JP2001135833A

JP2001135833A - 受光素子の光結合構造及び受光素子の製造方法

Info

Publication number: JP2001135833A
Application number: JP31170299A
Authority: JP
Inventors: Kenji Yamauchi; 賢治山内
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-11-01
Filing date: 1999-11-01
Publication date: 2001-05-18
Anticipated expiration: 2019-11-01
Also published as: JP3692519B2

Abstract

(57)【要約】【課題】受光素子の固定確保、精度向上、コスト低減
化を行う。【解決手段】光ファイバとフォトダイオードが光学的
に結合する受光素子の光結合構造に、電極の面１０２を
有し、前記電極の面に前記フォトダイオード１０１を実
装するサブキャリア１００と、前記光ファイバが実装さ
れるＶ溝２０２を有し、前記Ｖ溝を含む面に対して斜面
の電極２０１を有し、前記斜面の電極に前記サブキャリ
アの電極の面を実装し、前記斜面の電極を介して外部に
ワイヤボンディングを行うシリコン基板２００とを備え
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はパッシブアライメント実
装技術を適用した光モジュールに関する。特に、本発明
は、光モジュールの受光素子の光結合構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】上記パッシブアライメント実装技術を適
用する光モジュールでは、例えば、発光モジュールの場
合、シリコン基板上にレーザダイオードなどの発光素子
が実装され、同シリコン基板にＶ溝が形成され、Ｖ溝に
実装される光ファイバと光学的に結合することが重要な
要素の一つとなっていることが知られている。

【０００３】また、通常の発光モジュールでは、レーザ
ダイオードの後方にフォトダイオードなどの受光素子が
配置され、レーザダイオードから放射される光の大きさ
が常にモニタリングされる。このモニタリングにより温
度が変動した場合でも常に一定の光出力が得られるよう
にコントロールする方法が一般的である。

【０００４】一方、受光モジュールの場合は、発光モジ
ュールと同様にシリコン基板上に、以下のように、形成
される。図９は従来の受光モジュールを示す図である。
なお、全図を通して同一の構成要素には同一の符号、番
号を付して説明を行う。本図に示すように、シリコン基
板２００に光ファイバ３００が実装され、シリコン基板
２００に対してサブキャリア１００が設けられる。サブ
キャリア１００には光ファイバ３００からの出力光が結
合する位置にフォトダイオード１０１が配置され光結合
が実現されている。

【０００５】サブキャリア１００には第１の電極面１１
１と第２電極面１１２が設けられ、第１の電極面１１１
にはフォトダイオード１０１、フォトダイオード１０１
のボンディングワイヤ１０３が実装され、第２の面１１
２にはパッケージなどにワイヤボンディングがされ外部
との接続が行われる。このため、異なる最低２面の電極
の形成が必要である。

【０００６】さらに、上記の光結合を実現するために、
通常、サブキャリア１００に実装されるフォトダイオー
ド１０１をレーザダイオード又は光ファイバの後方に配
置するという構造が採用されている。その際、図９に示
すように、シリコン基板２００とサブキャリア１００が
パッケージ内に別々に実装されている。

【０００７】上記構造では、レーザダイオード又は光フ
ァイバ３００とフォトダイオード１０１との光結合を構
成する要素が各々独立してパッケージ内に実装されてい
る。このため、特に受光モジュールの場合には、光結合
を構築する際に光軸ずれを起こしやすくなる。すなわ
ち、シリコン基板２００の厚さ精度及びパッケージへの
シリコン基板２００とサブキャリア１００の実装高さを
光軸ずれ要因として考慮する必要が生じる。

【０００８】このため、光ファイバ３００とフォトダイ
オード１０１との結合トレランス（許容誤差）から実装
位置精度に割り当てられる配分が小さくなり、高精度の
実装機を使用する必要が生じると同時に、使用するシリ
コン基板２００の厚さ精度についても十分な管理が必要
となる。元々、パッシブアライメント実装技術は低コス
トで光モジュール組立ができるように光素子、光ファイ
バ３００などの光学系構成要素を予め決められた位置に
実装するだけで光学系を実現する方法であり、それによ
って組立コストを低減させることが目的であった。

【０００９】しかし、上述のような従来のフォトダイオ
ード１０１の光結合構造では、使用するシリコン基板２
００の厚さ精度管理が重要となり、また、必要以上に高
精度な実装機が必要となるため、組立にかかる時間の短
縮及び部品コストを含めた全体のコスト低減には十分で
はなかった。そこで、例えば、ＥＣＯＣ’９７、Ｖｏ１
２、ｐｐ２１６−２１９には、サブキャリア１００にフ
ォトダイオード１０１が実装され、サブキャリア１００
がシリコン基板２００上に直接実装される構造が開示さ
れている。

【００１０】図１０は本発明の前提となる第１の受光素
子の光結合構造を示す図である。本図に示すように、こ
の技術では、シリコン基板２００の厚さ精度及びパッケ
ージへの実装高さが光学系の構成要素でなくなってい
る。このため、フォトダイオード１０１、サブキャリア
１００の実装精度を必要以上に厳しくすることなくパッ
シブアライメントでの受光光学系を構築できる点におい
て一応の効果を奏している。

【００１１】しかしながら、上述のような従来例では、
逆にフォトダイオード１０１をサブキャリア１００から
はみ出させて実装しなければならない点において新たに
実装そのものの困難、信頼性の低下という問題をもたら
している。通常は、このような表面入射型フォトダイオ
ードを使用する場合にはフォトダイオード１０１の表面
に受光面、アノード電極があり、裏面がカソード電極に
なっている。

【００１２】カソード電極側は全面にメタライズが施さ
れており、全体を半田などでサブキャリア１００に接合
させることにより安定した接合強度を得ることができ
る。上述のような従来例では、フォトダイオード１０１
の一部しかサブキャリア１００に接合することはできな
いため、接合部の信頼性に問題がある。

【００１３】さらに、接合の際にフォトダイオード１０
１を吸着等で所定位置に合せて実装するが、一部がサブ
キャリア１００からはみ出しているため実装時にフォト
ダイオード１０１を加圧したときに、位置ずれを起こし
やすいという欠点もある。また、別の従来例として、特
開平１０−２０１５８号公報に開示されているように、
シリコン基板上の凹部にサブキャリアを嵌合させること
により導光部とフォトダイオードとの光学的結合を実現
させる構造も提案されている。

【００１４】図１１は本発明の前提となる第２の受光素
子の光結合構造を示す図である。本図に示すように、光
導波路２０３と光学的結合を実現するフォトダイオード
１０１はその裏面全体がサブキャリア１００に接合され
ているため上述した図１０の例のような信頼性上、実装
上の問題は無い。しかしながら凹部の低部にサブキャリ
ア１００を実装するため凹部の深さ精度が光軸ずれ要因
となり、凹部の加工性が低下するという問題がある。

【００１５】

【発明が解決しょうとする課題】したがって、本発明は
上記問題点に鑑みて、表面入射型のフォトダイオードを
用いて、サブキャリア１００上にフォトダイオード１０
１がはみ出すことなく実装され、かつシリコン基板２０
０にサブキャリア１００が実装される受光素子の光結合
構造を提供することを目的とする。

【００１６】さらに、シリコン基板２００の厚さなどの
部品精度に光学系の軸ずれが影響されない受光素子の光
結合構造を提供する。さらに、本発明は、サブキャリア
１００自体の低コスト化、すなわち、サブキャリア１０
０にフォトダイオード１０１が実装される電極面、パッ
ケージに配線するための電極面を極力減らすことによ
り、低コスト化を可能にする受光素子の光結合構造、受
光素子の生産方法を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は前記問題点を解
決するために、光ファイバとフォトダイオードが光学的
に結合する受光素子の光結合構造において、電極の面を
有し、前記電極の面に前記フォトダイオードを実装する
サブキャリアと、前記光ファイバが実装されるＶ溝を有
し、前記Ｖ溝を含む面に対して斜面の電極を有し、前記
斜面の電極に前記サブキャリアの電極の面を実装し、前
記斜面の電極を介して外部にワイヤボンディングを行う
シリコン基板とを備えることを特徴とする受光素子の光
結合構造を提供する。

【００１８】この手段により、サブキャリア上にフォト
ダイオードがはみ出すことなく実装され、確実な固定を
確保することが可能になった。また、サブキャリアをシ
リコン基板上に直接実装しているため、シリコン基板の
厚さなどの部品精度に光学系の軸ずれが影響されないと
いう効果が得られる。このため、実装機への精度が緩和
され、実装コストが低減できる。

【００１９】さらに、フォトダイオードを実装する面と
外部との電気配線を行うパターンの面が同一面に形成さ
れるので、サブキャリア自体の生産性効率を格段に向上
させることができ、かつ大幅なコスト低減を実現するこ
とができる。好ましくは、前記サブキャリアの材質は、
アルミナセラミック、ガラスセラミック、窒化アルミ、
シリコンウエハにＳｉＯ_２酸化物を形成した材料の少な
くとも１つからなる。

【００２０】この手段により、サブキャリアの材質の広
い選択が可能になる。好ましくは、前記サブキャリアの
材質の上にＡｕスパッタで電極を形成する。この手段に
より、電極のパターンの形成が行われる。好ましくは、
前記サブキャリアの電極の面と前記シリコン基板の電極
面とを半田又は導電性の接着剤で固定する。

【００２１】この手段により、相互の電極面の固定が確
実に行える。好ましくは、前記シリコン基板のＶ溝、斜
面の電極は同時に異方性エッチングにより形成される。
この手段により、斜面の電極の形成が容易に行われる。
好ましくは、前記シリコン基板のＶ溝と前記サブキャリ
アのフォトダイオードとの相対位置合せのために、前記
シリコン基板上に目印のパターンを形成する。

【００２２】この手段により、目印として、円形、矩
形、十字形などが用いられ、Ｖ溝とフォトダイオードと
の相対位置合せが容易になる。好ましくは、前記シリコ
ン基板の光ファイバの後方にレーザダイオードが設けら
れ、前記レーザダイオードは前記サブキャリアのフォト
ダイオードと光結合されるように位置にする。

【００２３】この手段により、レーザダイオードの発光
素子に対しても、上記と同様な作用、効果が得られる。
また、安定したレーザダイオードの発振が得られる。さ
らに、本発明は、前記光結合構造の受光素子の製造方法
において、絶縁性を有する複数の前記サブキャリアのパ
ターンを複数個並べたマスクを使用して電極のパターニ
ングを行う工程と、複数の前記フォトダイオードを実装
する電極部分に半田を一括して塗付する工程と、複数の
前記フォトダイオードを一括して実装後、過熱して半田
を溶融して前記フォトダイオードを固定する工程と、複
数の前記フォトダイオードに対してワイヤボンディング
を一括して行う工程と、前記サブキャリアを分離する工
程とを備えることを特徴とする光結合構造の受光素子の
製造方法を提供する。

【００２４】この手段により、シリコンウエハ１枚のセ
ットでサブキャリアのハンドリングが完了し、シリコン
ウエハの位置確認を一度行えば、全てのサブキャリアの
位置認識ができ、ワイヤボンディングする際の位置確認
も１度でほぼ完了するという絶大な生産性向上が実現で
きる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明に係る受光素
子の光結合構造を示し、サブキャリア、光ファイバをシ
リコン基板に実装する前の例を示す斜視図であり、図２
は図１においてサブキャリア、光ファイバをシリコン基
板に実装した後の例を示す斜視図である。

【００２６】図１、図２に示すように、シリコン基板２
００にはＶ溝２０２が設けられ、Ｖ溝２０２の端部でＶ
溝２０２に対してほぼ対称にシリコン基板２００をコ字
形の段差に形成し、Ｖ溝２０２の左右の段部に電極２０
１が設けられる。Ｖ溝２０２には光ファイバ３００が実
装され、シリコン基板２００にサブキャリア１００が実
装される。

【００２７】サブキャリア１００は直方体であり、サブ
キャリア１００には電極１０２が設けられる。サブキャ
リア１００の電極１０２の面には、フォトダイオード１
０１、ボンディングワイヤ１０３が実装されるフォトダ
イオード実装面１０２Ａと、フォトダイオード実装面１
０２Ａと同一面にサブキャリア１００がシリコン基板２
００に実装されるサブキャリア実装面１０２Ｂとが設け
られる。

【００２８】電極１０２のフォトダイオード実装面１０
２Ａにはフォトダイオード１０１のカソード電極の端子
が電気的に接合するための配線パターン、フォトダイオ
ード１０１のアノード電極の端子からボンディングワイ
ヤ１０３により電気的接続をとるための配線パターンが
形成される。フォトダイオード実装面１０２Ａとサブキ
ャリア実装面１０２Ｂとの配線パターンが電極１０２の
１つの面に形成されることになる。

【００２９】サブキャリア１００の材質としてはアルミ
ナセラミック、ガラスセラミック、窒化アルミなどの絶
縁物又は表面に絶縁膜を形成する材料を選択することが
可能である。例えば、シリコンウエハの表面にＳｉＯ_２
を形成し、その上にＡｕスパッタで電極１０２の配線パ
ターンを形成した後、切断するなどの方法をとれば、大
量に一括製造できるため、大幅なコスト低減が可能であ
る。

【００３０】アルミナセラミックを用いた場合でも、ア
ルミナセラミックで作成した板にＡｕで複数個分の電極
１０２の配線パターンを形成した後、切断するという工
程が可能であるため、上述したシリコンウエハを用いる
方法と遜色ない低コスト化が可能である。フォトダイオ
ード１０１を実装する際にはサブキャリア１００上の電
極１０２の配線パターンを目印にして位置合せを行う
と、容易に所定位置に実装することが可能である。

【００３１】図３は図１における実装前のシリコン基板
２００を示す上面図である。本図に示すシリコン基板２
００にはＶ溝２０２に対して左右に２つの電極２０１が
設けられ、各電極２０１にはサブキャリア実装斜面２０
１Ａと外部接続用上面２０１Ｂが設けられる。シリコン
基板２００のＶ溝２０２、サブキャリア実装斜面２０１
Ａはシリコンの異方性エッチングによるシリコンウエハ
単位で一括で形成される。

【００３２】サブキャリア実装斜面２０１Ａには、サブ
キャリア１００の電極１０１と電気的に接続するための
配線パターンが設けられる。この配線パターンは、サブ
キャリア実装斜面２０１Ａが異方性エッチングで形成さ
れ、サブキャリア実装斜面２０１Ａに露出されるシリコ
ンの上にＳｉＯ_２などの酸化膜が形成された後、Ａｕ等
をパターニングすることで形成される。

【００３３】サブキャリア実装斜面２０１Ａの電極２０
１はシリコン基板２００の外部接続用上面２０１Ｂの電
極パターンと電気的に接続するようにパターニングされ
る。図４は図２における実装後の受光素子の光結合構造
を示す上面図である。本図に示すように、シリコン基板
２００のコ字部分にサブキャリア１００のフォトダイオ
ード１０１を収容し、シリコン基板２００のサブキャリ
ア実装斜面２０１Ａとサブキャリア１００の電極１０２
とが接合するようにして、シリコン基板２００にサブキ
ャリア１００が実装される。

【００３４】図５は、受光素子の光結合構造の中心線に
沿った実装中の断面図である。本図に示すように、シリ
コン基板２００にサブキャリア１００を実装するに際
し、シリコン基板２００上のＶ溝２０２とサブキャリア
１００上のフォトダイオード１０１との相対位置を合せ
ることがパッシブアライメント実装方式において非常に
重要となる。

【００３５】そのため、シリコン基板２００上にＶ溝２
０２を形成するためのパターニングを行う際に、同時に
サブキャリア１００を実装するときの目印になるパター
ンを形成しておくことが効果的である。このパターンは
特に形状に制限はなく、例えば、円形、矩形、十字形な
どが考えられる。

【００３６】または、特別に、目印としてのパターンを
形成しなくても、Ｖ溝２０２そのものをパターンととら
えてサブキャリア１００の実装位置を決めることも可能
であし、さらには、フォトダイオード１０１の配線用に
形成される配線パターンを使用してもよい。サブキャリ
ア１００をシリコン基板２００に固定するにはそれぞれ
の電極１０２Ｂ、２０１Ａの面に半田又は導電性の接着
剤を塗付、加熱してその固定が行われる。

【００３７】このような構成により、サブキャリア１０
０における電極１０２のサブキャリア実装面１０２Ｂ
と、シリコン基板２００における電極２０１のサブキャ
リア実装斜面２０１Ａとが電気的に接合し、シリコン基
板２００の外部接続用上面２０１Ｂがパッケージなどに
ワイヤボンディングされ外部と接続される。このため、
パッケージなどへのワイヤボンディングはシリコン基板
２００の外部接続用上面２０１Ｂを介して行われるの
で、従来のように、サブキャリア１００にパッケージな
どへのワイヤボンディング用の配線パターンが不要にな
った。

【００３８】したがって、サブキャリア１００に形成さ
れる電極１０２にはフォトダイオード１０１、ボンディ
ングワイヤ１０３を実装するためのサブキャリア実装面
１０２Ｂ、シリコン基板２００に実装されるサブキャリ
ア実装面１０２Ｂだけが同一面に設けられる。その結
果、サブキャリア１００の大幅な生産性の向上、低コス
ト化を実現することが可能になる。

【００３９】しかも、本発明では、サブキャリア１００
をシリコン基板２００上に直接実装しているため、シリ
コン基板２００の厚さなどの部品精度に光学系の軸ずれ
が影響されないという効果が得られる。すなわち、従来
のように、シリコン基板２００とサブキャリア１００と
がそれぞれパッケージに実装される構造では、シリコン
基板２００の厚さと、シリコン基板２００及びサブキャ
リア１００をパッケージに実装する際の半田の厚さなど
が光学系の軸ずれ要因として上げられていたが、これら
の要因を全て排除することが可能となる。

【００４０】その結果、組立後の光軸ずれが起きにく
く、また、フォトダイオード１０１、サブキャリア１０
０を実装する際の実装精度に対する要求をそれ程厳しく
しなくても所望の光学的結合を得ることが可能となる。
そのため、実装が簡単になり、実装機を含む実装コスト
の低減にも寄与する。

【００４１】また、サブキャリア１００の電極１０２が
１面だけであることの効果はサブキャリア１００の低コ
スト化に留まらず、フォトダイオード１０１の実装、ボ
ンディングワイヤ１０３のワイヤボンディングの効率化
も同時に実現することができる。図６はシリコンウエハ
上に複数個のサブキャリア１００を形成し各々にフォト
ダイオード１０１を実装する場合の例を示す図である。

【００４２】本図に示すように、シリコンウエハ４００
には、予め熱酸化又はスパッタなどの方法によりＳｉＯ
_２酸化膜が形成される。その後、膜の密着性を考慮し
て、全面にＣｒ／Ｐｔ／Ａｕをスパッタし、サブキャリ
ア１００のパターンが複数個並べられたマスクを使用し
て電極のパターニングが行われる。

【００４３】その後、複数のフォトダイオード１０１を
実装する電極部分に半田バンプなどを用いて半田を一括
供給して塗付し、複数のフォトダイオード１０１を一括
実装した後、過熱して半田を溶融することによりフォト
ダイオード１０１が固定される。半田にはＡｕ／Ｓｎ共
晶半田が用いられる。半田バンプではなく、Ａｕ／Ｓｎ
膜をシリコン基板上に直接蒸着してもよい。

【００４４】半田の供給、複数のフォトダイオード１０
１の実装はシリコンウエハ４００上のサブキャリア１０
０全てに一括で行い、フォトダイオード１０１を固定し
た後、一括してワイヤボンディングが行われる。最後
に、サブキャリア１００を一つ一つ扱う場合と比較し、
一つ一つのサブキャリア１００のハンドリング、位置決
め、ワイヤボンディングが必要だったのに対してシリコ
ンウエハ４００１枚のセットでサブキャリア１００のハ
ンドリングが完了する。

【００４５】シリコンウエハ４００の位置認識を一度行
えばシリコンウエハ４００に関する全てのサブキャリア
１００の位置確認ができ、ワイヤボンディングを行う際
の位置認識が一度でほぼ完了するという絶大な生産性の
向上が実現できる。以上では、本発明を光ファイバ３０
０とフォトダイオード１０１が光学的に結合する受光モ
ジュールに適応する場合に合せて説明したが、レーザダ
イオードとモニタ用のフォトダイオードが光学的に発光
モジュールである場合にも本発明を同様に適応すること
が可能である。

【００４６】図７は図１の変形例でサブキャリアの実装
前を示す斜視図であり、図８は図７のサブキャリアの実
装中を示す中心断面図である。図７、図８に示すよう
に、レーザダイオード５００にはその前方に光ファイバ
３００がＶ溝２０２に配置されており、後方にはサブキ
ャリア１００に実装されたモニタ用フォトダイオード１
０１Ａが配置される。

【００４７】サブキャリア１００の構成、サブキャリア
１００のシリコン基板２００への実装方法と同一であ
る。レーザダイオード５００と光学的に結合される位置
にモニタ用フォトダイオード１０１Ａが来るように、モ
ニタ用フォトダイオード１０１Ａ、サブキャリア１００
が実装されている。

【００４８】したがって、この例でも、サブキャリア１
００に必要な電極１０２は１面のみとなり、上述したよ
うなサブキャリア１００自体の低コスト化、サブキャリ
ア１００にモニタ用フォトダイオード１０１Ａを実装す
る際の生産性の向上という効果が得られる。

【００４９】しかも、レーザダイオード５００に対して
モニタ用フォトダイオード１０１Ａが斜めになっている
ため、モニタ用フォトダイオード１０１Ａに入力した光
がモニタ用フォトダイオード１０１Ａの表面で反射し、
レーザダイオード５００に戻ることによって、レーザ発
振が不安定なるなどの問題を自動的に回避している。し
たがって、安定したレーザダイオード５００の発振が得
られるという効果がある。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
サブキャリアをシリコン基板上に直接実装しているた
め、シリコン基板の厚さなどの部品精度に光学系の軸ず
れが影響されないという効果が得られる。サブキャリア
上にフォトダイオードがはみ出すことなく実装され、確
実な固定を確保することが可能になった。

【００５１】さらに、フォトダイオードを実装する面と
外部との電気配線を行うパターンの面が同一面に形成さ
れるので、サブキャリア自体の生産性効率を格段に向上
させることができ、かつ大幅なコスト低減を実現するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る受光素子の光結合構造を示し、サ
ブキャリア、光ファイバをシリコン基板に実装する前の
例を示す斜視図である。

【図２】図１においてサブキャリア、光ファイバをシリ
コン基板に実装した後の例を示す斜視図である。

【図３】図１における実装前のシリコン基板２００を示
す上面図である。

【図４】図２における実装後の受光素子の光結合構造を
示す上面図である。

【図５】受光素子の光結合構造の中心線に沿った実装中
の断面図である。

【図６】シリコンウエハ上に複数個のサブキャリア１０
０を形成し各々にフォトダイオード１０１を実装する場
合の例を示す図である。

【図7】図１の変形例でサブキャリアの実装前を示す斜
視図である。

【図８】図７のサブキャリアの実装中を示す中心断面図
である。

【図９】従来の受光モジュールを示す図である。

【図１０】本発明の前提となる第１の受光素子の光結合
構造を示す図である。

【図１１】本発明の前提となる第２の受光素子の光結合
構造を示す図である。

【符号の説明】

１００…サブキャリア１０１…フォトダイオード１０１Ａ…モニタ用フォトダイオード１０２、２０１…電極１０２Ａ…フォトダイオード実装面１０２Ｂ…サブキャリア実装面１０３…ボンディングワイヤ２００…シリコン基板２０１Ａ…サブキャリア実装斜面２０１Ｂ…外部接続用上面２０２…Ｖ溝３００…光ファイバ４００…シリコンウエハ５００…レーザダイオード

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光ファイバとフォトダイオードが光学的
に結合する受光素子の光結合構造において、電極の面を有し、前記電極の面に前記フォトダイオード
を実装するサブキャリアと、前記光ファイバが実装されるＶ溝を有し、前記Ｖ溝を含
む面に対して斜面の電極を有し、前記斜面の電極に前記
サブキャリアの電極の面を実装し、前記斜面の電極を介
して外部にワイヤボンディングを行うシリコン基板とを
備えることを特徴とする受光素子の光結合構造。
【請求項２】前記サブキャリアの材質は、アルミナセ
ラミック、ガラスセラミック、窒化アルミ、シリコンウ
エハにＳｉＯ_２酸化物を形成した材料の少なくとも１つ
からなることを特徴とする、請求項1に記載の受光素子
の光結合構造。
【請求項３】前記サブキャリアの材質の上にＡｕスパ
ッタで電極を形成することを特徴とする、請求項２に記
載の受光素子の光結合構造。
【請求項４】前記サブキャリアの電極の面と前記シリ
コン基板の電極面とを半田又は導電性の接着剤で固定す
ることを特徴とする、請求項１に記載の受光素子の光結
合構造。
【請求項５】前記シリコン基板のＶ溝、斜面の電極は
同時に異方性エッチングにより形成されることを特徴と
する、請求項１に記載の受光素子の光結合構造。
【請求項６】前記シリコン基板のＶ溝と前記サブキャ
リアのフォトダイオードとの相対位置合せのために、前
記シリコン基板上に目印のパターンを形成することを特
徴とする、請求項１に記載の受光素子の光結合構造。
【請求項７】前記シリコン基板の光ファイバの後方に
レーザダイオードが設けられ、前記レーザダイオードは
前記サブキャリアのフォトダイオードと光結合されるよ
うな位置にすることを特徴とする、請求項１に記載の受
光素子の光結合構造。
【請求項８】前記光結合構造の受光素子の製造方法に
おいて、、絶縁性を有する前記サブキャリアの上にパターンを複数
個並べたマスクを使用して電極のパターニングを行う工
程と、複数の前記フォトダイオードを実装する電極部分に半田
を一括して塗付する工程と、半田が塗付された電極部分に複数の前記フォトダイオー
ドを一括して実装後、過熱して半田を溶融して前記フォ
トダイオードを固定する工程と、複数の前記フォトダイオードに対して前記電極部分にワ
イヤボンディングを一括して行う工程と、前記サブキャリアを分離する工程とを備えることを特徴
とする光結合構造の受光素子の製造方法。