JP4639578B2 - 半導体レーザモジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信技術の分野で用いられる半導体レーザモジュール及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信システムは、大容量かつ長距離伝送を特長として、発展を続けてきた。大容量化では、変調速度の高速化を推し進めることにより、10[Gbits]までが実用化されている。また、長距離化では、低損失光ファイバとEDFA(erbium-doped fiber amplifier:エルビウムドープ光ファイバ増幅器)との組み合わせによって、無中継距離が100[km]を超えるようになってきている。しかしながら、EDFAは、励起LDモジュール、Er光ファイバ、光アイソレータ等の多数の光部品から構成されることにより、そのサイズが大きくなり、小型化には不向きである。そのため、市場での小型化のニーズに応えるべく、SOA(semiconductor optical amplifier:半導体光増幅器 )の開発及び製品化が活発に行われている。SOAは、EDFAと比較して、小型、低製造コスト、低消費電力等の利点がある。
【0003】
ここで、SOAの使用形態の一例について、図6を用いて説明する。図6は、従来の光送信用モジュールを示す構成図である。以下、この図面に基づき説明する。
【0004】
光送信用モジュール59は、10[Gbits]の光通信システムで用いられ、二つのモジュールから構成されている。一つは左側の光変調器を内蔵したレーザモジュール80であり、もう一つが右側のSOAモジュール60である。
【0005】
レーザモジュール80は、DFB(distributed feedback:分布帰還型)レーザ素子81、レンズ82、コの字型ホルダ(図示せず)、光アイソレータ83、素子キャリア84、ペルチェ素子85、レンズ86、フェルール87、光ファイバ88、パッケージ89等から構成されている。
【0006】
DFBレーザ素子81は、光変調器を内蔵しており、変調光信号(信号光)を出力する。レンズ82は、ガラス製の透光部が合金製の枠部に嵌め込まれた構造になっており、DFBレーザ素子81から出力された信号光を光アイソレータ83へ集光する。光アイソレータ83は、DFBレーザ素子81への戻り光を阻止する。素子キャリア84は、DFBレーザ素子81、レンズ82及び光アイソレータ83の光軸を一致させた状態でこれらを固定する。ペルチェ素子85は、光ファイバ88から変調光信号を安定して出力するために、DFBレーザ素子81の温度を一定に保つ。レンズ86は、光アイソレータ83を通過した信号光を光ファイバ88へ集光する。フェルール87は、光ファイバ88をレンズ86を介してパッケージ89に固定する。光ファイバ88は、DFBレーザ素子81から出力された信号光をパッケージ89の外へ導く。
【0007】
一方、SOAモジュール60は、光ファイバ61、フェルール62、レンズ63、レンズ64、SOA素子65、レンズ66、レンズ67、フェルール68、光ファイバ69、キャリア70、ペルチェ素子71、パッケージ72等から構成されている。換言すると、SOAモジュール60は、入射した光を増幅して出力するSOAレーザ素子65、入出力の光ファイバ61,69と、SOAレーザ素子65と入出力の光ファイバ61,69とを高効率で結合させるレンズ63,64,66,67等から構成されている。
【0008】
光ファイバ61は、先端に光ファイバ88とのスプライス部(融着部)73が形成されており、レーザモジュール80から出力された信号光をSOAモジュール60へ導く。フェルール62は、光ファイバ61をレンズ63を介してパッケージ72に固定する。レンズ64は、レンズ63を通過した信号光をSOA素子65へ集光する。SOA素子65は、半導体レーザと同じ原理で動作するものであり、電流注入による半導体活性領域の利得機能を利用して、外部からの注入光に対して光増幅作用を起こす。レンズ66は、SOA素子65で増幅された信号光をレンズ67に集光する。フェルール68は、光ファイバ69をレンズ67を介してパッケージ72に固定する。光ファイバ69は、SOA素子65で増幅された信号光をパッケージ72の外へ導く。
【0009】
長距離用途に対応するためには、DFBレーザ素子81から出力される信号光だけでは不十分である。そのため、光送信用モジュール59では、DFBレーザ素子81からの信号光を、SOA素子65で電流を印加することにより増幅し、高出力光にして光ファイバ69から出力している。
【0010】
レーザモジュール80とSOAモジュール60とは別々に作製し、レーザモジュール80の光ファイバ88とSOAモジュール60の入力側の光ファイバ61とを融着接続により一体化して使用する。
【0011】
また、近年、光通信システムは、ますますの高速化かつ大容量化に進みつつある。そのため、光通信システムに使用されるレ−ザモジュールやSOAモジュール等の光通信モジュールには、より一層の高信頼性が要求されている。高信頼性を実現する手段として、光通信モジュールを構成する光学レンズや光ファイバ等の光学素子を、レーザ溶接で固定(YAG溶接固定)する方法が、一般に広く用いられている。
【0012】
図7は、レーザ溶接によって製造した従来のレーザモジュール(例えば下記特許文献1参照)を示す構成図である。以下、この図面に基づき説明する。ただし、図6と同じ部分は同じ符号を付すことにより説明を省略する。
【0013】
コの字型ホルダ90は、レンズ82を素子キャリア84に固定する。
【0014】
最初に、被溶接部94a,95aをレーザ溶接することによって、コの字型ホルダ90を素子キャリア84に固定する。続いて、被溶接部96a,97aをレーザ溶接することによって、レンズ82をコの字型ホルダ90に固定する。最後に、被溶接部98a,99aをレーザ溶接することによって、光アイソレータ83を素子キャリア84に固定する。なお、図7において、隠れて見えない反対側にも、被溶接部94a〜99aと対称的に被溶接部94b〜99b(図示せず)が設けられている。
【0015】
ペルチェ素子85の上に、DFBレーザ素子81を搭載した素子キャリア84が配置される。DFBレーザ素子81の光出力を効率よく光ファイバ88に導くために、レンズ82を精度よくDFBレーザ素子81の出射位置に調整して素子キャリア84に固定する必要がある。そのため、コの字型ホルダ90が広く用いられる。
【0016】
図8及び図9は従来のコの字型ホルダ(例えば下記特許文献2参照)を示し、図8は斜視図、図9[1]は正面図、図9[2]は側面図である。以下、図7乃至図9に基づき説明する。
【0017】
コの字型ホルダ90は、対向する一対の保持片92a,92bが板状の台座91の表側に突設され、保持片92a,92bの内側でレンズ82を保持するとともに、保持片92a,92bの外側に設けられた被溶接部94a,95aがレーザ溶接されることによって台座91の裏側が素子キャリア84に固定されるものである。
【0018】
次に、レンズ82の光軸を調整してレンズ82を素子キャリア84に固定する方法について説明する。まず、レンズ82をコの字型ホルダ90に嵌めた状態(図8)でDFBレーザ素子81の前の素子キャリア84上にレンズ82を配置し、DFBレーザ素子81を発光させながらレンズ82の最適位置を3軸方向で調整する。そして、コの字型ホルダ90と素子キャリア84とをレーザ溶接することで、X方向の位置を固定する(図9[1])。続いて、レンズ82のY方向(図9[1])及びZ方向(図9[2])の最適調整を再度行い、レンズ82とコの字型ホルダ90とをレーザ溶接する。このように、コの字型ホルダ90とレンズ82とを組み合わせることで、X,Y,Zの3軸についてDFBレーザ素子81の出射位置にレンズ82を最適に調整及び固定することができる。なお、各部品は、レーザ溶接で固定されているため、高い信頼性を維持することができる。
【0019】
【特許文献1】
特開2000−208869号公報(図1等)
【特許文献2】
特開平7−140361号公報(図1、図3等)
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光送信用モジュールでは、レーザモジュールとSOAモジュールとが別々のパッケージから構成されていることにより、それぞれのパッケージ、入出力用光ファイバ及び光ファイバのスプライス部を収納する面積及び体積が必要となる。そのため、小型化には限界があるので、サイズが大きくなるという欠点があった。
【0021】
また、従来のコの字型ホルダでは次のような問題があった。図10は、この問題を強調して示した正面図である。以下、この図面に基づき説明する。
【0022】
コの字型ホルダ90を素子キャリア84にレーザ溶接する際、溶接に伴う応力によってコの字型ホルダ90が変形することがある。この場合、その溶接の後に、レンズ82を最適位置に調整しようとしても、変形した箇所がぶつかることにより、レンズ82を最適位置に調整できない。また、レンズ82とコの字型ホルダ90との隙間が大きくなることにより、レンズ82とコの字型ホルダ90とのレーザ溶接ができなくなる。
【0023】
更に詳しく説明する。コの字型ホルダ90を素子キャリア84にレーザ溶接すると、溶接した部分の金属が引っ張り合う応力が発生する。そのため、コの字型ホルダ90が変形してレンズ82を調整できない、コの字の上部(保持片92a,92bの上部)が広くなることにより保持片92a,92bとレンズ82とを溶接できない、等の問題が生ずる。なお、レンズ82については、最適位置で固定できなくとも、レンズ82がずれたことによるビームの位置に光アイソレータ等の位置をシフトさせることにより、その影響を緩和することができる。
【0024】
図6及び図7を用いて説明する。一方、DFBレーザ素子81からの出射ビームをSOA素子65で受ける構造を同一のパッケージに内蔵しようとすると、DFBレーザ素子81からの出射ビームにSOA素子65を調整及び固定する必要がある。ここで、コの字型ホルダ90を使ってSOA素子65を調整及び固定しようとすると、前述のレンズ82の場合とは異なり、SOA素子65には高精度の位置合わせが要求される。そのため、コの字型ホルダ90がYAGレーザ溶接によって変形すると、SOA素子65を最適位置に調整できなくなることにより、結合効率が大きく劣ることになるので、最悪の場合には光出力が全く取れないという問題を生じる。
【0025】
換言すると、レンズは、位置が多少ずれても光路がずれるだけで、受光することはできる。これに対して、半導体光素子は、位置が多少ずれただけで、受光そのものができなくなってしまう。
【0026】
【発明の目的】
そこで、本発明の目的は、半導体レーザ素子と半導体光増幅素子とを使用する光送信用モジュールの小型化を歩留まり良く実現できる、半導体レーザモジュールを提供することにある。
【0027】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体レーザモジュールは、複数の半導体光素子と、複数の半導体光素子を固定する一つのキャリアと、キャリアを固定する一つの電子冷却素子と、電子冷却素子、キャリア及び複数の半導体光素子を収容する一つのパッケージと、パッケージから信号光を出力する信号光出力手段と、を備えたものである。言い換えれば、本発明に係る半導体レーザモジュールは、異なる半導体レーザチップからなる複数の半導体光素子と、複数の半導体光素子を互いに光軸が調整された状態で固定するキャリアと、キャリアを介して複数の半導体光素子の温度を制御する一つの電子冷却素子と、電子冷却素子、キャリア及び複数の半導体光素子を収容する一つのパッケージと、複数の半導体光素子のうちの少なくとも一つの半導体光素子とパッケージの外とを光学的に接続する光ファイバと、を備えたものである。
【0028】
従来技術では、異なる半導体レーザチップからなる二つの半導体光素子を別々のパッケージ内に収め、これらのパッケージを光ファイバで接続して使用していた。これに対し、本発明では、これらの半導体光素子を同じパッケージ内に収めることにより、キャリア、パッケージ、電子冷却素子、信号光出力手段(例えば光ファイバ)等の数が削減されるとともに、光ファイバの接続も不要になるので、部品点数削減、小型化及び製造容易化が図れる。しかも、各光学素子の良品のみをキャリアに実装すればよいので、モジュール全体の歩留まりも良い。これに加え、電子冷却素子だけではなくこれに付随するコントローラ等の部品点数が削減されるとともに、各半導体光素子同士を同じ温度に保てるので温度特性が安定化する。
【0029】
本発明に係る半導体レーザモジュールは、更に、複数の半導体光素子のうちの少なくとも一つの半導体光素子が光学素子ホルダを介してキャリアに固定された、としてもよい。そして、光学素子ホルダは、対向する複数の保持片が台座上に突設され、複数の保持片の内側で光学素子を保持するとともに、複数の保持片の外側に設けられた被溶接部がキャリアに溶接されることによって当該キャリアに固定され、溶接によって発生する応力の保持片への伝達を阻止する応力伝達阻止機構が設けられて成る。
【0030】
台座の表側に設けられた複数の保持片の内側で光学素子を保持し、台座の裏側をキャリアに合わせて、保持片の外側の被溶接部を溶接することによって、光学素子ホルダをキャリアに固定する。このときの溶接によって被溶接部に応力が発生する。しかし、この応力は、応力伝達阻止機構によって遮断若しくは緩和されるので、保持片への影響が抑制される。
【0031】
従来、異なる半導体チップからなる複数の半導体光素子を一つのパッケージに収めることは、半導体光素子相互の光学的な位置決めが難しいため、実現が極めて困難であった。その理由は、高精度に位置決めしようとするとレーザ溶接が必要になるが、レーザ溶接でも溶接時の応力によって光学素子ホルダに変形が生じてしまうからである。そこで、本発明では、溶接時に変形しにくい光学素子ホルダを用いて、複数の半導体光素子を一つのパッケージに収めた半導体レーザモジュールを実現している。
【0032】
本発明に係る半導体レーザモジュールは、更に、光学素子ホルダは、保持片の外側にキャリアに接する固定片が設けられ、固定片の先端が被溶接部となり、被溶接部と保持片との間に応力伝達阻止機構が設けられて成る、としてもよい。
【0033】
被溶接部と保持片との間に応力伝達阻止機構が設けられているので、被溶接部から保持片へ伝わる応力が、応力伝達阻止機構で確実に遮断又は緩和される。
【0034】
本発明に係る半導体レーザモジュールは、更に、光学素子ホルダの応力伝達阻止機構が固定片に設けられた切り欠きから成る、としてもよい。
【0035】
切り欠きという簡単な構造で、応力伝達阻止機構が実現される。この切り欠きは、固定片のキャリアと接しない側又は接する側のどちらに設けてもよく、応力の伝達方向に直交する一本又は複数本の直線状であるとしてもよい。
【0036】
本発明に係る半導体レーザモジュールは、更に、キャリアは一方及び他方の面を有する板状であり、キャリアの一方の面に複数の半導体光素子が実装され、キャリアの他方の面とパッケージの内面との間に電子冷却素子が設けられた、としてもよい。
【0037】
従来技術では、異なる半導体レーザチップからなる二つの半導体光素子を別々のパッケージ内に収め、それぞれ別々に各半導体光素子の温度を調節していた。これに対し、本発明では、これらの半導体光素子を同じパッケージ内に収め、各半導体光素子の温度を同時に調節する。したがって、電子冷却素子及びこれに付随するコントローラ等の部品点数が削減されるとともに、各半導体光素子同士を同じ温度に保てるので温度特性が安定化する。
【0038】
本発明に係る半導体レーザモジュールは、更に、複数の半導体光素子は信号光を出力する半導体レーザ素子と半導体レーザ素子から出力された信号光を増幅する半導体光増幅素子とであり、信号光出力手段は半導体光増幅素子で増幅された信号光をパッケージの外へ導く光ファイバである、としてもよい。
【0039】
半導体レーザ素子から出力された信号光は、半導体光増幅素子で増幅され、光ファイバを介してパッケージの外へ導かれる。従来技術では、半導体レーザ素子と半導体光増幅素子とを別々のパッケージ内に収め、これらのパッケージを光ファイバで接続して使用していた。これに対し、本発明では、半導体レーザ素子と半導体光増幅素子とを同じパッケージ内に収めることにより、キャリア、パッケージ、光ファイバ等の数が削減されるとともに、光ファイバの接続も不要になるので、部品点数削減、小型化及び製造容易化が図れる。また、半導体光増幅素子は、半導体レーザ素子に比べて正確な温度制御を必要としない。本発明では、半導体光増幅素子と半導体レーザ素子とが同じキャリア上に実装されているので、半導体レーザ素子に対する温度制御のみで、半導体光増幅素子も十分な温度制御が受けられる。
【0040】
本発明に係る半導体レーザモジュールは、更に、半導体レーザ素子と半導体光増幅素子との間に当該半導体レーザ素子への戻り光を阻止する光アイソレータが設けられ、半導体レーザ素子と光アイソレータとの間、光アイソレータと半導体光増幅素子との間、及び半導体光増幅素子と光ファイバとの間に、それぞれ集光用のレンズが設けられた、としてもよい。
【0041】
半導体レーザ素子から出力された信号光は、第一のレンズでコリメート光に変換されて光アイソレータに導かれる。光アイソレータを通過した信号光は、第二のレンズで集光されて半導体光増幅素子に導かれる。半導体光増幅素子で増幅された信号光は、第三のレンズで集光されて光ファイバに導かれ、光ファイバを介してパッケージの外へ導かれる。
【0042】
本発明に係る半導体レーザモジュールは、更に、半導体レーザ素子は光変調器を内蔵したものである、というものである。半導体レーザ素子は例えばDFBレーザ素子であり、光変調器は例えばEA(electro-absorption:電界吸収型)変調器である。DFBレーザ素子とEA変調器とを1チップに集積した半導体光素子は、既に実用化されている。
【0043】
本発明に係る半導体レーザモジュールの製造方法は、本発明に係る半導体レーザモジュールを製造する方法であって、複数の半導体光素子のうちのいずれか二つを第一及び第二の半導体光素子とした場合、第一の半導体光素子を先にキャリア上に固定し、第二の半導体光素子を光学素子ホルダに装着してキャリア上で第一の半導体光素子に対する光学的な調整した後、光学素子ホルダをキャリアに固定する、としてもよい。
【0044】
第二の半導体光素子は、第一の半導体光素子に対して高精度な位置決めが要求される。そのため、溶接で変形しにくい光学素子ホルダを使って、第二の半導体光素子を位置決めする。
【0045】
本発明に係る半導体レーザモジュールの製造方法は、更に、第一の半導体光素子は信号光を出力する半導体レーザ素子であり、第二の半導体光素子は半導体レーザ素子から出力された信号光を増幅する半導体光増幅素子である、としてもよい。
【0046】
半導体光増幅素子は、半導体レーザ素子から出力された信号光を受ける位置に、正確に位置決めしなければならない。そのため、溶接で変形しにくい光学素子ホルダを使って、半導体光増幅素子を位置決めする。
【0047】
換言すると、本発明は、同一パッケージに、変調器を内蔵したDFBレーザ素子とSOA素子との二つの半導体レーザ素子を内蔵するとともに、必要となるレンズ、光アイソレータ等の光学部品をも内蔵することで、半導体レーザモジュールの小型化を実現するものである。また、本発明では、各部品の良品を用いて組み立てられるため、モジュールとしての歩留まりが良い。しかも、レンズでの光軸調整が可能であるため、それぞれの部品に高精度な寸法が要求されない。それゆえに設計の自由度が高い。なお、SOA素子に限るものではなく、LOA(Linear Optical Amplifier)素子等を用いても良い。
【0048】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。ただし、特許請求の範囲における「半導体レーザモジュール」、「光学素子ホルダ」、「キャリア」、「半導体レーザ素子」、「半導体光増幅素子」、「電子冷却素子」、「信号光出力手段」は、それぞれ「レーザモジュール」、「コの字型ホルダ」、「キャリア又は大キャリア」、「DFBレーザ素子」、「SOA素子」、「ペルチェ素子」、「光ファイバ」と具体化して言い換えるものとする。
【0049】
図1は、本発明に係るレーザモジュールの第一実施形態を示す構成図である。
以下、この図面に基づき説明する。
【0050】
本実施形態のレーザモジュール20は、光変調器を内蔵したDFBレーザ素子81とSOA素子65との二つの半導体光素子を同一のパッケージ31に収納したものである。SOA素子65は、DFBレーザ素子81から入力した光を増幅する機能を有している。レーザモジュール20は、DFBレーザ素子81からの出射光を光ファイバを介すことなく効率よくSOA素子65に導き、SOA素子65で増幅した光を光ファイバ88から出力する。
【0051】
DFBレーザ素子81とSOA素子65とは、光出力を安定させるために、ペルチェ素子37の上に配置したキャリア21にAuSn等のはんだによって固定されている。なお、図示しないが、ペルチェ素子37には、キャリア21に設けられた温度センサと、温度センサで得られたキャリア21の温度に基づきペルチェ素子37の動作を制御するコントローラ(パッケージ31の外)とが付設されている。
【0052】
DFBレーザ素子81からの光出力を、できるだけ損失無く効率よくSOA素子65と光ファイバ88とに導くために、レンズ82,32,33,86が使用されている。レンズ82は、DFBレーザ素子81からの拡散した光をコリメート光に変換する。レンズ32は、そのコリメート光をSOA素子65の入射端面に集光する。レンズ32とSOA素子65とは、損失ができるだけ発生しないよう、レンズ82からのコリメータ光に合わせて、精度よく調整された後、レーザ溶接等でキャリア21に固定される。SOA素子65の出力側のレンズ33,86は、SOA素子65で増幅した出力光をコリメート光に変換し、光ファイバ88の端面に集光するものである。レンズ33,86も、レンズ82,32と同様に、SOA素子65の出射端面に合わせて精度よく調整された後に、固定されている。
【0053】
また、レンズ82とレンズ32との間には、光アイソレータ83が配置されている。光アイソレータ83は、DFBレーザ素子81のスペクトラムが反射光によって乱れないように、戻り光を阻止している。DFBレーザ素子81から出力された信号光は、レンズ82、光アイソレータ83及びレンズ32を通ってSOA素子65に入り、増幅されて高出力光となって出射される。出射された光は、レンズ33,86を通って光ファイバ88の端面に入り、光ファイバ88から取り出される。
【0054】
従来技術では、DFBレーザ素子81とSOA素子65とを別々のパッケージ内に収め、これらのパッケージを光ファイバで接続して使用していた。これに対し、本実施形態では、DFBレーザ素子81とSOA素子65とを同じパッケージ31内に収めることにより、キャリア、パッケージ、光ファイバ等の数が削減されるとともに、光ファイバの接続も不要になるので、部品点数削減、小型化及び製造容易化が図れる。しかも、各光学素子の良品のみをキャリアに実装すればよいので、レーザモジュール20全体の歩留まりも良い。なお、図6の従来技術と比較すれば明らかなように、パッケージ2個→1個、キャリア2個→1個、ペルチェ素子2個→1個、レンズ6個→4個、フェルール3個→1個、光ファイバ3本→1本、スプライス部1個→0個等、部品点数の大幅な削減が実現されている。
【0055】
図2及び図3は本発明に係るレーザモジュールの第二実施形態で用いられる光学素子ホルダを示し、図2は斜視図、図3[1]は正面図、図3[2]は側面図である。以下、図2及び図3に基づき説明する。
【0056】
コの字型ホルダ10は、対向する一対の保持片12a,12bが板状の台座11の表側に突設され、保持片12a,12bの内側で光学素子13を保持するとともに、保持片12a,12bの外側に設けられた被溶接部14a,15aが溶接されることによって台座11の裏側が大キャリア16(図3)に固定されるものである。そして、保持片12a,12bの外側に大キャリア16に接する固定片17a,17bが設けられ、固定片17a,17bの先端が被溶接部14a,15aとなり、被溶接部14a,15aと保持片12a,12bとの間に切り欠き18a,18bが設けられている。切り欠き18a,18bは、固定片17a,17bの大キャリア16と接しない側に設けられ、応力の伝達方向に直交する一本の直線状を呈することにより、溶接によって発生した応力を確実に緩和して保持片12a,12bの変形を抑える応力伝達阻止機構として作用する。
【0057】
光学素子13は、SOA素子65がAuSn等のはんだによって小キャリア132にダイボンディングされたものである。コの字型ホルダ10、小キャリア132及び大キャリア16は、鉄−ニッケル−コバルト合金などのレーザ溶接に適した素材からなる。レーザ溶接としては、例えばYAGレーザを用いる。光学素子13は、大キャリア16に対してコの字型ホルダ10とともにX軸方向へ摺動可能であり(図3[1])、コの字型ホルダ10に対してY軸方向へ摺動可能であり(図3[1])、コの字型ホルダ10に対してZ軸方向へ摺動可能である(図3[2])。これにより、光学素子13の光軸調整が可能になっている。なお、図2において、隠れて見えない反対側にも、被溶接部14a,15aと対称的に被溶接部14b,15b(図示せず)が設けられている。
【0058】
次に、コの字型ホルダ10の作用を説明する。台座11の表側に設けられた保持片12a,12bの内側で光学素子13を保持し、台座11の裏側を大キャリア16上に載せて位置合わせをして、保持片12a,12bの外側の被溶接部14a,15aを溶接することによって、コの字型ホルダ10を大キャリア16に固定する。このときの溶接によって被溶接部14a,15aに応力が発生する。しかし、被溶接部14a,15aと保持片12a,12bとの間に切り欠き18a,18bが設けられているので、被溶接部14a,15aから保持片12a,12bへ伝わる応力が切り欠き18a,18bによって緩和される。しかも、切り欠き18a,18bは、単純な形状であるため、切削等によって容易に製造できる。
【0059】
換言すると、コの字型ホルダ10は、台座11の両側に固定片17a,17bを設け、固定片17a,17bと保持片12a,12bとの間に切り欠き18a,18bを設けた構造を有している。コの字型ホルダ10を最適な位置に調整後、コの字型ホルダ10を大キャリア16にレーザ溶接する。このときに発生する引っ張り応力は、固定片17a,17bの上部が開くことによって緩和されることにより、コの字の内径(保持片12a,12b)には伝搬しないため、コの字が変形することはない。その後、小キャリア132の位置を調整し、小キャリア132をコの字型ホルダ10にレーザ溶接する。
【0060】
図4は、本発明に係るレーザモジュールの第二実施形態を示す構成図である。図5は、図4における図2のコの字型ホルダをZ方向から見た正面図である。以下、これらの図面に基づき説明する。ただし、図4及び図5において図1乃至図3と同じ部分は同じ符号を付すことにより説明を省略する。
【0061】
本実施形態のレーザモジュール30は、信号光を出力するDFBレーザ素子81と、DFBレーザ素子81から出力された信号光を増幅するSOA素子65と、DFBレーザ素子81とSOA素子65とを互いに光軸が調整された状態で固定する大キャリア16と、SOA素子65を大キャリア16に固定するコの字型ホルダ10と、DFBレーザ素子81、SOA素子65、大キャリア16及びコの字型ホルダ10を収容するパッケージ31と、SOA素子65で増幅された信号光をパッケージ31の外へ導く光ファイバ88と、を基本的に備えている。
【0062】
また、レーザモジュール30には、レンズ82,32,33,86、コの字型ホルダ34,35,36、光アイソレータ83、ペルチェ素子37、フェルール87等が付設されている。レンズ82は、DFBレーザ素子81からの信号光を光アイソレータ83に導く。光アイソレータ83は、DFBレーザ素子81への戻り光を防ぐ。レンズ32は、光アイソレータ83からの信号光をSOA素子65へ集光する。レンズ33,86は、SOA素子65で増幅された信号光を光ファイバ88へ集光する。ペルチェ素子37は、DFBレーザ素子81及びSOA素子65を一定温度に保つ。
【0063】
レンズ82は被溶接部41a,42aを介してコの字型ホルダ34に固定され、コの字型ホルダ34は被溶接部43a,44aを介して大キャリア16に固定され、光アイソレータ83は被溶接部45a,46aを介して大キャリア16に固定され、レンズ32は被溶接部47a,48aを介してコの字型ホルダ35に固定され、コの字型ホルダ35は被溶接部49a,50aを介して大キャリア16に固定され、SOA素子65は小キャリア132にダイボンディングされ、小キャリア132は被溶接部51a,52aを介してコの字型ホルダ10に固定され、コの字型ホルダ10は被溶接部14a,15aを介して大キャリア16に固定され、レンズ33は被溶接部53a,54aを介してコの字型ホルダ36に固定され、コの字型ホルダ36は被溶接部55a,56aを介して大キャリア16に固定されている。被溶接部14a,15a,41a〜56aは、YAGレーザを用いたレーザ溶接によって形成される。なお、図4において、隠れて見えない反対側にも、被溶接部14a,15a,41a〜56aと対称的に被溶接部14b,15b,41b〜56b(図示せず)が設けられている。
【0064】
従来は、DFBレーザ素子81とSOA素子65とを一つのパッケージ31に収めることは、DFBレーザ素子81とSOA素子65との光学的な位置決めが難しいため、実現が極めて困難であった。その理由は、高精度に位置決めしようとするとレーザ溶接が必要になるが、レーザ溶接でも溶接時の応力によって従来のコの字型ホルダに変形が生じてしまうからである。そこで、本実施形態では、溶接時に変形しにくいコの字型ホルダ10を用いて、DFBレーザ素子81とSOA素子65とを高精度に位置決めすることにより、DFBレーザ素子81とSOA素子65とを一つのパッケージ31に収めたレーザモジュール30を実現している。
【0065】
次に、レーザモジュールの30の組み立て手順について説明する。
【0066】
DFBレーザ素子81から出射された拡散光がコリメート光になるように、DFBレーザ素子81を駆動させながら、レンズ82をX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向に調整して、YAGレーザ溶接によって大キャリア16に固定する。光アイソレータ83は、レンズ82からのコリメート光が光アイソレータ83を通るように、コリメータ光のほぼ中心に配置して、YAGレーザ溶接によって大キャリア16に固定する。レンズ32は、コリメータ光で入射された光をある一定の距離に焦点を結ぶ機能を有しており、コリメート光のほぼ中心に調整して、YAGレーザ溶接によって大キャリア16に固定する。
【0067】
レンズ32からの光は焦点を結んでおり、その焦点位置にSOA素子65を調整する。つまり、SOA素子65が搭載された小キャリア132を、コの字型ホルダ10を介してX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向に調整する。そして、コの字型ホルダ10をYAGレーザ溶接によって大キャリア16に固定する。
【0068】
より具体的に説明する。まず、コの字型ホルダ10に小キャリア132を挿入し、その小キャリア132をX,Y,Zの3軸方向に調整可能な冶工具にセットする。DFBレーザ素子81の光がSOA素子65に効率良く入射すると、その光が増幅されてより大きな光出力が得られる。この効果を利用して、SOA素子65からの光出力が最大となるよう光パワーメータ等でモニタしながら、小キャリア132を最適な位置に調整する。
【0069】
その調整後、コの字型ホルダ10と大キャリア16とをYAGレーザ溶接で固定する。この固定によってX方向に関し、小キャリア132の位置が固定される。このとき溶接後の金属接合部すなわち被溶接部14a,15aにクラックが発生しないよう、予めYAGレーザ溶接の出力パワー及び時間等の条件を最適化しておく。
【0070】
続いて、念のためにもう一度、小キャリア132を可動可能なY,Z方向の2軸に関し最適な位置に調整後、小キャリア132とコの字型ホルダ10とをYAGレーザ溶接によって固定する。
【0071】
同様な方法で、レンズ33,86を調整及び固定する。最後に、光ファイバ88を、光出力をモニタしながら、最適な位置に調整及び固定する。
【0072】
なお、本発明は、言うまでもなく、上記実施形態に限定されない。例えば、SOA素子に代えて光変調素子等としてもよい。応力伝達阻止機構は、固定片に設けられた貫通孔等としてもよい。
【0073】
【発明の効果】
本発明に係る半導体レーザモジュールによれば、複数の半導体光素子を一つのパッケージ内に収めたことにより、キャリア、パッケージ、電子冷却素子、信号光出力手段等の数が削減されるとともに、信号光出力手段(例えば光ファイバ)の接続も不要になるので、部品点数削減、小型化及び製造容易化等を達成できる。しかも、各光学素子の良品のみをキャリアに実装すればよいので、モノリシック型に比べて歩留りも向上できる。これに加え、電子冷却素子だけではなくこれに付随するコントローラ等の部品点数を従来よりも削減できるとともに、各半導体光素子同士を同じ温度に保てるので温度特性を安定化できる。また、次のような効果も奏する。
【0074】
本発明に係る半導体レーザモジュールにおいて更に、半導体光素子をキャリアに固定する光学素子ホルダが応力伝達阻止機構を有することにより、溶接時に変形しにくくなって、半導体光素子を高精度に位置決めできる。したがって、半導体光素子相互の光学的な位置決めが容易になることにより、複数の半導体光素子を一つのパッケージに収めた半導体レーザモジュールを容易に実現できる。
【0075】
本発明に係る半導体レーザモジュールにおいて更に、被溶接部と保持片との間に応力伝達阻止機構が設けられた光学素子ホルダを用いることにより、被溶接部から保持片へ伝わる応力を確実に遮断又は緩和できるので、半導体光素子をより高精度に位置決めできる。
【0076】
本発明に係る半導体レーザモジュールにおいて更に、光学素子ホルダの固定片に切り欠きを設けたことにより、簡単な構造で応力伝達阻止機構を実現できる。
【0077】
本発明に係る半導体レーザモジュールにおいて更に、複数の半導体光素子が実装されたキャリアとパッケージとの間に電子冷却素子を設けたことにより、電子冷却素子及びこれに付随するコントローラ等の部品点数を従来よりも削減できるとともに、各半導体光素子同士を同じ温度に保てるので温度特性を安定化できる。
【0078】
本発明に係る半導体レーザモジュールおいて更に、半導体レーザ素子と半導体光増幅素子とを同じパッケージ内に収めることにより、キャリア、パッケージ、光ファイバ等の数が削減されるとともに、光ファイバの接続も不要になるので、部品点数削減、小型化及び製造容易化等を達成できる。しかも、半導体レーザ素子と半導体光増幅素子との良品のみをキャリアに実装すればよいので、半導体レーザ素子と半導体光増幅素子とが1チップに集積化されたモノリシック型に比べて歩留りも向上できる。これに加え、半導体光増幅素子と半導体レーザ素子とが同じキャリア上に実装されているので、半導体レーザ素子に対する温度制御のみで、半導体光増幅素子も十分な温度制御が受けられる。したがって、温度制御の構成を簡略化できる。
【0079】
本発明に係る半導体レーザモジュールの製造方法によれば、溶接で変形しにくい光学素子ホルダを使って第二の半導体光素子を位置決めすることにより、第一の半導体光素子に対して第二の半導体光素子を高精度に固定できる。
【0080】
これに加え、本発明に係る半導体レーザモジュールの製造方法において更に、溶接で変形しにくい光学素子ホルダを使って半導体光増幅素子を位置決めすることにより、半導体レーザ素子から出力された信号光を受ける位置に半導体光増幅素子を正確に固定できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るレーザモジュールの第一実施形態を示す構成図である。
【図2】本発明に係るレーザモジュールの第二実施形態で使用される光学素子ホルダを示す斜視図である。
【図3】図2の光学素子ホルダを示し、図3[1]は正面図、図3[2]は側面図である。
【図4】本発明に係るレーザモジュールの第二実施形態を示す構成図である。
【図5】図4に示された図2の光学素子ホルダをZ軸方向から見た正面図である。
【図6】従来の光送信用モジュールを示す構成図である。
【図7】レーザ溶接によって製造した従来のレーザモジュールを示す構成図である。
【図8】従来の光学素子ホルダを示す斜視図である。
【図9】図8の光学素子ホルダを示し、図8[1]は正面図、図8[2]は側面図である。
【図10】従来の光学素子ホルダの問題点を示す正面図である。
【符号の説明】
10 コの字型ホルダ(光学素子ホルダ)
11 台座
12a,12b 保持片
13 光学素子
132 小キャリア
14a,15a 被溶接部
16 大キャリア(キャリア)
17a,17b 固定片
18a,18b 切り欠き(応力伝達阻止機構)
20,30 レーザモジュール(半導体レーザモジュール)
21 キャリア
31 パッケージ
37 ペルチェ素子(電子冷却素子)
65 SOA素子(半導体光増幅素子)
81 レーザ素子(半導体レーザ素子)
88 光ファイバ(信号光出力手段)
Claims (5)
- 信号光を出力する半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子から出力された信号光を増幅する半導体光増幅素子と、この半導体光増幅素子及び前記半導体レーザ素子を固定する一つのキャリアと、このキャリアを固定する一つの電子冷却素子と、この電子冷却素子、前記キャリア、前記半導体レーザ素子及び前記半導体光増幅素子を収容する一つのパッケージと、前記半導体光増幅素子で増幅された信号光を前記パッケージの外へ導く光ファイバとを備え、
前記半導体レーザ素子及び前記半導体光増幅素子の少なくとも一方を有する光学素子が光学素子ホルダを介して前記キャリアに固定され、
前記光学素子ホルダは、対向する複数の保持片が台座上に突設され、前記複数の保持片の内側で前記光学素子を保持するとともに、前記複数の保持片の外側に設けられた被溶接部が前記キャリアに溶接されることによって前記台座が前記キャリアに固定され、前記保持片の外側に前記キャリアに接する固定片が設けられ、この固定片の最も外側の前記キャリアに接する部分が前記被溶接部となり、この被溶接部と前記保持片との間の前記固定片に、前記溶接によって発生する応力の前記保持片への伝達を阻止することによって当該溶接による変形を抑える切り欠きが設けられて成る、
半導体レーザモジュール。 - 前記キャリアは一方及び他方の面を有する板状であり、前記キャリアの一方の面に前記半導体レーザ素子及び前記半導体光増幅素子が実装され、前記キャリアの他方の面と前記パッケージの内面との間に前記電子冷却素子が設けられた、
請求項1記載の半導体レーザモジュール。 - 前記半導体レーザ素子と前記半導体光増幅素子との間に当該半導体レーザ素子への戻り光を阻止する光アイソレータが設けられ、
前記半導体レーザ素子と前記光アイソレータとの間、前記光アイソレータと前記半導体光増幅素子との間、及び前記半導体光増幅素子と前記光ファイバとの間に、それぞれ集光用のレンズが設けられた、
請求項2記載の半導体レーザモジュール。 - 前記半導体レーザ素子は光変調器を内蔵したものである、
請求項3記載の半導体レーザモジュール。 - 請求項1記載の半導体レーザモジュールを製造する方法であって、
前記半導体レーザ素子を先に前記キャリア上に固定し、
前記半導体光増幅素子を前記光学素子ホルダに装着して前記キャリア上で前記半導体レーザ素子に対する光学的な調整をした後、
レーザ溶接を用いて前記光学素子ホルダを前記キャリアに固定する、
半導体レーザモジュールの製造方法。
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