JP2001166187A - 光モジュール - Google Patents
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 部品点数を増やしたり特殊な受光素子を使用
することなく、発光素子のモニター用の受光素子を光フ
ァイバや発光素子と同一基板上に高精度に実装すること
ができ、しかも小型化，低背化が可能な光モジュールを
提供すること。 【解決手段】 基板１に外部光を反射させる反射溝５を
形成するとともに、基板１上に、外部光を受光する面受
光型の受光素子７を、そのカソード電極１２が形成され
た受光面１９を反射溝５に対向させて配設して成る光モ
ジュールＭ１とする。
することなく、発光素子のモニター用の受光素子を光フ
ァイバや発光素子と同一基板上に高精度に実装すること
ができ、しかも小型化，低背化が可能な光モジュールを
提供すること。 【解決手段】 基板１に外部光を反射させる反射溝５を
形成するとともに、基板１上に、外部光を受光する面受
光型の受光素子７を、そのカソード電極１２が形成され
た受光面１９を反射溝５に対向させて配設して成る光モ
ジュールＭ１とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光ファイバ
通信や光インターコネクションといった光伝送に用いら
れ、基板上に面受光型の受光素子を備えた光モジュール
に関する。
通信や光インターコネクションといった光伝送に用いら
れ、基板上に面受光型の受光素子を備えた光モジュール
に関する。
【０００２】
【従来技術とその課題】近年、光通信システムの大容量
化および多機能化が求められており、それに従って、光
モジュールの小型化，集積化および低コスト化が要望さ
れている。そして、光モジュールの組立コストを削減す
る目的で、同一基板上に光ファイバや光半導体素子など
の光部品を実装する技術、いわゆる光ハイブリッド実装
技術が注目されている。この技術によれば、光ファイバ
と光半導体素子を同一基板上に形成された溝や導体パタ
ーンの上に実装するだけで無調心で光半導体素子を駆動
せずに位置合わせおよび組立が実現される。
化および多機能化が求められており、それに従って、光
モジュールの小型化，集積化および低コスト化が要望さ
れている。そして、光モジュールの組立コストを削減す
る目的で、同一基板上に光ファイバや光半導体素子など
の光部品を実装する技術、いわゆる光ハイブリッド実装
技術が注目されている。この技術によれば、光ファイバ
と光半導体素子を同一基板上に形成された溝や導体パタ
ーンの上に実装するだけで無調心で光半導体素子を駆動
せずに位置合わせおよび組立が実現される。
【０００３】図５（ａ），（ｂ）に光通信システムで用
いられている光送信モジュールＪ１を示す。基板３１上
に形成されたＶ溝３２に光ファイバ３３が実装され、そ
の端部に発光素子３４が実装されることで両者の光結合
が実現される。また、モニター用の受光素子３７が予め
別の基体３５上に実装され、その受光面４９が基板３１
の表面に対し垂直になるように配置されることにより、
発光素子３４の後部より出射されるモニター光５２が受
光される（例えば、特開平８−３３８９２７号公報を参
照）。なお、図中４０，４８は受光素子用の電極パター
ンであり、４２はボンディングワイヤである。
いられている光送信モジュールＪ１を示す。基板３１上
に形成されたＶ溝３２に光ファイバ３３が実装され、そ
の端部に発光素子３４が実装されることで両者の光結合
が実現される。また、モニター用の受光素子３７が予め
別の基体３５上に実装され、その受光面４９が基板３１
の表面に対し垂直になるように配置されることにより、
発光素子３４の後部より出射されるモニター光５２が受
光される（例えば、特開平８−３３８９２７号公報を参
照）。なお、図中４０，４８は受光素子用の電極パター
ンであり、４２はボンディングワイヤである。
【０００４】図６に詳細に示すように、受光素子３７の
受光面４９とカソード電極１２，カソード電極取出部４
１とは同一面に形成されているため、基体３５の上面、
受光素子３７の実装を行う側面、および下面のそれぞれ
に電極３６，３８が形成されている。そして、受光素子
３７のアノード電極が基体３５の側面電極３８に実装さ
れ、受光素子３７のカソード電極取出部４１と基体３５
の側面電極３６とがボンディングワイヤ３９により接続
されることにより、受光素子３７の基体３５上への搭載
が行われる。
受光面４９とカソード電極１２，カソード電極取出部４
１とは同一面に形成されているため、基体３５の上面、
受光素子３７の実装を行う側面、および下面のそれぞれ
に電極３６，３８が形成されている。そして、受光素子
３７のアノード電極が基体３５の側面電極３８に実装さ
れ、受光素子３７のカソード電極取出部４１と基体３５
の側面電極３６とがボンディングワイヤ３９により接続
されることにより、受光素子３７の基体３５上への搭載
が行われる。
【０００５】また、基体３５の基板３１への搭載は、基
板３１の電極４８と基体３５の下部に形成されている電
極３８とが接続され、基板３１の電極４０と基体３５上
部に形成されている電極３６とがボンディングワイヤ４
２により接続されることにより行われる。
板３１の電極４８と基体３５の下部に形成されている電
極３８とが接続され、基板３１の電極４０と基体３５上
部に形成されている電極３６とがボンディングワイヤ４
２により接続されることにより行われる。
【０００６】この構成は受光素子として同軸型の光モジ
ュールと同様であり、光学設計が容易であるが、（１）
部品点数が増えることによりコストが増大する、（２）
低背化・小型化が困難である、（３）基体の基板上へ高
精度実装が困難である、（４）基体−基板間の接続には
端面の電極パターン加工を施す必要があり単純なウエハ
プロセスでは作製が困難となる、などの問題がある。
ュールと同様であり、光学設計が容易であるが、（１）
部品点数が増えることによりコストが増大する、（２）
低背化・小型化が困難である、（３）基体の基板上へ高
精度実装が困難である、（４）基体−基板間の接続には
端面の電極パターン加工を施す必要があり単純なウエハ
プロセスでは作製が困難となる、などの問題がある。
【０００７】これに対して、図７（ａ），（ｂ）に示す
光モジュールＪ２は、裏面受光型の受光素子６７を用い
ることにより、直接、受光素子６７を同一基板６１に実
装するものである（例えば、ヨーロッパ特許出願公開明
細書ＥＰ０７８２２２４Ａ１を参照）。なお、図中６２
はＶ溝、６３は光ファイバ、７０，７８は受光素子６７
用の電極パターンである。
光モジュールＪ２は、裏面受光型の受光素子６７を用い
ることにより、直接、受光素子６７を同一基板６１に実
装するものである（例えば、ヨーロッパ特許出願公開明
細書ＥＰ０７８２２２４Ａ１を参照）。なお、図中６２
はＶ溝、６３は光ファイバ、７０，７８は受光素子６７
用の電極パターンである。
【０００８】これは従来の面受光型の受光素子とは異な
り、図８（ａ），（ｂ）に示すように、カソード側の電
極面７１と光入射面７９が逆の構造をとっており、発光
素子６４のモニタリングは発光素子６４の後部に設けら
れた溝６５に形成されている反射面６６によるモニター
光８２の反射で受光面７９に光が入射されるようにして
いる。この構造により、モニター用受光素子６７を同一
基板上６１へ直接実装することが可能となり、上記の問
題点は解消される。
り、図８（ａ），（ｂ）に示すように、カソード側の電
極面７１と光入射面７９が逆の構造をとっており、発光
素子６４のモニタリングは発光素子６４の後部に設けら
れた溝６５に形成されている反射面６６によるモニター
光８２の反射で受光面７９に光が入射されるようにして
いる。この構造により、モニター用受光素子６７を同一
基板上６１へ直接実装することが可能となり、上記の問
題点は解消される。
【０００９】しかしながら上記方法では、裏面受光型と
いう特殊な受光素子を使用する。そのため、ｐｎ接合部
が近傍に位置するカソード電極７１へのボンディングワ
イヤ６９により、素子の接合破壊の発生確率が高くな
り、これにより実装歩留りが低下するという新たな問題
点が発生する。
いう特殊な受光素子を使用する。そのため、ｐｎ接合部
が近傍に位置するカソード電極７１へのボンディングワ
イヤ６９により、素子の接合破壊の発生確率が高くな
り、これにより実装歩留りが低下するという新たな問題
点が発生する。
【００１０】そこで本発明では、上記問題を解決し、部
品点数を増やしたり特殊な受光素子を使用することな
く、発光素子のモニター用の受光素子を光ファイバや発
光素子と同一基板上に高精度に実装することができ、し
かも小型化，低背化が可能な光モジュールを提供するこ
とを目的とする。
品点数を増やしたり特殊な受光素子を使用することな
く、発光素子のモニター用の受光素子を光ファイバや発
光素子と同一基板上に高精度に実装することができ、し
かも小型化，低背化が可能な光モジュールを提供するこ
とを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光モジュールは、基板に外部光を反射させ
る反射溝を形成するとともに、前記基板上に、前記外部
光を受光する面受光型の受光素子を、そのカソード電極
が形成された受光面を前記反射溝に対向させて配設して
成る。
に、本発明の光モジュールは、基板に外部光を反射させ
る反射溝を形成するとともに、前記基板上に、前記外部
光を受光する面受光型の受光素子を、そのカソード電極
が形成された受光面を前記反射溝に対向させて配設して
成る。
【００１２】また、前記反射溝の一端部に発光素子を配
設するとともに、該発光素子の出射光を前記反射溝で反
射させ、前記受光素子で受光させるようにしたことを特
徴とする。
設するとともに、該発光素子の出射光を前記反射溝で反
射させ、前記受光素子で受光させるようにしたことを特
徴とする。
【００１３】また、前記反射溝は前記基板に形成した光
導波体の搭載溝に連続形成されているとともに、前記光
導波体から出射された光を前記反射溝で反射させ、前記
受光素子で受光させるようにしたことを特徴とする。
導波体の搭載溝に連続形成されているとともに、前記光
導波体から出射された光を前記反射溝で反射させ、前記
受光素子で受光させるようにしたことを特徴とする。
【００１４】また、前記反射溝はその一端部が前記基板
に形成した光導波路の光出射端側になるように形成され
ているとともに、前記光導波路から出射された光を前記
反射溝で反射させ、前記受光素子で受光させるようにし
たことを特徴とする。
に形成した光導波路の光出射端側になるように形成され
ているとともに、前記光導波路から出射された光を前記
反射溝で反射させ、前記受光素子で受光させるようにし
たことを特徴とする。
【００１５】また、前記受光素子のカソード電極は前記
基板に形成した電極パターン上にはんだを介して接続さ
れているとともに、前記はんだの周囲を前記電極パター
ンの一部を覆う絶縁層で取り囲むようにしたことを特徴
とする。
基板に形成した電極パターン上にはんだを介して接続さ
れているとともに、前記はんだの周囲を前記電極パター
ンの一部を覆う絶縁層で取り囲むようにしたことを特徴
とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る光モジュー
ルの実施形態について模式的にあらわした図面に基づき
詳細に説明する。
ルの実施形態について模式的にあらわした図面に基づき
詳細に説明する。
【００１７】図１に光送信モジュールＭ１の斜視図を、
図２に図１におけるＡ−Ａ線端面図を、図３（ａ）に光
半導体素子（受光素子及び発光素子）が実装される様子
を、図３（ｂ）に光半導体素子実装後の様子をそれぞれ
示す。
図２に図１におけるＡ−Ａ線端面図を、図３（ａ）に光
半導体素子（受光素子及び発光素子）が実装される様子
を、図３（ｂ）に光半導体素子実装後の様子をそれぞれ
示す。
【００１８】光送信モジュールＭ１は、シリコン単結晶
等の異方性エッチングが可能な材料から成る基板１に
は、異方性エッチングで形成した深いＶ溝２と浅いＶ溝
である反射溝５が設けられている。そして、深いＶ溝２
に光ファイバや光導波路体などの光導波体３を実装し、
光導波体３の一端部で反射溝５の一端部には半導体レー
ザ等の発光素子４を配設している。反射溝５には内部全
面もしくは一部がメタライズ等で反射膜６が形成され、
この反射溝５を跨ぐようにして面受光型の受光素子７を
配設している。
等の異方性エッチングが可能な材料から成る基板１に
は、異方性エッチングで形成した深いＶ溝２と浅いＶ溝
である反射溝５が設けられている。そして、深いＶ溝２
に光ファイバや光導波路体などの光導波体３を実装し、
光導波体３の一端部で反射溝５の一端部には半導体レー
ザ等の発光素子４を配設している。反射溝５には内部全
面もしくは一部がメタライズ等で反射膜６が形成され、
この反射溝５を跨ぐようにして面受光型の受光素子７を
配設している。
【００１９】また、基板１上に受光素子搭載用のはんだ
パターン１３，１４が形成され、受光素子７はこの上に
精度良く配設されている。ここで、受光素子７は、例え
ばＧｅ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，ＡｌＧａＡｓ
Ｓｂ，ＩｎＧａＳｂ等から成るIII-V 族多元半導体多結
晶を用いた面受光型のフォトダイオードを用いるものと
する。
パターン１３，１４が形成され、受光素子７はこの上に
精度良く配設されている。ここで、受光素子７は、例え
ばＧｅ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，ＡｌＧａＡｓ
Ｓｂ，ＩｎＧａＳｂ等から成るIII-V 族多元半導体多結
晶を用いた面受光型のフォトダイオードを用いるものと
する。
【００２０】また、図３に示すように受光素子７の受光
面１９に形成されたカソード電極１２の取出部１１を、
基板１上に形成された電極１０とはんだパターン１３に
て接続することで外部に信号を取出せる構造としてお
り、裏面のアノード電極８は素子上面よりボンディング
ワイヤ９により基板１上に形成した電極パターン１８に
接続している。受光素子７の基板１への実装には、図４
に示すように基板１側に設けられたはんだパターン１
３、１４を用いるとよい。また、受光素子７をできるだ
け同軸モジュールと同タイプの標準のものを用いると簡
便な構成となる。
面１９に形成されたカソード電極１２の取出部１１を、
基板１上に形成された電極１０とはんだパターン１３に
て接続することで外部に信号を取出せる構造としてお
り、裏面のアノード電極８は素子上面よりボンディング
ワイヤ９により基板１上に形成した電極パターン１８に
接続している。受光素子７の基板１への実装には、図４
に示すように基板１側に設けられたはんだパターン１
３、１４を用いるとよい。また、受光素子７をできるだ
け同軸モジュールと同タイプの標準のものを用いると簡
便な構成となる。
【００２１】はんだパターンは外部取出し用電極１０上
に形成されるはんだパターン１３と、素子を基板上に安
定に実装するための用途としてのはんだパターン（パッ
ド）１４からなる。はんだパターン１３は受光素子７の
カソード電極８と接続され、はんだパターン１４は受光
面１９と同一面上のカソード電極周辺に形成された、電
気的に独立なメタライズパターン２０と接続することに
より、受光素子７の基板１への実装を実現している。
に形成されるはんだパターン１３と、素子を基板上に安
定に実装するための用途としてのはんだパターン（パッ
ド）１４からなる。はんだパターン１３は受光素子７の
カソード電極８と接続され、はんだパターン１４は受光
面１９と同一面上のカソード電極周辺に形成された、電
気的に独立なメタライズパターン２０と接続することに
より、受光素子７の基板１への実装を実現している。
【００２２】ここで、はんだパターン１３，１４の材料
としてＡｕ−Ｓｎ合金を選択することにより、発光素子
の実装用のはんだ１５と共通化することが可能となり、
Ｐｂ−Ｓｎ合金などの材料を別途基板１上に形成する必
要が無くなり、さらなる簡便化が図れるなどの利点があ
る。
としてＡｕ−Ｓｎ合金を選択することにより、発光素子
の実装用のはんだ１５と共通化することが可能となり、
Ｐｂ−Ｓｎ合金などの材料を別途基板１上に形成する必
要が無くなり、さらなる簡便化が図れるなどの利点があ
る。
【００２３】図９に本発明の光受信モジュールＭ２を模
式的に示す。図９（ａ）は斜視図を、９（ｂ）は図９
（ａ）におけるＤ−Ｄ線端面図である。
式的に示す。図９（ａ）は斜視図を、９（ｂ）は図９
（ａ）におけるＤ−Ｄ線端面図である。
【００２４】光受信モジュールＭ２は、シリコン単結晶
等の異方性エッチングが可能な材料から成る基板１０１
には、異方性エッチングで形成した深いＶ溝１０２と浅
いＶ溝である反射溝１０５が設けられており、その両者
が接続（連続形成）された構造となっている。反射溝１
０５には内部全面もしくは一部がメタライズ等で反射膜
が形成されている。そして、深いＶ溝１０２に光ファイ
バや光導波路体などの光導波体１０３を実装し、光導波
体１０３の一端部で反射溝１０５を跨ぐようにして面受
光型の受光素子１０４を配設している。このような構成
により、光導波体１０３から出射された光を反射溝１０
５で反射させ、受光素子１０４で受光させることができ
る。受光素子１０４の実装については、光送信モジュー
ルＭ１において説明した方式と同様にて実現される。
等の異方性エッチングが可能な材料から成る基板１０１
には、異方性エッチングで形成した深いＶ溝１０２と浅
いＶ溝である反射溝１０５が設けられており、その両者
が接続（連続形成）された構造となっている。反射溝１
０５には内部全面もしくは一部がメタライズ等で反射膜
が形成されている。そして、深いＶ溝１０２に光ファイ
バや光導波路体などの光導波体１０３を実装し、光導波
体１０３の一端部で反射溝１０５を跨ぐようにして面受
光型の受光素子１０４を配設している。このような構成
により、光導波体１０３から出射された光を反射溝１０
５で反射させ、受光素子１０４で受光させることができ
る。受光素子１０４の実装については、光送信モジュー
ルＭ１において説明した方式と同様にて実現される。
【００２５】図１０に本発明の光受信モジュールＭ３を
模式的に示す。図１０（ａ）は斜視図を、図１０（ｂ）
は図１０（ａ）におけるＥ−Ｅ線端面図である。
模式的に示す。図１０（ａ）は斜視図を、図１０（ｂ）
は図１０（ａ）におけるＥ−Ｅ線端面図である。
【００２６】光受信モジュールＭ３は、シリコン単結晶
等の異方性エッチングが可能な材料からなる基板１１１
には、光導波路１０２が形成されており、その一端部に
異方性エッチングで形成した溝と光導波路と同じ材質で
作製された厚膜１１６とで構成されている反射溝１１５
が設けられている構造となっている。反射溝１１５には
内部全面もしくは一部がメタライズ等で反射膜が設けら
れている。そして、反射溝１０５を跨ぐようにして面受
光型の受光素子１１４を配設している。このように、反
射溝１１５はその一端部が基板１１１に形成した光導波
路１１２の光出射端側になるように形成されている。こ
れにより、光導波路１１２から出射された光を反射溝１
１５で反射させ、受光素子１１４で受光させることがで
きる。受光素子１０４の実装については、光送信モジュ
ールＭ１において説明した方式にて実現される。
等の異方性エッチングが可能な材料からなる基板１１１
には、光導波路１０２が形成されており、その一端部に
異方性エッチングで形成した溝と光導波路と同じ材質で
作製された厚膜１１６とで構成されている反射溝１１５
が設けられている構造となっている。反射溝１１５には
内部全面もしくは一部がメタライズ等で反射膜が設けら
れている。そして、反射溝１０５を跨ぐようにして面受
光型の受光素子１１４を配設している。このように、反
射溝１１５はその一端部が基板１１１に形成した光導波
路１１２の光出射端側になるように形成されている。こ
れにより、光導波路１１２から出射された光を反射溝１
１５で反射させ、受光素子１１４で受光させることがで
きる。受光素子１０４の実装については、光送信モジュ
ールＭ１において説明した方式にて実現される。
【００２７】図４に本発明の光モジュールに用いられる
光実装基板の構造を示す。これは光送信モジュールＭ１
に用いられる基板１における別構造の光半導体素子搭載
部の詳細図を示すものである。ここでは基板１の光半導
体素子搭載するはんだパターン１３，１４，１５、光半
導体素子とのワイヤボンディングによる基板１との接続
部２１およびパッケージなどの外部との電気的取出しを
行うための電極パッド部１６を除く電極表面が絶縁性薄
膜２２で覆われた構造としている。すなわち、はんだの
周囲を電極パターンの一部を覆う絶縁層で取り囲むよう
にしている。
光実装基板の構造を示す。これは光送信モジュールＭ１
に用いられる基板１における別構造の光半導体素子搭載
部の詳細図を示すものである。ここでは基板１の光半導
体素子搭載するはんだパターン１３，１４，１５、光半
導体素子とのワイヤボンディングによる基板１との接続
部２１およびパッケージなどの外部との電気的取出しを
行うための電極パッド部１６を除く電極表面が絶縁性薄
膜２２で覆われた構造としている。すなわち、はんだの
周囲を電極パターンの一部を覆う絶縁層で取り囲むよう
にしている。
【００２８】このような構成とすることにより、はんだ
パターン１３，１４，１５の実装時の溶融による電極パ
ターンへの広がりを絶縁膜パターンの範囲に限定するこ
とができ、受光素子７のカソード電極１２がメタライズ
パターン２０と間で溶融したはんだを介してショート
し、受光素子７が機能しなくなることを確実に防止する
ことができるようになる。絶縁性薄膜としては酸化シリ
コン膜や窒化シリコン膜をスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ
法などにより、０．０５〜１０．０μｍ程度の厚みに形
成すれば良い。
パターン１３，１４，１５の実装時の溶融による電極パ
ターンへの広がりを絶縁膜パターンの範囲に限定するこ
とができ、受光素子７のカソード電極１２がメタライズ
パターン２０と間で溶融したはんだを介してショート
し、受光素子７が機能しなくなることを確実に防止する
ことができるようになる。絶縁性薄膜としては酸化シリ
コン膜や窒化シリコン膜をスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ
法などにより、０．０５〜１０．０μｍ程度の厚みに形
成すれば良い。
【００２９】なお、本実施形態では、光モジュールとし
て送信用光モジュールおよび受信用光モジュールを例に
とり説明したが、送受信用光モジュールや双方向光モジ
ュールにも適用が可能であることはもちろんであり、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更し実施が可能で
ある。
て送信用光モジュールおよび受信用光モジュールを例に
とり説明したが、送受信用光モジュールや双方向光モジ
ュールにも適用が可能であることはもちろんであり、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更し実施が可能で
ある。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の光モジュ
ールによれば、受光素子を保持するための基体が不要で
あり、部品点数を減らすことができ小型化を図ることが
できる。また、受光素子のカソード電極側を受光面とし
反射溝に対向させるように基板上に配設したので、従来
のようにワイヤボンディングによる素子接合部の破壊が
生じることがない上に、低背化を図ることができる。
ールによれば、受光素子を保持するための基体が不要で
あり、部品点数を減らすことができ小型化を図ることが
できる。また、受光素子のカソード電極側を受光面とし
反射溝に対向させるように基板上に配設したので、従来
のようにワイヤボンディングによる素子接合部の破壊が
生じることがない上に、低背化を図ることができる。
【００３１】さらに、基板側にはんだ流出防止の絶縁層
を形成しておくことにより、よりいっそう信頼性の高い
光モジュールを提供することができる。
を形成しておくことにより、よりいっそう信頼性の高い
光モジュールを提供することができる。
【図１】本発明に係る光送信モジュールの実施形態を模
式的に説明するための斜視図である。
式的に説明するための斜視図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線端面図である。
【図３】本発明に係る光送信モジュールに用いられる受
光素子及び発光素子の実装の様子を説明するための図で
あり、（ａ）は各素子の裏面側の様子を示す分解斜視
図、（ｂ）は素子の実装後の様子を示す斜視図である。
光素子及び発光素子の実装の様子を説明するための図で
あり、（ａ）は各素子の裏面側の様子を示す分解斜視
図、（ｂ）は素子の実装後の様子を示す斜視図である。
【図４】本発明に係る光送信モジュールに用いられる別
構造の素子実装部を示す斜視図である。
構造の素子実装部を示す斜視図である。
【図５】従来の光モジュールを説明するための図であ
り、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ線
端面図である。
り、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ線
端面図である。
【図６】従来の受光素子を配設した基体を説明するため
の斜視図である。
の斜視図である。
【図７】従来の光モジュールを説明するための図であ
り、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ線
端面図である。
り、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ線
端面図である。
【図８】従来の受光素子を基板上に実装する様子を説明
するための図であり、（ａ）は受光素子の受光面側の様
子を示す斜視図であり、（ｂ）は受光素子を実装した様
子を説明する斜視図である。
するための図であり、（ａ）は受光素子の受光面側の様
子を示す斜視図であり、（ｂ）は受光素子を実装した様
子を説明する斜視図である。
【図９】本発明に係る光受信モジュールに用いられる実
施形態を模式的に説明する図であり、（ａ）は斜視図
（ｂ）は（ａ）におけるＤ−Ｄ線端面図である。
施形態を模式的に説明する図であり、（ａ）は斜視図
（ｂ）は（ａ）におけるＤ−Ｄ線端面図である。
【図１０】本発明に係る光受信モジュールに用いられる
実施形態を模式的に説明する図であり、（ａ）は斜視図
（ｂ）は（ａ）におけるＥ−Ｅ線端面図である。
実施形態を模式的に説明する図であり、（ａ）は斜視図
（ｂ）は（ａ）におけるＥ−Ｅ線端面図である。
１：基板 ２：Ｖ溝 ３：光導波体 ４：発光素子 ５：反射溝 ６：反射膜 ７：受光素子 ８：アノード電極 ９：ワイヤボンディング １０：取出し電極 １１：カソード電極取出し部 １２：カソード電極 １３，１４，１５：はんだパターン １８：電極パターン １９：受光面 ２０：メタライズパターン ２１：ワイヤボンディング接続部 Ｍ１〜Ｍ３：光モジュール
Claims (5)
- 【請求項１】 基板に外部光を反射させる反射溝を形成
するとともに、前記基板上に、前記外部光を受光する面
受光型の受光素子を、そのカソード電極が形成された受
光面を前記反射溝に対向させて配設して成る光モジュー
ル。 - 【請求項２】 前記反射溝の一端部に発光素子を配設す
るとともに、該発光素子の出射光を前記反射溝で反射さ
せ、前記受光素子で受光させるようにしたことを特徴と
する請求項１に記載の光モジュール。 - 【請求項３】 前記反射溝は前記基板に形成した光導波
体の搭載溝に連続形成されているとともに、前記光導波
体から出射された光を前記反射溝で反射させ、前記受光
素子で受光させるようにしたことを特徴とする請求項１
に記載の光モジュール。 - 【請求項４】 前記反射溝はその一端部が前記基板に形
成した光導波路の光出射端側になるように形成されてい
るとともに、前記光導波路から出射された光を前記反射
溝で反射させ、前記受光素子で受光させるようにしたこ
とを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。 - 【請求項５】 前記受光素子のカソード電極は前記基板
に形成した電極パターン上にはんだを介して接続されて
いるとともに、前記はんだの周囲を前記電極パターンの
一部を覆う絶縁層で取り囲むようにしたことを特徴とす
る請求項１に記載の光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000299900A JP2001166187A (ja) | 1999-09-30 | 2000-09-29 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27959699 | 1999-09-30 | ||
| JP11-279596 | 1999-09-30 | ||
| JP2000299900A JP2001166187A (ja) | 1999-09-30 | 2000-09-29 | 光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001166187A true JP2001166187A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=26553402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000299900A Pending JP2001166187A (ja) | 1999-09-30 | 2000-09-29 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001166187A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303975A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Opnext Japan Inc | モニタ用フォトダイオード付光モジュール。 |
| KR100492661B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2005-06-03 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 광학소자 탑재기판 및 그 제조방법 |
| JP2017194720A (ja) * | 2017-08-02 | 2017-10-26 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光デバイス及び光デバイスの製造方法 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000299900A patent/JP2001166187A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100492661B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2005-06-03 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 광학소자 탑재기판 및 그 제조방법 |
| JP2003303975A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Opnext Japan Inc | モニタ用フォトダイオード付光モジュール。 |
| JP2017194720A (ja) * | 2017-08-02 | 2017-10-26 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光デバイス及び光デバイスの製造方法 |
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