JP2001160646A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
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- JP2001160646A JP2001160646A JP34364699A JP34364699A JP2001160646A JP 2001160646 A JP2001160646 A JP 2001160646A JP 34364699 A JP34364699 A JP 34364699A JP 34364699 A JP34364699 A JP 34364699A JP 2001160646 A JP2001160646 A JP 2001160646A
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- light receiving
- optical module
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 組み立てが容易で、かつ小型化が可能な光モ
ジュールを提供する。 【解決手段】 主表面を有する基板の主表面上に、半導
体レーザ装置が取り付けられている。第１の受光装置
が、半導体レーザ装置から放射されたレーザビームの光
路の一部を遮り、遮られた部分を伝搬するレーザビーム
を受ける。波長選択手段が、第1の受光素子で遮られな
かったレーザビームのうち、一部の波長域の成分のみを
透過させる。第２の受光素子が、波長選択手段を透過し
たレーザビームを受ける。
ジュールを提供する。 【解決手段】 主表面を有する基板の主表面上に、半導
体レーザ装置が取り付けられている。第１の受光装置
が、半導体レーザ装置から放射されたレーザビームの光
路の一部を遮り、遮られた部分を伝搬するレーザビーム
を受ける。波長選択手段が、第1の受光素子で遮られな
かったレーザビームのうち、一部の波長域の成分のみを
透過させる。第２の受光素子が、波長選択手段を透過し
たレーザビームを受ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光モジュールに関
し、特に半導体レーザ装置と、放射されたレーザビーム
をモニタする受光素子とを有する光モジュールに関す
る。
し、特に半導体レーザ装置と、放射されたレーザビーム
をモニタする受光素子とを有する光モジュールに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、幹線系光通信網では、伝送容量を
増やすために波長多重方式を利用した通信システムの導
入が盛んになっている。多重数を増やし、伝送効率を高
めるには、周波数空間内で多重化された複数のチャネル
の波長間隔をより狭くする必要がある。このために、光
源である半導体レーザ装置の発振スペクトルを高精度に
制御する必要がある。
増やすために波長多重方式を利用した通信システムの導
入が盛んになっている。多重数を増やし、伝送効率を高
めるには、周波数空間内で多重化された複数のチャネル
の波長間隔をより狭くする必要がある。このために、光
源である半導体レーザ装置の発振スペクトルを高精度に
制御する必要がある。
【０００３】半導体レーザ装置として、一般的に分布帰
還型（ＤＦＢ）のレーザ装置が用いられる。ＤＦＢレー
ザ装置の発振波長は、活性領域に形成された回折格子に
より決定される。活性領域の屈折率の温度依存性によ
り、発振波長が１℃あたり約０．１ｎｍの割合で変動す
る。従って、ＤＦＢレーザ装置の発振波長の温度依存性
を利用して、発振波長を制御することができる。
還型（ＤＦＢ）のレーザ装置が用いられる。ＤＦＢレー
ザ装置の発振波長は、活性領域に形成された回折格子に
より決定される。活性領域の屈折率の温度依存性によ
り、発振波長が１℃あたり約０．１ｎｍの割合で変動す
る。従って、ＤＦＢレーザ装置の発振波長の温度依存性
を利用して、発振波長を制御することができる。
【０００４】図６に、半導体レーザ装置と、レーザビー
ムをモニタする受光素子とを有する従来の光モジュール
の概略平面図を示す。基板１００の表面上にレーザダイ
オード１０１及び球レンズ１０２が配置されている。球
レンズ１０２は、レーザダイオード１０１の後方から放
射されたレーザビームを集束させる。球レンズ１０２に
より集束されたレーザビームが、ハーフミラー１０３に
より２本のレーザビームに分割される。
ムをモニタする受光素子とを有する従来の光モジュール
の概略平面図を示す。基板１００の表面上にレーザダイ
オード１０１及び球レンズ１０２が配置されている。球
レンズ１０２は、レーザダイオード１０１の後方から放
射されたレーザビームを集束させる。球レンズ１０２に
より集束されたレーザビームが、ハーフミラー１０３に
より２本のレーザビームに分割される。
【０００５】ハーフミラー１０３で反射したレーザビー
ムは、受光素子１０４に入射する。ハーフミラー１０３
を透過したレーザビームは、バンドパスフィルタ１０５
で周波数選択され、受光素子１０６に入射する。バンド
パスフィルタ１０５の透過波長帯域は、中心波長よりも
やや短波長側に設定されている。
ムは、受光素子１０４に入射する。ハーフミラー１０３
を透過したレーザビームは、バンドパスフィルタ１０５
で周波数選択され、受光素子１０６に入射する。バンド
パスフィルタ１０５の透過波長帯域は、中心波長よりも
やや短波長側に設定されている。
【０００６】受光素子１０４は、出力強度のモニタとし
て機能する。出力強度が低下すると、例えばレーザダイ
オード１０１の駆動電流を増加させる。受光素子１０６
の出力信号の低下は、発振波長の長波長ずれを意味す
る。このとき、レーザダイオード１０１の温度を下げ、
発振波長が短波長側へシフトするように制御する。
て機能する。出力強度が低下すると、例えばレーザダイ
オード１０１の駆動電流を増加させる。受光素子１０６
の出力信号の低下は、発振波長の長波長ずれを意味す
る。このとき、レーザダイオード１０１の温度を下げ、
発振波長が短波長側へシフトするように制御する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図６に示す従来の光モ
ジュールでは、基板１００、ハーフミラー１０３、受光
素子１０４及び１０６の相対的な位置を調整する必要が
ある。レーザダイオード１０１を発振させ、受光素子１
０４及び１０６の出力信号をモニタしながら、位置の調
整を行う必要がある。また、レーザビームを２分割し、
分割されたレーザビームの光路上に受光素子を配置する
ため、小型化が困難である。
ジュールでは、基板１００、ハーフミラー１０３、受光
素子１０４及び１０６の相対的な位置を調整する必要が
ある。レーザダイオード１０１を発振させ、受光素子１
０４及び１０６の出力信号をモニタしながら、位置の調
整を行う必要がある。また、レーザビームを２分割し、
分割されたレーザビームの光路上に受光素子を配置する
ため、小型化が困難である。
【０００８】本発明の目的は、組み立てが容易で、かつ
小型化が可能な光モジュールを提供することである。
小型化が可能な光モジュールを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、主表面を有する基板と、前記基板の主表面上に取り
付けられた半導体レーザ装置と、前記半導体レーザ装置
から放射されたレーザビームの光路の一部を遮り、遮ら
れた部分を伝搬するレーザビームを受ける第1の受光素
子と、前記第1の受光素子で遮られなかったレーザビー
ムのうち、一部の波長域の成分のみを透過させる波長選
択手段と、前記波長選択手段を透過したレーザビームを
受ける第２の受光素子とを有する光モジュールが提供さ
れる。
と、主表面を有する基板と、前記基板の主表面上に取り
付けられた半導体レーザ装置と、前記半導体レーザ装置
から放射されたレーザビームの光路の一部を遮り、遮ら
れた部分を伝搬するレーザビームを受ける第1の受光素
子と、前記第1の受光素子で遮られなかったレーザビー
ムのうち、一部の波長域の成分のみを透過させる波長選
択手段と、前記波長選択手段を透過したレーザビームを
受ける第２の受光素子とを有する光モジュールが提供さ
れる。
【００１０】レーザビームを分割することなく、第１及
び第２の受光素子でレーザビームを受けることができ
る。このため、光軸調整を容易に行うことができ、ま
た、小型化を図ることができる。
び第２の受光素子でレーザビームを受けることができ
る。このため、光軸調整を容易に行うことができ、ま
た、小型化を図ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１〜４を参照して、本発明の第
１の実施例による光モジュールについて説明する。
１の実施例による光モジュールについて説明する。
【００１２】図1（Ａ）は、第１の実施例による光モジ
ュールの平面図を示し、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の一
点鎖線Ｂ１−Ｂ１における断面図を示す。サーモエレク
トリッククーラ（ＴＥＣ）基板１の表面上に、シリコン
（Ｓｉ）基板１０が固着されている。ＴＥＣ基板１は、
ペルチェ効果を利用してＳｉ基板１０の温度を下げるこ
とができる。
ュールの平面図を示し、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の一
点鎖線Ｂ１−Ｂ１における断面図を示す。サーモエレク
トリッククーラ（ＴＥＣ）基板１の表面上に、シリコン
（Ｓｉ）基板１０が固着されている。ＴＥＣ基板１は、
ペルチェ効果を利用してＳｉ基板１０の温度を下げるこ
とができる。
【００１３】Ｓｉ基板１０の主表面上に、レーザダイオ
ード１１が固定されている。レーザダイオード１１は、
前方（図１（Ａ）において、図の右方）及び後方（図１
（Ａ）において、図の左方）にレーザビームを放射す
る。レーザビームは、シリコン基板１０の主表面にほぼ
平行な方向に伝搬する。球レンズ１２が、シリコン基板
１０の主表面に形成された逆四角錐台の凹部１４によっ
て位置決めされており、レーザダイオード１１の後方に
放射されたレーザビームを集束させる。球レンズ１２の
表面は、無反射コーティングされている。レーザダイオ
ード１１の前方に放射されたレーザビームは、例えば光
ファイバに入射する。
ード１１が固定されている。レーザダイオード１１は、
前方（図１（Ａ）において、図の右方）及び後方（図１
（Ａ）において、図の左方）にレーザビームを放射す
る。レーザビームは、シリコン基板１０の主表面にほぼ
平行な方向に伝搬する。球レンズ１２が、シリコン基板
１０の主表面に形成された逆四角錐台の凹部１４によっ
て位置決めされており、レーザダイオード１１の後方に
放射されたレーザビームを集束させる。球レンズ１２の
表面は、無反射コーティングされている。レーザダイオ
ード１１の前方に放射されたレーザビームは、例えば光
ファイバに入射する。
【００１４】レーザダイオード１１の後方から放射さ
れ、球レンズ１２で集束されたレーザビーム１７の光路
に沿って、シリコン基板１０の主表面に溝１６が形成さ
れている。溝１６と凹部１４との間に、レーザビーム１
７の光路と直交する方向に延在する溝１５が形成されて
いる。レーザビーム１７の一部分１７ａは、シリコン基
板１０の主表面よりも低い位置を通過し、他の一部分１
７ｂは、シリコン基板１０の主表面よりも高い位置を通
過する。溝１５及び１６は、レーザビーム１７の一部１
７ａを遮らないようにするためのものである。
れ、球レンズ１２で集束されたレーザビーム１７の光路
に沿って、シリコン基板１０の主表面に溝１６が形成さ
れている。溝１６と凹部１４との間に、レーザビーム１
７の光路と直交する方向に延在する溝１５が形成されて
いる。レーザビーム１７の一部分１７ａは、シリコン基
板１０の主表面よりも低い位置を通過し、他の一部分１
７ｂは、シリコン基板１０の主表面よりも高い位置を通
過する。溝１５及び１６は、レーザビーム１７の一部１
７ａを遮らないようにするためのものである。
【００１５】斜面入射型フォトダイオード１３が、溝１
６を跨ぐように、シリコン基板１０の主表面上に固定さ
れており、レーザビーム１７の一部１７ｂの光路を遮
る。レーザビーム１７の一部１７ｂが、斜面入射型フォ
トダイオード１３に入射し、電気信号に変換される。
６を跨ぐように、シリコン基板１０の主表面上に固定さ
れており、レーザビーム１７の一部１７ｂの光路を遮
る。レーザビーム１７の一部１７ｂが、斜面入射型フォ
トダイオード１３に入射し、電気信号に変換される。
【００１６】レーザビーム１７の一部１７ａは、斜面入
射型フォトダイオード１３で遮られることなく、溝１６
内を通過する。溝１６内を通過したレーザビーム１７ｂ
の光路上にバンドパスフィルタ２０及び表面入射型フォ
トダイオード２５が配置されている。レーザビーム１７
ｂは、バンドパスフィルタ２０に入射する。バンドパス
フィルタ２０は、レーザビーム１７ｂのある波長成分の
みを透過させる。バンドパスフィルタ２０を透過したレ
ーザビームは、表面入射型フォトダイオード２５に入射
し、電気信号に変換される。
射型フォトダイオード１３で遮られることなく、溝１６
内を通過する。溝１６内を通過したレーザビーム１７ｂ
の光路上にバンドパスフィルタ２０及び表面入射型フォ
トダイオード２５が配置されている。レーザビーム１７
ｂは、バンドパスフィルタ２０に入射する。バンドパス
フィルタ２０は、レーザビーム１７ｂのある波長成分の
みを透過させる。バンドパスフィルタ２０を透過したレ
ーザビームは、表面入射型フォトダイオード２５に入射
し、電気信号に変換される。
【００１７】シリコン基板１０及びバンドパスフィルタ
２０は、サーモエレクトリッククーラ（ＴＥＣ）基板１
に固定されている。表面入射型フォトダイオード２５
は、保持板２４を介してＴＥＣ基板１に固定されてい
る。ＴＥＣ基板１は、ペルチェ効果により寒冷を発生
し、レーザダイオード１１等の温度を制御する。
２０は、サーモエレクトリッククーラ（ＴＥＣ）基板１
に固定されている。表面入射型フォトダイオード２５
は、保持板２４を介してＴＥＣ基板１に固定されてい
る。ＴＥＣ基板１は、ペルチェ効果により寒冷を発生
し、レーザダイオード１１等の温度を制御する。
【００１８】図２は、斜面入射型フォトダイオード１３
の断面図を示す。図２に示された斜面入射型フォトダイ
オードは、特開平８−３１６５０６号公報の図２に示さ
れたものであり、その構造及び製造方法は、当該公報に
詳しく説明されている。ここでは、その構造について簡
単に説明する。
の断面図を示す。図２に示された斜面入射型フォトダイ
オードは、特開平８−３１６５０６号公報の図２に示さ
れたものであり、その構造及び製造方法は、当該公報に
詳しく説明されている。ここでは、その構造について簡
単に説明する。
【００１９】ｎ型ＩｎＰ基板３０の、レーザダイオード
側の端面３０ａと下主面３０ｂとが交わる稜に沿って斜
面３３ｃが形成されている。レーザビーム１７ｂが、斜
面３３ｃに入射し、斜面３３ｃで屈折してＩｎＰ基板３
０内に導入される。
側の端面３０ａと下主面３０ｂとが交わる稜に沿って斜
面３３ｃが形成されている。レーザビーム１７ｂが、斜
面３３ｃに入射し、斜面３３ｃで屈折してＩｎＰ基板３
０内に導入される。
【００２０】ＩｎＰ基板３０の上主面上に、ｎ型ＩｎＰ
層３１、ノンドープのＩｎＧａＡｓ層３２、及びｎ-型
ＩｎＰ層３３が、この順番に積層されている。ｎ-型Ｉ
ｎＰ層３３のうち、ＩｎＰ基板３０内に導入されたレー
ザビームの入射する部分が、ｐ型領域３３ａとされ、他
の一部がｐ型領域３３ｂとされている。ｐ型領域３３
ａ、ＩｎＧａＡｓ層３２、及びｎ型ＩｎＰ層３１が受光
ダイオードＤ１を構成し、ｐ型領域３３ｂ、ＩｎＧａＡ
ｓ層３２、及びｎ型ＩｎＰ層３１が駆動ダイオードＤ２
を構成する。
層３１、ノンドープのＩｎＧａＡｓ層３２、及びｎ-型
ＩｎＰ層３３が、この順番に積層されている。ｎ-型Ｉ
ｎＰ層３３のうち、ＩｎＰ基板３０内に導入されたレー
ザビームの入射する部分が、ｐ型領域３３ａとされ、他
の一部がｐ型領域３３ｂとされている。ｐ型領域３３
ａ、ＩｎＧａＡｓ層３２、及びｎ型ＩｎＰ層３１が受光
ダイオードＤ１を構成し、ｐ型領域３３ｂ、ＩｎＧａＡ
ｓ層３２、及びｎ型ＩｎＰ層３１が駆動ダイオードＤ２
を構成する。
【００２１】ｐ型領域３３ａに電極３４が接続され、ｐ
型領域３３ｂに電極３５が接続されている。動作時に
は、駆動ダイオードＤ２に順方向バイアスが印加される
ように、電極３４と３５との間に電圧を印加する。斜面
３３ｃから入射したレーザビームが受光ダイオードＤ１
を照射すると、電極３４と３５との間に電流が流れる。
斜面入射型フォトダイオード１３で、レーザビーム１７
ｂを受光することにより、図１に示すレーザダイオード
１１の発光強度を監視することができる。
型領域３３ｂに電極３５が接続されている。動作時に
は、駆動ダイオードＤ２に順方向バイアスが印加される
ように、電極３４と３５との間に電圧を印加する。斜面
３３ｃから入射したレーザビームが受光ダイオードＤ１
を照射すると、電極３４と３５との間に電流が流れる。
斜面入射型フォトダイオード１３で、レーザビーム１７
ｂを受光することにより、図１に示すレーザダイオード
１１の発光強度を監視することができる。
【００２２】図３は、レーザダイオード１１から放射さ
れたレーザビームのスペクトルと、バンドパスフィルタ
２０の波長選択性を示すグラフである。横軸は波長を表
し、曲線ａ１及び破線ａ２はレーザビームの強度を表
し、実線ｂはバンドパスフィルタ２０の透過特性を表
す。バンドパスフィルタ２０の透過帯域は、レーザビー
ムのピーク波長よりもやや長波長側に設定されている。
レーザビームのうち、ピーク波長よりもやや長波長側の
裾の部分が、バンドパスフィルタ２０を透過する。
れたレーザビームのスペクトルと、バンドパスフィルタ
２０の波長選択性を示すグラフである。横軸は波長を表
し、曲線ａ１及び破線ａ２はレーザビームの強度を表
し、実線ｂはバンドパスフィルタ２０の透過特性を表
す。バンドパスフィルタ２０の透過帯域は、レーザビー
ムのピーク波長よりもやや長波長側に設定されている。
レーザビームのうち、ピーク波長よりもやや長波長側の
裾の部分が、バンドパスフィルタ２０を透過する。
【００２３】レーザダイオード１１の発振波長が長波長
側にシフトすると、レーザビームのスペクトルが図３の
曲線ａ１から破線ａ２にシフトする。このため、バンド
パスフィルタ２０を透過する光の強度が増加する。バン
ドパスフィルタ２０を透過したレーザビームの強度を、
表面入射型フォトダイオード２５で監視することによ
り、レーザダイオード１１の発振波長のずれを検出する
ことができる。発振波長が所望の波長からずれると、所
望の波長に近づくように、ＴＥＣ基板１によりレーザダ
イオード１１の温度を制御する。
側にシフトすると、レーザビームのスペクトルが図３の
曲線ａ１から破線ａ２にシフトする。このため、バンド
パスフィルタ２０を透過する光の強度が増加する。バン
ドパスフィルタ２０を透過したレーザビームの強度を、
表面入射型フォトダイオード２５で監視することによ
り、レーザダイオード１１の発振波長のずれを検出する
ことができる。発振波長が所望の波長からずれると、所
望の波長に近づくように、ＴＥＣ基板１によりレーザダ
イオード１１の温度を制御する。
【００２４】次に、図４を参照して図１に示した第１の
実施例による光モジュールの製造方法について説明す
る。
実施例による光モジュールの製造方法について説明す
る。
【００２５】図４は、図１のシリコン基板１の、チップ
単位への分離前の平面図を示す。図４の破線は、スクラ
イブライン、すなわち、ひとつのチップの外周を示す。
シリコン基板の表面上にＳｉＯ2膜を形成し、その上に
所望の配線やパッドをＡｕで、バンプをＡｕＳｎ合金で
形成する。このＳｉＯ2膜に、凹部１４に対応した開口
及び溝１６に対応した開口を形成する。
単位への分離前の平面図を示す。図４の破線は、スクラ
イブライン、すなわち、ひとつのチップの外周を示す。
シリコン基板の表面上にＳｉＯ2膜を形成し、その上に
所望の配線やパッドをＡｕで、バンプをＡｕＳｎ合金で
形成する。このＳｉＯ2膜に、凹部１４に対応した開口
及び溝１６に対応した開口を形成する。
【００２６】これらの開口を通して、シリコン基板を異
方性エッチングする。異方性エッチングのためのエッチ
ャントとして、例えばＫＯＨを用いることができる。こ
のとき、溝１６の端部が凹部１４に接しないように両者
を配置する。溝１６と凹部１４とが連続すると、アンダ
ーエッチングが起こり、所望の形状の溝を形成すること
ができなくなるからである。溝１６と凹部１４との間に
残った基板の主表面をダイシングし、溝１５を形成す
る。溝１５を介して、溝１６と凹部１４とが接続され
る。
方性エッチングする。異方性エッチングのためのエッチ
ャントとして、例えばＫＯＨを用いることができる。こ
のとき、溝１６の端部が凹部１４に接しないように両者
を配置する。溝１６と凹部１４とが連続すると、アンダ
ーエッチングが起こり、所望の形状の溝を形成すること
ができなくなるからである。溝１６と凹部１４との間に
残った基板の主表面をダイシングし、溝１５を形成す
る。溝１５を介して、溝１６と凹部１４とが接続され
る。
【００２７】シリコン基板１０をスクライブし、チップ
単位に分割した後、シリコン基板１０の主表面上に、図
１に示すレーザダイオード１１及び斜面入射型フォトダ
イオード１３を、ダイボンディングする。球レンズ１２
を凹部１４内に配置し、紫外線硬化型樹脂で固定する。
レーザダイオード１１及び斜面入射型フォトダイオード
１３の各電極と、シリコン基板１０の主表面上のパッド
とをワイヤボンディングにより接続する。
単位に分割した後、シリコン基板１０の主表面上に、図
１に示すレーザダイオード１１及び斜面入射型フォトダ
イオード１３を、ダイボンディングする。球レンズ１２
を凹部１４内に配置し、紫外線硬化型樹脂で固定する。
レーザダイオード１１及び斜面入射型フォトダイオード
１３の各電極と、シリコン基板１０の主表面上のパッド
とをワイヤボンディングにより接続する。
【００２８】上記第１の実施例による光モジュールで
は、図１に示すレーザダイオード１１及び斜面入射型フ
ォトダイオード１３が、ダイボンディングされるため、
高精度に位置決めすることができる。また、球レンズ１
２が、異方性エッチングにより形成された凹部１４によ
り位置決めされるため、位置決め精度を高めることがで
きる。レーザビームをモニタしながら位置調整を行う必
要がないため、組み立てが容易になる。
は、図１に示すレーザダイオード１１及び斜面入射型フ
ォトダイオード１３が、ダイボンディングされるため、
高精度に位置決めすることができる。また、球レンズ１
２が、異方性エッチングにより形成された凹部１４によ
り位置決めされるため、位置決め精度を高めることがで
きる。レーザビームをモニタしながら位置調整を行う必
要がないため、組み立てが容易になる。
【００２９】図１の溝１６の内面上に、レーザビームを
反射する反射膜、例えば金膜等をコーティングしてもよ
い。反射膜で反射したレーザビームが表面入射型フォト
ダイオード２５に入射するため、Ｓ／Ｎ比を改善するこ
とができる。
反射する反射膜、例えば金膜等をコーティングしてもよ
い。反射膜で反射したレーザビームが表面入射型フォト
ダイオード２５に入射するため、Ｓ／Ｎ比を改善するこ
とができる。
【００３０】次に、図５を参照して、本発明の第２の実
施例による光モジュールについて説明する。
施例による光モジュールについて説明する。
【００３１】図５は、第２の実施例による光モジュール
の概略断面図を示す。シリコン基板１０ａの主表面に、
凹部１４、溝１５及び１６が形成され、主表面上にレー
ザダイオード１１、球レンズ１２、斜面入射型フォトダ
イオード１３が固定されている。これらの配置及び固定
方法は、図１に示す第１の実施例の場合と同様である。
の概略断面図を示す。シリコン基板１０ａの主表面に、
凹部１４、溝１５及び１６が形成され、主表面上にレー
ザダイオード１１、球レンズ１２、斜面入射型フォトダ
イオード１３が固定されている。これらの配置及び固定
方法は、図１に示す第１の実施例の場合と同様である。
【００３２】第１の実施例では、図１（Ｂ）に示すよう
に、バンドパスフィルタ２０がＴＥＣ基板１上に固定さ
れていたが、第２の実施例では、バンドパスフィルタ２
０が、シリコン基板１０ａの主表面に形成された溝１７
内に挿入されて固定されている。溝１７は、ダイシング
により形成される。
に、バンドパスフィルタ２０がＴＥＣ基板１上に固定さ
れていたが、第２の実施例では、バンドパスフィルタ２
０が、シリコン基板１０ａの主表面に形成された溝１７
内に挿入されて固定されている。溝１７は、ダイシング
により形成される。
【００３３】レーザダイオード１１の前方（図５におい
て、図の右方）に放射されたレーザビームの光路上に球
レンズ４０が配置されている。球レンズ４０は、シリコ
ン基板１０ａの主表面に形成された凹部４１により位置
決めされている。球レンズ４０は、レーザダイオード１
１の前方放射光を集束する。
て、図の右方）に放射されたレーザビームの光路上に球
レンズ４０が配置されている。球レンズ４０は、シリコ
ン基板１０ａの主表面に形成された凹部４１により位置
決めされている。球レンズ４０は、レーザダイオード１
１の前方放射光を集束する。
【００３４】ＴＥＣ基板１の主表面上に、シリコン基板
１０ａ、表面入射型フォトダイオード２５が取り付けら
れた保持板２４、及び光アイソレータ４２が固定されて
いる。表面入射型フォトダイオード２５は、第１の実施
例の場合と同様に、バンドパスフィルタ２０を透過した
レーザビームを受光する。
１０ａ、表面入射型フォトダイオード２５が取り付けら
れた保持板２４、及び光アイソレータ４２が固定されて
いる。表面入射型フォトダイオード２５は、第１の実施
例の場合と同様に、バンドパスフィルタ２０を透過した
レーザビームを受光する。
【００３５】ＴＥＣ基板１は、上部に開口を有するパッ
ケージ５０内に装填されている。パッケージ５０の開口
部は蓋５１で塞がれ、その内部の気密性が確保される。
パッケージ５０の側面に窓５２が形成されている。球レ
ンズ４０で集束されたレーザビームが、窓５２を通過
し、集光用非球面レンズ６２で集光され、光ファイバ６
１に入射する。
ケージ５０内に装填されている。パッケージ５０の開口
部は蓋５１で塞がれ、その内部の気密性が確保される。
パッケージ５０の側面に窓５２が形成されている。球レ
ンズ４０で集束されたレーザビームが、窓５２を通過
し、集光用非球面レンズ６２で集光され、光ファイバ６
１に入射する。
【００３６】集光用非球面レンズ６０は、レンズホルダ
６２で保持され、光ファイバ６１の端部は、ファイバガ
イド６３で保持されている。レンズホルダ６２はパッケ
ージ５０の側面にＹＡＧレーザ溶接され、ファイバガイ
ド６３は、レンズホルダ６２にＹＡＧレーザ溶接されて
いる。
６２で保持され、光ファイバ６１の端部は、ファイバガ
イド６３で保持されている。レンズホルダ６２はパッケ
ージ５０の側面にＹＡＧレーザ溶接され、ファイバガイ
ド６３は、レンズホルダ６２にＹＡＧレーザ溶接されて
いる。
【００３７】第２の実施例の場合には、バンドパスフィ
ルタ２０も、シリコン基板１０ａの主表面に形成された
溝１７で位置決めされる。このため、光学部品の調整箇
所を削減することができる。
ルタ２０も、シリコン基板１０ａの主表面に形成された
溝１７で位置決めされる。このため、光学部品の調整箇
所を削減することができる。
【００３８】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体レーザ装置から放射されたレーザビームのうち、
ビーム断面の一部分を通過するレーザビームを第１の受
光素子で受け、他の部分を通過するレーザビームを第２
の受光素子で受ける。ハーフミラー等を用いてレーザビ
ームを分割しないため、光学系の光軸調整等を容易に行
うことができ、かつ小型化を図ることが可能になる。
半導体レーザ装置から放射されたレーザビームのうち、
ビーム断面の一部分を通過するレーザビームを第１の受
光素子で受け、他の部分を通過するレーザビームを第２
の受光素子で受ける。ハーフミラー等を用いてレーザビ
ームを分割しないため、光学系の光軸調整等を容易に行
うことができ、かつ小型化を図ることが可能になる。
【図１】第１の実施例による光モジュールの平面図及び
断面図である。
断面図である。
【図２】斜面入射型フォトダイオードの断面図である。
【図３】レーザビームのスペクトルと、バンドパスフィ
ルタの透過特性を示すグラフである。
ルタの透過特性を示すグラフである。
【図４】第１の実施例による光モジュールの製造方法を
説明するためのシリコン基板の平面図である。
説明するためのシリコン基板の平面図である。
【図５】第２の実施例による光モジュールの断面図であ
る。
る。
【図６】従来の光モジュールの平面図である。
１ ＴＥＣ基板 １０ シリコン基板 １１ レーザダイオード １２、４０ 球レンズ １３ 斜面入射型フォトダイオード １４、４１ 凹部 １５、１６ 溝 １７ レーザビーム ２０ バンドパスフィルタ ２４ 保持板 ２５ 表面入射型フォトダイオード ４２ 光アイソレータ ５０ パッケージ ５１ 蓋 ５２ 窓 ６０ 集光用非球面レンズ ６１ 光ファイバ ６２ レンズホルダ ６３ ファイバガイド
Claims (4)
- 【請求項１】 主表面を有する基板と、 前記基板の主表面上に取り付けられた半導体レーザ装置
と、 前記半導体レーザ装置から放射されたレーザビームの光
路の一部を遮り、遮られた部分を伝搬するレーザビーム
を受ける第1の受光素子と、 前記第1の受光素子で遮られなかったレーザビームのう
ち、一部の波長域の成分のみを透過させる波長選択手段
と、 前記波長選択手段を透過したレーザビームを受ける第２
の受光素子とを有する光モジュール。 - 【請求項２】 さらに、前記半導体レーザ装置から放射
されたレーザビームを集光するレンズを有する請求項１
に記載の光モジュール。 - 【請求項３】 前記半導体レーザ装置から放射されたレ
ーザビームの一部は、前記基板の主表面よりも低い位置
を通過し、該基板の主表面の、前記レーザビームの通過
する領域に溝が形成されており、 前記第1の受光素子が、前記基板の主表面上に、前記溝
を跨ぐように配置され、前記レーザビームのうち、該主
表面よりも高い位置を通過する部分を遮る請求項１また
は２に記載の光モジュール。 - 【請求項４】 前記溝の内面に、レーザビームを反射す
る反射膜がコーティングされている請求項３に記載の光
モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34364699A JP2001160646A (ja) | 1999-12-02 | 1999-12-02 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34364699A JP2001160646A (ja) | 1999-12-02 | 1999-12-02 | 光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001160646A true JP2001160646A (ja) | 2001-06-12 |
Family
ID=18363149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34364699A Withdrawn JP2001160646A (ja) | 1999-12-02 | 1999-12-02 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001160646A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303975A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Opnext Japan Inc | モニタ用フォトダイオード付光モジュール。 |
-
1999
- 1999-12-02 JP JP34364699A patent/JP2001160646A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303975A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Opnext Japan Inc | モニタ用フォトダイオード付光モジュール。 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070206 |