JPH06196798A - 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH06196798A JPH06196798A JP42A JP29285192A JPH06196798A JP H06196798 A JPH06196798 A JP H06196798A JP 42 A JP42 A JP 42A JP 29285192 A JP29285192 A JP 29285192A JP H06196798 A JPH06196798 A JP H06196798A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2077—Methods of obtaining the confinement using lateral bandgap control during growth, e.g. selective growth, mask induced
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＤＦＢレーザの共振器内の軸方向光強度分布
を均一にすることにより空間的ホールバーニングを低減
し、電流−光出力特例の直線性を改善し、優れた歪特性
のアナログ光通信用ＤＦＢレーザを実現する。 【構成】 表面に回折格子４を有するｎ−ＩｎＰ基板１
上に中央に開口部をもち共振器方向の中央部で幅が狭
く、端面部で幅の広いＳｉＯ2 マスクを形成し、ＭＯＶ
ＰＥ選択成長により、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２
を選択成長する。ＳｉＯ2 パターン幅の広い部分はＩｎ
ＧａＡｓＰの組成は長波長に、パターン幅の狭い分は短
波長になるので、光ガイド層の屈折率は共振器の両端部
で大きく中央部分で小さくなる。従って回折格子の結合
係数κは共振器の両端で大きく、中央部分で小さくな
る。この後ＳｉＯ2 マスクを除去し、活性層３を有する
ＤＨ構造を形成し、ＤＦＢレーザを製作する。
を均一にすることにより空間的ホールバーニングを低減
し、電流−光出力特例の直線性を改善し、優れた歪特性
のアナログ光通信用ＤＦＢレーザを実現する。 【構成】 表面に回折格子４を有するｎ−ＩｎＰ基板１
上に中央に開口部をもち共振器方向の中央部で幅が狭
く、端面部で幅の広いＳｉＯ2 マスクを形成し、ＭＯＶ
ＰＥ選択成長により、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２
を選択成長する。ＳｉＯ2 パターン幅の広い部分はＩｎ
ＧａＡｓＰの組成は長波長に、パターン幅の狭い分は短
波長になるので、光ガイド層の屈折率は共振器の両端部
で大きく中央部分で小さくなる。従って回折格子の結合
係数κは共振器の両端で大きく、中央部分で小さくな
る。この後ＳｉＯ2 マスクを除去し、活性層３を有する
ＤＨ構造を形成し、ＤＦＢレーザを製作する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信用のや光情報処理
用の半導体レーザに関し、特に低歪特性を持つ分布帰還
化半導体レーザおよびその製造方法に関する。
用の半導体レーザに関し、特に低歪特性を持つ分布帰還
化半導体レーザおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＡＴＶ等のサブキャリア多重光伝送な
どに用いられるアナログ光変調用光源には、低歪特性の
分布帰還型半導体レーザが要求される。分布帰還型半導
体レーザの相互変調歪はレーザの電流−光出力特性の線
形性に大きく関係している。従来用いられてきた分布帰
還型半導体レーザでは共振器方向の電界強度の不均一度
が大きいことにより電流−光出力特性の線形性が悪く、
このためにアナログ変調時に良好な歪特性が得られなか
った。
どに用いられるアナログ光変調用光源には、低歪特性の
分布帰還型半導体レーザが要求される。分布帰還型半導
体レーザの相互変調歪はレーザの電流−光出力特性の線
形性に大きく関係している。従来用いられてきた分布帰
還型半導体レーザでは共振器方向の電界強度の不均一度
が大きいことにより電流−光出力特性の線形性が悪く、
このためにアナログ変調時に良好な歪特性が得られなか
った。
【０００３】ここで従来の分布帰還型半導体レーザ（Ｄ
ＦＢレーザ）について簡単に説明する。従来のＤＦＢレ
ーザはディジタル変調を目的にしたものがほとんどであ
る。また単一軸モード発振させるために、端面にコーテ
ィングを施し、両端面の反射率を非対称にしたり、ある
いは回折格子の途中に位相シフト領域を設けた位相シフ
トＤＦＢレーザが開発されている。
ＦＢレーザ）について簡単に説明する。従来のＤＦＢレ
ーザはディジタル変調を目的にしたものがほとんどであ
る。また単一軸モード発振させるために、端面にコーテ
ィングを施し、両端面の反射率を非対称にしたり、ある
いは回折格子の途中に位相シフト領域を設けた位相シフ
トＤＦＢレーザが開発されている。
【０００４】しかしこのようなＤＦＢレーザにおいても
キャリア分布が不均一なため電流−光出力特性の線形性
は悪かった。例えば位相シフト型ＤＦＢレーザでは位相
シフト領域に電界が集中するため、そこでキャリア分布
のホールバーニングがおこり、電流に対してスーパーリ
ニアな光出力特性となる場合が多かった。
キャリア分布が不均一なため電流−光出力特性の線形性
は悪かった。例えば位相シフト型ＤＦＢレーザでは位相
シフト領域に電界が集中するため、そこでキャリア分布
のホールバーニングがおこり、電流に対してスーパーリ
ニアな光出力特性となる場合が多かった。
【０００５】この対策として、回折格子の溝の深さや
形、あるいは幅等を共振器方向（光が伝播する方向）に
変化させたものが提案された。例えば、特開平２−９０
６８８号公報、特開平２−１７２２８９号公報、特開平
３−１１０８８５号公報、特開平２−２００８７号公
報、特開平２−２８１６８１号公報等がある。
形、あるいは幅等を共振器方向（光が伝播する方向）に
変化させたものが提案された。例えば、特開平２−９０
６８８号公報、特開平２−１７２２８９号公報、特開平
３−１１０８８５号公報、特開平２−２００８７号公
報、特開平２−２８１６８１号公報等がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の非対称コーティ
ングのＤＦＢレーザや位相シフトＤＦＢレーザでは共振
器内の軸方向の電界分布が不均一であり、電流−光出力
の直線性が悪く、アナログを光通信用として用いること
はできなかった。
ングのＤＦＢレーザや位相シフトＤＦＢレーザでは共振
器内の軸方向の電界分布が不均一であり、電流−光出力
の直線性が悪く、アナログを光通信用として用いること
はできなかった。
【０００７】アナログ光通信用のＤＦＢレーザには優れ
た低歪特性が求められている。特にＣＡＴＶ用ＤＦＢレ
ーザでは４２チャンネルのサブキャリア多重伝送におい
てＣＳＯ≦−６０ｄＢｃ，ＣＴＢ≦−６５ｄＢｃという
厳しい低歪特性を満足しなければならない。
た低歪特性が求められている。特にＣＡＴＶ用ＤＦＢレ
ーザでは４２チャンネルのサブキャリア多重伝送におい
てＣＳＯ≦−６０ｄＢｃ，ＣＴＢ≦−６５ｄＢｃという
厳しい低歪特性を満足しなければならない。
【０００８】本発明の目的は安定した単一軸モード発振
と、電流−光出力特性の直線性の良い低歪特性とを兼ね
備えたアナログ通信用ＤＦＢレーザ及び歩留りに優れた
レーザの製造方法を提供することにある。
と、電流−光出力特性の直線性の良い低歪特性とを兼ね
備えたアナログ通信用ＤＦＢレーザ及び歩留りに優れた
レーザの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも光
ガイド層、活性層、グレーティングを有し、前記光ガイ
ド層のバンドギャップ波長が、共振器方向で中央部分か
ら共振器端面に近づくにつれて長波長となっていること
を特徴とする分布帰還型半導体レーザである。
ガイド層、活性層、グレーティングを有し、前記光ガイ
ド層のバンドギャップ波長が、共振器方向で中央部分か
ら共振器端面に近づくにつれて長波長となっていること
を特徴とする分布帰還型半導体レーザである。
【００１０】本発明の製造方法は、グレーティングを有
する半導体表面上に、ストライプ状の開口部を有し、全
体の幅が共振器の両端部分で広く、中央部分で狭いパタ
ーンの絶縁膜を形成する工程と、気相成長法により前記
ストライプ状の開口部に光ガイド層を選択成長する工程
と、前記絶縁膜を除去し、活性層、クラッド層を含む半
導体層を成長する工程と、少なくとも１つのｐ型電極と
ｎ型電極をそれぞれ形成する工程とを有することを特徴
とする。
する半導体表面上に、ストライプ状の開口部を有し、全
体の幅が共振器の両端部分で広く、中央部分で狭いパタ
ーンの絶縁膜を形成する工程と、気相成長法により前記
ストライプ状の開口部に光ガイド層を選択成長する工程
と、前記絶縁膜を除去し、活性層、クラッド層を含む半
導体層を成長する工程と、少なくとも１つのｐ型電極と
ｎ型電極をそれぞれ形成する工程とを有することを特徴
とする。
【００１１】
【作用】図１を用いて本発明の原理について説明する。
図１（ａ）は本発明の分布帰還型半導体レーザの共振器
方向に沿った断面模式図であり、回折格子４の上に光ガ
イド層２と活性層３が形成されている。図１（ｂ）は本
発明の特徴である、光ガイド層２の共振器方向の組成分
布を示すものであり、組成をバンドギャップ波長λｇで
示した図である。共振器の中央部分でバンドギャップ波
長が短波長、端面で長波長となるよう設計されている。
図１（ａ）は本発明の分布帰還型半導体レーザの共振器
方向に沿った断面模式図であり、回折格子４の上に光ガ
イド層２と活性層３が形成されている。図１（ｂ）は本
発明の特徴である、光ガイド層２の共振器方向の組成分
布を示すものであり、組成をバンドギャップ波長λｇで
示した図である。共振器の中央部分でバンドギャップ波
長が短波長、端面で長波長となるよう設計されている。
【００１２】図２は本発明を説明する図で均一な回折格
子を有し、両端面の反射率を非対称とした構造の従来の
ＤＦＢレーザと比較した図である。図２（ａ）は光ガイ
ド層の組成の共振器方向の分布を示す図であり、従来は
均一分布であったが、本発明では中央部分でバンドギャ
ップ波長が短波長となるように設定している。この構造
では図２（ｂ）に示すように本発明では、共振器中央部
分でグレーティングの結合係数κが小さく、共振器端面
で大となる。従来構造ではκは共振器内で一定であっ
た。
子を有し、両端面の反射率を非対称とした構造の従来の
ＤＦＢレーザと比較した図である。図２（ａ）は光ガイ
ド層の組成の共振器方向の分布を示す図であり、従来は
均一分布であったが、本発明では中央部分でバンドギャ
ップ波長が短波長となるように設定している。この構造
では図２（ｂ）に示すように本発明では、共振器中央部
分でグレーティングの結合係数κが小さく、共振器端面
で大となる。従来構造ではκは共振器内で一定であっ
た。
【００１３】図２（ｃ）は共振器内部の光強度（Ｅ）分
布を示す図であり、従来構造では非対称な端面反射率に
より、光強度分布は不均一でありそのため図２（ｄ）に
示すように半導体レーザの電流−光出力特性の直線性が
悪かった。このためアナログ変調時の歪の原因となって
いる。
布を示す図であり、従来構造では非対称な端面反射率に
より、光強度分布は不均一でありそのため図２（ｄ）に
示すように半導体レーザの電流−光出力特性の直線性が
悪かった。このためアナログ変調時の歪の原因となって
いる。
【００１４】本発明では光強度分布は均一なので、図２
（ｄ）のように電流−光出力の良好な直線性が得られ
る。
（ｄ）のように電流−光出力の良好な直線性が得られ
る。
【００１５】次に本発明の構造を作製するための方法に
ついて図３を用いて説明する。まずＳｉＯ2 をマスクと
して用いる選択成長についてＩｎＧａＡｓＰ系を例にし
て説明する。
ついて図３を用いて説明する。まずＳｉＯ2 をマスクと
して用いる選択成長についてＩｎＧａＡｓＰ系を例にし
て説明する。
【００１６】図３（ａ）に示すようなパターンのＳｉＯ
2 マスク２１を有するＩｎＰ基板２２上にＩｎＧａＡｓ
Ｐを選択成長する場合、図３（ｂ）に示すようにマスク
パターンの間のストライプ状の開口部分２３に成長する
ＩｎＧａＡｓＰの組成はマスクパターン幅ｄにほぼ比例
してパターン幅の広くなるほど長波長になる。図４にそ
の一例として開口部１．５μｍのときのマスク幅Ｗμｍ
と光ガイド層の組成との関係を示した。一方、ＩｎＧａ
ＡｓＰの屈折率は波長が長波長になる程大きくなるの
で、図３（ｃ）に示すようにパターン幅の広い部分程Ｉ
ｎＧａＡｓＰの屈折率ＩｎＧａＡｓＰの屈折率は大きく
なる。
2 マスク２１を有するＩｎＰ基板２２上にＩｎＧａＡｓ
Ｐを選択成長する場合、図３（ｂ）に示すようにマスク
パターンの間のストライプ状の開口部分２３に成長する
ＩｎＧａＡｓＰの組成はマスクパターン幅ｄにほぼ比例
してパターン幅の広くなるほど長波長になる。図４にそ
の一例として開口部１．５μｍのときのマスク幅Ｗμｍ
と光ガイド層の組成との関係を示した。一方、ＩｎＧａ
ＡｓＰの屈折率は波長が長波長になる程大きくなるの
で、図３（ｃ）に示すようにパターン幅の広い部分程Ｉ
ｎＧａＡｓＰの屈折率ＩｎＧａＡｓＰの屈折率は大きく
なる。
【００１７】ところで本発明の分布帰還型レーザは、こ
のような選択成長により形成するＩｎＧａＡｓＰ光ガイ
ド層を有するため、マスクパターン幅の広い共振器端面
では光ガイド層の屈折率が大きく、パターン幅の狭い中
央部分では屈折率は小さくなる。従って、回折格子との
結合係数κは、共振器の中央部分では小さく端面付近で
大きくなる。
のような選択成長により形成するＩｎＧａＡｓＰ光ガイ
ド層を有するため、マスクパターン幅の広い共振器端面
では光ガイド層の屈折率が大きく、パターン幅の狭い中
央部分では屈折率は小さくなる。従って、回折格子との
結合係数κは、共振器の中央部分では小さく端面付近で
大きくなる。
【００１８】このようにκの分布を最適化することによ
り、光共振器内部の光強度分布が均一となり、空間的ホ
ールバーニングの影響を受けにくくなるので、電流−光
出力特性の直線性は良くなる。
り、光共振器内部の光強度分布が均一となり、空間的ホ
ールバーニングの影響を受けにくくなるので、電流−光
出力特性の直線性は良くなる。
【００１９】更に、中央部分では光ガイド層の等価屈折
率は端面付近に比べ小さいので、光共振器内での光の波
長は、中央部分で長くなり、実質的に位相シフトを導入
したのもと等価な効果が得られる。位相シフト量をλ／
４とすることにより、安定な単一軸モード発振を得るこ
とができる。
率は端面付近に比べ小さいので、光共振器内での光の波
長は、中央部分で長くなり、実質的に位相シフトを導入
したのもと等価な効果が得られる。位相シフト量をλ／
４とすることにより、安定な単一軸モード発振を得るこ
とができる。
【００２０】
【実施例】本発明の分布帰還型レーザについて詳細に説
明する。
明する。
【００２１】まず図６、図７を用いて製造方法を説明す
る。はじめにｎ−ＩｎＰ基板１上に光干渉露光法により
均一な回折格子４を形成する。
る。はじめにｎ−ＩｎＰ基板１上に光干渉露光法により
均一な回折格子４を形成する。
【００２２】次に図６（ａ）に示すように、幅１．５μ
ｍのストライプ状の開口部６をもつＳｉＯ2 マスク５を
ｎ−ＩｎＰ基板１上に形成する。マスク５の幅は中央部
で２μｍ、端面部で５μｍとした。
ｍのストライプ状の開口部６をもつＳｉＯ2 マスク５を
ｎ−ＩｎＰ基板１上に形成する。マスク５の幅は中央部
で２μｍ、端面部で５μｍとした。
【００２３】次に図６（ｂ）に示したように減圧ＭＯＶ
ＰＥ法による選択成長によりＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層
２を形成する。
ＰＥ法による選択成長によりＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層
２を形成する。
【００２４】次に図６（ｃ）（ｄ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ2 マスク５を除去した後、更にｎ−ＩｎＰスペーサ層
７（層厚０．０４μｍ）、多重量子井戸（ＭＱＷ）活性
層３（ＩｎＧａＡｓＰウェル（λｇ＝１．４０μｍ）、
６２オングストローム、ＩｎＧａＡｓＰバリア（λｇ＝
１．１３μｍ）、１００オングストローム、ウェル数
７）、ｐ−ＩｎＰクラッド層８（層厚０．７μｍ）を成
長する。
Ｏ2 マスク５を除去した後、更にｎ−ＩｎＰスペーサ層
７（層厚０．０４μｍ）、多重量子井戸（ＭＱＷ）活性
層３（ＩｎＧａＡｓＰウェル（λｇ＝１．４０μｍ）、
６２オングストローム、ＩｎＧａＡｓＰバリア（λｇ＝
１．１３μｍ）、１００オングストローム、ウェル数
７）、ｐ−ＩｎＰクラッド層８（層厚０．７μｍ）を成
長する。
【００２５】次に図７（ａ）に示すように、液相エピタ
キシャル成長（ＬＰＥ）により、ｐ−ＩｎＰ層９（層厚
０．３μｍ）、ｎ−ＩｎＰ層１０（層厚０．２μｍ）、
ｐ−ＩｎＰ層１１（層厚０．３μｍ）、ｐ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ層１２（層厚１．０μｍ）を成長し、ＤＣ−ＰＢＨ
構造を形成する。メサ電極を作製するためのエッチング
用マスク１３を形成する。
キシャル成長（ＬＰＥ）により、ｐ−ＩｎＰ層９（層厚
０．３μｍ）、ｎ−ＩｎＰ層１０（層厚０．２μｍ）、
ｐ−ＩｎＰ層１１（層厚０．３μｍ）、ｐ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ層１２（層厚１．０μｍ）を成長し、ＤＣ−ＰＢＨ
構造を形成する。メサ電極を作製するためのエッチング
用マスク１３を形成する。
【００２６】図７（ｂ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板
１に達するまで、エッチングし、図７（ｃ）のように、
エッチングマスク１３を除去した後、絶縁マスク１４を
形成し、メサ部に電極形成用の開口部あけ、メサ電極１
５を形成する。
１に達するまで、エッチングし、図７（ｃ）のように、
エッチングマスク１３を除去した後、絶縁マスク１４を
形成し、メサ部に電極形成用の開口部あけ、メサ電極１
５を形成する。
【００２７】ＩｎＰ基板を約１５０μｍ厚まで研磨し、
電極１６を形成する。共振器長が約３００μｍとなるよ
うにへき開し、図５に全体の斜視図を示した本発明のレ
ーザが完成する。
電極１６を形成する。共振器長が約３００μｍとなるよ
うにへき開し、図５に全体の斜視図を示した本発明のレ
ーザが完成する。
【００２８】製作された素子は電流−光出力特性におい
て良好な直線性が得られ、アナログ変調として最適であ
る。
て良好な直線性が得られ、アナログ変調として最適であ
る。
【００２９】本実施例において、光共振器の中央部分で
光ガイド層の波長が短波長となるように設定した。ここ
でいう中央部分とは、共振器の中央から、その前後の共
振器長の１０％の長さの間にはいる部分をさす。この領
域に最短波長部分があり、端面に向かって長波長となっ
ていれば、本願発明の効果が得られる。
光ガイド層の波長が短波長となるように設定した。ここ
でいう中央部分とは、共振器の中央から、その前後の共
振器長の１０％の長さの間にはいる部分をさす。この領
域に最短波長部分があり、端面に向かって長波長となっ
ていれば、本願発明の効果が得られる。
【００３０】また本実施例ではレーザ端面にコーティン
グを行わなかったが、片面に１％、他方の面に７５％の
反射率のコーティングを施すことにより、発光効率の向
上、または高光出力化することができる。この場合共振
器方向での電界分布は不均一になるが、光ガイド層の組
成の制御により、改善できる。従って、必要な発光効率
と直線性の特性に応じて、光ガイド層の組成と、端面コ
ーティングの反射率を比べれば、高出力特性と直線性の
ともに優れた半導体レーザが得られる。
グを行わなかったが、片面に１％、他方の面に７５％の
反射率のコーティングを施すことにより、発光効率の向
上、または高光出力化することができる。この場合共振
器方向での電界分布は不均一になるが、光ガイド層の組
成の制御により、改善できる。従って、必要な発光効率
と直線性の特性に応じて、光ガイド層の組成と、端面コ
ーティングの反射率を比べれば、高出力特性と直線性の
ともに優れた半導体レーザが得られる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、安定な単一モード発振
と直線性の良い低歪特性の半導体レーザが得られる。ま
た本発明の製造方法では選択成長による光ガイド層の組
成の制御でκを設計できるので歩留り良く、再現性良く
製作することができる。
と直線性の良い低歪特性の半導体レーザが得られる。ま
た本発明の製造方法では選択成長による光ガイド層の組
成の制御でκを設計できるので歩留り良く、再現性良く
製作することができる。
【図１】本発明を説明するための図。（ａ）は共振器方
向の断面図、（ｂ）は光ガイド層の共振器方向のバンド
ギャップ波長分布を示す図。
向の断面図、（ｂ）は光ガイド層の共振器方向のバンド
ギャップ波長分布を示す図。
【図２】本発明の原理を説明するための図。（ａ）は光
ガイド層のλｇの共振器方向の分布を示す図。（ｂ）は
回折格子のκの分布図。（ｃ）は光強度分布図。（ｄ）
は素子の電流−光出力特性を示す図。
ガイド層のλｇの共振器方向の分布を示す図。（ｂ）は
回折格子のκの分布図。（ｃ）は光強度分布図。（ｄ）
は素子の電流−光出力特性を示す図。
【図３】本発明の原理を説明するための図。（ａ）は光
ガイド層の製作工程を上からみた図。（ｂ）は共振器方
向の光ガイド層のλｇ分布を示す図。（ｃ）は光ガイド
層の屈折率分布を示す図。
ガイド層の製作工程を上からみた図。（ｂ）は共振器方
向の光ガイド層のλｇ分布を示す図。（ｃ）は光ガイド
層の屈折率分布を示す図。
【図４】ＳｉＯ2 マスク幅ＷとＩｎＧａＡｓＰ光ガイド
層のバンドギャップ波長の関係を示す図。
層のバンドギャップ波長の関係を示す図。
【図５】本発明の分布帰還型半導体レーザの斜視図。
【図６】本発明のレーザの製造工程を説明するための
図。
図。
【図７】本発明のレーザの製造工程を説明するための
図。
図。
１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２ 光ガイド層 ３ 活性層 ４ 回折格子 ５ マスク ６ 開口部 ７ スペーサ層 ８ クラッド層 ９ ｐ−ＩｎＰ層 １０ ｎ−ＩｎＰ層 １１ ｐ−ＩｎＰ層 １２ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層 １３ マスク １４ 絶縁マスク １５ 電極 １６ 電極 ２１ マスク ２２ 基板 ２３ 開口部
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも光ガイド層と、活性層とグレ
ーティングとを有し、前記光ガイド層のバンドギャップ
波長が、共振器方向で中央部分から共振器端面に近づく
につれて長波長となっていることを特徴とする分布帰還
型半導体レーザ。 - 【請求項２】 グレーティングを有する半導体表面上
に、ストライプ状の開口部を有し、全体の幅が共振器の
両端部分で広く、中央部分で狭いパターンの絶縁膜を形
成する工程と、気相成長法により前記ストライプ状の開
口部に光ガイド層を選択成長する工程と、前記絶縁膜を
除去し、活性層、クラッド層を含む半導体を成長する工
程と、少なくとも１つのｐ型電極とｎ型電極をそれぞれ
形成する工程とを有することを特徴とする分布帰還型半
導体レーザの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4292851A JPH0770789B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 |
| US08/144,038 US5394429A (en) | 1992-10-30 | 1993-11-01 | Distributed-feedback laser with improved analog modulation distortion characteristics and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4292851A JPH0770789B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196798A true JPH06196798A (ja) | 1994-07-15 |
| JPH0770789B2 JPH0770789B2 (ja) | 1995-07-31 |
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ID=17787194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4292851A Expired - Fee Related JPH0770789B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770789B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936496A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Nec Corp | 半導体光素子及びその製造方法 |
| JP2008066620A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2013239572A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Miyachi Technos Corp | レーザ加工装置及びレーザ出力校正方法 |
| JP2018006440A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP4292851A patent/JPH0770789B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936496A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Nec Corp | 半導体光素子及びその製造方法 |
| JP2008066620A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2013239572A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Miyachi Technos Corp | レーザ加工装置及びレーザ出力校正方法 |
| JP2018006440A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770789B2 (ja) | 1995-07-31 |
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