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Die vorliegende Erfindung betrifft ein VCSEL zum Emittieren von Laserlicht. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein VCSEL-Array mit solchen VCSELn als auch eine Elektroplatine mit solch einem VCSEL und/oder einem VCSEL-Array. Weiter bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zum Fertigen eines solchen VCSELs.
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Stand der Technik
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Es sind VCSEL bekannt, die elektrische Kontakte zum Einspeisen von elektrischer Energie aufweisen. Diese elektrischen Kontakte sind an der Oberseite und/oder der Unterseite des VCSELs (vertical-cavity surface-emitting laser) angebracht. Dadurch wird ein effizientes Anlöten beispielsweise durch ein Schwalllöteverfahren nicht möglich.
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Beispielsweise zeigt die
US6678292B2 ein VCSEL, der über Kontakte sowohl vom p- Typ wie vom n-Typ oben auf der Emittierfläche verfügt. Dabei sind die Kontakte über Drähte mit einer Elektroplatine verbunden. Dadurch ist ein massenfertigungstaugliches Lötverfahren nicht möglich.
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Die durch die vorliegende Erfindung gelöste Aufgabe besteht in der Bereitstellung eines VCSELs der es ermöglicht, durch ein massenfertigungstaugliches Lötverfahren auf eine Elektroplatine montiert zu werden.
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Offenbarung der Erfindung
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Es wird vorgeschlagen, ein VCSEL zum Emittieren von Laserlicht mit einem Grundkörper vorzusehen, der einen Mesaabschnitt aufweist, der einen Stapel aus in einer Stapelrichtung gestapelten unterschiedlichen Schichten aufweist, wobei auf der oberseitigen Fläche des Mesaabschnitts ein Emissionsbereich ausgebildet ist, aus dem das in einer aktiven Schicht in dem Stapel gebildete Laserlicht austritt, wobei an dem Grundkörper elektrische Kontakte zum Einspeisen von elektrischer Energie in die aktive Schicht vorgesehen sind, wobei mindestens ein Seitenabschnitt eines elektrischen Kontakts an einer Seitenfläche am Grundkörper angeordnet ist, wobei die Seitenflächen quer zu den Schichten ausgerichtet sind.
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Der Grundkörper ist durch die aufeinander gestapelten Schichten gebildet. Der Mesaabschnitt bildet den das Laserlicht emittierenden Teil des Grundkörpers, auf dessen Oberfläche der Emissionsbereich angeordnet ist. Die Oberfläche umfasst die oberseitige Fläche, die die Außenseite eines Braggspiegels eines Paars aus Braggspiegeln bildet, zwischen denen die aktive Schicht angeordnet ist.
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Die elektrischen Kontakte weisen Metall auf und bedecken vorzugsweise einen Teil der Seitenfläche des Grundkörpers.
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Durch die in den abhängigen Ansprüchen genannten Maßnahmen sind vorteilhafte Ausführungen und Weiterbildungen der Erfindung möglich.
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Vorteilhafterweise ist die oberseitige Fläche senkrecht zu der Stapelrichtung ausgerichtet. Die Seitenflächen können ebenfalls näherungsweise senkrecht ausgerichtet sein oder einen Winkel mit der oberseitigen Fläche einschließen, der größer ist als 90°.
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Besonders bevorzugt ist es, eine Isolierschicht zwischen dem Seitenabschnitt des elektrischen Kontakts und der Seitenfläche anzubringen. Die Isolierschicht kann gleichzeitig eine Haftschicht darstellen, die dafür sorgt, dass der elektrische Kontakt an der Seitenfläche haftet.
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Bei einer besonderen Weiterbildung erstreckt sich der elektrische Kontakt ausgehend von seinem Seitenabschnitt auf die Oberseite des Grundkörpers. Dabei kann der elektrische Kontakt einen Teil der oberseitigen Fläche mit einem Oberabschnitt bedecken.
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Vorzugsweise können die Seitenabschnitte elektrischer Kontakte, die als Kathode bzw. Anode ausgeführt sind, an vorzugsweise einer gemeinsamen Seitenfläche des Mesaabschnitts angebracht sein. Dadurch können sowohl die Zuleitung und die Ausleitung der elektrischen Energie in den VCSEL durch Anschlüsse auf einer Seitenfläche realisiert werden, die beispielsweise auf einen elektrischen Lötkontakt einer Leiterbahn auf einer Elektroplatine aufgelegt werden können. Dazu kann das VCSEL derart gekippt werden, dass die Strahlachse des Laserlichts parallel zur Erstreckungsebene der Elektroplatine ausgerichtet ist, wobei vorzugsweise die elektrischen Kontakte zwischen der Elektroplatine und dem VCSEL angeordnet sind.
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Alternativ oder ergänzend können die elektrischen Kontakte auf unterschiedlichen Seiten an dem VCSEL angebracht werden. Dabei kann ein elektrischer Kontakt der Kathode auf einer gegenüberliegenden Seite wie der elektrische Kontakt der Anode angeordnet sein.
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Um einen spannungsarmen Übergang zwischen einem Oberabschnitt des elektrischen Kontakts auf der oberseitigen Fläche und dem Seitenabschnitt zu erreichen, kann eine Fase oder eine Rundung an einem Übergangsbereich zwischen der Seitenfläche und der oberseitigen Fläche ausgebildet sein, wobei auf dem Übergangsbereich ein Abschnitt des elektrischen Kontakts angeordnet ist. Der Übergangsbereich kann durch einen Ätzschritt z.B. durch eine Kombination eines isotropen und eines anisotropen Ätzschritts erzeugt werden.
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Auf dem Oberabschnitt des elektrischen Kontakts auf der oberseitigen Fläche des Grundkörpers kann eine Lotbarriere ausgebildet sein, die verhindert, dass ein Lot von dem Seitenabschnitt zum Emissionsbereich fließt. Die Lotbarriere kann durch einen zusätzlichen Schritt nach dem Aufbringen des elektrischen Kontakts auf dessen Oberabschnitt angebracht werden.
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Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel ist wenigstens ein elektrischer Kontakt nur auf der Seitenfläche ausgebildet, ohne sich bis zur oberseitigen Fläche zu erstrecken. Dadurch wird eine fließen des Lots auf die Oberfläche des Grundkörpers dadurch verhindert, dass die Metallisierung des elektrischen Kontakts nicht bis zur oberseitigen Fläche reicht.
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Ferner kann mittels der VCSEL ein VCSEL-Array gebildet werden, das mindestens zwei Grundkörper aufweist, die an ihren Seitenflächen jeweils wenigstens einen Seitenabschnitt eines elektrischen Kontakts aufweisen. Dabei können Seitenabschnitte auf Seitenflächen angebracht werden, die entgegengesetzt ausgerichtet sind. Alternativ können auch Seitenabschnitte auf Seitenflächen angeordnet sein, die in die gleiche Richtung ausgerichtet sind.
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Ferner kann eine Elektroplatine mit einem VCSEL und/oder einem VCSEL-Array vorgesehen sein, wobei das VCSEL oder das VCSEL-Array auf einer Seitenfläche auf der Elektroplatine aufliegen, sodass der Seitenabschnitt auf einen Lötkontakt der Elektroplatine anlötbar ist.
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Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines VCSELs vorgeschlagen, wobei auf einem Wafer Grundkörper angeordnet sind, wobei neben einem Grundkörper ein Graben ausgebildet wird, der eine Seitenfläche an einem Grundkörper erzeugt, wobei die Seitenflächen mit einem Seitenabschnitt eines einem Mesaabschnitt des Grundkörpers zugeordneten elektrischen Kontakts versehen wird. Dabei kann erst eine Isolationsschicht, die beispielsweise Silizium enthält, aufgebracht werden, auf die eine metallische Haftschicht zum Beispiel die Titanium enthält aufgebracht wird. Auf die Haftschicht kann der elektrische Kontakt, der zum Beispiel aus Gold besteht, aufgebracht werden.
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Vorteilhafterweise kann der Graben zwischen zwei Grundkörpern ausgebildet werden, wobei die Seitenflächen beschichtet werden, wobei die beiden Grundkörper voneinander getrennt werden, indem entlang des Grabens ein Trennschnitt ausgeführt wird, der die Seitenabschnitte an den Seitenflächen belässt. Dabei wird der Graben insbesondere nicht vollständig gefüllt.
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Bei einer alternativen Ausführungsform kann der Graben vollständig mit einem Metall gefüllt werden, sodass die Seitenfläche ebenfalls mit einem Metall belegt wird. Weiter alternativ kann nur eine Seitenfläche im Graben beschichtet werden.
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Vorzugsweise kann nach dem Füllen des Grabens ein Abschnitt neben dem Graben, der bis zum Graben reicht, entfernt werden, sodass der Grundkörper mit der mit dem Metall belegten Seitenfläche freigestellt wird, sodass das den Seitenabschnitt bildende Metall kontaktiert werden kann. Dadurch wird der Abschnitt neben dem Graben entfernt und der Seitenabschnitt wird freigelegt.
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Kurze Beschreibung der Erfindung
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Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die zugehörige Zeichnung näher erläutert. Richtungsangaben in der folgenden Erläuterung sind gemäß der Leserichtung der Zeichnung zu verstehen. Die Ortsangaben oben und unten sind entsprechend dem Sinn der Zeichnungen zu verstehen.
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Es zeigen:
- 1 ein VCSEL mit elektrischen Kontakten, die sowohl auf einer Seitenfläche als auf einer oberseitigen Fläche des Grundkörpers angeordnet sind,
- 2 ein VCSEL mit elektrischen Kontakten, wobei wenigstens ein elektrischer Kontakt lediglich auf einer Seitenfläche des Grundkörpers angeordnet ist,
- 3 eine Draufsicht auf einen VCSEL nach 1 oder 2,
- 4 eine Draufsicht auf ein VCSEL-Array mit VCSELn nach 1 oder 2,
- 5 bis 9 eine erste Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen von Seitenabschnitten auf Seitenflächen von Grundkörpern,
- 10 bis 15 eine zweite Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen von Seitenabschnitten auf Seitenflächen von Grundkörpern, und
- 16 eine schematische Darstellung einer Elektroplatine mit zwei unterschiedlichen Anordnungsvarianten des VCSELs.
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Ausführungsbeispiele der Erfindung
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In 1 ist ein VCSEL (vertical-cavity surface-emitting laser) 10 dargestellt, mit dem Laserlicht emittiert wird. Der VCSEL 10 weist einen Grundkörper 12 auf, der einen Mesaabschnitt 14 aufweist. Der Grundkörper 12 und damit auch der Mesaabschnitt 14 sind aus einem Stapel 16 aus in einer Stapelrichtung 18 gestapelten unterschiedlichen Schichten 19 aufgebaut.
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Die Schichten 19 erfüllen unterschiedliche Funktionen, sodass der Mesaabschnitt 14 ein Paar aus Braggspiegeln aufweist, zwischen denen eine aktive Schicht 20 angeordnet ist. Die aktive Schicht 20 erzeugt Photonen, die als Laserlicht aus einem Emissionsbereich 22 austreten. Der Emissionsbereich 22 ist auf der Oberfläche des Mesaabschnitts 14. Die Oberfläche umfasst eine oberseitige Fläche 24 an der Oberseite 25 des VCSELs, die die Außenseite des oberen Braggspiegels ist.
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An dem Grundkörper 12 sind elektrische Kontakte 26 zum Einspeisen von elektrischer Energie in die aktive Schicht 20 vorgesehen. Die elektrischen Kontakte 26 sind als Anode 33 und Kathode 29 ausgebildet und weisen metallische Abschnitte auf. Ferner weist mindestens einer der elektrischen Kontakte 26 einen Seitenabschnitt 28 auf, der auf einer Seitenfläche 30 des Grundkörpers 12 angeordnet ist. Die Seitenfläche 30 ist am Grundkörper 12 quer zur oberseitigen Fläche 24 ausgerichtet. Die Seitenfläche 30 ist vorzugsweise senkrecht zur oberseitigen Fläche 24 ausgerichtet. Alternativ kann wenigstens ein Teil der Seitenfläche 30 einen Winkel mit der oberseitigen Fläche 24 einschließen, der größer ist als 90°.
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Die elektrischen Kontakte 26 weisen vorzugsweise Gold auf, das jeweils auf einer titanbeinhaltenden Haftschicht aufgebracht sind, wobei die elektrischen Kontakte 26 nur einen Teil der jeweiligen Seitenfläche 30 des Grundkörpers 12 durch wenigstens einen Seitenabschnitt 28 bedecken. Die jeweiligen Seitenabschnitte 28 können streifenförmig sein. Es kann je Grundkörper 12 nur ein Seitenabschnitt 28 vorgesehen sein. Die titanbeinhaltende Haftschicht ist auf einer Isolierschicht 31 aufgebracht.
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Der Grundkörper 12 des VCSELs 10 weist ein Substrat 32 auf, auf dem der Stapel 16 angeordnet ist. Rein exemplarisch ist der Mesaabschnitt 14 durch Schlitze 34 vom übrigen Teil des Grundkörpers 12 abgetrennt. Zwischen der oberseitigen Fläche 24 auf der Oberseite 25 des Grundkörpers 12 und der Seitenfläche 30 ist eine Fase oder eine Rundung an einem Übergangsbereich 36 ausgebildet. Die Schlitze 34 sind mit dem Material gefüllt, dass die Isolierschicht 31 bildet. Die Isolierschicht 31 unterhalb der titanbeinhaltenden Haftschicht ist durchgehend mit dem Material in den Schlitzen 34 verbunden.
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Auf der oberseitigen Fläche 24 ist der Oberabschnitt 35 des elektrischen Kontakts 26 angeordnet. Der elektrische Kontakt 26 erstreckt sich von der oberseitigen Fläche 24 auf die Seitenfläche 30, wobei ein Abschnitt des elektrischen Kontakts 26 auf dem Übergangsbereich 36 so angeordnet ist, dass der Abschnitt zwischen dem Oberabschnitt 35 und dem Seitenabschnitt 28 angeordnet ist.
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Auf der Oberseite 25 sind auf dem elektrischen Kontakt 26 Lotbarrieren 38 angeordnet, die auf der oberseitigen Fläche 24 des Grundkörpers 12 verhindern, dass Lot von dem Seitenabschnitt 28 zum Emissionsbereich 22 z.B. aufgrund der Oberflächenspannung des Lots fließt. Die Lotbarriere 38 wird durch einen zusätzlichen Schritt auf dem elektrischen Kontakt 26 abgeschieden.
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Der exemplarische VCSEL 10 in 1 weist das Substrat 32 auf das der Stapel 16 angeordnet ist. Der Stapel 16 bedeckt nicht das ganze Substrat 32, sodass eine Stufe ausgebildet ist. Auf dem höheren Niveau der Stufe ist die oberseitige Fläche 24 ausgebildet. Auf dem unteren Niveau der Stufe ist ein Oberabschnitt 35 einer Kathode 29 angeordnet, wobei ein ohmscher Kontakt 37 zwischen dem Oberabschnitt 35 der Kathode 29 und dem Substrat 32 ausgebildet ist. Vom Oberabschnitt 35 erstreckt sich der elektrische Kontakt 26 bis an eine Seitenfläche 30 an dem Grundkörper 12, wobei ein Abschnitt des elektrischen Kontakts 26 einen Übergangsbereich 36 bedeckt, der am Substrat 32 ausgebildet ist.
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Vorzugsweise ist eine Anode 33 als elektrischer Kontakt 26 auf einer bezüglich der Kathode 29 gegenüberliegenden Seite des VCSELs 10 angeordnet. Der Seitenabschnitt 28 erstreckt sich entlang einer Seitenfläche 30, die sich von Substrat 32 bis zum Stapel 16 erstreckt. Der Übergangsbereich 36 ist am Stapel 16 ausgebildet. Der Oberabschnitt 35 erstreckt sich bis zum Emissionsbereich 22. An der Unterseite des Substrats 32 ist ein Absatz 40 ausgebildet. Der Absatz 40 erzeugt eine Ecke zwischen der Seitenfläche 30 und einer Fläche des Absatzes 40. Bis zu der Ecke reicht der Seitenabschnitt 28.
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In 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem rein exemplarisch die Kathode 29 an der Seitenfläche 30 am Grundkörper 12 derart angebracht ist, dass es sich nicht bis zur Oberseite 25 des Grundkörpers 12 erstreckt. Die Kathode 29 ist durch den Seitenabschnitt 28 gebildet, wobei kein Oberabschnitt vorhanden ist. Ein ohmscher Kontakt 37 ist an der Seitenfläche 30 des Grundkörpers 12 angeordnet, wobei der ohmsche Kontakt 37 lediglich an dem Substrat 32 ausgebildet sein kann. Vorzugsweise erstreckt sich der Seitenabschnitt 28 nicht bis zum Stapel 16. Die Kathode 28 ist gemäß dem Ausführungsbeispiel aus 1 ausgebildet.
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In 3 ist eine Draufsicht eines VCSELs 10 gezeigt, der einen Seitenabschnitt 28 auf jeweiligen sich gegenüberliegenden Seiten 42 aufweist. Die Seitenabschnitte 28 sind entsprechend der 1 oder 2 strukturiert. Die Anode 33 und die Kathode 29 erstrecken sich von der Oberseite 25 auf die Seitenflächen 30. Es ist jeweils eine längliche Lotbarriere 38 auf dem Oberabschnitt 35 angeordnet. Die Lotbarriere 38 kann Titaniumoxid oder Siliziumnitrid enthalten. Ferner kann eine Längskerbe entlang der Längserstreckung der Lotbarriere 38 vorgesehen sein. Vorzugsweise ist die Lotbarriere 38 näher an dem Übergangsbereich 36 als an einem gegenüberliegenden Ende 39 des Oberabschnitts 35 angeordnet. Ferner können auf dem Oberabschnitt 35 Testkontaktierflächen 44 vorgesehen werden, sodass nach der Fertigung des VCSELs 10 in einer Fabrik ein Test auf Funktionsfähigkeit des VCSELs 10 in der Fabrik vorgenommen werden kann.
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In 4 ist ein VCSEL-Array 46 gezeigt, dass eine Mehrzahl von Emissionsbereichen 22 aufweist. Dabei kann je Emissionsbereich 22 ein Mesaabschnitt 14 oder ein eigener Grundkörper 12 vorgesehen sein, die auf dem VCSEL-Array 46 angeordnet sind. An den Seitenflächen 30 der einzelnen Grundkörper 12 bzw. Mesaabschnitten 14 sind Seitenabschnitte 28 ausgebildet. Dabei sind Anoden 33 als Seitenabschnitte 28 abwechselnd auf sich entgegengesetzt ausgerichteten Seitenflächen 28 angeordnet. Rein exemplarisch sind drei Grundkörper 12 auf dem VCSEL-Array 46 angeordnet, die entlang einer gedachten Linie angeordnet sind. Die Seitenabschnitte 28 sind auf gegenüberliegenden Seiten bezüglich der gedachten Linie angeordnet. Dabei sind die Seitenabschnitte 28 der äußeren beiden Grundkörper 12 auf der gleichen Seite bezüglich der gedachten Linie 47 angeordnet. Der mittlere Grundkörper 12 weist einen Seitenabschnitt 28 auf, der in die entgegengesetzte Richtung ausgerichtet ist. Die Kathoden 29 des VCSEL-Arrays 46 sind an entgegengesetzten Seiten des VCSEL-Array 46 angeordnet, die nicht einem einzelnen Grundkörper 12 zugeordnet sind. Rein exemplarisch sind die Kathoden 29 an Längsenden des VCSEL-Arrays 46 angeordnet.
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In 5 bis 9 ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Herstellen eines VCSELs 10 oder eines VCSEL-Arrays 46 dargestellt.
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In 5 ist gezeigt, das auf einem Wafer 48 Grundkörper 12 durch einen Lithographie-ÄtzSchritt ausgebildet werden, die durch Gräben 49 abgetrennt sind. Die Ätzrichtung 50 ist durch Pfeile dargestellt. In exemplarischer Weise sind zwei Grundkörper 12 dargestellt. Es werden die ohmschen Kontakte 37 auf der Oberseite 25 für die Anode 33 und die Kathode 29 durch Metallisierung hergestellt.
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In 6 ist ein Passivierungsschritt mit einer nachfolgenden Freiätzung der Anode 33 und der Kathode 29. Die Passivierung erfolgt beispielsweise durch eine Siliziumnitridbeschichtung. An der Oberseite 25 werden die Metallisierungen durch einen Ätzschritt freigelegt.
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In 7 werden die Seitenflächen 30 in den Gräben 49 mit einem Metall wie Gold beschichtet und bilden die Seitenabschnitte 28 der Kathode 29 und Anode 33. Dabei werden auch die entsprechenden Oberabschnitte 35 gebildet. Durch Erzeugen eines Seedlayers, der durch Sputtern oder eine Atomic-Layer-Deposition-Methode aufgebracht wird, kann eine Haftschicht für eine Metallisierung bereitgestellt werden. Durch die Metallisierung kann dann die Kathode 29 und die Anode 33 erzeugt werden. Die letztendliche Form der elektrischen Kontakte kann durch eine Lithographiemaske vorgegeben werden.
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In 8 wird zusätzlich die Lotbarriere 38 aufgebracht, die auf dem Oberabschnitt 35 angeordnet wird.
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In 9 wird durch einen Plasmaätzschritt mittels einer Lithographiemaske der jeweilige Graben 49 weiter vertieft, bis das Substrat 32 durch diesen Trennschritt durchtrennt ist, sodass Grundkörper 12 voneinander separiert sind.
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Ein zweites Ausführungsbeispiel des Verfahrens zum Herstellen eines VCSELs 10 oder eines VCSEL-Arrays 46 ist in den 10 bis 15 dargestellt.
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In 10 wird ein Grundkörper 12 durch eingeätzte Gräben 49 abgegrenzt, die durch eine Lithographiemaske definiert werden. Dabei ist neben den Gräben 49 ein Abschnitt 50 ausgebildet, der in den nachfolgenden Schritten geopfert wird. Der Abschnitt 50 reicht bis zum Graben 49.
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In 11 wird gemäß 6 eine Passivierung aufgetragen und durch einen Ätzschritt metallische Kontakte freigelegt, die vorher angelegt wurden.
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Gemäß 12 werden die Gräben 49 vollständig mit einem Metall wie Gold gefüllt.
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Hierdurch werden die Seitenflächen 30 durch das Metall belegt.
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Nachdem die Gräben 49 vollständig mit Metall gefüllt sind und die Seitenflächen 30 bedeckt sind, wird gemäß 13 ein isotroper Ätzschritt entlang der Achse der Stapelrichtung 18 ausgeführt, sodass Öffnungen 52 senkrecht zu den Schichten des Stapels indem Abschnitt 50 erzeugt werden.
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Anschließend wird ein anisotroper Ätzschritt durchgeführt wie in 14 gezeigt, der die Öffnungen 52 vergrößert. Dabei kann Galliumarsenid und Siliziumnitrid anisotrop geätzt werden.
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Schließlich erfolgt ein Trennschritt durch eine Plasmaätzung gemäß 15 die dem Schritt aus 9 entspricht.
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In 16 ist eine schematische Darstellung einer Elektroplatine 54 dargestellt, auf der zwei VCSEL 10 angeordnet sind.
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In 16A ist ein VCSEL 10 dargestellt, der einem Ausführungsbeispiel der vorhergehenden Figuren entspricht. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist eine Laserachse 60, entlang dem das Laserlicht im Wesentlichen propagiert, parallel zur Achse der Stapelrichtung 18 ausgerichtet. Vorliegend ist die Laserachse 60 senkrecht zur Elektroplatine 54 ausgerichtet. Der Emissionsbereich 22 ist auf eine der Elektroplatinen 54 entgegengesetzten Seite am VCSEL 10 angeordnet. An den Seitenflächen 30 sind die Seitenabschnitte 28 der elektrischen Kontakte 26 positioniert und entsprechend senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung der Elektroplatine 54 ausgerichtet. Die Seitenabschnitte 28 sind dabei im Bereich von elektrischen Leiterbahnen 56 positioniert, an die sie angelötet werden. Dabei ist eine Kathode 29 an einen Lötkontakt einer der Kathode 29 zugeordnete Leiterbahn 56 angelötet. Die Anode 33 ist an einen Lötkontakt angelötet, der Teil einer Leiterbahn 56 ist, die einer der Anode 33 zugeordneten Leiterbahn 56 zugeordnet ist. Das Lot bildet eine meniskusartige Lötung 58 in der Ecke zwischen Leiterbahn 56 und Seitenabschnitt 28. Die Lötung 58 kann konkav in Form einer Kehlung wie in der 16A oder alternativ konvex ausgebildet sein. Die Seitenabschnitte 28 sind rein exemplarisch auf sich gegenüberliegenden Seiten des VCSELs 10 angeordnet. Alternativ können Sie auf der gleichen oder durch eine gemeinsame Ecke getrennte Seitenflächen 30 des VCSELs 10 angeordnet sein.
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Bei dem Ausführungsbeispiel der 16B ist der VCSEL 10 so ausgerichtet, dass die Laserachse 60 parallel zur Haupterstreckungsebene der Elektroplatine 54 ausgerichtet ist. Die elektrischen Kontakte 26 sind zwischen der Leiterbahn 56 und dem Grundkörper 12 des VCSELs 10 positioniert, wobei das Lot vorzugsweise eine flächige Lötung 58 ausbildet. Entsprechend der verkippten Position des VCSELs 10 und der entsprechend nun parallel zur Haupterstreckungsebene der Elektroplatine 54 ausgerichteten Stapelrichtung 18 propagiert das Laserlicht aus dem Emissionsbereich 22 im Wesentlichen parallel zur Elektroplatine 54. Bei einer Alternative der 16B können die Seitenabschnitte 28 auch an Seitenflächen 30 des VCSELs 10 angebracht sind, die senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Elektroplatine 54 ausgerichtet sind, sodass eine konkave oder konvexe Lötung 58 in der Ecke zwischen einer Leiterbahn 56 und einem Seitenabschnitt 28 erzeugt werden kann.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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