JPH10270789A - 光通信等に用いる半導体光素子及びその製造方法 - Google Patents
光通信等に用いる半導体光素子及びその製造方法Info
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- JPH10270789A JPH10270789A JP7373897A JP7373897A JPH10270789A JP H10270789 A JPH10270789 A JP H10270789A JP 7373897 A JP7373897 A JP 7373897A JP 7373897 A JP7373897 A JP 7373897A JP H10270789 A JPH10270789 A JP H10270789A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光導波方向の任意の位置で、分布反射器の光
結合係数の大きさを任意の値に制御できる半導体光素子
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 光導波方向に垂直なストライプからなる
回折格子を有する半導体光素子において、該ストライプ
の長さが、光導波路内において光導波方向の任意の位置
で変化していることを特徴とする。
結合係数の大きさを任意の値に制御できる半導体光素子
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 光導波方向に垂直なストライプからなる
回折格子を有する半導体光素子において、該ストライプ
の長さが、光導波路内において光導波方向の任意の位置
で変化していることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信等に用いる
半導体光素子およびその製造方法に関するものである。
半導体光素子およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】回折格子を用いた分布反射器を有する半
導体レーザや波長フィルタ等の半導体光素子において、
半導体レーザの単一軸モード制御、高出力特性及び歩留
まりの向上等、また波長フィルタの波長制御特性の向上
等を考えると、分布反射器の光結合係数を光導波方向で
最適に変化させる事、つまり、異なる光結合係数を有す
る領域を光導波方向の任意の位置に作製できる製造方法
が要求される。回折格子の従来の製造方法には以下のよ
うなものがある。
導体レーザや波長フィルタ等の半導体光素子において、
半導体レーザの単一軸モード制御、高出力特性及び歩留
まりの向上等、また波長フィルタの波長制御特性の向上
等を考えると、分布反射器の光結合係数を光導波方向で
最適に変化させる事、つまり、異なる光結合係数を有す
る領域を光導波方向の任意の位置に作製できる製造方法
が要求される。回折格子の従来の製造方法には以下のよ
うなものがある。
【０００３】図６は異なる光結合係数κを有する２つの
領域からなる半導体光素子の軸方向断面模式図である。
従来の半導体光素子において、光導波方向に異なる光結
合係数κを有する複数の領域を形成するには、大きく２
つの方法があった。
領域からなる半導体光素子の軸方向断面模式図である。
従来の半導体光素子において、光導波方向に異なる光結
合係数κを有する複数の領域を形成するには、大きく２
つの方法があった。
【０００４】一つは、図６（ａ）において、半導体基板
１の上に回折格子５を形成し、領域１の回折格子５を埋
め込む光導波層２を成長し、次にこの光導波層２の一部
を選択的にエッチングで除去した後、領域２の回折格子
５を埋め込む光導波層３を再成長する。更に、光導波層
２、３の上に、利得発生層等を含む光導波層４、クラッ
ド層１１を成長して半導体光素子を得る方法である。こ
の作製方法では、光導波層２及び３の結晶組成を選ぶこ
とで異なる光結合係数を有する複数の領域を作製するこ
とができる。しかし、この方法では、１）光導波層２の
結晶成長→光導波層２のエッチング→光導波層３の再成
長→光導波層４、１１の再成長と、プロセスが複雑であ
ること、２）領域２の回折格子は昇温工程を２度経るこ
とから、昇温時に回折格子形状が劣化すること、３）光
導波層２と３の境界で異常成長が生じ、両領域間での光
の結合効率が低下すること等の問題があった。
１の上に回折格子５を形成し、領域１の回折格子５を埋
め込む光導波層２を成長し、次にこの光導波層２の一部
を選択的にエッチングで除去した後、領域２の回折格子
５を埋め込む光導波層３を再成長する。更に、光導波層
２、３の上に、利得発生層等を含む光導波層４、クラッ
ド層１１を成長して半導体光素子を得る方法である。こ
の作製方法では、光導波層２及び３の結晶組成を選ぶこ
とで異なる光結合係数を有する複数の領域を作製するこ
とができる。しかし、この方法では、１）光導波層２の
結晶成長→光導波層２のエッチング→光導波層３の再成
長→光導波層４、１１の再成長と、プロセスが複雑であ
ること、２）領域２の回折格子は昇温工程を２度経るこ
とから、昇温時に回折格子形状が劣化すること、３）光
導波層２と３の境界で異常成長が生じ、両領域間での光
の結合効率が低下すること等の問題があった。
【０００５】２つめの方法は、図６（ｂ）において、半
導体基板１の上に領域１の分布反射器を構成する回折格
子５を形成し、更に選択エッチングを用いて、回折格子
５と深さの異なる回折格子６を形成し、領域２の分布反
射器を作製する。その後、光導波層２、４、クラッド層
１１を成長して半導体光素子を得る方法である。この方
法を用いても、回折格子５、６の回折格子の深さを変え
ることで任意の光結合係数を有する複数の領域を作製す
ることができる。しかし、この方法では、１）回折格子
を形成する際、複数回のエッチングを行わなければなら
ず、プロセスが複雑であること、２）回折格子５と回折
格子６のエッチング深さの相対比を制御する事が難しい
こと、３）光導波層２を成長する際、回折格子の深さが
深い回折格子６上に成長される結晶の品質が劣化するこ
と等の問題があった。
導体基板１の上に領域１の分布反射器を構成する回折格
子５を形成し、更に選択エッチングを用いて、回折格子
５と深さの異なる回折格子６を形成し、領域２の分布反
射器を作製する。その後、光導波層２、４、クラッド層
１１を成長して半導体光素子を得る方法である。この方
法を用いても、回折格子５、６の回折格子の深さを変え
ることで任意の光結合係数を有する複数の領域を作製す
ることができる。しかし、この方法では、１）回折格子
を形成する際、複数回のエッチングを行わなければなら
ず、プロセスが複雑であること、２）回折格子５と回折
格子６のエッチング深さの相対比を制御する事が難しい
こと、３）光導波層２を成長する際、回折格子の深さが
深い回折格子６上に成長される結晶の品質が劣化するこ
と等の問題があった。
【０００６】更に、新しく別の方法として、電子ビーム
露光法を用いて、光結合係数κを制御する方法が、最近
Journal of Quantum Electronics vol.29, no.6, pp.2
081-2087, June 1993 に報告された。図７に、この方法
を用いた回折格子の作製法を示す。この方法の特徴は、
幅Ｌの光導波路内に櫛状の回折格子５５を形成し、その
櫛の長さｌ1 を変えることで光結合係数κを変化させる
ことにある。（２ｌ1）／Ｌが１のときに、最も大きな
光結合係数κmax が得られ、ｌ1 が短くなるにしたがっ
て、光結合係数κが小さくなる。しかし、この方法で
は、１）櫛状に回折格子５５が形成されているため、回
折格子は、常に光導波路の端の部分に位置することにな
り、光結合係数が櫛の長さｌ1 に対して線形に変化せず
制御が難しいこと、２）幅Ｌ＝１〜２μｍの狭い光導波
路内に櫛状の回折格子５５が一つだけ形成されているた
め、デバイス化する際には、櫛状回折格子５５が形成さ
れている幅Ｌがリブ型光導波路の幅に一致する構造にし
か適用できないこと等の問題があった。
露光法を用いて、光結合係数κを制御する方法が、最近
Journal of Quantum Electronics vol.29, no.6, pp.2
081-2087, June 1993 に報告された。図７に、この方法
を用いた回折格子の作製法を示す。この方法の特徴は、
幅Ｌの光導波路内に櫛状の回折格子５５を形成し、その
櫛の長さｌ1 を変えることで光結合係数κを変化させる
ことにある。（２ｌ1）／Ｌが１のときに、最も大きな
光結合係数κmax が得られ、ｌ1 が短くなるにしたがっ
て、光結合係数κが小さくなる。しかし、この方法で
は、１）櫛状に回折格子５５が形成されているため、回
折格子は、常に光導波路の端の部分に位置することにな
り、光結合係数が櫛の長さｌ1 に対して線形に変化せず
制御が難しいこと、２）幅Ｌ＝１〜２μｍの狭い光導波
路内に櫛状の回折格子５５が一つだけ形成されているた
め、デバイス化する際には、櫛状回折格子５５が形成さ
れている幅Ｌがリブ型光導波路の幅に一致する構造にし
か適用できないこと等の問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、異なる光
結合係数を有する分布反射器の従来の作成方法では、そ
の作製工程が複雑であったり、適用できる半導体光素子
の構造が限定されたり、また３つ以上の任意の光結合係
数を有する分布反射器、または連続的に光結合係数が変
化する分布反射器を同一基板上に作成することが困難で
あった。
結合係数を有する分布反射器の従来の作成方法では、そ
の作製工程が複雑であったり、適用できる半導体光素子
の構造が限定されたり、また３つ以上の任意の光結合係
数を有する分布反射器、または連続的に光結合係数が変
化する分布反射器を同一基板上に作成することが困難で
あった。
【０００８】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、回折格子を用いた分布反
射器を有する半導体光素子において、光導波方向の任意
の位置で、分布反射器の光結合係数の大きさを任意の値
に制御できる半導体光素子およびその製造方法を提供す
ることにある。
たものであって、その目的は、回折格子を用いた分布反
射器を有する半導体光素子において、光導波方向の任意
の位置で、分布反射器の光結合係数の大きさを任意の値
に制御できる半導体光素子およびその製造方法を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記の目的は以下の手段
によって達成される。
によって達成される。
【００１０】すなわち、本発明は、光導波方向に垂直な
ストライプからなる回折格子を有する半導体光素子にお
いて、該ストライプの長さが、光導波路内において光導
波方向の任意の位置で変化していることを特徴とする半
導体光素子を提案するものであり、前記の半導体光素子
において、前記ストライプの長さは光導波路幅以下であ
り、ストライプが光導波方向に対して垂直方向に、光導
波路幅よりも短い周期で、光導波路幅よりも二倍以上広
い領域に渡って周期的に形成されていることを含む。
ストライプからなる回折格子を有する半導体光素子にお
いて、該ストライプの長さが、光導波路内において光導
波方向の任意の位置で変化していることを特徴とする半
導体光素子を提案するものであり、前記の半導体光素子
において、前記ストライプの長さは光導波路幅以下であ
り、ストライプが光導波方向に対して垂直方向に、光導
波路幅よりも短い周期で、光導波路幅よりも二倍以上広
い領域に渡って周期的に形成されていることを含む。
【００１１】また、本発明は、半導体基板上に、光導波
方向に垂直なストライプからなる回折格子を形成する工
程と、該回折格子に接する光導波層を形成する工程を含
む半導体光素子の製造方法において、該ストライプは、
ＥＢ露光法により、光導波路幅以下の長さで断片的に描
画することを特徴とする半導体光素子の製造方法を提案
するものであり、前記の半導体光素子の製造方法におい
て、前記光導波層を形成する工程は、前記半導体基板上
に、光導波方向の任意の位置で幅の変化した対向する一
対の誘電体薄膜を形成し、該誘電体薄膜に挟まれた光導
波路領域に光導波層を選択的に結晶成長すること、前記
の半導体光素子の製造方法において、前記光導波路領域
の幅が１０μｍ以下であること、前記の半導体光素子の
製造方法において、半導体基板がＩｎＰであり、結晶成
長時に用いるIII 族原料が、Ｇａ、Ｉｎ、またはＡｌを
含む有機金属であり、Ｖ族原料が、Ａｓ、Ｐ、またはＮ
を含んでいることを含む。
方向に垂直なストライプからなる回折格子を形成する工
程と、該回折格子に接する光導波層を形成する工程を含
む半導体光素子の製造方法において、該ストライプは、
ＥＢ露光法により、光導波路幅以下の長さで断片的に描
画することを特徴とする半導体光素子の製造方法を提案
するものであり、前記の半導体光素子の製造方法におい
て、前記光導波層を形成する工程は、前記半導体基板上
に、光導波方向の任意の位置で幅の変化した対向する一
対の誘電体薄膜を形成し、該誘電体薄膜に挟まれた光導
波路領域に光導波層を選択的に結晶成長すること、前記
の半導体光素子の製造方法において、前記光導波路領域
の幅が１０μｍ以下であること、前記の半導体光素子の
製造方法において、半導体基板がＩｎＰであり、結晶成
長時に用いるIII 族原料が、Ｇａ、Ｉｎ、またはＡｌを
含む有機金属であり、Ｖ族原料が、Ａｓ、Ｐ、またはＮ
を含んでいることを含む。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の半導体光素子およびその
製造方法の実施の形態について説明する。本発明におい
ては、その目的は、回折格子を用いた分布反射器を有す
る半導体光素子において、光導波方向における分布反射
器の光結合係数κの大きさを任意に制御できる半導体光
素子およびその製造方法を提供することにあり、ストラ
イプ状回折格子において、ストライプ長さを変えること
による光結合係数κの制御について説明する。
製造方法の実施の形態について説明する。本発明におい
ては、その目的は、回折格子を用いた分布反射器を有す
る半導体光素子において、光導波方向における分布反射
器の光結合係数κの大きさを任意に制御できる半導体光
素子およびその製造方法を提供することにあり、ストラ
イプ状回折格子において、ストライプ長さを変えること
による光結合係数κの制御について説明する。
【００１３】図１に本発明のストライプ状回折格子５の
説明図を示す。本発明においては、ＩｎＰ等の半導体基
板上に電子ビーム露光法等を用いて、ストライプ状回折
格子５を周期Λ1 で描画する。この時、ストライプの描
画は、ストライプ長さｌ1 を、０から光導波路幅Ｗまで
の範囲で、光導波方向の任意の位置で変化させる。さら
に、ストライプは、光導波路幅Ｗを１周期として、光導
波方向と垂直方向に、光導波路幅の２倍以上の領域に渡
って周期的に描画することを特徴としている。このよう
にストライプ状回折格子５を形成した場合、回折格子の
レジストパターンを通常のウエットもしくはドライエッ
チング等でＩｎＰ基板等へ転写したとき、回折格子のエ
ッチング深さが全ての領域で同じであっても、ストライ
プ長さｌ 1 を変化させることで、光結合係数κを制御す
ることができる。また、描画領域が、光導波路幅Ｗより
も十分広いため、このあとの半導体光素子の作製プロセ
スにおいて、光導波路パターンとストライプ状回折格子
５との位置合わせを容易にすることができる。
説明図を示す。本発明においては、ＩｎＰ等の半導体基
板上に電子ビーム露光法等を用いて、ストライプ状回折
格子５を周期Λ1 で描画する。この時、ストライプの描
画は、ストライプ長さｌ1 を、０から光導波路幅Ｗまで
の範囲で、光導波方向の任意の位置で変化させる。さら
に、ストライプは、光導波路幅Ｗを１周期として、光導
波方向と垂直方向に、光導波路幅の２倍以上の領域に渡
って周期的に描画することを特徴としている。このよう
にストライプ状回折格子５を形成した場合、回折格子の
レジストパターンを通常のウエットもしくはドライエッ
チング等でＩｎＰ基板等へ転写したとき、回折格子のエ
ッチング深さが全ての領域で同じであっても、ストライ
プ長さｌ 1 を変化させることで、光結合係数κを制御す
ることができる。また、描画領域が、光導波路幅Ｗより
も十分広いため、このあとの半導体光素子の作製プロセ
スにおいて、光導波路パターンとストライプ状回折格子
５との位置合わせを容易にすることができる。
【００１４】図２に、具体的に、光導波路幅Ｗで規格化
したストライプ長さｌ1 に対する、回折格子の規格化光
結合係数κ／κ0 依存性の実験結果を示す。光結合係数
κは、規格化ストライプ長さｌ1 ／Ｗに対して、ほぼ線
形に変化することがわかる。実際に、１．５５μｍ帯の
分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザの回折格子を形成し
たところ、回折格子の周期Λ1 ＝２４０ｎｍ、光導波路
幅Ｗ＝１．５μｍで、規格化ストライプ長さｌ1 ／Ｗ＝
１の時の光結合係数κを３５ｃｍ-1と設定したとき、ｌ
1 ／Ｗ＝０．５のときに、光結合係数κ＝１６ｃｍ-1を
実現することができた。
したストライプ長さｌ1 に対する、回折格子の規格化光
結合係数κ／κ0 依存性の実験結果を示す。光結合係数
κは、規格化ストライプ長さｌ1 ／Ｗに対して、ほぼ線
形に変化することがわかる。実際に、１．５５μｍ帯の
分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザの回折格子を形成し
たところ、回折格子の周期Λ1 ＝２４０ｎｍ、光導波路
幅Ｗ＝１．５μｍで、規格化ストライプ長さｌ1 ／Ｗ＝
１の時の光結合係数κを３５ｃｍ-1と設定したとき、ｌ
1 ／Ｗ＝０．５のときに、光結合係数κ＝１６ｃｍ-1を
実現することができた。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１６】実施例１：分布反射（ＤＲ）型半導体レー
ザ 図３（ｃ）は、第一の実施例である分布反射（ＤＲ）型
半導体レーザの構造を示す図である。図３（ｃ）におい
て、まずｎ−ＩｎＰ基板１上に、電子ビーム露光法を用
いて、図３（ａ）に示すような回折格子パターンを描画
する。この時、領域１の回折格子７は、ストライプ長さ
ｌ1 、領域２の回折格子５はストライプ長さｌ2 であ
り、 ｌ1 ＝ｌ2 ／２ となっている。また、これらの回折格子５，７は、光導
波方向と垂直方向には、光導波路幅Ｗ＝１．５μｍの周
期で、６周期、すなわちＷEB＝９μｍの回折格子描画領
域に描画し、光導波方向については、回折格子７の周期
はΛ1 であり、回折格子５の周期はΛ2 と設定する。こ
の時、発振波長１．５５μｍに対する領域１の等価屈折
率をｎeq1 、領域２の等価屈折率をｎeq2 とすると、 ｎeq1 Λ1 ＝ｎeq2 Λ2 の関係を満足するように設定する。この後、回折格子パ
ターン５、７を用いて、通常のウエットエッチング等を
使って、ｎ−ＩｎＰ基板１に、領域１、領域２ともに深
さ６０ｎｍの回折格子を形成する。このような、回折格
子を形成することで、領域１と領域２の回折格子を用い
た分布反射器のブラッグ波長を等しくすることができ、
さらに領域１の分布反射器の光結合係数κ1 を領域２の
分布反射器の光結合係数κ2 の１／２に設定することが
できる。この回折格子５，７が形成された基板上へ、図
３（ｂ）に示すように＜０１１＞方向に、ＳｉＯ2 成長
阻止マスク９を、領域１で幅Ｗｍが３０μｍ、領域２で
幅Ｗｍが４μｍとなるように、１．５μｍ幅の開口部
（光導波路領域）を挟んで対向するように形成する。こ
の成長阻止マスク９の形成においては、回折格子５、７
が回折格子描画領域幅Ｗ EB＝９μｍの広い領域に形成さ
れているため、１．５μｍ幅の開口部を簡単に、回折格
子上に配置することができた。次に、このマスクが形成
された基板上にｎ−ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２、ｎ−Ｉ
ｎＰスペーサ層８、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層
３、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰの５層の多重量子
井戸層４、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層３、及びｐ−Ｉ
ｎＰ層１０を選択成長する。この時、開口部に成長され
るＩｎＧａＡｓＰの４元半導体層２及び３の組成は、領
域１と領域２で異なり、領域１では組成波長１．２μ
ｍ、領域２では組成波長１．１μｍとなる。このとき、
領域１の回折格子７の分布反射器の光結合係数は５０ｃ
ｍ -1が得られ、領域２の回折格子５の分布反射器の光結
合係数は１００ｃｍ-1が得られた。更に、多重量子井戸
層４は、領域１では、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸（組成波
長１．６μｍ、層厚７ｎｍ）とＩｎＧａＡｓＰバリア層
（組成波長１．２μｍ、層厚１０ｎｍ）とからなり、利
得ピーク波長を１．５５μｍに設定できた。領域２の多
重量子井戸層４は、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸（組成波長
１．２５μｍ、層厚３ｎｍ）とＩｎＧａＡｓＰバリア層
（組成波長１．２μｍ、層厚５ｎｍ）とからなり、利得
ピーク波長を１．２μｍに設定する事ができた。このよ
うにして、各半導体層を形成した後、成長阻止マスク９
のマスク開口幅Ｗを全領域で６μｍになるように再度形
成し、このマスクを用いて、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層１１
（層厚２．０μｍ）をＭＯＶＰＥで選択成長する。その
後、ＳｉＯ2 膜１５を形成し、上部電極１６、下部電極
１７を通常のスパッタ法等により形成して半導体光素子
を得ることができた。光結合係数５０ｃｍ-1の領域１を
活性領域に、光結合係数１００ｃｍ-1の領域２を受動領
域とする事で、極めて容易に、光の片端面出射が可能で
高効率動作する、高性能な、波長１．５５μｍ帯の分布
反射器（ＤＲ）型半導体レーザを実現する事ができた。
活性領域長２００μｍ、受動領域長２００μｍの素子を
作製したところ、両端面劈開の状態で２５℃において、
発振しきい値電流３．５ｍＡ、片側光出力３５ｍＷ、片
側微分量子効率９０％という良好な特性を得ることがで
きた。
ザ 図３（ｃ）は、第一の実施例である分布反射（ＤＲ）型
半導体レーザの構造を示す図である。図３（ｃ）におい
て、まずｎ−ＩｎＰ基板１上に、電子ビーム露光法を用
いて、図３（ａ）に示すような回折格子パターンを描画
する。この時、領域１の回折格子７は、ストライプ長さ
ｌ1 、領域２の回折格子５はストライプ長さｌ2 であ
り、 ｌ1 ＝ｌ2 ／２ となっている。また、これらの回折格子５，７は、光導
波方向と垂直方向には、光導波路幅Ｗ＝１．５μｍの周
期で、６周期、すなわちＷEB＝９μｍの回折格子描画領
域に描画し、光導波方向については、回折格子７の周期
はΛ1 であり、回折格子５の周期はΛ2 と設定する。こ
の時、発振波長１．５５μｍに対する領域１の等価屈折
率をｎeq1 、領域２の等価屈折率をｎeq2 とすると、 ｎeq1 Λ1 ＝ｎeq2 Λ2 の関係を満足するように設定する。この後、回折格子パ
ターン５、７を用いて、通常のウエットエッチング等を
使って、ｎ−ＩｎＰ基板１に、領域１、領域２ともに深
さ６０ｎｍの回折格子を形成する。このような、回折格
子を形成することで、領域１と領域２の回折格子を用い
た分布反射器のブラッグ波長を等しくすることができ、
さらに領域１の分布反射器の光結合係数κ1 を領域２の
分布反射器の光結合係数κ2 の１／２に設定することが
できる。この回折格子５，７が形成された基板上へ、図
３（ｂ）に示すように＜０１１＞方向に、ＳｉＯ2 成長
阻止マスク９を、領域１で幅Ｗｍが３０μｍ、領域２で
幅Ｗｍが４μｍとなるように、１．５μｍ幅の開口部
（光導波路領域）を挟んで対向するように形成する。こ
の成長阻止マスク９の形成においては、回折格子５、７
が回折格子描画領域幅Ｗ EB＝９μｍの広い領域に形成さ
れているため、１．５μｍ幅の開口部を簡単に、回折格
子上に配置することができた。次に、このマスクが形成
された基板上にｎ−ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２、ｎ−Ｉ
ｎＰスペーサ層８、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層
３、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰの５層の多重量子
井戸層４、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層３、及びｐ−Ｉ
ｎＰ層１０を選択成長する。この時、開口部に成長され
るＩｎＧａＡｓＰの４元半導体層２及び３の組成は、領
域１と領域２で異なり、領域１では組成波長１．２μ
ｍ、領域２では組成波長１．１μｍとなる。このとき、
領域１の回折格子７の分布反射器の光結合係数は５０ｃ
ｍ -1が得られ、領域２の回折格子５の分布反射器の光結
合係数は１００ｃｍ-1が得られた。更に、多重量子井戸
層４は、領域１では、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸（組成波
長１．６μｍ、層厚７ｎｍ）とＩｎＧａＡｓＰバリア層
（組成波長１．２μｍ、層厚１０ｎｍ）とからなり、利
得ピーク波長を１．５５μｍに設定できた。領域２の多
重量子井戸層４は、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸（組成波長
１．２５μｍ、層厚３ｎｍ）とＩｎＧａＡｓＰバリア層
（組成波長１．２μｍ、層厚５ｎｍ）とからなり、利得
ピーク波長を１．２μｍに設定する事ができた。このよ
うにして、各半導体層を形成した後、成長阻止マスク９
のマスク開口幅Ｗを全領域で６μｍになるように再度形
成し、このマスクを用いて、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層１１
（層厚２．０μｍ）をＭＯＶＰＥで選択成長する。その
後、ＳｉＯ2 膜１５を形成し、上部電極１６、下部電極
１７を通常のスパッタ法等により形成して半導体光素子
を得ることができた。光結合係数５０ｃｍ-1の領域１を
活性領域に、光結合係数１００ｃｍ-1の領域２を受動領
域とする事で、極めて容易に、光の片端面出射が可能で
高効率動作する、高性能な、波長１．５５μｍ帯の分布
反射器（ＤＲ）型半導体レーザを実現する事ができた。
活性領域長２００μｍ、受動領域長２００μｍの素子を
作製したところ、両端面劈開の状態で２５℃において、
発振しきい値電流３．５ｍＡ、片側光出力３５ｍＷ、片
側微分量子効率９０％という良好な特性を得ることがで
きた。
【００１７】実施例２：変調光結合係数を有する分布帰
還（ＤＦＢ）型半導体レーザ 図４（ｃ）は、第二の実施例である変調光結合係数を有
する分布帰還（ＤＦＢ）型半導体レーザの構造を示す図
である。図４（ｃ）において、まずｎ−ＩｎＰ基板１上
に、電子ビーム露光法を用いて、図４（ａ）に示すよう
な回折格子パターンを描画する。このとき、回折格子５
を構成する各ストライプの長さは、光導波方向の位置に
よって変化させており、回折格子を用いた分布反射器の
光結合係数が、光導波方向の位置によってκ1 〜κ5 の
範囲で変化するように設定する。また、光導波方向と垂
直方向には、光導波路幅Ｗ＝１．５μｍの周期で６周
期、すなわちＷEB＝９μｍの回折格子描画領域に描画
し、光導波方向については、周期をΛ1 と設定する。そ
の後、通常のウエットエッチング等を使って、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１に、深さ５０ｎｍの回折格子５を形成する。次
に、この回折格子５が形成された基板上へ、図４（ｂ）
に示すように＜０１１＞方向に、マスク幅Ｗm ＝１５μ
ｍのＳｉＯ2 成長阻止マスク９を、１．５μｍ幅の開口
部（光導波路領域）を挟んで対向するように形成する。
そして、このマスクを用いて、１．５μｍ幅の開口部に
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２、ｎ−ＩｎＰスペーサ層
８、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層３、ＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＧａＡｓＰの５層の多重量子井戸層４、ＩｎＧａＡ
ｓＰ光閉じ込め層３、及びｐ−ＩｎＰ層１０を選択成長
する。このとき、ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２、３の組成
波長は１．２μｍであり、多重量子井戸層４は、ＩｎＧ
ａＡｓＰ量子井戸（組成波長１．６μｍ、層厚７ｎｍ）
とＩｎＧａＡｓＰバリア層（組成波長１．２μｍ、層厚
１０ｎｍ）とからなり、量子井戸の利得ピーク波長を
１．５５μｍに設定できた。その結果、回折格子５を用
いた分布反射器の光結合係数κは、光導波方向の位置
で、κ1 ＝５ｃｍ-1、κ2 ＝１０ｃｍ-1、κ3 ＝１５ｃ
ｍ-1、κ4 ＝２０ｃｍ-1、κ5 ＝２５ｃｍ-1と設定する
ことができた。次に、成長阻止マスク９のマスク幅を全
領域で４μｍに、マスク開口幅を全領域で６μｍになる
ように再度形成し、このマスクを用いて、層厚２．０μ
ｍのｐ−ＩｎＰ埋め込み層１１をＭＯＶＰＥで選択成長
する。その後、上部電極１６、下部電極１７を通常のス
パッタ法等により形成して変調光結合係数を有する分布
帰還（ＤＦＢ）型半導体レーザを得ることができた。こ
うして作製した素子長３００μｍのＤＦＢレーザは、共
振器中央で光結合係数が小さく、両端部で大きいため、
高出力時に問題となる軸方向空間ホールバーニングの影
響を低減することができ、従来、両端面劈開の状態で室
温２５℃で光出力１５ｍＷ程度で縦モードの飛び、及び
光出力の飽和が生じていたものが、光出力３０ｍＷまで
単一軸モードで出力飽和のない特性を達成する事ができ
た。
還（ＤＦＢ）型半導体レーザ 図４（ｃ）は、第二の実施例である変調光結合係数を有
する分布帰還（ＤＦＢ）型半導体レーザの構造を示す図
である。図４（ｃ）において、まずｎ−ＩｎＰ基板１上
に、電子ビーム露光法を用いて、図４（ａ）に示すよう
な回折格子パターンを描画する。このとき、回折格子５
を構成する各ストライプの長さは、光導波方向の位置に
よって変化させており、回折格子を用いた分布反射器の
光結合係数が、光導波方向の位置によってκ1 〜κ5 の
範囲で変化するように設定する。また、光導波方向と垂
直方向には、光導波路幅Ｗ＝１．５μｍの周期で６周
期、すなわちＷEB＝９μｍの回折格子描画領域に描画
し、光導波方向については、周期をΛ1 と設定する。そ
の後、通常のウエットエッチング等を使って、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１に、深さ５０ｎｍの回折格子５を形成する。次
に、この回折格子５が形成された基板上へ、図４（ｂ）
に示すように＜０１１＞方向に、マスク幅Ｗm ＝１５μ
ｍのＳｉＯ2 成長阻止マスク９を、１．５μｍ幅の開口
部（光導波路領域）を挟んで対向するように形成する。
そして、このマスクを用いて、１．５μｍ幅の開口部に
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２、ｎ−ＩｎＰスペーサ層
８、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層３、ＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＧａＡｓＰの５層の多重量子井戸層４、ＩｎＧａＡ
ｓＰ光閉じ込め層３、及びｐ−ＩｎＰ層１０を選択成長
する。このとき、ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２、３の組成
波長は１．２μｍであり、多重量子井戸層４は、ＩｎＧ
ａＡｓＰ量子井戸（組成波長１．６μｍ、層厚７ｎｍ）
とＩｎＧａＡｓＰバリア層（組成波長１．２μｍ、層厚
１０ｎｍ）とからなり、量子井戸の利得ピーク波長を
１．５５μｍに設定できた。その結果、回折格子５を用
いた分布反射器の光結合係数κは、光導波方向の位置
で、κ1 ＝５ｃｍ-1、κ2 ＝１０ｃｍ-1、κ3 ＝１５ｃ
ｍ-1、κ4 ＝２０ｃｍ-1、κ5 ＝２５ｃｍ-1と設定する
ことができた。次に、成長阻止マスク９のマスク幅を全
領域で４μｍに、マスク開口幅を全領域で６μｍになる
ように再度形成し、このマスクを用いて、層厚２．０μ
ｍのｐ−ＩｎＰ埋め込み層１１をＭＯＶＰＥで選択成長
する。その後、上部電極１６、下部電極１７を通常のス
パッタ法等により形成して変調光結合係数を有する分布
帰還（ＤＦＢ）型半導体レーザを得ることができた。こ
うして作製した素子長３００μｍのＤＦＢレーザは、共
振器中央で光結合係数が小さく、両端部で大きいため、
高出力時に問題となる軸方向空間ホールバーニングの影
響を低減することができ、従来、両端面劈開の状態で室
温２５℃で光出力１５ｍＷ程度で縦モードの飛び、及び
光出力の飽和が生じていたものが、光出力３０ｍＷまで
単一軸モードで出力飽和のない特性を達成する事ができ
た。
【００１８】実施例３：分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）型
モード同期半導体レーザ 図５（ｃ）は、第三の実施例である分布ブラッグ反射
（ＤＢＲ）型モード同期半導体レーザの構造を示す図で
ある。レーザは、３つの領域から構成されている。図５
（ｃ）において、まずｎ−ＩｎＰ基板１上に、電子ビー
ム露光法を用いて、図５（ａ）に示すような回折格子パ
ターンを、領域３のみに描画する。この時、回折格子５
のストライプ長さｌ1 は光導波路幅Ｗ＝１．５μｍの１
／５の長さであり、光導波方向と垂直方向には、光導波
路幅Ｗの周期で６周期、すなわち９μｍの幅の領域に描
画する。また、光導波方向の周期はΛ1 である。その
後、この回折格子パターンをマスクとして、通常のウエ
ットエッチング等で、ｎ−ＩｎＰ基板１を深さ５０ｎｍ
エッチングし、図５（ｃ）のような回折格子５を形成す
る。この回折格子５が形成された基板上へ、図５（ｂ）
に示すように＜０１１＞方向に、ＳｉＯ2 成長阻止マス
ク９を、領域１で幅Ｗｍが３０μｍ、領域２及び３で幅
Ｗｍが１０μｍとなるように、１．５μｍ幅の開口部
（光導波路領域）を挟んで対向するように形成する。こ
の成長阻止マスク９の形成においては、回折格子５が幅
９μｍの広い領域に形成されているため、１．５μｍ幅
の開口部を簡単に、回折格子５上に配置することができ
た。次に、このＳｉＯ2 マスク９が形成された基板上に
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２、ｎ−ＩｎＰスペーサ層
８、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層３、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓＰの７層の多重量子井戸層４、ＩｎＧ
ａＡｓＰ光閉じ込め層３、及びｐ−ＩｎＰ層１０を選択
成長する。この時、開口部に成長されるＩｎＧａＡｓＰ
の４元半導体層２及び３の組成は、領域１と領域２及び
３で異なり、領域１では組成波長１．２５μｍ、領域２
及び３では組成波長１．１８μｍとなる。このとき、領
域３の回折格子５の分布反射器の光結合係数κは１０ｃ
ｍ-1が得られた。更に、多重量子井戸層４は、領域１で
は、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸（組成波長１．６μｍ、層
厚７ｎｍ）とＩｎＧａＡｓＰバリア層（組成波長１．２
５μｍ、層厚１０ｎｍ）とからなり、利得ピーク波長を
１．５５μｍに設定できた。領域２及び３の多重量子井
戸層４は、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸（組成波長１．２３
μｍ、層厚３ｎｍ）とＩｎＧａＡｓＰバリア層（組成波
長１．１８μｍ、層厚５ｎｍ）とからなり、利得ピーク
波長を１．２１μｍに設定する事ができた。このように
して、各半導体層を形成した後、更に２回のＭＯＶＰＥ
を用いて、Ｆｅ−ＩｎＰ電流ブロック層を形成し、その
後、ＳｉＯ2 膜１５を形成し、上部電極１６、下部電極
１７を通常のスパッタ法等により形成して半導体光素子
を得ることができた。領域１を活性領域、領域２を受動
領域、領域３をＤＢＲ領域とすることで、極めて容易
に、波長１．５５μｍ帯の分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）
型モード同期半導体レーザを実現することができた。活
性領域長７００μｍ、受動領域長４２００μｍ、ＤＢＲ
領域長６００μｍの素子を作製したところ、発振しきい
値電流２０ｍＡで、８．５ＧＨｚでモード同期し、幅１
９ｐｓのパルス発生という良好な特性を得ることができ
た。また、本発明の回折格子パターン（図５（ａ））を
用いることで、通常の深さ（５０ｎｍ）の回折格子５で
簡単に、非常に弱い光結合係数κ＝１０ｃｍ-1を実現す
ることができ、分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）型モード同
期半導体レーザに必要な、弱い光結合係数を有する回折
格子を形成するプロセスの再現性が著しく向上し、素子
の歩留まり９０％を得ることができた。
モード同期半導体レーザ 図５（ｃ）は、第三の実施例である分布ブラッグ反射
（ＤＢＲ）型モード同期半導体レーザの構造を示す図で
ある。レーザは、３つの領域から構成されている。図５
（ｃ）において、まずｎ−ＩｎＰ基板１上に、電子ビー
ム露光法を用いて、図５（ａ）に示すような回折格子パ
ターンを、領域３のみに描画する。この時、回折格子５
のストライプ長さｌ1 は光導波路幅Ｗ＝１．５μｍの１
／５の長さであり、光導波方向と垂直方向には、光導波
路幅Ｗの周期で６周期、すなわち９μｍの幅の領域に描
画する。また、光導波方向の周期はΛ1 である。その
後、この回折格子パターンをマスクとして、通常のウエ
ットエッチング等で、ｎ−ＩｎＰ基板１を深さ５０ｎｍ
エッチングし、図５（ｃ）のような回折格子５を形成す
る。この回折格子５が形成された基板上へ、図５（ｂ）
に示すように＜０１１＞方向に、ＳｉＯ2 成長阻止マス
ク９を、領域１で幅Ｗｍが３０μｍ、領域２及び３で幅
Ｗｍが１０μｍとなるように、１．５μｍ幅の開口部
（光導波路領域）を挟んで対向するように形成する。こ
の成長阻止マスク９の形成においては、回折格子５が幅
９μｍの広い領域に形成されているため、１．５μｍ幅
の開口部を簡単に、回折格子５上に配置することができ
た。次に、このＳｉＯ2 マスク９が形成された基板上に
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２、ｎ−ＩｎＰスペーサ層
８、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層３、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓＰの７層の多重量子井戸層４、ＩｎＧ
ａＡｓＰ光閉じ込め層３、及びｐ−ＩｎＰ層１０を選択
成長する。この時、開口部に成長されるＩｎＧａＡｓＰ
の４元半導体層２及び３の組成は、領域１と領域２及び
３で異なり、領域１では組成波長１．２５μｍ、領域２
及び３では組成波長１．１８μｍとなる。このとき、領
域３の回折格子５の分布反射器の光結合係数κは１０ｃ
ｍ-1が得られた。更に、多重量子井戸層４は、領域１で
は、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸（組成波長１．６μｍ、層
厚７ｎｍ）とＩｎＧａＡｓＰバリア層（組成波長１．２
５μｍ、層厚１０ｎｍ）とからなり、利得ピーク波長を
１．５５μｍに設定できた。領域２及び３の多重量子井
戸層４は、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸（組成波長１．２３
μｍ、層厚３ｎｍ）とＩｎＧａＡｓＰバリア層（組成波
長１．１８μｍ、層厚５ｎｍ）とからなり、利得ピーク
波長を１．２１μｍに設定する事ができた。このように
して、各半導体層を形成した後、更に２回のＭＯＶＰＥ
を用いて、Ｆｅ−ＩｎＰ電流ブロック層を形成し、その
後、ＳｉＯ2 膜１５を形成し、上部電極１６、下部電極
１７を通常のスパッタ法等により形成して半導体光素子
を得ることができた。領域１を活性領域、領域２を受動
領域、領域３をＤＢＲ領域とすることで、極めて容易
に、波長１．５５μｍ帯の分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）
型モード同期半導体レーザを実現することができた。活
性領域長７００μｍ、受動領域長４２００μｍ、ＤＢＲ
領域長６００μｍの素子を作製したところ、発振しきい
値電流２０ｍＡで、８．５ＧＨｚでモード同期し、幅１
９ｐｓのパルス発生という良好な特性を得ることができ
た。また、本発明の回折格子パターン（図５（ａ））を
用いることで、通常の深さ（５０ｎｍ）の回折格子５で
簡単に、非常に弱い光結合係数κ＝１０ｃｍ-1を実現す
ることができ、分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）型モード同
期半導体レーザに必要な、弱い光結合係数を有する回折
格子を形成するプロセスの再現性が著しく向上し、素子
の歩留まり９０％を得ることができた。
【００１９】本発明の実施例２では、回折格子５を用い
た分布反射器の光結合係数κを、光導波方向で、κ1 、
κ2 、κ3 、κ4 、κ5 、κ4 、κ3 、κ2 、κ1 と９
段階に変調させた分布帰還（ＤＦＢ）型半導体レーザの
例を示したが、実施例２の回折格子５のストライプ長さ
を、より細かく変化させて、光結合係数κをより多段階
に変調させた半導体光素子に対しても、本発明は有効で
ある。
た分布反射器の光結合係数κを、光導波方向で、κ1 、
κ2 、κ3 、κ4 、κ5 、κ4 、κ3 、κ2 、κ1 と９
段階に変調させた分布帰還（ＤＦＢ）型半導体レーザの
例を示したが、実施例２の回折格子５のストライプ長さ
を、より細かく変化させて、光結合係数κをより多段階
に変調させた半導体光素子に対しても、本発明は有効で
ある。
【００２０】本発明は、光導波方向に屈折率を変調させ
た回折格子だけでなく、利得及び損失を変調させる回折
格子の場合にも適用でき、例えば、利得（損失）結合型
ＤＦＢレーザ等へも適用可能である。また、本発明は、
ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系以外の材料、例えばＩｎＧａ
ＡｓＮ／ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系等の材料を用いた光集積素子及び、それを実現する
選択成長においても有効である。また、本発明では、Ｓ
ｉＯ2 マスクの開口幅を１．５μｍとして光導波路を選
択成長で形成する方法について述べたが、選択成長のＳ
ｉＯ2 マスクの開口幅をもっと広くした選択成長法に対
しても有効である。
た回折格子だけでなく、利得及び損失を変調させる回折
格子の場合にも適用でき、例えば、利得（損失）結合型
ＤＦＢレーザ等へも適用可能である。また、本発明は、
ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系以外の材料、例えばＩｎＧａ
ＡｓＮ／ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系等の材料を用いた光集積素子及び、それを実現する
選択成長においても有効である。また、本発明では、Ｓ
ｉＯ2 マスクの開口幅を１．５μｍとして光導波路を選
択成長で形成する方法について述べたが、選択成長のＳ
ｉＯ2 マスクの開口幅をもっと広くした選択成長法に対
しても有効である。
【００２１】
【発明の効果】本発明による半導体光素子およびその製
造方法は、均一な周期、深さの回折格子を用いて、光結
合係数κの光導波方向での変調ができ、λ／４シフトＤ
ＦＢレーザ、ＤＲレーザ、ＤＢＲレーザ、ＳＳＧ−ＤＢ
Ｒレーザ等を作製する上で非常に有望である。従来、こ
のような回折格子分布反射器を有する光素子構造を作製
する場合には、結晶成長とエッチングプロセスを組み合
わせた複雑な作製プロセスを必要としたが、本発明では
作製プロセスを大幅に簡単化できる利点がある。更に、
本発明による半導体光素子は、光結合係数が変調されて
いる場合にも分布反射器を構成している半導体層が連続
した層で接続されているため、各領域間の光結合効率を
ほぼ１００％とできる利点がある。
造方法は、均一な周期、深さの回折格子を用いて、光結
合係数κの光導波方向での変調ができ、λ／４シフトＤ
ＦＢレーザ、ＤＲレーザ、ＤＢＲレーザ、ＳＳＧ−ＤＢ
Ｒレーザ等を作製する上で非常に有望である。従来、こ
のような回折格子分布反射器を有する光素子構造を作製
する場合には、結晶成長とエッチングプロセスを組み合
わせた複雑な作製プロセスを必要としたが、本発明では
作製プロセスを大幅に簡単化できる利点がある。更に、
本発明による半導体光素子は、光結合係数が変調されて
いる場合にも分布反射器を構成している半導体層が連続
した層で接続されているため、各領域間の光結合効率を
ほぼ１００％とできる利点がある。
【図１】本発明のストライプ状回折格子の説明図であ
る。
る。
【図２】規格化したストライプ長さに対する回折格子の
規格化光結合係数の依存性の実験結果を示すグラフであ
る。
規格化光結合係数の依存性の実験結果を示すグラフであ
る。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の実施例
１の説明図である。
１の説明図である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の実施例
２の説明図である。
２の説明図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の実施例
３の説明図である。
３の説明図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は従来の半導体光素子の製
法を示す軸方向断面模式図である。
法を示す軸方向断面模式図である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は従来の回折格子の製法を
示す説明図である。
示す説明図である。
１ ＩｎＰ半導体基板 ２、３ 光導波層 ４ 利得発生層を含む光導波層 ５、７ 回折格子 ８ ＩｎＰスペーサ層 ９ ＳｉＯ2 マスク １０ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １５ ＳｉＯ2 １６ 上部電極 １７ 下部電極 ５５ 櫛状回折格子
Claims (6)
- 【請求項１】 光導波方向に垂直なストライプからなる
回折格子を有する半導体光素子において、該ストライプ
の長さが、光導波路内において光導波方向の任意の位置
で変化していることを特徴とする半導体光素子。 - 【請求項２】 前記の半導体光素子において、前記スト
ライプの長さは光導波路幅以下であり、ストライプが光
導波方向に対して垂直方向に、光導波路幅よりも短い周
期で、光導波路幅よりも二倍以上広い領域に渡って周期
的に形成されている、請求項１に記載の半導体光素子。 - 【請求項３】 半導体基板上に、光導波方向に垂直なス
トライプからなる回折格子を形成する工程と、該回折格
子に接する光導波層を形成する工程を含む半導体光素子
の製造方法において、該ストライプは、ＥＢ露光法によ
り、光導波路幅以下の長さで断片的に描画することを特
徴とする半導体光素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記の半導体光素子の製造方法におい
て、前記光導波層を形成する工程は、前記半導体基板上
に、光導波方向の任意の位置で幅の変化した対向する一
対の誘電体薄膜を形成し、該誘電体薄膜に挟まれた光導
波路領域に光導波層を選択的に結晶成長する、請求項３
に記載の半導体光素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記の半導体光素子の製造方法におい
て、前記光導波路領域の幅が１０μｍ以下である、請求
項４に記載の半導体光素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記の半導体光素子の製造方法におい
て、半導体基板がＩｎＰであり、結晶成長時に用いるII
I 族原料が、Ｇａ、Ｉｎ、またはＡｌを含む有機金属で
あり、Ｖ族原料が、Ａｓ、Ｐ、またはＮを含んでいる、
請求項３〜５のうち、いずれか１項に記載の半導体光素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07373897A JP3251191B2 (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 光通信に用いる半導体光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07373897A JP3251191B2 (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 光通信に用いる半導体光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270789A true JPH10270789A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3251191B2 JP3251191B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=13526890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07373897A Expired - Fee Related JP3251191B2 (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 光通信に用いる半導体光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3251191B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001079915A3 (en) * | 2000-04-18 | 2002-08-08 | Univ Manitoba | Diffraction grating in the whispering gallery mount |
| CN102378933A (zh) * | 2009-03-31 | 2012-03-14 | 英特尔公司 | 窄表面波纹光栅 |
-
1997
- 1997-03-26 JP JP07373897A patent/JP3251191B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001079915A3 (en) * | 2000-04-18 | 2002-08-08 | Univ Manitoba | Diffraction grating in the whispering gallery mount |
| CN102378933A (zh) * | 2009-03-31 | 2012-03-14 | 英特尔公司 | 窄表面波纹光栅 |
| JP2012517030A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-07-26 | インテル コーポレイション | 狭小表面波形格子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3251191B2 (ja) | 2002-01-28 |
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