JP2002296457A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
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Abstract
こと。 【解決手段】 光半導体素子10と、光半導体素子10
の発光部または受光部に光結合させる光ファイバ40と
から成り、光ファイバ40の一端部を光半導体素子10
の発光部または受光部の上方に配置するとともに、光フ
ァイバ10の外周部に光半導体素子10に通電するため
の導体膜を形成した光モジュールとする。
Description
信部光源や受信受光部等に使用される光モジュールに関
するものである。
は、伝送媒体である光ファイバと、電気信号と光信号を
光電変換する光半導体素子とを高精度に位置決めした光
伝送コンポーネントである。
変換する受光面を持つ面型フォトダイオードと、電気信
号を光信号に変換する発光素子のうち面発光レーザにつ
いては(以下、総称して面型光半導体素子と呼ぶ)、そ
の実装面と光出射方向が直交するため、光ファイバとの
結合構造に多くの工夫がなされてきた。
ある面発光レーザ101と光ファイバ111の光結合構
造を示したものである(例えば、特開2000−561
81号公報を参照)。図3に示すように、面発光レーザ
101は基板104上に発光部102を上方に向けて実
装され、給電(通電)のための金属ワイヤ108(以
下、ワイヤ)がループを形成して給電(通電)パッド1
03と基板104に形成された電極112とを接続して
いる。面発光レーザ101の実装固定には、基板104
上に高精度で形成したマーカーと面発光レーザ101の
位置を画像処理装置などで観察しながら位置決めするパ
ッシブアライメント工法が用いられる。
は、上部に配された透明なクラッド111bを透過して
コア111aに入射するが、光ファイバ111の端面1
10はその光軸に対して45度の角度で加工されてお
り、その加工面で入射光を反射し光ファイバ111に導
かれる。その時、加工面には反射効率を高くするために
反射膜(図不示)が形成されることがある。
5に保持固定されるが、固定を高精度かつ容易にするた
めに光ファイバ111をV溝(不図示)に沿わせて載置
し、所定の位置に来るよう位置決めして固定される。こ
の時、45度の斜面に加工された光ファイバ端面110
と発光部102に対して正確に対向させることが必要な
ため、光ファイバ111の回転方向の調整も行われる。
この調整は端面110の角度を上部などから観察しなが
ら光ファイバ111全体を回転させる。
合構造は以下に示す問題がある。
ヤ配線が発光部あるいは受光部と同じ方向に形成される
ことから、両者の接触が懸念される。一般に、発光部お
よび受光部と光ファイバの間隔が短いほど両者の結合効
率は高くなる。それにより光信号を高効率に長距離伝送
ができるが、図3に示す構造においては、両者の接触を
避けるために自ずとその最短間隔に制限が生じる。
整することにより、この問題はある程度回避できるが、
面型光半導体素子の実装構造や配線構造、および光ファ
イバの載置構造の自由度が下がる。ひいては所望の動作
特性を容易に得ることが困難になる。
ループを持たせるが、それによってワイヤが長くなり、
電気的特性にも悪影響を及ぼす。具体的にはワイヤの持
つインダクタンス成分によって電気信号が減衰し、高速
の駆動ができないと。
を要すことが挙げられる。すなわち、上記の実装組立に
おいては、光ファイバと面型光半導体素子の相対位置を
正確に保つために、基板に対する面型光半導体素子の実
装精度、基板に対するファイバ保持基板の固定精度、お
よびファイバ保持基板に対する光ファイバの固定精度、
それぞれにμmオーダーの高精度実装が要求される。
の相対位置を高精度に保つことが光伝送モジュールにお
いては肝要である。例えば、面発光レーザの場合、その
精度は多モード光ファイバで約15μm、単一モード光
ファイバで約2μmが要求される。上記の三箇所の実装
精度を合計した値をこれらの高精度に収めることは非常
に困難であるので、パッシブアライメントと呼ばれる機
械的位置決めによる簡易な実装方法が成立しない。従っ
て、面型光半導体素子に対し光ファイバの位置を決める
高精度なアライメント操作によって、両者の位置関係を
高精度に保たなければならない。これにより、光モジュ
ールの実装組立コストが高くなる。
の端面を位置合わせする操作は、透明なガラス繊維を上
方から観察しながら位置決めすることであり、一般的に
視認性が低く、その組立に多くの時間を費やすこととな
る。特に、画像認識装置などを用いた自動組立を用いる
ことが難しく、人手に頼った組立を強いられる。45度
に加工した端面に反射膜が形成されていても、上方から
観察すると楕円に見える面の角度を位置合わせすること
は容易ではない。これらの理由によって自ずと光モジュ
ールの実装組立コストを高くする。
高性能な光モジュールを低コストで実現可能な優れた光
モジュールを提供することを目的としている。
決するため本発明による光モジュールは、光半導体素子
と、該光半導体素子の発光部または受光部に光結合させ
る光ファイバとを備えるとともに、前記光ファイバの一
端部を前記光半導体素子の発光部または受光部の上方に
配置し、かつ前記光ファイバの外周部に前記光半導体素
子に通電するための導体膜を形成したことを特徴とす
る。
光半導体素子と、前記光ファイバの外周部に形成した導
体膜に接続する給電(通電)用の配線パターンを形成し
た絶縁性の支持体とを並設したことを特徴としている。
ここで並設とは光半導体素子と支持体が接触して、また
は一定間隔にて配列されていることである。
記光半導体素子に対し位置合わせするパターン形状に形
成されていることを特徴としている。
ァイバの上面側半外周部にのみに形成されていることを
特徴としている。これは光ファイバ上面側の半周以下に
導体膜が形成されており、下面側の半周以上は導体膜が
無いことを指す。
て模式的に図示した図面に基づき詳細に説明する。
である。(a)は光ファイバが載置固定された状態、
(b)は光ファイバを載置固定する前の状態を示す。図
2は側面図を示す。
るいは受光部(活性領域)12が、その周囲に給電(通
電)用の導体膜である円形電極13とが形成されてい
る。円形電極13はその横に形成された給電(通電)パ
ッド14に接続されており、ここから表面側への給電
(通電)が可能となる。光半導体素子は発光素子として
面発光レーザ、受光素子としてフォトダイオードがあ
る。
れている。基板20上には導体膜による電極21が予め
形成されており、通常はハンダを用いて光半導体素子1
0を固定することによってその裏面側に給電(通電)を
行う。ハンダは融点が280℃の金−錫ハンダが一般的
に用いられ、予め電極21上に形成しておくか、プリフ
ォームとして供給する。あるいはハンダの代わりに導電
性接着剤を用いても良い。導電性接着剤としては微小な
金属粒(金属フィラー)を含んだ樹脂がある。
配置されている。支持体30はセラミックスやガラスな
どの絶縁体で形成されており、その表面に給電(通電)
用の導体膜である電極31が形成されている。図1およ
び図2における支持体30はL字型であり、光半導体素
子10のコーナー15に当接させて固定されている。こ
れによって基板20に対する光半導体素子10の実装精
度が不十分であっても支持体30との位置関係は高精度
になる。支持体30の厚みは光半導体素子10の厚みと
ほぼ同じに設定されている。
対して略45度の傾斜面に加工されている。ガラス製光
ファイバの加工方法は研磨、あるいは劈開であり、光学
面が形成されている。加工面には反射率の仕様に合わせ
て反射膜を施しておいても良い。(不図示)光ファイバ
40の所定の位置には通電用の導体膜42が施されてい
る。導体膜42の材質はニッケルを下地とした金が用い
られる。金は接合性が高い金属であるが、光ファイバを
構成する石英ガラスに直接金を固着させることができな
いため、中間にニッケルを介在させることでガラスの表
面に薄膜状に固着できる。
いて光ファイバ40の全周に渡って形成されており、そ
の中央部42cは後述する理由によって上面側半外周に
形成されている。そして、両端部42a,42bと中央
部42cの寸法形状は、光半導体素子10の給電(通
電)パッド14と支持体の上面電極31aのパターン、
および両者の間隔に合わせてある。
支持体30に対して位置を決めて固定する。
なる導体膜42はガラスと比較して視認性が高いため、
位置決め工程が効率的に行える。例えば、上部からの画
像認識装置を用いた位置決め機構を用いることも容易に
できる。
ぼ同じに設定しているのは、この際に光ファイバを基板
20に対して水平に保つためであり、機械的に安定した
固定を実現する。
を用いる。ハンダは予め給電(通電)パッド上と電極上
に形成しておいても良いし、プリフォームを供給しても
良い。光半導体素子10を固定するハンダに金−錫ハン
ダを用いるのであれば、それよりも融点の低いハンダ、
例えば融点183℃の錫−鉛ハンダを用いれば、光半導
体素子10の固定に用いた金−錫ハンダを再溶融させて
位置ずれさせることが無い。
み形成する第一の理由としては、下面側に形成した導体
膜によって光半導体素子表面の意図せぬ部位間をショー
ト(短絡)させてしまうことを防ぐためである。
来用いているワイヤと比較して幅と厚みの設計に余裕が
あるため、所望の電気的特性を得ることが容易である。
の導体膜を光ファイバ端面形状に対して高精度に形成て
おけば、光ファイバの回転角によって導体膜表面とガラ
ス表面の位置関係を上部から観察しながら光ファイバの
回転方向を容易に位置決めできる。特に、前述の画像認
識装置を用いた位置決め機構を用いる際には、この特徴
的なパターンが認識速度と精度を向上させるため、光フ
ァイバの位置決め固定を容易にする一助となる。
は、ハンダの溶融硬化によるセルフアライメント効果も
働く。導体膜42と給電(通電)パッド14と電極31
の相対位置関係が自動的にアライメントされた状態が得
られるため、固定前の位置決め精度が不十分であっても
それを補うことができる。従って、一般的に時間を要す
るアライメント時間が短縮でき実装組立時間が低減でき
る。
モジュールによれば、光ファイバの外周に施された導体
膜を介して光半導体素子へ給電(通電)されるため、従
来の金属ワイヤによる給電(通電)方法に比べて光ファ
イバと光半導体素子の位置関係を近付けることができ
る。よって高い光結合効率が得られる。ひいては光信号
を高効率に長距離伝送する光モジュールが構成できる。
しかも両者の位置関係が任意に且つ正確に設定できるた
め、実装構造や配線構造に自由度が増し、所望の動作特
性を容易に得ることができる。
電気的特性が向上し、所望の動作特性を容易に得られ
る。一般的には高速に光半導体素子を駆動できる。
バに形成した導体膜によって光半導体素子と光ファイバ
の位置関係を高精度に位置決めすることができる。とり
わけ光ファイバの回転方向の位置決めが容易になる。導
体膜の視認性は高く、画像認識を用いた自動組立が容易
に適用できる。ひいては光モジュールを高性能かつ低コ
ストに実装組立できる。
的に示す斜視図である。
的に示す側面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 光半導体素子と、該光半導体素子の発光
部または受光部に光結合させる光ファイバとを備えると
ともに、前記光ファイバの一端部を前記光半導体素子の
発光部または受光部の上方に配置し、かつ前記光ファイ
バの外周部に前記光半導体素子に通電するための導体膜
を形成したことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項2】 前記光半導体素子と、前記光ファイバの
外周部に形成した導体膜に接続する通電用の配線パター
ンを形成した絶縁性の支持体とを並設したことを特徴と
する請求項1に記載の光モジュール。 - 【請求項3】 前記導体膜は、前記光ファイバを前記光
半導体素子に対し位置合わせするパターン形状に形成さ
れていることを特徴とする請求項1乃至2に記載の光モ
ジュール。 - 【請求項4】 前記導体膜の一部が、前記光ファイバの
上面半外周部にのみに形成されていることを特徴とする
請求項3に記載の光モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001097719A JP4475841B2 (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2001097719A JP4475841B2 (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 光モジュール |
Publications (2)
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JP2002296457A true JP2002296457A (ja) | 2002-10-09 |
JP4475841B2 JP4475841B2 (ja) | 2010-06-09 |
Family
ID=18951463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001097719A Expired - Lifetime JP4475841B2 (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 光モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4475841B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004342675A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光素子モジュールおよび光素子モジュール装置 |
JP2005340285A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光ファイバ側面へのパターン形成方法 |
JP2013506871A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | コーニング インコーポレイテッド | 角度劈開光ファイバ並びにその製造及び使用方法 |
-
2001
- 2001-03-29 JP JP2001097719A patent/JP4475841B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004342675A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光素子モジュールおよび光素子モジュール装置 |
JP2005340285A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光ファイバ側面へのパターン形成方法 |
JP4683859B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2011-05-18 | 新光電気工業株式会社 | 光ファイバ側面へのパターン形成方法 |
JP2013506871A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | コーニング インコーポレイテッド | 角度劈開光ファイバ並びにその製造及び使用方法 |
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