JPS60247986A - 分布帰還型半導体レ−ザ - Google Patents
分布帰還型半導体レ−ザInfo
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- JPS60247986A JPS60247986A JP59104115A JP10411584A JPS60247986A JP S60247986 A JPS60247986 A JP S60247986A JP 59104115 A JP59104115 A JP 59104115A JP 10411584 A JP10411584 A JP 10411584A JP S60247986 A JPS60247986 A JP S60247986A
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- Japan
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- crystal layers
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は半導体発光装置に係り、特に光ガイド層に周期
的な屈折率変化をもたせ、特定の波長の光のみを取出す
ようにした分布帰還型半導体レーザ（以下ＤＦＢ ＬＤ
と略す）に関するものである。
的な屈折率変化をもたせ、特定の波長の光のみを取出す
ようにした分布帰還型半導体レーザ（以下ＤＦＢ ＬＤ
と略す）に関するものである。
従来技術
第１図に従来のＤＦＥ ＬＤの例を示す。図において、
１が外形半導体結晶、２がｎ形りラッド層、６が活性層
、４がＰ形ガイド層、５がＰ形りラッド層、６がＰ形コ
ンタクト層である。
１が外形半導体結晶、２がｎ形りラッド層、６が活性層
、４がＰ形ガイド層、５がＰ形りラッド層、６がＰ形コ
ンタクト層である。
Ｐ形りラッド層５にはピッチＡの周期的な凸凹７を設け
、さらにＰ形りラッド層５よシも屈折率の大きいＰ形ガ
イド層４が積層されておシ、活性層６を伝搬する光に対
する屈折率が凸となっているところと凹となっていると
ころでは異なるため、凸、凹のところで少しずつ光が反
射される。そして、活性層乙の光が感じる屈折率の平均
値をｎとすると、波長λ０が、 Ａ −ｎ λｏＷ （？？Ｌ＝１．２．３・・・）ηｔ のとき、凸凹で反射される光の位相が一致し、波長λ０
の光のみを帰還及び増幅するレーザキャビティが構成さ
れる。これにより、波長λＧのみによって発振するレー
ザとなる。
、さらにＰ形りラッド層５よシも屈折率の大きいＰ形ガ
イド層４が積層されておシ、活性層６を伝搬する光に対
する屈折率が凸となっているところと凹となっていると
ころでは異なるため、凸、凹のところで少しずつ光が反
射される。そして、活性層乙の光が感じる屈折率の平均
値をｎとすると、波長λ０が、 Ａ −ｎ λｏＷ （？？Ｌ＝１．２．３・・・）ηｔ のとき、凸凹で反射される光の位相が一致し、波長λ０
の光のみを帰還及び増幅するレーザキャビティが構成さ
れる。これにより、波長λＧのみによって発振するレー
ザとなる。
しかし、このような波長併択性を持たせるためには、活
性層を伝搬する光に対する屈折率の変化を大きくする必
要がある。このためには、ガイド層４を非常に薄くシ、
凸凹７をできるだけ活性層に近づけなくてはならない。
性層を伝搬する光に対する屈折率の変化を大きくする必
要がある。このためには、ガイド層４を非常に薄くシ、
凸凹７をできるだけ活性層に近づけなくてはならない。
そのため、ＤＦＢＬＤの製造には特に高い結晶成長技術
（膜厚制御技術）を必要とするという欠点がある。
（膜厚制御技術）を必要とするという欠点がある。
発明の目的
′本発明は、従来における問題点を解決し、比較的ガイ
ド層が厚い場合でも比較的高い周期的屈折率分布を活性
層を伝搬する光に与えることができる分布帰還型半導体
レーザを提供することをその目的とする。
ド層が厚い場合でも比較的高い周期的屈折率分布を活性
層を伝搬する光に与えることができる分布帰還型半導体
レーザを提供することをその目的とする。
問題点解決の手段
本発明では、光ガイド層に周期的な凸凹を有する分布帰
還型半導体レーザにおいて、凸凹を形成する結晶層を互
いに分離されたストライプ状の結晶層として、この結晶
層の有無によシ凸凹を形成するようにし、それに接する
上下の結晶層とは伝導形の異なる結晶とする。以下、よ
り具体的に第２図、第６図によシ本発明を説明する。第
２図にしいて、活性層２３上にＰ形ガイド層２４が形成
され、その上にｎ形メツシュ層２７及びＰ形りラッド層
２５が形成されている。なお、２６はコンタクト層、２
２は外形クラッド層である。各部のバンドギャップエネ
ルギーＥ！は第２１右のごとくなっている。以上のよう
な構成にすると、素子の動作時にｎ形メツシュ層２７に
は電流が流れ込まず、図の矢印のごとく電流が流れるこ
とになる。
還型半導体レーザにおいて、凸凹を形成する結晶層を互
いに分離されたストライプ状の結晶層として、この結晶
層の有無によシ凸凹を形成するようにし、それに接する
上下の結晶層とは伝導形の異なる結晶とする。以下、よ
り具体的に第２図、第６図によシ本発明を説明する。第
２図にしいて、活性層２３上にＰ形ガイド層２４が形成
され、その上にｎ形メツシュ層２７及びＰ形りラッド層
２５が形成されている。なお、２６はコンタクト層、２
２は外形クラッド層である。各部のバンドギャップエネ
ルギーＥ！は第２１右のごとくなっている。以上のよう
な構成にすると、素子の動作時にｎ形メツシュ層２７に
は電流が流れ込まず、図の矢印のごとく電流が流れるこ
とになる。
メツシュ層２７に電流が流れないとその効果は活性層２
５にまで及び、活性層２６の電流分布、キャリヤ濃度分
布はそれぞれ第６図α及びｂのようになる。半導体の屈
折率はキャリヤ濃度に反比例するため、活性層２３には
第３図Ｃのような屈折率分布が生じる。これは電流分布
の効果のみで生じている。さらに、電流分布がない場合
でも、メツシュ層２’７の屈折率がＰ形りラッド層２５
の屈折率よシも高くなるような屈折率分布を持たせた構
造とすれば、前記の電流分布による変化と合せてよシ大
きな屈折率変化を得ることができる。
５にまで及び、活性層２６の電流分布、キャリヤ濃度分
布はそれぞれ第６図α及びｂのようになる。半導体の屈
折率はキャリヤ濃度に反比例するため、活性層２３には
第３図Ｃのような屈折率分布が生じる。これは電流分布
の効果のみで生じている。さらに、電流分布がない場合
でも、メツシュ層２’７の屈折率がＰ形りラッド層２５
の屈折率よシも高くなるような屈折率分布を持たせた構
造とすれば、前記の電流分布による変化と合せてよシ大
きな屈折率変化を得ることができる。
次に、特に本発明において高い屈折率変化が得られるこ
との意義について説明する。
との意義について説明する。
通常、ＤＦＢレーザにおいては、レーザ端面は弁開等に
より鏡面状に仕上げられ、端面に反射防止のためΩ処理
が施こされることが多いが、この場合でも端面の反射率
を０％とすることが・困難である。反射率が０％以上で
あるとレーザの両端の襞間面が７アプリベロ共振器を形
成し、前記のような凸凹による屈折率変化が小さく、Ｄ
ＦＢモードにくらベファプリペロモードのほうが共振器
の損失よりも利得が大きくなるような条件となるとファ
ブリペロモードでの発振が起こる。ファブリペロモード
ではΔλ−λ”／２ｎＬ（λ：発振波長、ｎ＝活性層の
屈折率、Ｌ：キャビテイ長）の間隔の発振軸モードが存
在するため、第４図に示すようなスペクトルを持った発
振が起こり易い。ファブリペロモードであっても構造等
を工夫することによシ特定の温度では第６図に示すよう
な単一の軸モードで発振するレーザを得ることができる
が、この場合でもレーザの温度が変化すると活性層のバ
ンドギャップエネルギーが変化し、これによシ利得スペ
クトルが変化するため第５図に示すように利得の高い軸
モードに発振が移行してしまうという欠点がある。この
ようなファブリペロモードを抑圧するには前記のような
凸凹による屈折率差を大きくシ、凸凹の界面での光の反
射率を高くシ、凸凹の周期によって決まる波長以外の波
長での共振器の損失を大きくすることが有効である。特
にＤＦＢモードの発振波長の温度による変化は、温度に
よる活性層の屈折率の変化と、結晶の線膨張め変化のみ
によシはぼ決定され、約０．７ Ａ’／ ｄｅｇ の変
化であるのに対し、レーザの利得スペクトルは温度によ
って比較的大きく変化する。このため凸凹による屈折率
の変化が小さい場合には、第７図のようにＤＦＢモード
の発振波長と利得スペクトルが重なっている場合は良い
が、第８図のごとく両者のずれが大きくなった場合には
ＤＦＢモードの発振をしなくなシ、ファブリペロ（−ド
の発振となシ易くなる。この為、できるだけ屈折率変化
は大きくとった方が良く、屈折率変化が大きい程広い温
度範囲でＤＦＢモードで発振することができる。
より鏡面状に仕上げられ、端面に反射防止のためΩ処理
が施こされることが多いが、この場合でも端面の反射率
を０％とすることが・困難である。反射率が０％以上で
あるとレーザの両端の襞間面が７アプリベロ共振器を形
成し、前記のような凸凹による屈折率変化が小さく、Ｄ
ＦＢモードにくらベファプリペロモードのほうが共振器
の損失よりも利得が大きくなるような条件となるとファ
ブリペロモードでの発振が起こる。ファブリペロモード
ではΔλ−λ”／２ｎＬ（λ：発振波長、ｎ＝活性層の
屈折率、Ｌ：キャビテイ長）の間隔の発振軸モードが存
在するため、第４図に示すようなスペクトルを持った発
振が起こり易い。ファブリペロモードであっても構造等
を工夫することによシ特定の温度では第６図に示すよう
な単一の軸モードで発振するレーザを得ることができる
が、この場合でもレーザの温度が変化すると活性層のバ
ンドギャップエネルギーが変化し、これによシ利得スペ
クトルが変化するため第５図に示すように利得の高い軸
モードに発振が移行してしまうという欠点がある。この
ようなファブリペロモードを抑圧するには前記のような
凸凹による屈折率差を大きくシ、凸凹の界面での光の反
射率を高くシ、凸凹の周期によって決まる波長以外の波
長での共振器の損失を大きくすることが有効である。特
にＤＦＢモードの発振波長の温度による変化は、温度に
よる活性層の屈折率の変化と、結晶の線膨張め変化のみ
によシはぼ決定され、約０．７ Ａ’／ ｄｅｇ の変
化であるのに対し、レーザの利得スペクトルは温度によ
って比較的大きく変化する。このため凸凹による屈折率
の変化が小さい場合には、第７図のようにＤＦＢモード
の発振波長と利得スペクトルが重なっている場合は良い
が、第８図のごとく両者のずれが大きくなった場合には
ＤＦＢモードの発振をしなくなシ、ファブリペロ（−ド
の発振となシ易くなる。この為、できるだけ屈折率変化
は大きくとった方が良く、屈折率変化が大きい程広い温
度範囲でＤＦＢモードで発振することができる。
この意味から、本発明において大きな屈折率変化が得ら
れることは意義がある。
れることは意義がある。
発明の実施例
第９図において、左１１１１１，４−Ｄは平面図、右側
α〜ｄは側面図であシ、各工程を列挙すると次のごとく
である。
α〜ｄは側面図であシ、各工程を列挙すると次のごとく
である。
、４；ｎ−１ｎＰ基板９１（ｎ形キャリヤ濃度Ｉ Ｘ
１１０１８ａ ）上に、ｎ−１６Ｆクラッド層９２（外
形キャリヤ濃度５Ｘ１［）”Ｃｌ−３）、 ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層９６゜Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層９４．
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層９５（それぞれ外形キャリヤ濃度
−Ｐ形キャリヤ濃度＝５×１０１７ＣｒＩＬ−３）を液
相エピタキシャル法によね成長する。このとき、Ｐ Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層９４とｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層９５のＩｎ
、 Ｇａ、 Ａｓ、 Ｐの組成は同一とし、活性層より
もバンドギャップエネルギを大きくする。
１１０１８ａ ）上に、ｎ−１６Ｆクラッド層９２（外
形キャリヤ濃度５Ｘ１［）”Ｃｌ−３）、 ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層９６゜Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層９４．
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層９５（それぞれ外形キャリヤ濃度
−Ｐ形キャリヤ濃度＝５×１０１７ＣｒＩＬ−３）を液
相エピタキシャル法によね成長する。このとき、Ｐ Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層９４とｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層９５のＩｎ
、 Ｇａ、 Ａｓ、 Ｐの組成は同一とし、活性層より
もバンドギャップエネルギを大きくする。
Ｂ； 最上面にフォトレジスト９６を塗布し、２方向よ
ｐｅｇ−Ｃｄレーザを照射し、ピッチ約４００ＯＡのレ
ジストパターンができるように干渉露光および化学的処
理を行う。
ｐｅｇ−Ｃｄレーザを照射し、ピッチ約４００ＯＡのレ
ジストパターンができるように干渉露光および化学的処
理を行う。
Ｃ；Ｂによって得られたレジストパターンをマスクとし
て、ケミカルエツチングあるいはドライエツチング法に
よすｎ −ＩｎＧａＡｓＰ層９５の一部をＰ −１３Ｇ
ａＡｓＰ層９４に達するまでストライプ状に除去する。
て、ケミカルエツチングあるいはドライエツチング法に
よすｎ −ＩｎＧａＡｓＰ層９５の一部をＰ −１３Ｇ
ａＡｓＰ層９４に達するまでストライプ状に除去する。
Ｄ； レジスト９６を除去し、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層９
４゜ｎメツシュ層（ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層）９５上に、
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰクラッド層９７． ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰキャップ層９８を順次液相エピタキシャル成長する
。
４゜ｎメツシュ層（ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層）９５上に、
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰクラッド層９７． ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰキャップ層９８を順次液相エピタキシャル成長する
。
このとき、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層（クラッド層）９７の
バンドギャップエネルギはＰ−１ｎＧａＡｓＰ （ガイ
ド層）９４のバンドギャップエネルギよりも大きくなる
ようにする。さらに幅６〜５μｍの幅でＰ −ＩｎＧａ
ＡｓＰ層９７まで達するようにストライプ状にＰ形不純
物を拡散する（斜線部分）。
バンドギャップエネルギはＰ−１ｎＧａＡｓＰ （ガイ
ド層）９４のバンドギャップエネルギよりも大きくなる
ようにする。さらに幅６〜５μｍの幅でＰ −ＩｎＧａ
ＡｓＰ層９７まで達するようにストライプ状にＰ形不純
物を拡散する（斜線部分）。
その後、上下に電極を取付けると第１０図の構造が得ら
れる。第１０図において９９，１００が電極である。
れる。第１０図において９９，１００が電極である。
発明の効果
本発明によれば、（１）構造的に活性層の屈折率はｎ−
メツシュ層のある部分で高く、ない部分で低い分布を持
ち、ＤＦＢレーザが形成され、（ｉｉ）さらに動作時に
は、ｎ−メツシュ部には電流が流れないため、ｎ−メツ
シュの下では活性層のキャリヤ濃度が低下し、屈折率が
高くなる。この２つの効果により、活性層は凸部がＰ形
である場合（即ち、接する上下の結晶層と伝導形が異な
りない場合）にくらべて、より高い屈折率分布を実現す
ることができる。また、比較的ガイド層が厚い場合でも
比較的高い周期的屈折率分布を活性層に持たせることが
できる分布帰還型半導体レーザが提供される。そして、
分布帰還型半導体レーザの発振可能な温度範囲を広くて
さる利点がある。
メツシュ層のある部分で高く、ない部分で低い分布を持
ち、ＤＦＢレーザが形成され、（ｉｉ）さらに動作時に
は、ｎ−メツシュ部には電流が流れないため、ｎ−メツ
シュの下では活性層のキャリヤ濃度が低下し、屈折率が
高くなる。この２つの効果により、活性層は凸部がＰ形
である場合（即ち、接する上下の結晶層と伝導形が異な
りない場合）にくらべて、より高い屈折率分布を実現す
ることができる。また、比較的ガイド層が厚い場合でも
比較的高い周期的屈折率分布を活性層に持たせることが
できる分布帰還型半導体レーザが提供される。そして、
分布帰還型半導体レーザの発振可能な温度範囲を広くて
さる利点がある。
なお、本発明が利用しているキャリヤ濃度と屈折率の関
係については文献（■Ｆ、 ５ｔｅｒル、Ｊ、ｏｆＡｐ
ｐｌｉ ｇｔ：Ｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ 、 ４７
、 ＮＯ、１２、Ｐ、５３８２（１９７６） ＋■Ｇ
、Ｈ，Ｄ、 Ｔｈｏｍｐｓｏｎ 、 ０ｐｔｏ −Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ 、 Ｖｏｌ、４．Ｐ２Ｓ５（１９７２）
、■に、 Ｋｏｂａｙａｓｈｉ 、 Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｒｅｐｏｒｔｏｆ ＩＥＣＥ Ｖａｔ、 ７５．
Ｎｏ、８９ （１９７５） ）が参照される。
係については文献（■Ｆ、 ５ｔｅｒル、Ｊ、ｏｆＡｐ
ｐｌｉ ｇｔ：Ｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ 、 ４７
、 ＮＯ、１２、Ｐ、５３８２（１９７６） ＋■Ｇ
、Ｈ，Ｄ、 Ｔｈｏｍｐｓｏｎ 、 ０ｐｔｏ −Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ 、 Ｖｏｌ、４．Ｐ２Ｓ５（１９７２）
、■に、 Ｋｏｂａｙａｓｈｉ 、 Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｒｅｐｏｒｔｏｆ ＩＥＣＥ Ｖａｔ、 ７５．
Ｎｏ、８９ （１９７５） ）が参照される。
第１図は従来のＤＦＢ ＬＤの断面構造を示す図、第２
図は本発明のＤＦＢ ＬＤの断面構造を示す図、第６図
α〜Ｃは本発明のＤＦＥ ＬＤのそれぞれ電流分布、キ
ャリヤ濃度分布、屈折率分布を示す図、第４図、第５図
はそれぞれファブリペロＬＤの特性を示す図、第６図は
単一の軸モードで発振するレーデ特性を示す図、第７図
、第８図はそれぞれレーザのゲインスペクトルとＤＦＢ
発振との関係を示す図、第９図Ａ−Ｄ、α〜ｄは本発明
のＤＦＥ ＬＤの各工程（＝おける構成を示す図であり
、Ａ −Ｄはいずれも平面図、α〜ｄは断面構造を示す
図、第１０図は本発明のＤＦＢ ＬＤの一部切欠断面を
示す斜視図。 （主な符号） １．２１・・・外形半導体結晶、２，２２・・・外形ク
ラッド層、６，２６・・・活性層、４，２４・・・Ｐ形
ガイド層、５．２５・・・Ｐ形りラッド層、６，２６・
・・Ｐ形コンタクト層、７・・・凸凹、２７・・・ル形
メツシュ層特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士玉蟲久五部（外１名） 第 １ 図 第２図 Ｅ。 第３図 第４図 第５図 第６図 入 第７図 第８図 第９図 ニニ］：； 第１０図 ９
図は本発明のＤＦＢ ＬＤの断面構造を示す図、第６図
α〜Ｃは本発明のＤＦＥ ＬＤのそれぞれ電流分布、キ
ャリヤ濃度分布、屈折率分布を示す図、第４図、第５図
はそれぞれファブリペロＬＤの特性を示す図、第６図は
単一の軸モードで発振するレーデ特性を示す図、第７図
、第８図はそれぞれレーザのゲインスペクトルとＤＦＢ
発振との関係を示す図、第９図Ａ−Ｄ、α〜ｄは本発明
のＤＦＥ ＬＤの各工程（＝おける構成を示す図であり
、Ａ −Ｄはいずれも平面図、α〜ｄは断面構造を示す
図、第１０図は本発明のＤＦＢ ＬＤの一部切欠断面を
示す斜視図。 （主な符号） １．２１・・・外形半導体結晶、２，２２・・・外形ク
ラッド層、６，２６・・・活性層、４，２４・・・Ｐ形
ガイド層、５．２５・・・Ｐ形りラッド層、６，２６・
・・Ｐ形コンタクト層、７・・・凸凹、２７・・・ル形
メツシュ層特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士玉蟲久五部（外１名） 第 １ 図 第２図 Ｅ。 第３図 第４図 第５図 第６図 入 第７図 第８図 第９図 ニニ］：； 第１０図 ９
Claims (1)
- 光ガイド層に周期的な凸凹を備える分布帰還型半導体レ
ーザにおいて、前記凸凹は互いに分離されたストライプ
状の結晶層により形成し、かつ該ストライプ状の結晶層
は、それに接する上下の結晶層とは伝導形が異なる結晶
としたことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59104115A JPS60247986A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 分布帰還型半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59104115A JPS60247986A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 分布帰還型半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247986A true JPS60247986A (ja) | 1985-12-07 |
Family
ID=14372123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59104115A Pending JPS60247986A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 分布帰還型半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60247986A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5020072A (en) * | 1989-05-22 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5027368A (en) * | 1988-08-17 | 1991-06-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5033816A (en) * | 1987-12-18 | 1991-07-23 | Thomson-Csf | Method for making a diffraction lattice on a semiconductor material |
| FR2684498A1 (fr) * | 1991-11-21 | 1993-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | Laser a semiconducteurs a reaction repartie. |
| EP0664588A1 (fr) * | 1994-01-20 | 1995-07-26 | France Telecom | Structure semiconductrice à réseau de diffraction virtuel |
| US5553091A (en) * | 1993-12-06 | 1996-09-03 | France Telecom Etablissement Autonome De Droit Public | Optical component having a plurality of bragg gratings and process for the production of said components |
| US11133649B2 (en) * | 2019-06-21 | 2021-09-28 | Palo Alto Research Center Incorporated | Index and gain coupled distributed feedback laser |
-
1984
- 1984-05-23 JP JP59104115A patent/JPS60247986A/ja active Pending
Cited By (10)
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