JP2000340877A - 垂直共振器型面発光レーザと光検出用モニターとのアセンブリー及びそのアセンブリング方法 - Google Patents
垂直共振器型面発光レーザと光検出用モニターとのアセンブリー及びそのアセンブリング方法Info
- Publication number
- JP2000340877A JP2000340877A JP2000134616A JP2000134616A JP2000340877A JP 2000340877 A JP2000340877 A JP 2000340877A JP 2000134616 A JP2000134616 A JP 2000134616A JP 2000134616 A JP2000134616 A JP 2000134616A JP 2000340877 A JP2000340877 A JP 2000340877A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vcsel
- monitor chip
- assembly
- monitor
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 13
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）と
モニターとからなり、広帯域幅用に利用可能で、寄生容
量が少なく、低コストのデバイスを提供すること。 【解決手段】 寄生容量が低減されたＶＣＳＥＬとモニ
ター用ダイオードとの組合せからなり、広帯域幅の通信
システムに利用可能である。ＶＣＳＥＬは、同一面にｐ
型とｎ型のコンタクトを有する。これにより、金属コン
タクト層を用いることなく、ＶＣＳＥＬをモニター用の
チップ又はダイオードの上に実装できる。ＶＣＳＥＬに
比べ小さい金属パッドを用いて、ＶＣＳＥＬをモニター
チップにハンダ付けした実施例では、十分な強度でＶＣ
ＳＥＬを接合できた。金属部分を減らすことにより、寄
生容量が低減され、ポテンシャル動作速度が向上した。
モニターとからなり、広帯域幅用に利用可能で、寄生容
量が少なく、低コストのデバイスを提供すること。 【解決手段】 寄生容量が低減されたＶＣＳＥＬとモニ
ター用ダイオードとの組合せからなり、広帯域幅の通信
システムに利用可能である。ＶＣＳＥＬは、同一面にｐ
型とｎ型のコンタクトを有する。これにより、金属コン
タクト層を用いることなく、ＶＣＳＥＬをモニター用の
チップ又はダイオードの上に実装できる。ＶＣＳＥＬに
比べ小さい金属パッドを用いて、ＶＣＳＥＬをモニター
チップにハンダ付けした実施例では、十分な強度でＶＣ
ＳＥＬを接合できた。金属部分を減らすことにより、寄
生容量が低減され、ポテンシャル動作速度が向上した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、出力モニター用デ
バイスと組み合わせた垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣ
ＳＥＬ）に係り、さらに詳しくは、広帯域幅用のＶＣＳ
ＥＬと出力モニター用デバイスとの組合せに関する。
バイスと組み合わせた垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣ
ＳＥＬ）に係り、さらに詳しくは、広帯域幅用のＶＣＳ
ＥＬと出力モニター用デバイスとの組合せに関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ、特に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物等を
用いた半導体レーザは、デジタル通信システムの送信機
として広く使用されている。このタイプのレーザは、デ
バイスへの電気入力に応じてレーザの光出力が調節され
るような光ファイバーシステムに好適である。調節され
た光信号は、既設の光ファイバーを用いた送信システム
を利用して長距離を伝送させることが可能である
用いた半導体レーザは、デジタル通信システムの送信機
として広く使用されている。このタイプのレーザは、デ
バイスへの電気入力に応じてレーザの光出力が調節され
るような光ファイバーシステムに好適である。調節され
た光信号は、既設の光ファイバーを用いた送信システム
を利用して長距離を伝送させることが可能である
【０００３】上記の分野には、当初、デバイスの壁開し
た端部がファブリ・ぺローキャビティの反射面となる端
発光レーザが用いられていた。しかし、端発光レーザ
は、小さな直径の光ファイバーに正確にカップリングす
るためのアセンブリー前の試験と実装技術が十分と言え
るものではなかった。
た端部がファブリ・ぺローキャビティの反射面となる端
発光レーザが用いられていた。しかし、端発光レーザ
は、小さな直径の光ファイバーに正確にカップリングす
るためのアセンブリー前の試験と実装技術が十分と言え
るものではなかった。
【０００４】面発光レーザと、特に、垂直共振器型面発
光レーザ（ＶＣＳＥＬｓ）とが近年開発され、光ファイ
バー通信の分野に用いられる端発光デバイスに進歩をも
たらしている。ＶＣＳＥＬは、ブラッグミラーのような
２つの反射層の間に挟まれた活性領域を有し、レーザデ
バイスの２つの主面の一方に対して垂直方向に発光す
る。そのようなデバイスは、ブラッグミラーの一方には
第１導電型、例えばｎ型の材料を、そして、ブラッグミ
ラーの他方には第２導電型、例えばｐ型の材料を有して
いる。中間の活性領域又は中間層は、各ブラッグミラー
に隣接するクラッド層を含んでも良い。ブラッグミラー
は、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料層が交互に積層され、各
層は異なる反射特性を有している。各層は、活性材料の
発光波長の１／４の波長に対応する厚みを有している。
光レーザ（ＶＣＳＥＬｓ）とが近年開発され、光ファイ
バー通信の分野に用いられる端発光デバイスに進歩をも
たらしている。ＶＣＳＥＬは、ブラッグミラーのような
２つの反射層の間に挟まれた活性領域を有し、レーザデ
バイスの２つの主面の一方に対して垂直方向に発光す
る。そのようなデバイスは、ブラッグミラーの一方には
第１導電型、例えばｎ型の材料を、そして、ブラッグミ
ラーの他方には第２導電型、例えばｐ型の材料を有して
いる。中間の活性領域又は中間層は、各ブラッグミラー
に隣接するクラッド層を含んでも良い。ブラッグミラー
は、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料層が交互に積層され、各
層は異なる反射特性を有している。各層は、活性材料の
発光波長の１／４の波長に対応する厚みを有している。
【０００５】この構造、特に上面発光ＶＣＳＥＬｓで
は、デバイスの裏面又は底面が実装する基材に取付けら
れ、レーザ光はデバイスの上面又は前面から出力され
る。発光用開口部は、デバイスコンタクトの一つにより
決められ、光ファイバーに配向可能に形状が決められ
る。そのようなデバイスは既に確立されたプロセス技術
により作製可能で、そして、容易に光送信器ユニットへ
組込みことができる信頼性の高いレーザを提供できる。
は、デバイスの裏面又は底面が実装する基材に取付けら
れ、レーザ光はデバイスの上面又は前面から出力され
る。発光用開口部は、デバイスコンタクトの一つにより
決められ、光ファイバーに配向可能に形状が決められ
る。そのようなデバイスは既に確立されたプロセス技術
により作製可能で、そして、容易に光送信器ユニットへ
組込みことができる信頼性の高いレーザを提供できる。
【０００６】ＶＣＳＥＬｓのみならず半導体レーザの特
性として、一般的に、各デバイス間の電気特性と光学特
性が僅かに変化する。光出力をレーザ発振中の注入電流
の関数として表すと、注入電流の増加とともに、急勾配
を示して光出力が増加し、動作環境におけるわずかな変
化が大きな出力の変化をもたらす。この理由により、通
常、ＶＣＳＥＬｓにはモニター用ダイオードやモニター
チップが設けられ、モニターチップは光出力の大部分を
受光できるように配置されている。このモニター用出力
により、各レーザデバイスの較正が可能となり、又は、
そのモニター用出力をレーザの光出力を制御するための
フィードバックモードに用いることができる。スタンダ
ードエイジェンシーにより決められている「目の保護」
の規則により予め定められた範囲内にレーザの光出力が
入っていることの保証が、制御には要求される。通常、
モニター用ダイオードには、レーザの出力波長に概ね合
った感度曲線を持つＰＩＮデバイスのようなフォトトラ
ンジスタを用いることができる。
性として、一般的に、各デバイス間の電気特性と光学特
性が僅かに変化する。光出力をレーザ発振中の注入電流
の関数として表すと、注入電流の増加とともに、急勾配
を示して光出力が増加し、動作環境におけるわずかな変
化が大きな出力の変化をもたらす。この理由により、通
常、ＶＣＳＥＬｓにはモニター用ダイオードやモニター
チップが設けられ、モニターチップは光出力の大部分を
受光できるように配置されている。このモニター用出力
により、各レーザデバイスの較正が可能となり、又は、
そのモニター用出力をレーザの光出力を制御するための
フィードバックモードに用いることができる。スタンダ
ードエイジェンシーにより決められている「目の保護」
の規則により予め定められた範囲内にレーザの光出力が
入っていることの保証が、制御には要求される。通常、
モニター用ダイオードには、レーザの出力波長に概ね合
った感度曲線を持つＰＩＮデバイスのようなフォトトラ
ンジスタを用いることができる。
【０００７】レーザとモニターとの組合せは、絶縁され
たコネクターリードを備えた実装用基材とシールされた
蓋とを有するＴＯ−４６缶のような特別にデザインされ
たパッケージの中によく実装される。その蓋は、ガラス
又は他の適当な透明材料からなる窓を上面の中央に有
し、その窓はレーザデバイスの発光用開口部に位置合せ
されている。そのような組合せの一例は、１９９８年９
月２２日にGillilandらに特許されている米国特許第５,
８１２,５８２号の公報に開示されている。第５,８１
２,５８２号公報には、ＴＯ−４６缶又はそれに類似し
たものの中に配置された絶縁された基材の上にフォトダ
イオードが実装されていることが開示されている。フォ
トダイオードの上面の大部分は金属層又はメタルマスク
により覆われている。ＶＣＳＥＬはそのメタルマスクに
ハンダ又は導電性エポキシ樹脂により電気的に接合され
ている。そして、ＶＣＳＥＬへのコンタクトの内の一
つ、即ち、裏面のコンタクトはマスクとの接触により確
保されている。上面又は発光面のコンタクトは、ＴＯ−
４６缶の中の分離されたコネクターの一つにワイアボン
ディングすることにより確保されている。
たコネクターリードを備えた実装用基材とシールされた
蓋とを有するＴＯ−４６缶のような特別にデザインされ
たパッケージの中によく実装される。その蓋は、ガラス
又は他の適当な透明材料からなる窓を上面の中央に有
し、その窓はレーザデバイスの発光用開口部に位置合せ
されている。そのような組合せの一例は、１９９８年９
月２２日にGillilandらに特許されている米国特許第５,
８１２,５８２号の公報に開示されている。第５,８１
２,５８２号公報には、ＴＯ−４６缶又はそれに類似し
たものの中に配置された絶縁された基材の上にフォトダ
イオードが実装されていることが開示されている。フォ
トダイオードの上面の大部分は金属層又はメタルマスク
により覆われている。ＶＣＳＥＬはそのメタルマスクに
ハンダ又は導電性エポキシ樹脂により電気的に接合され
ている。そして、ＶＣＳＥＬへのコンタクトの内の一
つ、即ち、裏面のコンタクトはマスクとの接触により確
保されている。上面又は発光面のコンタクトは、ＴＯ−
４６缶の中の分離されたコネクターの一つにワイアボン
ディングすることにより確保されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】現在の光ファイバーの
帯域幅は、現在の通信システムに使用されている帯域幅
を大きくオーバーしている。したがって、光ファイバー
の能力をより有効に使うためには、通信システムのデー
タ速度を大きくする絶えざる努力が必要である。レーザ
送信機は、完全な通信システムの重要な一面を示してお
り、レーザのスイッチング速度をできるだけ大きくする
ことが重要となっている。高速デバイスのスイッチング
速度に影響を与える要因の一つは、ＶＣＳＥＬ、モニタ
ーチップそして実装時の配置による寄生容量である。
帯域幅は、現在の通信システムに使用されている帯域幅
を大きくオーバーしている。したがって、光ファイバー
の能力をより有効に使うためには、通信システムのデー
タ速度を大きくする絶えざる努力が必要である。レーザ
送信機は、完全な通信システムの重要な一面を示してお
り、レーザのスイッチング速度をできるだけ大きくする
ことが重要となっている。高速デバイスのスイッチング
速度に影響を与える要因の一つは、ＶＣＳＥＬ、モニタ
ーチップそして実装時の配置による寄生容量である。
【０００９】さらに検討すべき重要な問題としては、も
ちろん、光送信機又はレーザ／モニターのアセンブリー
のコストの問題がある。このコストには、デバイスをア
センブリングし、光ファイバーに対してデバイスを正確
に配置するコストだけでなく、材料プロセスのコストが
含まれる。
ちろん、光送信機又はレーザ／モニターのアセンブリー
のコストの問題がある。このコストには、デバイスをア
センブリングし、光ファイバーに対してデバイスを正確
に配置するコストだけでなく、材料プロセスのコストが
含まれる。
【００１０】したがって、本発明の目的は、高帯域幅用
に利用可能な、寄生容量が少なく、低コストのＶＣＳＥ
Ｌ／モニターデバイスを提供することにある。
に利用可能な、寄生容量が少なく、低コストのＶＣＳＥ
Ｌ／モニターデバイスを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の一つの好適な実
施態様において、ＶＣＳＥＬが上面又は発光面上にｐ型
及びｎ型コンタクトを有し、ＶＣＳＥＬがモニター用ダ
イオードの上に実装に金属をほとんど、あるいは全く使
用しないで実装されているＶＣＳＥＬとモニターとのア
センブリーが提供される。
施態様において、ＶＣＳＥＬが上面又は発光面上にｐ型
及びｎ型コンタクトを有し、ＶＣＳＥＬがモニター用ダ
イオードの上に実装に金属をほとんど、あるいは全く使
用しないで実装されているＶＣＳＥＬとモニターとのア
センブリーが提供される。
【００１２】したがって、本発明の第１の態様によれ
ば、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）と光検出
用モニターとのアセンブリーが提供され、該アセンブリ
ーは、光検出用の第１の面とそれに平行な第２の面とを
備えた光検出用モニターチップと、モニターチップの上
記第１の面に実装され、その上面上にｐ型とｎ型のコン
タクトを有する上面発光ＶＣＳＥＬと、ＶＣＳＥＬの発
光部分をモニターチップの上記第１の面の方向に向ける
ようにアセンブリーを組み合わせる組合せ手段とからな
る。
ば、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）と光検出
用モニターとのアセンブリーが提供され、該アセンブリ
ーは、光検出用の第１の面とそれに平行な第２の面とを
備えた光検出用モニターチップと、モニターチップの上
記第１の面に実装され、その上面上にｐ型とｎ型のコン
タクトを有する上面発光ＶＣＳＥＬと、ＶＣＳＥＬの発
光部分をモニターチップの上記第１の面の方向に向ける
ようにアセンブリーを組み合わせる組合せ手段とからな
る。
【００１３】本発明の第２の態様によれば、上面発光垂
直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）と光検出光出力
モニターチップ対とのアセンブリング方法が提供され、
該方法は、光検出面を有するモニターチップを準備する
工程と、その上面上にｐ型とｎ型のコンタクトを有する
上面発光ＶＣＳＥＬを上記光検出面に接合する工程と、
モニターチップとＶＣＳＥＬとを接触させる手段を準備
する工程とを含む。
直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）と光検出光出力
モニターチップ対とのアセンブリング方法が提供され、
該方法は、光検出面を有するモニターチップを準備する
工程と、その上面上にｐ型とｎ型のコンタクトを有する
上面発光ＶＣＳＥＬを上記光検出面に接合する工程と、
モニターチップとＶＣＳＥＬとを接触させる手段を準備
する工程とを含む。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１に、本発明に用いるモニター
チップ１０の一例を示す。モニターには、フォトダイオ
ード、ＰＩＮ、アバランシェダイオード等が挙げられ
る。動作時には、面１２に適度な波長の光エネルギーが
当り、これによりデバイスのコンタクトを横切って電流
が発生する。その電流は、光検出又はモニターチップに
より受光される光エネルギー（この場合、レーザから
の）の強度に依存する。一つの電気的コンタクトは、裏
面（図示せず）に形成され、リードワイヤで接続する
か、公知の手段で基材上に直接実装するかによりコンタ
クトが形成される。同様に、上面又は前面へのコンタク
トは、コンタクトバッド１４の両方又は一方にワイヤボ
ンディングすることにより行う。あるいは、モニター用
ダイオードは同じ側にコンタクトと、電気的接続を有し
ていても良い。電気的接続は、上面上でのコンタクトの
ため、ピンへボンディングする方法でも、又は底面上で
のコンタクトのため、フォトダイオード上へ電極をパタ
ーニングする方法でも良い。
チップ１０の一例を示す。モニターには、フォトダイオ
ード、ＰＩＮ、アバランシェダイオード等が挙げられ
る。動作時には、面１２に適度な波長の光エネルギーが
当り、これによりデバイスのコンタクトを横切って電流
が発生する。その電流は、光検出又はモニターチップに
より受光される光エネルギー（この場合、レーザから
の）の強度に依存する。一つの電気的コンタクトは、裏
面（図示せず）に形成され、リードワイヤで接続する
か、公知の手段で基材上に直接実装するかによりコンタ
クトが形成される。同様に、上面又は前面へのコンタク
トは、コンタクトバッド１４の両方又は一方にワイヤボ
ンディングすることにより行う。あるいは、モニター用
ダイオードは同じ側にコンタクトと、電気的接続を有し
ていても良い。電気的接続は、上面上でのコンタクトの
ため、ピンへボンディングする方法でも、又は底面上で
のコンタクトのため、フォトダイオード上へ電極をパタ
ーニングする方法でも良い。
【００１５】図１に示すように、モニターチップの上面
の中心に配置されているのは位置合わせマーク１６であ
る。これは、矩形又は実質矩形であれば良く、後で述べ
るＶＣＳＥＬの形又は輪郭に対応するものである。ある
いは、位置合わせマーク１６は、ＶＣＳＥＬの輪郭の一
部を示すものでも良い。位置合わせマークは、ＶＣＳＥ
Ｌをフォトダイオードに対して正確に位置合わせした状
態でハンダ付けできるように、適切な金属を用いて形成
されることが望ましい。位置合わせは、後で述べるよう
に、システムのパッケージングに関係して重要である。
の中心に配置されているのは位置合わせマーク１６であ
る。これは、矩形又は実質矩形であれば良く、後で述べ
るＶＣＳＥＬの形又は輪郭に対応するものである。ある
いは、位置合わせマーク１６は、ＶＣＳＥＬの輪郭の一
部を示すものでも良い。位置合わせマークは、ＶＣＳＥ
Ｌをフォトダイオードに対して正確に位置合わせした状
態でハンダ付けできるように、適切な金属を用いて形成
されることが望ましい。位置合わせは、後で述べるよう
に、システムのパッケージングに関係して重要である。
【００１６】あるいは、位置合わせマークは、適当な位
置合わせマークを提供でき、かつ、長く安定な面を提供
できるのであれば、非金属層であっても良い。もちろ
ん、特定のアセンブリー技術によれば、特別の位置合わ
せマークを設けることなく、ＶＣＳＥＬを正確にモニタ
ーチップの上に実装することが可能である。たとえば、
コンタクトパターン又はチップ端部を位置合わせに用い
ることが可能である。
置合わせマークを提供でき、かつ、長く安定な面を提供
できるのであれば、非金属層であっても良い。もちろ
ん、特定のアセンブリー技術によれば、特別の位置合わ
せマークを設けることなく、ＶＣＳＥＬを正確にモニタ
ーチップの上に実装することが可能である。たとえば、
コンタクトパターン又はチップ端部を位置合わせに用い
ることが可能である。
【００１７】図２に示すように、本発明によれば、ＶＣ
ＳＥＬ２０は、その上面にｐ型とｎ型のコンタクトを有
している。発光用開口部２２は、ＶＣＳＥＬ構造のｐ型
ブラッグミラーに接続されるコンタクト２４の一つ（例
えば、ｐ型）により、明確に規定されている。第２のコ
ンタクト２６、この例ではｎ型であり、従来知られてい
るように、ｎ型ブラッグミラーに接続される。本発明の
開口部は、構造の所望の領域に注入電流を閉じ込めるた
めに、活性領域（図示せず）内に設けられている。コン
タクトパッド２４と２６は、適当な入力源に接続するた
め、ワイヤボンディング等が可能となるように、適切な
材料で形成されている。
ＳＥＬ２０は、その上面にｐ型とｎ型のコンタクトを有
している。発光用開口部２２は、ＶＣＳＥＬ構造のｐ型
ブラッグミラーに接続されるコンタクト２４の一つ（例
えば、ｐ型）により、明確に規定されている。第２のコ
ンタクト２６、この例ではｎ型であり、従来知られてい
るように、ｎ型ブラッグミラーに接続される。本発明の
開口部は、構造の所望の領域に注入電流を閉じ込めるた
めに、活性領域（図示せず）内に設けられている。コン
タクトパッド２４と２６は、適当な入力源に接続するた
め、ワイヤボンディング等が可能となるように、適切な
材料で形成されている。
【００１８】図２に示したＶＣＳＥＬは、実質的に矩形
であるが、本発明はこの形に限定されるものではなく、
デバイスが他の形をしていたり、大きさが異なっていて
も良い。もちろん、モニターチップ上の位置合わせマー
ク１６も、用いるＶＣＳＥＬの形状や大きさが変化すれ
ば、それに合わせて変化させる必要がある。
であるが、本発明はこの形に限定されるものではなく、
デバイスが他の形をしていたり、大きさが異なっていて
も良い。もちろん、モニターチップ上の位置合わせマー
ク１６も、用いるＶＣＳＥＬの形状や大きさが変化すれ
ば、それに合わせて変化させる必要がある。
【００１９】底面上にｐ型とｎ型のコンタクトを有する
底面発光ＶＣＳＥＬを用いることも、もちろん、本発明
の範囲内に含まれる。
底面発光ＶＣＳＥＬを用いることも、もちろん、本発明
の範囲内に含まれる。
【００２０】図３は、モニターチップ１０上に積層又は
取り付けられたＶＣＳＥＬ２０の断面図である。もし、
位置合わせマークが金属で形成されていると、ＶＣＳＥ
Ｌチップの裏面はＶＣＳＥＬをハンダ付けによりモニタ
ーチップに接合するために適切に金属で形成されている
必要がある。この場合、ＶＣＳＥＬはハンダ付けのプロ
セスにより位置合わせマークに自動的に位置合せされ
る。位置合わせマークは、ＶＣＳＥＬの大きさに比べ小
さくても良く、その場合でも良好な機械的接続を与え、
かつ、正確な位置合わせが可能である。
取り付けられたＶＣＳＥＬ２０の断面図である。もし、
位置合わせマークが金属で形成されていると、ＶＣＳＥ
Ｌチップの裏面はＶＣＳＥＬをハンダ付けによりモニタ
ーチップに接合するために適切に金属で形成されている
必要がある。この場合、ＶＣＳＥＬはハンダ付けのプロ
セスにより位置合わせマークに自動的に位置合せされ
る。位置合わせマークは、ＶＣＳＥＬの大きさに比べ小
さくても良く、その場合でも良好な機械的接続を与え、
かつ、正確な位置合わせが可能である。
【００２１】また、多くのものがその目的のために入手
可能であるエポキシ樹脂を用いて、ＶＣＳＥＬをモニタ
ーチップに接合することもできる。この場合、位置合わ
せマークは金属ではなく、作業者がモニターチップに対
しＶＣＳＥＬを正確に配置できるよう手助けとなるよう
にデザインされたパターンを有する誘電体のような他の
材料を用いることが好ましい。前述のアセンブリー技術
を用いれば、作業者は何ら特別の位置合わせマークを用
いることなく、モニターチップの上にＶＣＳＥＬを配置
できる。
可能であるエポキシ樹脂を用いて、ＶＣＳＥＬをモニタ
ーチップに接合することもできる。この場合、位置合わ
せマークは金属ではなく、作業者がモニターチップに対
しＶＣＳＥＬを正確に配置できるよう手助けとなるよう
にデザインされたパターンを有する誘電体のような他の
材料を用いることが好ましい。前述のアセンブリー技術
を用いれば、作業者は何ら特別の位置合わせマークを用
いることなく、モニターチップの上にＶＣＳＥＬを配置
できる。
【００２２】ＶＣＳＥＬをモニターチップに接合するに
適した接着剤には、特定のエポキシ樹脂と、特に、熱可
塑性樹脂が挙げられる。その一例としては、アルファメ
タルズステイスティクサーモプラスチック（Alpha Meta
ls Staystik Thermoplastic）の、薄め液を有する充填
剤を含まないペースト（１０１,１８１）が挙げられ
る。そのペーストを各ダイの裏面に塗布するよりも、完
全に処理されたＶＣＳＥＬsのウエハーの裏面にペース
ト層を塗布し、そのペースト層を薄く均一な層となるよ
うに広げる方法の方が利点が多い。ペーストは、スクリ
ーニングを含む種々の方法により塗布できるが、スピニ
ングによる回転塗布が好適である。この方法によれば、
ペーストは完全に処理されたウエハーの裏面の中心に滴
下又は塗布され、ウエハーはフォトレジストの塗布に使
用されていると同様なスピナーの上に載置される。スピ
ナーが回転すると、ペーストは遠心力により、ウエハー
の表面に均一に広がる。スピナーの回転停止後、薄いペ
ースト層は、加熱乾燥されて、ウエハーに融着される。
その乾燥サイクルの温度分布は、用いるペーストによる
が、最高で３５０℃である。
適した接着剤には、特定のエポキシ樹脂と、特に、熱可
塑性樹脂が挙げられる。その一例としては、アルファメ
タルズステイスティクサーモプラスチック（Alpha Meta
ls Staystik Thermoplastic）の、薄め液を有する充填
剤を含まないペースト（１０１,１８１）が挙げられ
る。そのペーストを各ダイの裏面に塗布するよりも、完
全に処理されたＶＣＳＥＬsのウエハーの裏面にペース
ト層を塗布し、そのペースト層を薄く均一な層となるよ
うに広げる方法の方が利点が多い。ペーストは、スクリ
ーニングを含む種々の方法により塗布できるが、スピニ
ングによる回転塗布が好適である。この方法によれば、
ペーストは完全に処理されたウエハーの裏面の中心に滴
下又は塗布され、ウエハーはフォトレジストの塗布に使
用されていると同様なスピナーの上に載置される。スピ
ナーが回転すると、ペーストは遠心力により、ウエハー
の表面に均一に広がる。スピナーの回転停止後、薄いペ
ースト層は、加熱乾燥されて、ウエハーに融着される。
その乾燥サイクルの温度分布は、用いるペーストによる
が、最高で３５０℃である。
【００２３】乾燥され融着されたペーストは、公知の写
真製版技術により選択除去されてパターニングされる。
ウエハーは、パターン線に沿ってスクライブされ、続い
て、個々のＶＣＳＥＬのデバイスに分割される。また
は、ペースト層はそのままにして、ウエハーを業界で良
く使用される青い粘着テープの上に貼り付け、ウエハー
ソーを用いて、個々のＶＣＳＥＬsのデバイスに分割す
ることもできる。個々のＶＣＳＥＬは青い粘着テープか
ら引き剥がされた後、必要により前述の位置合わせマー
クを用いて、モニターチップの上面に載置される。
真製版技術により選択除去されてパターニングされる。
ウエハーは、パターン線に沿ってスクライブされ、続い
て、個々のＶＣＳＥＬのデバイスに分割される。また
は、ペースト層はそのままにして、ウエハーを業界で良
く使用される青い粘着テープの上に貼り付け、ウエハー
ソーを用いて、個々のＶＣＳＥＬsのデバイスに分割す
ることもできる。個々のＶＣＳＥＬは青い粘着テープか
ら引き剥がされた後、必要により前述の位置合わせマー
クを用いて、モニターチップの上面に載置される。
【００２４】次いで、ＶＣＳＥＬとモニターチップは、
接着剤のペーストが溶融するまで加熱された後、冷却さ
れ、ＶＣＳＥＬはモニターチップに強く接合される。
接着剤のペーストが溶融するまで加熱された後、冷却さ
れ、ＶＣＳＥＬはモニターチップに強く接合される。
【００２５】例えば、スピニング法を用いて、薄くて均
一なペースト層を塗布すると、接着剤の厚さを制御する
ことができる。ペースト層を薄くすることにより、ペー
スト層を溶融させた時のモニターチップ上におけるＶＣ
ＳＥＬの傾きを大きく抑制でき、次いで硬化させること
ができる。これは、非常に重要な点である。なぜなら、
ＶＣＳＥＬは光学システムに使用され、位置ずれはカッ
プリング特性の低下をもたらすからである。さらに、ペ
ースト層が厚いと、デバイスの熱拡散を低下させるの
で、デバイスの信頼性を低下させる。
一なペースト層を塗布すると、接着剤の厚さを制御する
ことができる。ペースト層を薄くすることにより、ペー
スト層を溶融させた時のモニターチップ上におけるＶＣ
ＳＥＬの傾きを大きく抑制でき、次いで硬化させること
ができる。これは、非常に重要な点である。なぜなら、
ＶＣＳＥＬは光学システムに使用され、位置ずれはカッ
プリング特性の低下をもたらすからである。さらに、ペ
ースト層が厚いと、デバイスの熱拡散を低下させるの
で、デバイスの信頼性を低下させる。
【００２６】ＶＣＳＥＬsに接着剤を塗布する上述の技
術によれば、ＶＣＳＥＬはモニターチップの上に確実に
固定され、接着剤はレーザを超えて周囲のモニター領域
の上にまで広がることはない。これはトラッキング比を
向上させる。すなわち、モニター電流が、ＶＣＳＥＬの
実際の出力を表わすことになる。さらに、接着剤が多す
ぎることがないので、アセンブリーのツールやＶＣＳＥ
Ｌ自身を汚染することがない。また、別の利点として、
デバイスを青い粘着テープから引き剥すのに、ピン等を
用いて引き剥がさなければならないような場合でも、Ｖ
ＣＳＥＬの壊れ易い裏面を接着剤が保護することができ
る。
術によれば、ＶＣＳＥＬはモニターチップの上に確実に
固定され、接着剤はレーザを超えて周囲のモニター領域
の上にまで広がることはない。これはトラッキング比を
向上させる。すなわち、モニター電流が、ＶＣＳＥＬの
実際の出力を表わすことになる。さらに、接着剤が多す
ぎることがないので、アセンブリーのツールやＶＣＳＥ
Ｌ自身を汚染することがない。また、別の利点として、
デバイスを青い粘着テープから引き剥すのに、ピン等を
用いて引き剥がさなければならないような場合でも、Ｖ
ＣＳＥＬの壊れ易い裏面を接着剤が保護することができ
る。
【００２７】図４は、通常のＴＯ−４６缶のようなパッ
ケージに実装された図３のアセンブリーの断面図であ
る。その缶は複数のポスト又はコネクター３２を有して
おり、それらは、通常分離して設けられているが、ＶＣ
ＳＥＬに電流を流す目的とモニターチップを横切って発
生する電気信号によりＶＣＳＥＬの光出力をモニターす
る目的とに用いられるものは、分離されていない。蓋４
２は、窓又はレンズである反射面４４を有している。反
射面の材料には、ガラス、エポキシ樹脂、又はＶＣＳＥ
Ｌの波長に対して、少なくとも部分的に透明である他の
材料を用いることができる。出力されたレーザの一部
は、窓４４に反射して蓋の内側に戻り、モニターチップ
の表面１２に当り、ＶＣＳＥＬの出力に比例した信号を
与える。
ケージに実装された図３のアセンブリーの断面図であ
る。その缶は複数のポスト又はコネクター３２を有して
おり、それらは、通常分離して設けられているが、ＶＣ
ＳＥＬに電流を流す目的とモニターチップを横切って発
生する電気信号によりＶＣＳＥＬの光出力をモニターす
る目的とに用いられるものは、分離されていない。蓋４
２は、窓又はレンズである反射面４４を有している。反
射面の材料には、ガラス、エポキシ樹脂、又はＶＣＳＥ
Ｌの波長に対して、少なくとも部分的に透明である他の
材料を用いることができる。出力されたレーザの一部
は、窓４４に反射して蓋の内側に戻り、モニターチップ
の表面１２に当り、ＶＣＳＥＬの出力に比例した信号を
与える。
【００２８】その装置につなぐ光ファイバーに関して、
ＶＣＳＥＬの発光用開口部の配置が非常に重要であると
いうことは明らかである。ＴＯ−４６缶やＴＯ−５６
缶、ＭＴコネクター等の組立部品をファイバーに対して
配置するに際し、差込やスリーブを用いて固定すること
ができる。したがって、ＶＣＳＥＬ、よって発光用開口
部をＴＯ−４６缶の基底部に対して正確に配置すること
は重要なことである。モニターチップの位置合わせマー
クは、モニターチップに対してＶＣＳＥＬを配置する際
の助けとなる一方、パッケージに対してモニターチップ
を配置するには他の手段を用いて行なうことができる。
図４に示すように、発光用開口部の中心軸は窓４４の中
心と光ファイバー（図示せず）の長さ方向軸とに対して
位置合わせされている。
ＶＣＳＥＬの発光用開口部の配置が非常に重要であると
いうことは明らかである。ＴＯ−４６缶やＴＯ−５６
缶、ＭＴコネクター等の組立部品をファイバーに対して
配置するに際し、差込やスリーブを用いて固定すること
ができる。したがって、ＶＣＳＥＬ、よって発光用開口
部をＴＯ−４６缶の基底部に対して正確に配置すること
は重要なことである。モニターチップの位置合わせマー
クは、モニターチップに対してＶＣＳＥＬを配置する際
の助けとなる一方、パッケージに対してモニターチップ
を配置するには他の手段を用いて行なうことができる。
図４に示すように、発光用開口部の中心軸は窓４４の中
心と光ファイバー（図示せず）の長さ方向軸とに対して
位置合わせされている。
【００２９】本発明のＶＣＳＥＬとモニターとのアセン
ブリーにおいて、金属の量を減らすことにより、それに
対応して寄生容量が減少する。米国特許５,８１２,５８
２号公報に開示されている従来のデバイスは、モニター
チップの上面にメタルマスク又は金属層を設けている。
チップを実装する基材とメタルマスクとの組合せは、板
状のキャパシタとして働き、そのキャパシタによる寄生
容量が高速動作に影響を与える遅延をもたらす。同様
に、ＶＣＳＥＬコンタクトは対向する他方の面にも形成
されているため、上記組合せの寄生容量に加えて、もう
一つの板状キャパシタができることになる。本発明にお
いては、両方のＶＣＳＥＬコンタクトが上面又は発光面
に設けられているため、寄生容量を減らすことができ
る。さらに、本発明においては裏面で電気的接続を行な
わないため、従来のデバイスのようなモニターチップ上
のメタルマスクは不要である。
ブリーにおいて、金属の量を減らすことにより、それに
対応して寄生容量が減少する。米国特許５,８１２,５８
２号公報に開示されている従来のデバイスは、モニター
チップの上面にメタルマスク又は金属層を設けている。
チップを実装する基材とメタルマスクとの組合せは、板
状のキャパシタとして働き、そのキャパシタによる寄生
容量が高速動作に影響を与える遅延をもたらす。同様
に、ＶＣＳＥＬコンタクトは対向する他方の面にも形成
されているため、上記組合せの寄生容量に加えて、もう
一つの板状キャパシタができることになる。本発明にお
いては、両方のＶＣＳＥＬコンタクトが上面又は発光面
に設けられているため、寄生容量を減らすことができ
る。さらに、本発明においては裏面で電気的接続を行な
わないため、従来のデバイスのようなモニターチップ上
のメタルマスクは不要である。
【００３０】図５は、本発明のデバイスの周波数応答
（曲線Ａ）と従来技術のデバイスの周波数応答（曲線Ｂ
とＣ）とを比較したものである。本発明のデバイスの出
力は、高周波に対して最適化されていないＴＯ−４６缶
をパッケージに用いた場合においても、１．７ＧＨｚま
で実質的に一定であった。本発明のデバイスの応用とし
ては、低速と高速のデータ通信、例えば、１００Ｍｂｐ
ｓ、イーサーネット（Ｅｔｈｅｒｎｅｔ（登録商
標））、ギガビットイーサーネット、ファイバーチャン
ネル、そしてＡＴＭ又はＳＤＨそしてＩＥＥＥが挙げら
れる。また、本発明のデバイスの応用には、ファイバー
を用いない応用、例えば、医学や化学分野において、発
光波長でフォトンとの相互作用を利用して物質の濃度を
測定するような応用も含まれる。本発明は、光パワーの
フィードバックのためにモニター用ダイオードが必要な
あらゆる分野に応用できる。
（曲線Ａ）と従来技術のデバイスの周波数応答（曲線Ｂ
とＣ）とを比較したものである。本発明のデバイスの出
力は、高周波に対して最適化されていないＴＯ−４６缶
をパッケージに用いた場合においても、１．７ＧＨｚま
で実質的に一定であった。本発明のデバイスの応用とし
ては、低速と高速のデータ通信、例えば、１００Ｍｂｐ
ｓ、イーサーネット（Ｅｔｈｅｒｎｅｔ（登録商
標））、ギガビットイーサーネット、ファイバーチャン
ネル、そしてＡＴＭ又はＳＤＨそしてＩＥＥＥが挙げら
れる。また、本発明のデバイスの応用には、ファイバー
を用いない応用、例えば、医学や化学分野において、発
光波長でフォトンとの相互作用を利用して物質の濃度を
測定するような応用も含まれる。本発明は、光パワーの
フィードバックのためにモニター用ダイオードが必要な
あらゆる分野に応用できる。
【００３１】
【発明の効果】本発明を特定の実施例を用いて説明した
が、本発明は、その基本的な概念から逸脱することな
く、いろいろな形で実施することができる。例えば、Ｖ
ＣＳＥＬとモニター用ダイオードの形と大きさは、その
応用とする対象に応じて選択することができる。ＶＣＳ
ＥＬとモニター用ダイオードの導電型は、実装方法によ
り影響されない。例えば、ｎ型の基材を有するＶＣＳＥ
Ｌはｐ型、ｎ型又はモニターチップの分離部分の上に実
装できる。ｐ型基材の上に成長させたＶＣＳＥＬに対し
ても同様である。さらに、本発明には、薄い接着剤層の
代りに、薄い接着剤のプレフォームをウエハーの裏面に
スピニング法により塗布することも含まれる。しかし、
そのような変形は、添付された特許請求の範囲で規程さ
れる本発明の範囲内に含まれる。
が、本発明は、その基本的な概念から逸脱することな
く、いろいろな形で実施することができる。例えば、Ｖ
ＣＳＥＬとモニター用ダイオードの形と大きさは、その
応用とする対象に応じて選択することができる。ＶＣＳ
ＥＬとモニター用ダイオードの導電型は、実装方法によ
り影響されない。例えば、ｎ型の基材を有するＶＣＳＥ
Ｌはｐ型、ｎ型又はモニターチップの分離部分の上に実
装できる。ｐ型基材の上に成長させたＶＣＳＥＬに対し
ても同様である。さらに、本発明には、薄い接着剤層の
代りに、薄い接着剤のプレフォームをウエハーの裏面に
スピニング法により塗布することも含まれる。しかし、
そのような変形は、添付された特許請求の範囲で規程さ
れる本発明の範囲内に含まれる。
【図１】 本発明に用いるモニターチップの構造を示す
上面図である。
上面図である。
【図２】 本発明に用いるＶＣＳＥＬの構造であって、
発光面に両方のコンタクトを有する上面発光ＶＣＳＥＬ
の構造を示す上面図である。
発光面に両方のコンタクトを有する上面発光ＶＣＳＥＬ
の構造を示す上面図である。
【図３】 本発明に用いるＶＣＳＥＬの構造であって、
モニタチップ上に実装されたＶＣＳＥＬの構造を示す断
面図である。
モニタチップ上に実装されたＶＣＳＥＬの構造を示す断
面図である。
【図４】 本発明のアセンブリーの構造であって、光フ
ァイバーとの接続用に差込口又はスリーブを有する実装
ケース中に配置されたアセンブリーの構造を示す断面図
である。
ァイバーとの接続用に差込口又はスリーブを有する実装
ケース中に配置されたアセンブリーの構造を示す断面図
である。
【図５】 本発明と従来のデバイスについて、周波数と
変調応答との関係を示す帯域幅曲線である。
変調応答との関係を示す帯域幅曲線である。
１０ モニターチップ、１２ モニターチップ上面、１
４ コンタクトパッド、１６ 位置合わせマーク、２０
ＶＣＳＥＬ、２２ 発光用開口部、２４,２６コンタ
クト、３２ コネクター、４２ 蓋、４４ 反射面、４
６ 缶。
４ コンタクトパッド、１６ 位置合わせマーク、２０
ＶＣＳＥＬ、２２ 発光用開口部、２４,２６コンタ
クト、３２ コネクター、４２ 蓋、４４ 反射面、４
６ 缶。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヤン・イェンソン スウェーデン177 32ヤルファラ、ヴァサ ヴェーゲン89番 (72)発明者 ヴィルヘルム・オスカーソン スウェーデン175 61ヤルファラ、スカル ビー・ガーズ・ヴァーク17番
Claims (28)
- 【請求項１】 垂直共振器型面発光レーザＶＣＳＥＬと
光検出用モニターとのアセンブリーであって、 上記アセンブリーが、光検出用の第１の面と該第１の面
に平行な第２の面とを有する光検出用のモニターチップ
と、上記モニターチップの上記第１の面に実装され、そ
の上面にｐ型とｎ型の両方のコンタクトを有する上面発
光の上記ＶＣＳＥＬと、上記モニターチップの上記第１
の面に上記ＶＣＳＥＬの発光領域を向けるように上記ア
センブリーを組み合わせる組合せ手段とを有する垂直共
振器型面発光レーザＶＣＳＥＬと光検出用モニターとの
アセンブリー。 - 【請求項２】 上記ＶＣＳＥＬが、底面発光であり、上
記ｐ型とｎ型コンタクトとが底面側にある請求項１記載
のアセンブリー。 - 【請求項３】 上記光検出用モニターチップの応答波長
範囲に、上記ＶＣＳＥＬの発光波長が含まれる請求項１
又は２に記載のアセンブリー。 - 【請求項４】 上記モニターチップと上記ＶＣＳＥＬを
外部接続するための受入部を有するパッケージに、上記
アセンブリーを配置した請求項３記載のアセンブリー。 - 【請求項５】 上記パッケージが蓋を有し、該蓋が、少
なくとも一部が透明で、かつ、上記ＶＣＳＥＬの発光領
域と実質的に一直線となるように配置された窓を含む請
求項４記載のアセンブリー。 - 【請求項６】 上記パッケージが蓋を有し、該蓋が、少
なくとも一部が透明で、かつ、上記ＶＣＳＥＬの発光領
域と実質的に一直線となるように配置されたレンズを含
む請求項４記載のアセンブリー。 - 【請求項７】 上記窓又はレンズが、上記ＶＣＳＥＬか
らの発光の一部を上記モニターチップに向ける反射部を
有する請求項５に記載のアセンブリー。 - 【請求項８】 上記レンズが、反射部を含む請求項６記
載のアセンブリー。 - 【請求項９】 上記モニターチップが、上記第１の面上
に、上記ＶＣＳＥＬをモニターチップに位置合わせする
のに用いる位置合わせマークを有する請求項７記載のア
センブリー。 - 【請求項１０】 上記位置合わせマークが、上記ＶＣＳ
ＥＬと実質的に同じ形である請求項９記載のアセンブリ
ー。 - 【請求項１１】 上記位置合わせマークが、上記ＶＣＳ
ＥＬを上記モニターチップにハンダ付け可能に金属で形
成されている請求項９記載のアセンブリー。 - 【請求項１２】 上記位置合わせマークが、上記ＶＣＳ
ＥＬの形状の一部を表し、上記ＶＣＳＥＬを上記モニタ
ーチップにハンダ付け可能に金属で形成されている請求
項１０記載のアセンブリー。 - 【請求項１３】 上記アセンブリーが、上記パッケージ
を受け入れ、かつ、上記ＶＣＳＥＬの上記発光領域と光
ファイバーとを位置合わせする差込手段をさらに含む請
求項９記載のアセンブリー。 - 【請求項１４】 上面発光垂直共振器型面発光レーザＶ
ＣＳＥＬと光検出用光出力モニターチップとの対を組み
立てるアセンブリング方法であって、 フォトン検出面を有するモニターチップを準備し、その
上面にｐ型とｎ型コンタクトとを有する上面発光のＶＣ
ＳＥＬを、上記フォトン検出面に接合し、次いで、上記
モニターチップと上記ＶＣＳＥＬとを接触させる手段を
準備する、アセンブリング方法。 - 【請求項１５】 上記モニターチップのフォトン検出面
が、上記ＶＣＳＥＬをモニターチップに位置合わせする
のに用いる位置合わせマークを有する請求項１４記載の
方法。 - 【請求項１６】 上記ＶＣＳＥＬをハンダ付けにより上
記モニターチップに接合可能なように、上記位置合わせ
マークを金属で形成する請求項１５記載の方法。 - 【請求項１７】 上記ＶＣＳＥＬからの発光が、その窓
を通ってパッケージの外へ出るように設けられた窓を有
するパッケージの中に、上記モニターチップとＶＣＳＥ
Ｌの組合せを実装する請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１８】 上記発光の一部が上記窓に反射され、
上記モニターチップに当る請求項１７記載の方法。 - 【請求項１９】 上記ＶＣＳＥＬからの発光が、そのレ
ンズを通ってパッケージの外へ出るように設けられたレ
ンズを有するパッケージの中に、上記モニターチップと
ＶＣＳＥＬの組合せを実装する請求項１４に記載の方
法。 - 【請求項２０】 上記発光の一部が上記レンズに反射さ
れ、上記モニターチップに当る請求項１９記載の方法。 - 【請求項２１】 上記ＶＣＳＥＬが、上記モニターチッ
プに接着剤により接合される請求項１４記載の方法。 - 【請求項２２】 上記接着剤が、充填剤を含まない、熱
可塑性樹脂のペーストからなる請求項２１記載の方法。 - 【請求項２３】 上記熱可塑性樹脂のペーストが、ＶＣ
ＳＥＬ材料のウエハーの裏面に塗布され、スピニングに
より薄く均一な層が形成される請求項２２記載の方法。 - 【請求項２４】 裏面に熱可塑性樹脂からなる接着剤の
塗布膜を有する個々のＶＣＳＥＬを上記モニターチップ
の上に載置し、該接着剤が溶融するまで加熱してた後冷
却し、ＶＣＳＥＬをモニターチップの上に保持する請求
項２３記載の方法。 - 【請求項２５】 粘ちょうな接着剤からなるペーストを
複数の半導体デバイスを含むウエハーの取付け面に塗布
し、上記ウエハーを回転させペーストを広げて薄く均一
な層とし、上記ウエハーを加熱して上記接着剤を硬化さ
せ、次いで、上記ウエハーを分割して個々の半導体デバ
イスとする、半導体デバイスの取付け面に接着剤を塗布
する方法。 - 【請求項２６】 上記半導体デバイスが、上記取付け面
の反対面に発光面を有するＶＣＳＥＬである請求項２５
記載の方法。 - 【請求項２７】 接着剤層を有する上記ＶＣＳＥＬが、
モニターチップの上に取付けられ、上記接着剤が溶融す
るまで加熱された後冷却されて、上記モニターチップに
接合される請求項２６記載の方法。 - 【請求項２８】 上記接着剤が、充填剤を含まない熱可
塑性樹脂からなるペーストである請求項２５記載の方
法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9910202A GB2349740A (en) | 1999-05-05 | 1999-05-05 | Vertical cavity surface emitting laser with monitoring diode |
| US09/506895 | 2000-02-18 | ||
| US9910202 | 2000-02-18 | ||
| US09/506,895 US6368890B1 (en) | 1999-05-05 | 2000-02-18 | Top contact VCSEL with monitor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340877A true JP2000340877A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=26315500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000134616A Pending JP2000340877A (ja) | 1999-05-05 | 2000-05-08 | 垂直共振器型面発光レーザと光検出用モニターとのアセンブリー及びそのアセンブリング方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6368890B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000340877A (ja) |
| CA (1) | CA2307779A1 (ja) |
| DE (1) | DE10021564A1 (ja) |
| FR (1) | FR2793960A1 (ja) |
| GB (1) | GB2351180A (ja) |
| SE (1) | SE0001646L (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278662A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Nec Corp | 光通信用光源 |
| JP2007123738A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sony Corp | 光送信モジュール、光送受信モジュール及び光通信装置 |
| US7680172B2 (en) | 2005-09-15 | 2010-03-16 | Sony Corporation | Laser diode device |
| WO2013080783A1 (ja) | 2011-12-02 | 2013-06-06 | 株式会社エンプラス | 光レセプタクルおよびこれを備えた光モジュール |
| US20150071593A1 (en) * | 2012-03-28 | 2015-03-12 | Enplas Corporation | Optical receptacle and optical module comprising same |
| US9213153B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-12-15 | Enplas Corporation | Light receptacle and optical module equipped with same |
| US9244234B2 (en) | 2013-07-23 | 2016-01-26 | Enplas Corporation | Optical receptacle and optical module |
| US9354409B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-05-31 | Enplas Corporation | Optical receptacle and optical module |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19963605A1 (de) * | 1999-12-23 | 2001-07-05 | Infineon Technologies Ag | Kommunikationsmodul mit parallelen Sendedioden |
| AU2001286620A1 (en) * | 2000-08-22 | 2002-03-04 | The Regents Of The University Of California | Aigaassb/inp distributed bragg reflector |
| US6870866B2 (en) * | 2001-06-05 | 2005-03-22 | Axcel Photonics, Inc. | Powerpack laser diode assemblies |
| JP4151355B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2008-09-17 | 住友電気工業株式会社 | 発光モジュール |
| US7440865B1 (en) * | 2003-02-03 | 2008-10-21 | Finisar Corporation | Screening optical transceiver modules for electrostatic discharge damage |
| JP2004288674A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザおよびそれを用いた光通信システム |
| KR100593995B1 (ko) * | 2004-01-02 | 2006-06-30 | 삼성전자주식회사 | 수직 공동 표면 발광 레이저 모듈 |
| JP2005252032A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子およびそれを用いたレーザモジュール |
| US20070047609A1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Francis Daniel A | Wafer testing of edge emitting lasers |
| KR100809413B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2008-03-05 | 한국전자통신연구원 | 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출레이저 및 그제조방법 |
| US7253386B2 (en) * | 2005-12-12 | 2007-08-07 | Xerox Corporation | Method and apparatus for monitoring and controlling laser intensity in a ROS scanning system |
| TW200832851A (en) * | 2007-01-29 | 2008-08-01 | Truelight Corp | Package structure for horizontal cavity surface-emitting laser diode with light monitoring function |
| FR2915029A1 (fr) | 2007-04-13 | 2008-10-17 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif optoelectronique compact incluant au moins un laser emettant par la surface |
| US8767784B2 (en) | 2011-02-21 | 2014-07-01 | Tyco Electronics Corporation | Driver for supplying modulated current to a laser |
| US8401045B2 (en) | 2011-05-27 | 2013-03-19 | Fujitsu Limited | Regulating a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL)-based optical communication link |
| DE102013201931B4 (de) * | 2013-02-06 | 2022-03-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US9559493B2 (en) | 2015-06-09 | 2017-01-31 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Power monitoring device and transmitter having same |
| US9547142B1 (en) | 2015-09-16 | 2017-01-17 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Optical transmitter module |
| US11894658B2 (en) | 2017-11-29 | 2024-02-06 | Vixar, Inc. | Power monitoring approach for VCSELS and VCSEL arrays |
| CN111868487A (zh) | 2018-03-20 | 2020-10-30 | 维克萨股份有限公司 | 对眼睛安全的光学模块 |
| TWI675522B (zh) * | 2019-01-15 | 2019-10-21 | 晶智達光電股份有限公司 | 發光元件 |
| US11988894B2 (en) | 2021-02-26 | 2024-05-21 | Stmicroelectronics (Research & Development) Limited | Lens displacement detection circuit for an optical device |
| DE102022114856A1 (de) | 2022-06-13 | 2023-12-14 | Trumpf Photonic Components Gmbh | VCSEL zum Emittieren von Laserlicht |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6372133A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-04-01 | ナシヨナル スタ−チ アンド ケミカル コ−ポレイシヨン | 基材に半導体チップを結着する方法 |
| JPH0637300A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積回路 |
| JPH0936143A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-07 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法並びにその実装方法 |
| WO1997025641A2 (de) * | 1996-01-09 | 1997-07-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronische sendebaugruppe |
| JPH1012971A (ja) * | 1996-06-21 | 1998-01-16 | Hitachi Ltd | 光モジュールおよびその製造方法 |
| US5812582A (en) * | 1995-10-03 | 1998-09-22 | Methode Electronics, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser feedback system and method |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62285486A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| US5147825A (en) * | 1988-08-26 | 1992-09-15 | Bell Telephone Laboratories, Inc. | Photonic-integrated-circuit fabrication process |
| US5206749A (en) * | 1990-12-31 | 1993-04-27 | Kopin Corporation | Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits |
| US5513202A (en) * | 1994-02-25 | 1996-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser |
| US5606572A (en) * | 1994-03-24 | 1997-02-25 | Vixel Corporation | Integration of laser with photodiode for feedback control |
| US5574744A (en) * | 1995-02-03 | 1996-11-12 | Motorola | Optical coupler |
| JPH08236554A (ja) | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置，及び半導体装置の製造方法，並びに半導体装置のダイボンディング方法 |
| KR100259490B1 (ko) | 1995-04-28 | 2000-06-15 | 윤종용 | 광검출기 일체형 표면광 레이저와 이를 채용한 광픽업 장치 |
| US5724376A (en) * | 1995-11-30 | 1998-03-03 | Hewlett-Packard Company | Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding |
| US5835514A (en) * | 1996-01-25 | 1998-11-10 | Hewlett-Packard Company | Laser-based controlled-intensity light source using reflection from a convex surface and method of making same |
| KR0185950B1 (ko) * | 1996-04-25 | 1999-04-15 | 김광호 | 레이저다이오드의 광출력모니터링패케지 |
| US5907571A (en) * | 1996-05-22 | 1999-05-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| US5729566A (en) * | 1996-06-07 | 1998-03-17 | Picolight Incorporated | Light emitting device having an electrical contact through a layer containing oxidized material |
| US5812581A (en) * | 1996-07-26 | 1998-09-22 | Honeywell Inc. | Lens for a semiconductive device with a laser and a photodetector in a common container |
| US6083768A (en) * | 1996-09-06 | 2000-07-04 | Micron Technology, Inc. | Gravitationally-assisted control of spread of viscous material applied to semiconductor assembly components |
| US6128134A (en) * | 1997-08-27 | 2000-10-03 | Digital Optics Corporation | Integrated beam shaper and use thereof |
| US5857049A (en) * | 1997-05-05 | 1999-01-05 | Lucent Technologies, Inc., | Precision alignment of optoelectronic devices |
| GB2326760B (en) * | 1997-06-28 | 2002-02-13 | Mitel Semiconductor Ab | Optical source with monitor |
| US5943357A (en) * | 1997-08-18 | 1999-08-24 | Motorola, Inc. | Long wavelength vertical cavity surface emitting laser with photodetector for automatic power control and method of fabrication |
| US6005262A (en) * | 1997-08-20 | 1999-12-21 | Lucent Technologies Inc. | Flip-chip bonded VCSEL CMOS circuit with silicon monitor detector |
| US6037644A (en) * | 1997-09-12 | 2000-03-14 | The Whitaker Corporation | Semi-transparent monitor detector for surface emitting light emitting devices |
| US6210514B1 (en) * | 1998-02-11 | 2001-04-03 | Xerox Corporation | Thin film structure machining and attachment |
| US6040630A (en) * | 1998-04-13 | 2000-03-21 | Harris Corporation | Integrated circuit package for flip chip with alignment preform feature and method of forming same |
| US6189208B1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-02-20 | Polymer Flip Chip Corp. | Flip chip mounting technique |
-
2000
- 2000-02-18 US US09/506,895 patent/US6368890B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-02 CA CA002307779A patent/CA2307779A1/en not_active Abandoned
- 2000-05-02 GB GB0010361A patent/GB2351180A/en not_active Withdrawn
- 2000-05-03 DE DE10021564A patent/DE10021564A1/de not_active Withdrawn
- 2000-05-04 SE SE0001646A patent/SE0001646L/xx not_active Application Discontinuation
- 2000-05-05 FR FR0005776A patent/FR2793960A1/fr not_active Withdrawn
- 2000-05-08 JP JP2000134616A patent/JP2000340877A/ja active Pending
-
2002
- 2002-02-08 US US10/071,043 patent/US6678292B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6372133A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-04-01 | ナシヨナル スタ−チ アンド ケミカル コ−ポレイシヨン | 基材に半導体チップを結着する方法 |
| JPH0637300A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積回路 |
| JPH0936143A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-07 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法並びにその実装方法 |
| US5812582A (en) * | 1995-10-03 | 1998-09-22 | Methode Electronics, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser feedback system and method |
| WO1997025641A2 (de) * | 1996-01-09 | 1997-07-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronische sendebaugruppe |
| JPH1012971A (ja) * | 1996-06-21 | 1998-01-16 | Hitachi Ltd | 光モジュールおよびその製造方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278662A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Nec Corp | 光通信用光源 |
| US7680172B2 (en) | 2005-09-15 | 2010-03-16 | Sony Corporation | Laser diode device |
| JP2007123738A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sony Corp | 光送信モジュール、光送受信モジュール及び光通信装置 |
| US9213153B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-12-15 | Enplas Corporation | Light receptacle and optical module equipped with same |
| WO2013080783A1 (ja) | 2011-12-02 | 2013-06-06 | 株式会社エンプラス | 光レセプタクルおよびこれを備えた光モジュール |
| US9057852B2 (en) | 2011-12-02 | 2015-06-16 | Enplas Corporation | Optical receptacle and optical module including the same |
| US20150071593A1 (en) * | 2012-03-28 | 2015-03-12 | Enplas Corporation | Optical receptacle and optical module comprising same |
| US9229181B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-01-05 | Enplas Corporation | Optical receptacle and optical module comprising same |
| US9354409B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-05-31 | Enplas Corporation | Optical receptacle and optical module |
| US9244234B2 (en) | 2013-07-23 | 2016-01-26 | Enplas Corporation | Optical receptacle and optical module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB0010361D0 (en) | 2000-06-14 |
| US6678292B2 (en) | 2004-01-13 |
| FR2793960A1 (fr) | 2000-11-24 |
| US20020110171A1 (en) | 2002-08-15 |
| SE0001646D0 (sv) | 2000-05-04 |
| GB2351180A (en) | 2000-12-20 |
| DE10021564A1 (de) | 2000-11-09 |
| US6368890B1 (en) | 2002-04-09 |
| CA2307779A1 (en) | 2000-11-05 |
| SE0001646L (sv) | 2000-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6368890B1 (en) | Top contact VCSEL with monitor | |
| JP2533637B2 (ja) | 光電子デバイスとこれに結合された光導波管より成る素子の製造方法 | |
| KR920003708B1 (ko) | 광전자 소자용 서브어셈블리 | |
| US6659659B1 (en) | High-speed optical sub-assembly utilizing ceramic substrate, direct coupling and laser welding | |
| US6786654B2 (en) | Encapsulated optical fiber end-coupled device | |
| US6970491B2 (en) | Planar and wafer level packaging of semiconductor lasers and photo detectors for transmitter optical sub-assemblies | |
| US20070278666A1 (en) | Method for Production of Electronic and Optoelectronic Circuits | |
| US20050201666A1 (en) | Optical module, manufacturing method therefor, protective component, and protective component with electric wiring | |
| JP2002303738A (ja) | 高速電気信号／光信号トランスレータ | |
| KR20050046893A (ko) | 티오-캔 구조의 광 모듈 | |
| US6407438B1 (en) | Semiconductor opto-electronic device packaging | |
| JP4643891B2 (ja) | パラレル光学系接続装置用の位置決め方法 | |
| US7206518B2 (en) | High speed optoelectronic subassembly and package for optical devices | |
| JP2000156510A (ja) | 光半導体素子および光半導体素子の製造方法ならびに光電子装置 | |
| JP2002158389A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JP2903095B2 (ja) | フォトカップラ装置 | |
| JP2000323791A (ja) | 垂直共振器型面発光レーザと光検出用モニターとのアセンブリー及びそのアセンブリング方法 | |
| JP2009295772A (ja) | 発光モジュール | |
| US7021835B1 (en) | Alignment of optical components in an optical subassembly | |
| US7165897B2 (en) | Optical module | |
| JP3379726B2 (ja) | 光伝送モジュール及びその製造方法 | |
| JP2004317629A (ja) | 光送信モジュール | |
| KR100583651B1 (ko) | 광송신 모듈의 패키징 방법 | |
| JPH09269441A (ja) | 光学電気相互接続部および光ファイバを光学電気装置に相互接続する方法 | |
| JP2001156381A (ja) | 光モジュール |