから６００μｍ程度の比
較的長い共振器長にする必要がある。しかし、半導体レ
ーザ素子の共振器長が長くなるということは、一枚のウ
エハから作製できる半導体レーザ素子の数が減少するこ
とであって、半導体レーザ素子の製造コストを低下させ
ることが難しくなる。
【０００８】以上の理由から、本発明の目的は、共振器
長が短く、ウエハ１枚当たりの半導体レーザ素子の取得
数が大きくなる構成を備えた半導体レーザ素子を提供す
ることである。
長が短く、ウエハ１枚当たりの半導体レーザ素子の取得
数が大きくなる構成を備えた半導体レーザ素子を提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は、レ
ーザ光とグレイティングとの結合係数を大きくすること
により、共振器長（素子サイズ）を小さくし、ウエハ１
枚当たりの取得素子数の増加を図ることを着想し、グレ
イティングの層と、グレイティングを埋め込んだ層との
屈折率比を大きくすることにより、レーザ光とグレイテ
ィングとの結合係数を大きくすることを考え、実験を重
ねて、本発明を完成するに到った。
ーザ光とグレイティングとの結合係数を大きくすること
により、共振器長（素子サイズ）を小さくし、ウエハ１
枚当たりの取得素子数の増加を図ることを着想し、グレ
イティングの層と、グレイティングを埋め込んだ層との
屈折率比を大きくすることにより、レーザ光とグレイテ
ィングとの結合係数を大きくすることを考え、実験を重
ねて、本発明を完成するに到った。
【００１０】上記目的を達成するために、本発明に係る
半導体レーザ素子は、基板上に形成された共振器構造内
に、又は導波路領域に回折格子を備えた半導体レーザ素
子において、回折格子が、Ａｌ含む被酸化半導体層をエ
ッチングして形成され、かつ、回折格子を構成するＡｌ
含む被酸化半導体層は、層中のＡｌが選択的に酸化され
てＡｌ酸化層に転化していることを特徴としている。
半導体レーザ素子は、基板上に形成された共振器構造内
に、又は導波路領域に回折格子を備えた半導体レーザ素
子において、回折格子が、Ａｌ含む被酸化半導体層をエ
ッチングして形成され、かつ、回折格子を構成するＡｌ
含む被酸化半導体層は、層中のＡｌが選択的に酸化され
てＡｌ酸化層に転化していることを特徴としている。
【００１１】Ａｌ含む被酸化半導体層中のＡｌを選択的
に酸化させてなるＡｌ酸化層で回折格子を形成すること
により、屈折率が約２．４と小さくなるため、回折格子
を埋め込んだ層との屈折率差が大きくなる。即ち、本発
明に係る半導体レーザ素子では、屈折率のコントラスト
が大きくなるので、結合係数が大きくなり、ひいては、
４００μｍから６００μｍの従来の共振器長より共振器
長を短くしても、半導体レーザ素子は、確実に単一縦モ
ード動作を行う。更には、共振器長が短い半導体レーザ
では、縦モード間隔が広がるので、単一縦モード性が従
来の半導体レーザ素子に比べて格段に改善される。
に酸化させてなるＡｌ酸化層で回折格子を形成すること
により、屈折率が約２．４と小さくなるため、回折格子
を埋め込んだ層との屈折率差が大きくなる。即ち、本発
明に係る半導体レーザ素子では、屈折率のコントラスト
が大きくなるので、結合係数が大きくなり、ひいては、
４００μｍから６００μｍの従来の共振器長より共振器
長を短くしても、半導体レーザ素子は、確実に単一縦モ
ード動作を行う。更には、共振器長が短い半導体レーザ
では、縦モード間隔が広がるので、単一縦モード性が従
来の半導体レーザ素子に比べて格段に改善される。
【００１２】本発明の好適な実施態様では、基板がＩｎ
Ｐで、Ａｌ含む被酸化半導体層がＡｌＩｎＡｓ層であ
る。
Ｐで、Ａｌ含む被酸化半導体層がＡｌＩｎＡｓ層であ
る。
【００１３】本発明は、Ａｌ含む被酸化半導体層で回折
格子を形成し、Ａｌ含む被酸化半導体層中のＡｌを選択
的に酸化させることができる限り、基板上に形成された
共振器構造内に回折格子を有するＤＦＢ半導体レーザ素
子、及び基板上に形成された導波路領域に回折格子を有
する分布反射型（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflecto
r ）半導体レーザ素子に適用できる。また、半導体レー
ザ素子の素子構造にも制約はなく、例えばストライプ状
リッジ導波路型構造、及び、Ａｌ酸化層による埋め込み
型電流狭窄構造（ＡＣＩＳ）に適用できる。例えば、素
子構造として、Ａｌ酸化層による電流狭窄構造を用いた
場合、Ａｌ酸化層からなる電流狭窄用酸化層及び回折格
子用酸化層を同時に形成することができるので、プロセ
ス工程数を少なくすることができる。また、本発明は、
基板の導電型や、発振波長等にも制約を受けない。
格子を形成し、Ａｌ含む被酸化半導体層中のＡｌを選択
的に酸化させることができる限り、基板上に形成された
共振器構造内に回折格子を有するＤＦＢ半導体レーザ素
子、及び基板上に形成された導波路領域に回折格子を有
する分布反射型（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflecto
r ）半導体レーザ素子に適用できる。また、半導体レー
ザ素子の素子構造にも制約はなく、例えばストライプ状
リッジ導波路型構造、及び、Ａｌ酸化層による埋め込み
型電流狭窄構造（ＡＣＩＳ）に適用できる。例えば、素
子構造として、Ａｌ酸化層による電流狭窄構造を用いた
場合、Ａｌ酸化層からなる電流狭窄用酸化層及び回折格
子用酸化層を同時に形成することができるので、プロセ
ス工程数を少なくすることができる。また、本発明は、
基板の導電型や、発振波長等にも制約を受けない。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る半導体レーザ素子の実施
形態の一例であって、図１は本実施形態例の半導体レー
ザ素子の構成を示す、共振器方向に直交する方向の断面
図、図２は図１の線Ｉ−１での断面図、すなわち共振器
方向に平行な方向の断面図である。本実施形態例の半導
体レーザ素子２０は、発振波長が１．５５μｍのＤＦＢ
半導体レーザ素子であって、図１に示すように、厚さ１
００μｍ程度のｎ−ＩｎＰ基板２１上に、ＭＯＣＶＤ法
により、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ−ＩｎＰ
クラッド層２２、波長１．５５μｍで発振するＳＣＨ−
ＭＱＷ活性層２３、ｐ−ＩｎＰクラッド層２４、グレイ
ティング（回折格子）２５Ａ’、グレイティング２５
Ａ’上に設けられた同じグレイティング状のｐ−ＩｎＰ
保護層２６’、更にｐ−ＩｎＰ保護層２６’及びグレイ
ティング２５Ａ’を埋め込むと共に更にその上に成長さ
せたｐ−ＩｎＰ層２６、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタ
クト層２７からなる積層構造を有する。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る半導体レーザ素子の実施
形態の一例であって、図１は本実施形態例の半導体レー
ザ素子の構成を示す、共振器方向に直交する方向の断面
図、図２は図１の線Ｉ−１での断面図、すなわち共振器
方向に平行な方向の断面図である。本実施形態例の半導
体レーザ素子２０は、発振波長が１．５５μｍのＤＦＢ
半導体レーザ素子であって、図１に示すように、厚さ１
００μｍ程度のｎ−ＩｎＰ基板２１上に、ＭＯＣＶＤ法
により、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ−ＩｎＰ
クラッド層２２、波長１．５５μｍで発振するＳＣＨ−
ＭＱＷ活性層２３、ｐ−ＩｎＰクラッド層２４、グレイ
ティング（回折格子）２５Ａ’、グレイティング２５
Ａ’上に設けられた同じグレイティング状のｐ−ＩｎＰ
保護層２６’、更にｐ−ＩｎＰ保護層２６’及びグレイ
ティング２５Ａ’を埋め込むと共に更にその上に成長さ
せたｐ−ＩｎＰ層２６、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタ
クト層２７からなる積層構造を有する。
【００１５】グレイティング２５Ａ’は、図２に示すよ
うに、離隔して２４０ｎｍ（λ＝１．５５μｍ）のピッ
チでｐ−ＩｎＰクラッド層２４上に配置された、多数本
の細条のＡｌ酸化層２５Ａで構成され、Ａｌ酸化層２５
ＡとＡｌ酸化層２５Ａとの間は、ｐ−ＩｎＰ層２６で埋
め込まれた狭幅のｐ−ＩｎＰ埋め込み層となっている。
Ａｌ酸化層２５Ａからなるグレイティング２５Ａ’は、
後述するように、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２５をグレイティ
ング状にパターニングし、パターニングしたｐ−ＡｌＩ
ｎＡｓ層２５中のＡｌを選択的に酸化したものであっ
て、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２５をパターニングする際の保
護層としてｐ−ＩｎＰ保護層２６’をＡｌ酸化層２５Ａ
上に備えている。
うに、離隔して２４０ｎｍ（λ＝１．５５μｍ）のピッ
チでｐ−ＩｎＰクラッド層２４上に配置された、多数本
の細条のＡｌ酸化層２５Ａで構成され、Ａｌ酸化層２５
ＡとＡｌ酸化層２５Ａとの間は、ｐ−ＩｎＰ層２６で埋
め込まれた狭幅のｐ−ＩｎＰ埋め込み層となっている。
Ａｌ酸化層２５Ａからなるグレイティング２５Ａ’は、
後述するように、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２５をグレイティ
ング状にパターニングし、パターニングしたｐ−ＡｌＩ
ｎＡｓ層２５中のＡｌを選択的に酸化したものであっ
て、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２５をパターニングする際の保
護層としてｐ−ＩｎＰ保護層２６’をＡｌ酸化層２５Ａ
上に備えている。
【００１６】活性層２３上のｐ−ＩｎＰクラッド層２
４、Ａｌ酸化層２５Ａ（グレイティング２５Ａ’）、ｐ
−ＩｎＰ保護層２６’、ｐ−ＩｎＰ層２６、及びコンタ
クト層２７は、エッチングされて、ストライプ状リッジ
に加工されている。リッジ上部のコンタクト層２７を露
出させた窓３１を除く領域には、ＳｉＮX膜２８が絶縁
膜として形成され、窓３１上を含むＳｉＮX 膜２８上に
ｐ側電極２９が形成されている。また、ｎ−ＩｎＰ基板
２１の裏面には、ｎ側電極３０が形成されている。
４、Ａｌ酸化層２５Ａ（グレイティング２５Ａ’）、ｐ
−ＩｎＰ保護層２６’、ｐ−ＩｎＰ層２６、及びコンタ
クト層２７は、エッチングされて、ストライプ状リッジ
に加工されている。リッジ上部のコンタクト層２７を露
出させた窓３１を除く領域には、ＳｉＮX膜２８が絶縁
膜として形成され、窓３１上を含むＳｉＮX 膜２８上に
ｐ側電極２９が形成されている。また、ｎ−ＩｎＰ基板
２１の裏面には、ｎ側電極３０が形成されている。
【００１７】図３から図４を参照して、本実施形態例の
ＤＦＢ半導体レーザ素子２０を作製する方法を説明す
る。図３（ａ）から（ｃ）及び図４（ｄ）と（ｅ）は、
それぞれ、本実施形態例のＤＦＢ半導体レーザ素子を作
製する際の工程毎の断面図である。尚、図３（ｂ）は、
図３（ａ）の線II−IIでの断面図であって、共振器方向
に平行な方向の断面図である。先ず、図３（ａ）に示す
ように、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に、ＭＯＣＶＤ法によ
り、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、波長１．５５μｍで発
振するＳＣＨ−ＭＱＷ活性層２３、ｐ−ＩｎＰクラッド
層２４、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２５、及び、ｐ−ＩｎＰ保
護層２６’を、順次、エピタキシャル成長させ、積層構
造を形成する。
ＤＦＢ半導体レーザ素子２０を作製する方法を説明す
る。図３（ａ）から（ｃ）及び図４（ｄ）と（ｅ）は、
それぞれ、本実施形態例のＤＦＢ半導体レーザ素子を作
製する際の工程毎の断面図である。尚、図３（ｂ）は、
図３（ａ）の線II−IIでの断面図であって、共振器方向
に平行な方向の断面図である。先ず、図３（ａ）に示す
ように、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に、ＭＯＣＶＤ法によ
り、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、波長１．５５μｍで発
振するＳＣＨ−ＭＱＷ活性層２３、ｐ−ＩｎＰクラッド
層２４、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２５、及び、ｐ−ＩｎＰ保
護層２６’を、順次、エピタキシャル成長させ、積層構
造を形成する。
【００１８】次に、フォトリソグラフィー技術及び干渉
露光装置を用い、ピッチが２４０ｎｍ（λ＝１．５５μ
ｍ）のグレイティング（回折格子）２５Ａ’のパターン
をｐ−ＩｎＰ保護層２６’上にパターニングした後、図
３（ｂ）に示すように、ドライエッチングによりｐ−Ａ
ｌＩｎＡｓ層２５及びｐ−ＩｎＰ保護層２６’をエッチ
ングしてグレーティング状にする。次に、図３（ｃ）に
示すように、グレイティング状のｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２
５及びｐ−ＩｎＰ保護層２６’を埋め込むように、ＭＯ
ＣＶＤ法によりｐ−ＩｎＰ層２６をエピタキシャル成長
させ、グレイティング状のｐ−ＩｎＰ保護層２６’及び
ＡｌＩｎＡｓ層２５を埋め込み、更にその上に成長さ
せ、続いて、ｐ−ＩｎＰ層２６上にｐ−ＧａＩｎＡｓコ
ンタクト層２７を積層する。
露光装置を用い、ピッチが２４０ｎｍ（λ＝１．５５μ
ｍ）のグレイティング（回折格子）２５Ａ’のパターン
をｐ−ＩｎＰ保護層２６’上にパターニングした後、図
３（ｂ）に示すように、ドライエッチングによりｐ−Ａ
ｌＩｎＡｓ層２５及びｐ−ＩｎＰ保護層２６’をエッチ
ングしてグレーティング状にする。次に、図３（ｃ）に
示すように、グレイティング状のｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２
５及びｐ−ＩｎＰ保護層２６’を埋め込むように、ＭＯ
ＣＶＤ法によりｐ−ＩｎＰ層２６をエピタキシャル成長
させ、グレイティング状のｐ−ＩｎＰ保護層２６’及び
ＡｌＩｎＡｓ層２５を埋め込み、更にその上に成長さ
せ、続いて、ｐ−ＩｎＰ層２６上にｐ−ＧａＩｎＡｓコ
ンタクト層２７を積層する。
【００１９】次に、ＳｉＯ2 膜をコンタクト層２７上に
成膜し、パターニングしてエッチングマスク３２を形成
し、図４（ｄ）に示すように、エッチングマスク３２を
使ってコンタクト層２７、ｐ−ＩｎＰ層２６、ｐ−Ｉｎ
Ｐ保護層２６’、グレイティング状ＡｌＩｎＡｓ層２
５、及び、ｐ−ＩｎＰクラッド層２４の上部をエッチン
グして除去し、幅１０μｍのストライプ状リッジを形成
する。これにより、リッジ底部両脇に活性層２３が露出
すると共にリッジ側面にはグレイティング状ＡｌＩｎＡ
ｓ層２５も露出する。次に、エッチングマスク３２を残
したまま、ストライプ状リッジを有する積層構造を水蒸
気中にて約５００℃の温度で１５０分間熱処理を施すこ
とにより、図４（ｅ）に示すように、グレイティング状
ＡｌＩｎＡｓ層２５をリッジ側面から全層にわたり酸化
させ、Ａｌ酸化層２５Ａに転化させてグレイティング２
５Ａ’を形成する。
成膜し、パターニングしてエッチングマスク３２を形成
し、図４（ｄ）に示すように、エッチングマスク３２を
使ってコンタクト層２７、ｐ−ＩｎＰ層２６、ｐ−Ｉｎ
Ｐ保護層２６’、グレイティング状ＡｌＩｎＡｓ層２
５、及び、ｐ−ＩｎＰクラッド層２４の上部をエッチン
グして除去し、幅１０μｍのストライプ状リッジを形成
する。これにより、リッジ底部両脇に活性層２３が露出
すると共にリッジ側面にはグレイティング状ＡｌＩｎＡ
ｓ層２５も露出する。次に、エッチングマスク３２を残
したまま、ストライプ状リッジを有する積層構造を水蒸
気中にて約５００℃の温度で１５０分間熱処理を施すこ
とにより、図４（ｅ）に示すように、グレイティング状
ＡｌＩｎＡｓ層２５をリッジ側面から全層にわたり酸化
させ、Ａｌ酸化層２５Ａに転化させてグレイティング２
５Ａ’を形成する。
【００２０】次に、エッチングマスク３２を除去した
後、リッジ上部のコンタクト層２７を露出させる窓３１
を除く部分に、ＳｉＮX 膜２８を形成し、次いで窓３１
上及びＳｉＮX 膜２８上にｐ側電極２９を形成する。ま
た、ｎ−ＩｎＰ基板２１の裏面を研磨して基板厚さを１
００μｍ程度に仕上げた後、ｎ−ＩｎＰ基板２１の裏面
にｎ側電極３０を形成する。
後、リッジ上部のコンタクト層２７を露出させる窓３１
を除く部分に、ＳｉＮX 膜２８を形成し、次いで窓３１
上及びＳｉＮX 膜２８上にｐ側電極２９を形成する。ま
た、ｎ−ＩｎＰ基板２１の裏面を研磨して基板厚さを１
００μｍ程度に仕上げた後、ｎ−ＩｎＰ基板２１の裏面
にｎ側電極３０を形成する。
【００２１】上述の工程を経て作製したＤＦＢ半導体レ
ーザ素子２０は、ＡｌＩｎＡｓ層２５が酸化されてＡｌ
酸化膜２５Ａに転化することにより、屈折率が約２．４
と小さくなるため、グレイティング２５Ａ’を埋め込ん
だＩｎＰ層２６との屈折率差が大きくなる。即ち、Ａｌ
酸化層からなるグレーティングを有する本ＤＦＢ半導体
レーザ素子２０の構造では、屈折率のコントラストを大
きくとれるので、レーザ光とグレイティングの結合係数
を大きくすることができ、ひいては、共振器長を短くし
た場合でも、確実に単一縦モード動作をさせることがで
きる。また、共振器長が短くした半導体レーザ素子の別
のメリットとして、縦モード間隔が広がるので、シング
ルモード性が従来に比べて格段に改善される。
ーザ素子２０は、ＡｌＩｎＡｓ層２５が酸化されてＡｌ
酸化膜２５Ａに転化することにより、屈折率が約２．４
と小さくなるため、グレイティング２５Ａ’を埋め込ん
だＩｎＰ層２６との屈折率差が大きくなる。即ち、Ａｌ
酸化層からなるグレーティングを有する本ＤＦＢ半導体
レーザ素子２０の構造では、屈折率のコントラストを大
きくとれるので、レーザ光とグレイティングの結合係数
を大きくすることができ、ひいては、共振器長を短くし
た場合でも、確実に単一縦モード動作をさせることがで
きる。また、共振器長が短くした半導体レーザ素子の別
のメリットとして、縦モード間隔が広がるので、シング
ルモード性が従来に比べて格段に改善される。
【００２２】尚、本実施形態例では、ＤＦＢ半導体レー
ザ素子を例に挙げて説明したが、Ａｌ含む被酸化半導体
層で回折格子を形成し、Ａｌ含む被酸化半導体層中のＡ
ｌを選択的に酸化させて、Ａｌ酸化層からなるグレイテ
ィングを形成することができるかぎり、ＤＢＲ半導体レ
ーザ素子に応用することもできる。また、素子構造は、
本実施形態例のようにリッジ導波路型構造である必要は
なく、例えば、Ａｌ酸化層による電流狭窄構造（ＡＣＩ
Ｓ）を用いた埋め込み型にも適用できる。その場合に
は、Ａｌ含む被酸化半導体層中のＡｌを選択的に酸化さ
せて電流狭窄用酸化層及び回折格子用酸化層を同時に形
成することができるので、プロセス工程数が減り、経済
的である。また、基板の導電型や、発振波長等も制約を
受けない。
ザ素子を例に挙げて説明したが、Ａｌ含む被酸化半導体
層で回折格子を形成し、Ａｌ含む被酸化半導体層中のＡ
ｌを選択的に酸化させて、Ａｌ酸化層からなるグレイテ
ィングを形成することができるかぎり、ＤＢＲ半導体レ
ーザ素子に応用することもできる。また、素子構造は、
本実施形態例のようにリッジ導波路型構造である必要は
なく、例えば、Ａｌ酸化層による電流狭窄構造（ＡＣＩ
Ｓ）を用いた埋め込み型にも適用できる。その場合に
は、Ａｌ含む被酸化半導体層中のＡｌを選択的に酸化さ
せて電流狭窄用酸化層及び回折格子用酸化層を同時に形
成することができるので、プロセス工程数が減り、経済
的である。また、基板の導電型や、発振波長等も制約を
受けない。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、Ａｌ含む被酸化半導体
層中のＡｌを選択的に酸化させてなるＡｌ酸化層で回折
格子を形成することにより、屈折率が約２．４と小さく
なるため、回折格子を埋め込んだ層との屈折率差が大き
くなるので、レーザ光とグレイティングとの結合係数が
大きくなり、ひいては、従来に比べて共振器長を短くし
た場合でも、半導体レーザ素子は、確実に単一縦モード
動作を行う。そして、半導体レーザ素子の共振器長を短
くすることにより、ウエハ１枚当たりの素子取得数を増
加させることができ、半導体レーザ素子の低コスト化を
図ることができる。また、共振器長が短い半導体レーザ
では、縦モード間隔が広がるので、単一縦モード性が格
段に改善する。
層中のＡｌを選択的に酸化させてなるＡｌ酸化層で回折
格子を形成することにより、屈折率が約２．４と小さく
なるため、回折格子を埋め込んだ層との屈折率差が大き
くなるので、レーザ光とグレイティングとの結合係数が
大きくなり、ひいては、従来に比べて共振器長を短くし
た場合でも、半導体レーザ素子は、確実に単一縦モード
動作を行う。そして、半導体レーザ素子の共振器長を短
くすることにより、ウエハ１枚当たりの素子取得数を増
加させることができ、半導体レーザ素子の低コスト化を
図ることができる。また、共振器長が短い半導体レーザ
では、縦モード間隔が広がるので、単一縦モード性が格
段に改善する。
【図１】実施形態例の半導体レーザ素子の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】図１の線Ｉ−１での断面図である。
【図３】図３（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、ＤＦＢ半
導体レーザ素子を作製する際の工程毎の断面図である。
尚、図３（ｂ）は、図３（ａ）の線II−IIでの断面図で
ある。
導体レーザ素子を作製する際の工程毎の断面図である。
尚、図３（ｂ）は、図３（ａ）の線II−IIでの断面図で
ある。
【図４】図４（ｄ）と（ｅ）は、それぞれ、図３（ｃ）
に続いて、ＤＦＢ半導体レーザ素子を作製する際の工程
毎の断面図である。
に続いて、ＤＦＢ半導体レーザ素子を作製する際の工程
毎の断面図である。
【図５】従来のＤＦＢ半導体レーザ素子の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図６】図６（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、従来のＤ
ＦＢ半導体レーザ素子を作製する際の工程毎の断面図で
ある。
ＦＢ半導体レーザ素子を作製する際の工程毎の断面図で
ある。
【図７】図７（ｄ）から（ｆ）は、それぞれ、図６
（ｃ）に続いて、従来のＤＦＢ半導体レーザ素子を作製
する際の工程毎の断面図である。
（ｃ）に続いて、従来のＤＦＢ半導体レーザ素子を作製
する際の工程毎の断面図である。
１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ３ ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層 ４ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ５ ｐ−ＧａＩｎＡｓＰ（λｇ＝１．１μｍ）光導波路
層 ５Ａ グレイティング（回折格子） ６ ｐ−ＩｎＰ層 ７ ｐ−ＩｎＰ層 ８ ｎ−ＩｎＰ層 ９ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １０ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層 １１ ｐ側電極 １２ ｎ側電極 １３ エッチングマスク １５ 従来のＤＦＢ半導体レーザ素子 ２０ 実施形態例の半導体レーザ素子 ２１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２２ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ２３ ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層 ２４ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２５ ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層 ２５Ａ ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層を酸化してなるＡｌ酸化層 ２５Ａ’ Ａｌ酸化層で形成されたグレイティング（回
折格子） ２６’ ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の保護層として設けられた
ｐ−ＩｎＰ層 ２６ ｐ−ＩｎＰ層 ２７ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層 ２８ ＳｉＮX 膜 ２９ ｐ側電極 ３０ ｎ側電極 ３１ 窓 ３２ エッチングマスク
層 ５Ａ グレイティング（回折格子） ６ ｐ−ＩｎＰ層 ７ ｐ−ＩｎＰ層 ８ ｎ−ＩｎＰ層 ９ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １０ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層 １１ ｐ側電極 １２ ｎ側電極 １３ エッチングマスク １５ 従来のＤＦＢ半導体レーザ素子 ２０ 実施形態例の半導体レーザ素子 ２１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２２ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ２３ ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層 ２４ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２５ ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層 ２５Ａ ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層を酸化してなるＡｌ酸化層 ２５Ａ’ Ａｌ酸化層で形成されたグレイティング（回
折格子） ２６’ ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の保護層として設けられた
ｐ−ＩｎＰ層 ２６ ｐ−ＩｎＰ層 ２７ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層 ２８ ＳｉＮX 膜 ２９ ｐ側電極 ３０ ｎ側電極 ３１ 窓 ３２ エッチングマスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 向原 智一 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 粕川 秋彦 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 AA13 AA51 AA64 AA74 CA12 DA05 DA24 DA27 EA03 EA29
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に形成された共振器構造内に、又
は導波路領域に回折格子を備えた半導体レーザ素子にお
いて、 回折格子が、Ａｌ含む被酸化半導体層をエッチングして
形成され、かつ、回折格子を構成するＡｌ含む被酸化半
導体層は、層中のＡｌが選択的に酸化されてＡｌ酸化層
に転化していることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 基板がＩｎＰで、Ａｌ含む被酸化半導体
層がＡｌＩｎＡｓ層であることを特徴とする請求項１に
記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29060599A JP2001111169A (ja) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | 半導体レーザ素子 |
| US09/828,144 US20020146050A1 (en) | 1999-10-13 | 2001-04-09 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29060599A JP2001111169A (ja) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | 半導体レーザ素子 |
| US09/828,144 US20020146050A1 (en) | 1999-10-13 | 2001-04-09 | Semiconductor laser device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001111169A true JP2001111169A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=26558144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29060599A Pending JP2001111169A (ja) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020146050A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001111169A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1306668C (zh) * | 2002-04-23 | 2007-03-21 | 古河电气工业株式会社 | 激光模块中使用的半导体激光装置 |
| CN105324879A (zh) * | 2013-06-21 | 2016-02-10 | 宇部兴产株式会社 | 非水电解液、使用了该非水电解液的蓄电设备和该非水电解液中使用的含有联苯基的碳酸酯化合物 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6829285B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-12-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for effectively reducing facet reflectivity |
| EP1678795A1 (en) * | 2003-10-31 | 2006-07-12 | Bookham Technology PLC | Method for manufacturing gratings in semiconductor materials that readily oxidise |
| US8031754B2 (en) * | 2008-04-24 | 2011-10-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Surface emitting laser element, surface emitting laser element array, method of fabricating a surface emitting laser element |
-
1999
- 1999-10-13 JP JP29060599A patent/JP2001111169A/ja active Pending
-
2001
- 2001-04-09 US US09/828,144 patent/US20020146050A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1306668C (zh) * | 2002-04-23 | 2007-03-21 | 古河电气工业株式会社 | 激光模块中使用的半导体激光装置 |
| CN105324879A (zh) * | 2013-06-21 | 2016-02-10 | 宇部兴产株式会社 | 非水电解液、使用了该非水电解液的蓄电设备和该非水电解液中使用的含有联苯基的碳酸酯化合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020146050A1 (en) | 2002-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5982804A (en) | Non-regrowth distributed feedback ridge semiconductor laser and method of manufacturing the same | |
| US6292503B1 (en) | Ridge type semiconductor laser of laterally-coupled distributed feedback and method of manufacturing the same | |
| JP2619057B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH10308556A (ja) | 半導体光素子およびその製造方法 | |
| JP3194503B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3682367B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JP2982422B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3739071B2 (ja) | 分布帰還リッジ型半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP4857702B2 (ja) | 集積型光半導体装置の製造方法 | |
| JP4008180B2 (ja) | 分布帰還リッジ型半導体レーザ | |
| JP2001111169A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US6204078B1 (en) | Method of fabricating photonic semiconductor device using selective MOVPE | |
| US20060120428A1 (en) | Distributed feedback (DFB) semiconductor laser and fabrication method thereof | |
| JPH08162706A (ja) | 集積化半導体光素子の製造方法 | |
| JP2002043688A (ja) | リッジ型分布帰還半導体レーザ素子 | |
| JPS60247986A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JP2000188441A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2953449B2 (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
| JP3455404B2 (ja) | 半導体光素子とその作製方法 | |
| JPH11223739A (ja) | 集積型光回路素子及びその製造方法 | |
| JPH1168221A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3434654B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 | |
| JP4453937B2 (ja) | 光集積素子及びその製造方法 | |
| JP2001345512A (ja) | 分布帰還型レーザダイオード | |
| JP2004128372A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子 |