JP2001059925A - 半導体レーザモジュール - Google Patents

半導体レーザモジュール

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JP2001059925A
JP2001059925A JP2000178458A JP2000178458A JP2001059925A JP 2001059925 A JP2001059925 A JP 2001059925A JP 2000178458 A JP2000178458 A JP 2000178458A JP 2000178458 A JP2000178458 A JP 2000178458A JP 2001059925 A JP2001059925 A JP 2001059925A
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optical isolator
lens
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JP2000178458A
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Toshio Kimura
俊雄 木村
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Furukawa Electric Co Ltd
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Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造が容易で安価な半導体レーザモジュール
を提供する。 【解決手段】 基板2上に半導体レーザ素子1を固定す
る。半導体レーザ素子1の光軸Z方向に直交するXY平
面で切断したときの断面形状が矩形状の偏波依存型の光
アイソレータ8を形成し、その入射側の光透過偏波面方
向は光アイソレータ8の底辺14と平行と成す。光アイ
ソレータ8の底辺14を、断面矩形状のホルダ5の底辺
17と平行にし、半導体レーザ素子1のレーザ出射光を
透過する第1のレンズ3と光アイソレータ8とを予め調
芯状態でホルダ5に固定する。ホルダ5を両側部からホ
ルダ保持部15によって保持して固定し、第1のレンズ
3と光アイソレータ8とを共に半導体レーザ素子1と調
芯した位置でホルダ保持具15を介してホルダ5を基板
2に固定する。レーザ出射光を第1のレンズ3、光アイ
ソレータ8、光集光用の第2のレンズ7に順に通して光
ファイバ12に受光させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光通信用と
して用いられる半導体レーザモジュールに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】近年、光通信における信号用光源や光フ
ァイバ増幅器の励起用光源として、半導体レーザが大量
に用いられるようになってきた。半導体レーザをこのよ
うな光源として用いる場合には、半導体レーザから出射
されるレーザ光を光ファイバに光学的に結合させたデバ
イスである半導体レーザモジュールとして使用する場合
が多い。
【0003】図5の(a)には、従来の半導体レーザモ
ジュールの一例が、断面図により示されている。同図に
示すように、パッケージ30は、その一端側に貫通穴2
5を形成して成り、このパッケージ30内にベースとし
ての基板2が設けられている。半導体レーザ素子(半導
体レーザ)1が基板2の固定部に固定されている。半導
体レーザ素子1の近傍にはサーミスタ4が設けられてお
り、前記基板2の下部側にはペルチェモジュール6が設
けられている。ペルチェモジュール6はサーミスタ4に
より検出される検出温度に基づき半導体レーザ素子1の
温度を一定に保つ機能を有している。
【0004】半導体レーザ素子1の出射側には、半導体
レーザ素子の出射光を透過する第1のレンズ3が設けら
れている。この第1のレンズ3は、半導体レーザ素子1
から出射される光を平行光とするコリメータレンズであ
る。第1のレンズ3の出射側には、偏波依存型の光アイ
ソレータ8が設けられている。
【0005】また、パッケージ封止用の光透過板40が
前記パッケージ30の貫通穴25に固定されており、光
透過板40はサファイヤガラスなどにより形成されてい
る。貫通孔25にはレンズホルダ46が挿入固定されて
おり、レンズホルダ46の一端側(図の右側)に、フェ
ルールホルダ47が固定されている。フェルールホルダ
47にはフェルール45が固定されており、フェルール
45には光ファイバ(シングルモード光ファイバ)12
が挿通固定されている。光ファイバ12の接続端面側
(同図ではレンズホルダ46側)は半導体レーザ素子1
側に対向配置されている。前記レンズホルダ46には、
前記光アイソレータ8の透過光を光ファイバ12の入射
側に集光する第2のレンズ7が固定されている。
【0006】図5の(a)、(b)に示すように、従来
の半導体レーザモジュールにおいて、第1のレンズ3は
ステンレス等の金属製のレンズホルダ35に固定されて
いる。レンズホルダ35は突起部18を有しており、レ
ンズホルダ35は、レンズホルダ保持具36を介して基
板2に固定されている。なお、レンズホルダ35は、Y
AG溶接スポット21におけるYAG溶接でレンズホル
ダ保持具36に固定されており、レンズホルダ保持具3
6はYAG溶接スポット20におけるYAG溶接で基板
2に固定されている。
【0007】また、前記光アイソレータ8は、レンズホ
ルダ35とは別個の円筒形状の金属製ハウジング28に
固定されている。前記基板2に一対の突起部16が設け
られており、ハウジング28はYAG溶接スポット22
におけるYAG溶接で突起部16に固定されている。
【0008】図6に示すように、前記光アイソレータ8
は、ハウジング28、円筒形状の磁石11、ファラデー
回転子9、検光子10を有して構成されている。磁石1
1はハウジング28の筒孔内に固定されており、この磁
石11の筒孔内にファラデー回転子9が設けられ、この
ファラデー回転子9を挟んで光アイソレータ8の入射側
と出射側(同図における左右両側)に検光子10が設け
られている。
【0009】上記のような半導体レーザモジュールにお
いて、半導体レーザ素子1から出射されたレーザ光は第
1のレンズ3により平行光とされる。この平行光は光ア
イソレータ8を通過した後、第2のレンズ7によって光
ファイバ12の入射側の端面(接続端面)に入射され、
光ファイバ12内を導波し、所望の用途に供される。
【0010】なお、半導体レーザ素子1を駆動すると、
発熱が生じて半導体レーザ素子1の温度が上昇する。こ
の温度上昇は半導体レーザ素子1の発振波長と光出力の
変化を引き起こす。そのため、前記サーミスタ4により
検出される温度に基づいてペルチェモジュール6に流す
電流が調整され、この調整によって、半導体レーザ素子
1の温度を一体に保ち、前記温度上昇による半導体レー
ザ素子1の発振波長と光出力の変化が生じないようにし
ている。
【0011】上記のような半導体レーザモジュールは、
以下のような方法により製造される。すなわち、基板2
上に、半導体レーザ素子1を固定したキャリアを半田固
定し、次に、半導体レーザ素子1から出射される光が平
行光となるように、赤外線カメラなどを用いて、第1の
レンズ3を位置決め固定する。
【0012】なお、第1のレンズ3は、低融点ガラスに
よってレンズホルダ35に予め固定しておき、レンズホ
ルダ35をレンズホルダ保持具36に嵌合する。この状
態で、半導体レーザ素子1から出射される光を第1のレ
ンズ3に通しながら第1のレンズ3の位置決めを行な
う。この位置決めは、第1のレンズ3から出射される光
を赤外線カメラなどで観察し、この光が平行光となるよ
うに、レンズホルダ35をレンズホルダ保持具36に対
してY方向とZ方向に移動させたり、レンズホルダ保持
具36をX方向とZ方向に移動させたりして行なう。
【0013】そして、位置決めされた位置で、レンズホ
ルダ35とレンズホルダ保持具36をYAG溶接スポッ
ト21でYAG溶接固定し、レンズホルダ保持具36を
YAG溶接スポット20で基板2にYAG溶接固定す
る。
【0014】次に、光アイソレータ8を、以下のように
して調芯固定する。すなわち、半導体レーザ素子1を駆
動しながら、第1のレンズ3から出射される光を光アイ
ソレータ8に入射させる。そして、光アイソレータ8を
ハウジング28ごと回転させる。この回転は光アイソレ
ータ8の光軸を中心として行なう。そして、この回転を
行ないながら、光アイソレータ8の出射側から出射され
る光をパワーメータ等の光受信装置によって受信し、受
信強度が最大となる位置で、ハウジング28を突起部1
6にYAG溶接固定する。
【0015】次に、上記のようにして、半導体レーザ素
子1と第1のレンズ3と光アイソレータ8とを調芯状態
で基板2上に固定したら、この基板2をハウジング30
内のペルチェモジュール6上に固定し、金ワイヤで電気
的接続を行なう。また、第2のレンズ7を固定したレン
ズホルダ46とフェルール45を固定したフェルールホ
ルダ47とを貫通孔25に挿入固定する。それにより、
半導体レーザ素子1と光ファイバ12が、第1のレンズ
3と光アイソレータ8と第2のレンズ7を介して光学的
に接続される。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な半導体レーザモジュールは、光通信用等として用いる
ために、その性能がよいことはもちろんのこと、容易に
製造できて安価であることが求められる。
【0017】しかしながら、上記半導体レーザモジュー
ルは、半導体レーザモジュール毎に光アイソレータ8の
回転調芯(偏波面の調整)を行なって製造されるもので
あるため、この作業が大変であり、従来の半導体レーザ
モジュールの製造は容易ではなかった。
【0018】また、前記の如く、第1のレンズ3の調芯
は赤外線カメラなどによって第1のレンズ3からの出射
光を観察することによって行われ、一方、光アイソレー
タ8の偏波面の調整は光受信装置による光強度測定によ
って行われる。そのため、両者の調芯を別々の装置を用
いて行なう必要があり、面倒であった。なお、仮に両者
の調芯を同じ装置を用いて行なおうとすると、装置の設
備が非常に複雑になり、高価になってしまったり、製造
タクトが増大したりしてしまう。
【0019】さらに、第1のレンズ3と光アイソレータ
8の固定を別々に行なうため、第1のレンズ3の中心軸
と光アイソレータ8の中心軸とがずれることがある。そ
うすると、例えば図7に示すように、第1のレンズ3を
出射した光が光アイソレータ8の一部によってけられ
る。
【0020】そうすると、光アイソレータ8を透過する
光の量は減少して第1のレンズ3と光アイソレータ8の
光結合効率が低下し、それにより、半導体レーザ素子1
と光ファイバ12との光結合効率が低下する虞があっ
た。そして、半導体レーザ素子1と光ファイバ12との
光結合効率が悪い半導体レーザモジュールは製品として
用いることができないため、上記のような半導体レーザ
モジュールは、その製造歩留まりがよくなかった。
【0021】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたものである。本発明の目的は、容易に製造で
きて製造歩留まりが高く、コストの低減化が可能な半導
体レーザモジュールを提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のような構成をもって課題を解決するた
めの手段としている。すなわち、第1の発明は、ベース
上の固定部に固定された半導体レーザ素子の出射側に間
隔を介して、該半導体レーザ素子から出射される光を受
光する光ファイバの接続端面側が対向配置され、該光フ
ァイバと前記半導体レーザ素子との間には、該半導体レ
ーザ素子の出射光を透過する第1のレンズと、該第1の
レンズを透過した光を前記光ファイバに導く偏波依存型
の光アイソレータが設けられている半導体レーザモジュ
ールであって、前記光アイソレータは半導体レーザ素子
の光軸Z方向に直交するXY平面で切断したときの断面
形状が矩形状を呈しており、前記光アイソレータの入射
側の光透過偏波面方向は前記矩形状の底辺または上辺と
平行と成している構成をもって課題を解決する手段とし
ている。
【0023】また、第2の発明は、上記第1の発明の構
成に加え、前記光アイソレータと前記第1のレンズとが
予め調芯された状態で、前記断面形状が矩形状の共通の
ホルダに固定されている構成をもって課題を解決する手
段としている。
【0024】さらに、第3の発明は、上記第2の発明の
構成に加え、前記ホルダの底辺は前記光アイソレータの
入射側の光透過偏波方向および前記ベースと平行と成し
ている構成をもって課題を解決する手段としている。
【0025】さらに、第4の発明は、上記第2又は第3
の発明の構成に加え、前記ホルダはホルダを両側部がわ
から挟持固定するホルダ保持部に保持され第1のレンズ
と光アイソレータとが共に前記半導体レーザ素子と調芯
された位置で前記ホルダが前記ホルダ保持部を介してベ
ースに固定されている構成をもって課題を解決する手段
としている。
【0026】さらに、第5の発明は、上記第4の発明の
構成に加え、前記ホルダ保持部はXY平面で切断したと
きの断面形状が略U字形状と成している構成をもって課
題を解決する手段としている。
【0027】さらに、第6の発明は、上記第1乃至第5
のいずれか一つの発明の構成に加え、前記第1のレンズ
は半導体レーザ素子から出射される光を平行光とするコ
リメータレンズであり、光アイソレータと光ファイバと
の間に光アイソレータを透過した光を光ファイバの入射
端に集光する第2のレンズが設けられている構成をもっ
て課題を解決する手段としている。
【0028】さらに、第7の発明は、上記第3乃至第6
のいずれか一つの発明の構成に加え、前記ホルダの上面
には突起部が設けられており、該突起部には調芯装置の
把持部に形成されている突起を嵌合する嵌合溝が設けら
れている構成をもって課題を解決する手段としている。
【0029】第1の発明において、光アイソレータは半
導体レーザ素子の光軸Z方向に直交するXY平面で切断
したときの断面形状が矩形状を呈しており、前記光アイ
ソレータの入射側の光透過偏波面方向は前記矩形状の底
辺または上辺と平行と成している。そのため、光アイソ
レータの入射側の光透過偏波面方向を容易に把握でき
る。
【0030】また、第2の発明において、光アイソレー
タを固定するホルダは前記断面形状が矩形状であるの
で、ホルダに上記構成の光アイソレータを固定すると、
光アイソレータの入射側の光透過偏波面方向は、ホルダ
の底辺と平行になる。
【0031】さらに、第3の発明において、ホルダの底
辺はベースと平行(ベースの表面と平行)である。した
がって、上記構成の断面矩形状の光アイソレータを断面
矩形状のホルダに固定して、ホルダをベースに固定する
と、光アイソレータの入射側の光透過偏波面方向はベー
スに平行になる。
【0032】一方、半導体レーザ素子の出射光の偏波面
方向は、通常、ベースと平行な方向であるので、本発明
においては、従来のように光アイソレータを回転させな
くても、半導体レーザ素子の出射光が高効率で光アイソ
レータに入射される。また、光アイソレータの中心と第
1のレンズの中心とを一致させて第1のレンズをホルダ
に固定すれば、第1のレンズと光アイソレータとが調芯
状態でホルダに固定される。
【0033】そして、第4の発明の半導体レーザモジュ
ールの製造は以下のように行なわれる。まず、前記光ア
イソレータと前記第1のレンズとを予め調芯した状態で
固定したホルダをホルダ保持部によって両側部がわから
保持し、かつ、光アイソレータのホルダの側面が光軸Z
方向と平行になるようする。この状態で、半導体レーザ
からの出射光を第1のレンズと光アイソレータに順に通
して光アイソレータの出射側から出射させ、この出射光
が平行光となるように、ホルダをX,Y,Z方向に移動
させて調芯する。
【0034】このようにすることで、半導体レーザと第
1のレンズと光アイソレータとが容易に、かつ、レーザ
光がアイソレータによってけられることなく正確に調芯
される。そして、この位置で、前記ホルダ保持部を介し
てホルダをベースに固定し、光アイソレータの透過光を
光ファイバにより受信するように形成すれば、半導体レ
ーザモジュールが容易に製造される。
【0035】以上のように、本発明の半導体レーザモジ
ュールは、容易に製造できて製造歩留まりが高く、コス
トの低減化が可能な半導体レーザモジュールを構成でき
る。
【0036】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略する。図1の(a)には、本発明に係る半
導体レーザモジュールの第1実施形態例が断面図により
示されている。
【0037】本実施形態例の第1の特徴は、半導体レー
ザモジュールに適用する光アイソレータ8を、XY平面
で切断したときの断面形状が矩形状の光アイソレータ8
とし、図3に示すように、光アイソレータ8の入射側の
光透過偏波面方向を前記矩形状の底辺14または上辺1
3と平行と成したことである。
【0038】本実施形態例の第2の特徴は、図1の
(a)、(b)に示すように、光アイソレータ8と第1
のレンズ3とを予め調芯状態で、前記断面形状(XY平
面で切断したときの断面形状)が矩形状(矩形枠状)の
共通のホルダ5に固定したことである。
【0039】本実施形態例の第3の特徴は、ホルダ5の
底辺17を光アイソレータ8の入射側の光透過偏波方向
および基板2と平行と成していることである。
【0040】本実施形態例の第4の特徴は、ホルダ5を
両側部がわから挟持固定するホルダ保持部としてのホル
ダ保持具15にホルダ5を保持して、第1のレンズ3と
光アイソレータ8とが共に半導体レーザ素子1と調芯さ
れた位置でホルダ保持具15を介してホルダ5を基板2
に固定したことである。
【0041】本実施形態例の半導体レーザモジュールに
適用されている光アイソレータ8は、図3に示す構成を
有している。すなわち、同図に示すように、矩形状のフ
ァラデー回転子9の光入射側の面と出射側の面が同形状
の検光子10によって両側から挟んで張り合わせて一体
化されている。そして、上記光アイソレータ8は、この
一体化したファラデー回転子9と検光子10を両サイド
側から矩形状の磁石11によって挟んで形成している。
【0042】図2の(a)には上記光アイソレータ8と
第1のレンズ3とを固定したホルダ5の正面図が示され
ている。また、同図の(b)にはこのホルダ5の背面図
が、同図の(c)にはこのホルダ5の断面図が、同図の
(d)にはこのホルダ5の側面図が、同図の(e)には
このホルダ5の平面図がそれぞれ示されている。これら
の図に示されるように、ホルダ5のXY断面の外形は、
ほぼ矩形状を呈しており、この矩形状の上部側(上面)
に、突起部18が設けられている。
【0043】図2の(c)に示すように、ホルダ5は、
第1のレンズ3をホルダ5の正面側から挿入固定するレ
ンズ挿入穴31と、光アイソレータ8をホルダ5の背面
側から挿入固定する光アイソレータ挿入穴32とを有し
ている。同図の(a)に示すように、レンズ挿入穴31
は、XY断面形状が真円形状である。同図の(b)に示
すように、光アイソレータ挿入穴32は、XY断面形状
が矩形状である。同図の(c)に示すように、これらの
挿入穴31,32は貫通の穴33を介して連通してい
る。光アイソレータ挿入穴32の底辺はホルダ5の底辺
17と平行と成している。そして、このようにすること
により、光アイソレータ8の入射側の光透過偏波面方向
がホルダ5の底辺17と平行になるように構成してい
る。
【0044】レンズ挿入穴31と穴33との境界部には
段部が形成されており、光アイソレータ挿入穴32と穴
33との境界部にも段部が形成されている。レンズ挿入
穴31と光アイソレータ挿入穴32は、そのY方向(上
下方向)およびX方向の中心位置が一致している。レン
ズ挿入穴31に第1のレンズ3を挿入固定し、光アイソ
レータ挿入穴32に光アイソレータ8を挿入固定する
と、第1のレンズ3と光アイソレータ8は、X方向およ
びY方向に位置合わせされる。
【0045】なお、第1のレンズ3のレンズ挿入穴31
への挿入固定方法や光アイソレータ8の光アイソレータ
挿入穴32への挿入固定方法は特に限定されるものでは
ない。ただし、第1のレンズ3や光アイソレータ8は、
例えば低融点ガラスや半田を用いて固定したり、圧入等
によって容易に挿入固定できる。
【0046】ホルダ保持具15は、XY平面で切断した
ときの断面形状が略U字形状と成しており、ホルダ保持
具15をこのような形状としたことが本実施形態例の第
5の特徴と成している。前記ホルダ5は、ホルダ支持具
15の上端側のYAG溶接スポット21にてホルダ支持
具15にYAG溶接固定されている。ホルダ支持部15
は、ホルダ支持具15の下端側のYAG溶接スポット2
0にて基板2にYAG溶接固定されている。
【0047】本実施形態例の上記以外の構成は、図5に
示した従来の半導体レーザモジュールと同様であり、そ
の動作も同様であるので、その重複説明は省略する。
【0048】本実施形態例は以上のように構成されてお
り、次に、本実施形態例の半導体レーザモジュールの製
造方法について説明する。まず、本実施形態例の半導体
レーザモジュールに適用する光アイソレータ8を、以下
のようにして作製する。
【0049】すなわち、比較的大きな面積(1つの半導
体レーザモジュールに用いられる光アイソレータ8の何
倍もの面積)を持つ検光子10とファラデー回転子9を
用意する。そして、入射側の検光子10とファラデー回
転子9とを張り合わせ、その出射側に出射側の検光子1
0を配置する。なお、図3に示すように、これらの検光
子10およびファラデー回転子9の少なくとも両側には
磁石11を配置する。
【0050】その後、出射側の検光子10を回転させな
がら、半導体レーザ素子1の出射光を入射側の検光子1
0から入射させて出射側の検光子10から出射させ、出
射光の強度を検出してこの強度が最大となるようにす
る。
【0051】このようにすると、光アイソレータ8の入
射側の光透過偏波面方向がベースとしての基板2と平行
な方向となり、光アイソレータ8の出射側の光透過偏波
面方向は、入射側の光透過偏波面方向に対して45°傾
いた角度となる。そして、この位置で、ファラデー回転
子9に出射側の検光子10を張り合わせて一体化する。
その後、この張り合わせ体を、各半導体レーザモジュー
ルに適用する大きさで、ベース(基板2)に平行な方向
を底辺とする矩形状に切断する。また、磁石11も各半
導体レーザモジュールに適用する大きさに、矩形状に切
断し、一体化した検光子10とファラデー回転子9の両
側に固定する。
【0052】一般に、半導体レーザ素子1の偏波面方向
はベースに対して平行な方向である。そのため、上記の
ように光アイソレータ8を形成すると、光アイソレータ
8の底辺(前記矩形状の底辺14または上辺13)をベ
ースに対して平行になるように配置するだけで、光アイ
ソレータ8を回転させなくても、半導体レーザ素子1の
出射光を高効率で入射できるアイソレータ8を一度に複
数形成することができる。
【0053】次に、この光アイソレータ8を上記構成の
ホルダ5の光アイソレータ挿入穴32に挿入し、第1の
レンズ3をホルダ5のレンズ挿入穴31に挿入する。そ
うすると、光アイソレータ8の入射側の光偏波面方向と
平行な底辺14または上辺13がホルダ5の底辺17と
平行になるように、光アイソレータ8がホルダ5に固定
される。そのため、光アイソレータ8の入射側の光偏波
面方向とホルダ5の底辺17が平行となる。
【0054】したがって、ホルダ5を基板2上に配置す
ると、光アイソレータ8の入射側の光偏波方向が基板2
に平行になる。また、前記光アイソレータ8と第1のレ
ンズ3のホルダ5への固定により、光アイソレータ8の
中心と第1のレンズ3の中心とが一致し、第1のレンズ
3と光アイソレータ8とが調芯状態でホルダ5に固定さ
れる。
【0055】そして、ホルダ5をホルダ保持具15に嵌
合し、半導体レーザ素子1からの出射光を第1のレンズ
3と光アイソレータ8に順に通して光アイソレータ8の
出射側から出射させる。この出射光が平行光となるよう
に、ホルダ支持具15の基板2に対するX,Z方向の相
対位置とホルダ5のホルダ支持具に対するY,Z方向の
相対位置を変化させることで、半導体レーザ素子1に対
する第1のレンズ3及び光アイソレータ8のX,Y,Z
方向の位置を調整して半導体レーザ素子1と第1のレン
ズ3と光アイソレータ8とを調芯する。この調芯位置で
YAG溶接を行ない、ホルダ保持具15を介してホルダ
5を基板2に固定する。
【0056】なお、ホルダ5を調芯する際には、第1の
レンズ3と光アイソレータ8を通過する光がホルダ5の
内壁においてけられることがないように、ホルダ5の側
壁と光軸Z方向とが略平行になるようにする。
【0057】また、本実施形態例のホルダ5には光アイ
ソレータ8が一体化されているため、本実施形態例のホ
ルダ5は、第1のレンズ3と光アイソレータ8が個々に
調芯固定されていた従来例に比べ、重量が重くなる。そ
のため、本実施形態例において、調芯設備にホルダ5を
把持させる際には、把持強度が十分とならずに、ホルダ
5が調芯設備の保持部としてのチャック等から滑り落ち
てしまいやすい。
【0058】このため、例えば図8に示す構成を適用す
るとよい。すなわち、調芯装置のチャック49に溝嵌合
突起50を設けておき、ホルダ5の突起部18には、光
軸Z方向に伸びる溝48を形成しておく。そして、この
溝48に、調芯装置のチャック49の溝嵌合突起50を
係合させつつ、ホルダ5をチャック49で把持するとよ
い。また、このようにすることで、ホルダ5の調芯の際
に、ホルダ5の底面を確実に基板2のホルダ搭載面に平
行とすることができる。
【0059】最後に、従来例と同様に、半導体レーザ素
子1と第1のレンズ3と光アイソレータ8とを調芯状態
で固定した基板2を、ハウジング30内のペルチェモジ
ュール6上に固定し、金ワイヤで電気的に接続する。ま
た、ハウジング30の貫通孔25に、予め第2のレンズ
7を固定したレンズホルダ46を固定し、さらに、レン
ズホルダ46にフェルールホルダ47を固定する。レン
ズホルダ46、フェルールホルダ47の固定により、半
導体レーザ素子1と光ファイバ12は、第1のレンズ3
と光アイソレータ8と第2のレンズ7を介して光学的に
接続される。
【0060】本実施形態例によれば、第1のレンズ3と
光アイソレータ8とを予め調芯した状態で共通のホルダ
5に固定し、この状態でホルダ5を基板2に固定するこ
とにより、半導体レーザモジュール1の組み立て時に、
光アイソレータ8と第1のレンズ3を半導体レーザ素子
1に対して別個に調芯する必要がない。そして、本実施
形態例においては、ホルダ5を半導体レーザ素子1に対
してX,Y,Z方向に移動させるだけで半導体レーザ素
子1と第1のレンズ3と光アイソレータ8とを容易に調
芯でき、これらの調芯工程を簡略化することができる。
【0061】また、本実施形態例は、光アイソレータ8
とホルダ5のXY平面による断面形状を共に矩形状とし
て、光アイソレータ8の底辺14または上辺13とホル
ダ5の底辺17を光アイソレータの入射側の光透過偏波
面方向と平行にし、かつ、ホルダの底辺17を基板2の
表面と平行にしたものである。したがって、本実施形態
例では、光アイソレータ8をホルダ5に挿入してホルダ
5を基板2に固定するだけで、前記光アイソレータ8の
入射側の光透過偏波面方向を基板2に対して平行にする
ことができ、従来のように光アイソレータの回転調心を
省略することができる。
【0062】しかも、本実施形態例によれば、光アイソ
レータ8は、1つの半導体レーザモジュールに適用する
光アイソレータ8の何倍かの光アイソレータ8の回転調
芯(偏波面の調整)を行なった後に、各半導体レーザモ
ジュールに適した大きさに切断して各半導体レーザモジ
ュールに対応する光アイソレータ8に形成できる。その
ため、本実施形態例によれば、複数の半導体レーザモジ
ュールに適用する光アイソレータ8を一度に形成し、そ
の光アイソレータ8を用いて各半導体レーザモジュール
を製造することができ、その分だけ光アイソレータ8の
回転調芯作業も簡略化することができる。
【0063】なお、特開平9―68631号公報には、
第1のレンズと光アイソレータとを共通のホルダに調芯
状態で固定し、このホルダを基板に固定して形成した光
半導体装置が開示されている。しかしながら、この提案
の光半導体装置においては、光アイソレータをホルダに
固定する際に光アイソレータの光透過偏波面方向調整が
必要となる。それに対して、本発明は、矩形状の光アイ
ソレータ8を、矩形の光アイソレータ挿入穴32の内壁
に接着することにより、回転調芯が不要であるため、半
導体レーザモジュールの製造を非常に容易とすることが
できる。
【0064】さらに、前記公報に提案されている光半導
体装置においては、ホルダを直接基板に固定する構成と
したため、例えばY方向において、半導体レーザ素子と
第1のレンズとが少しでもずれた場合に、そのずれを補
正調整することができない。したがって、このずれに伴
い、半導体レーザ素子と第1のレンズとの光結合効率が
低下し、半導体レーザ素子と光ファイバとの光結合効率
の低下が生じることになる。
【0065】それに対し、本実施形態例によれば、ホル
ダ保持具15を介してホルダ5を基板2に固定する構成
としたことから、ホルダ5を基板2に対してX,Y,Z
のいずれの方向にも容易に移動させることが可能とな
る。したがって、本実施形態例は、第1のレンズ3と光
アイソレータ8を共に半導体レーザ素子1と調芯する作
業も非常に容易となり、かつ、正確に前記調芯を行なう
ことができる。
【0066】図4には、本発明に係る半導体レーザモジ
ュールの第2実施形態例が断面図により示されている。
本第2実施形態例は上記第1実施形態例とほぼ同様に構
成されている。本第2実施形態例が上記第1実施形態例
と異なる特徴的なことは、第1のレンズ3と光アイソレ
ータ8と第2のレンズ7とを予め調芯状態で共通のホル
ダ5内に設けたことである。
【0067】なお、本第2実施形態例では、フェルール
45およびフェルールホルダ47もハウジング30内に
固定されている。また、上記のように、第2のレンズ7
もホルダ5内に固定し、ハウジング30内に収容したの
で、上記第1実施形態例に設けた光透過板40は省略し
ている。そして、光ファイバ12をハウジング30の貫
通孔25に固定する際に、ハウジング30を適宜の封止
部材41により封止している。
【0068】本第2実施形態例は以上のように構成され
ており、本第2実施形態例では、ホルダ保持具15とホ
ルダ5との相対位置およびホルダ保持具15と基板2と
の相対位置を調整することにより、半導体レーザ素子1
に対する第1のレンズ3及び光アイソレータ8および第
2のレンズ7のX,Y,Z方向の位置を調整する。そし
て、この調整により、半導体レーザ素子1と第1のレン
ズ3と光アイソレータ8と第2のレンズ7を調芯し、こ
の調芯位置でYAG溶接を行ない、ホルダ保持具15を
介してホルダ5を基板2に固定する。
【0069】この状態で、フェルール45に固定された
光ファイバ12に半導体レーザ素子1からの光を入射さ
せて、光ファイバ12を調芯し、フェルールホルダ47
をホルダ5の出射側に固定する。
【0070】本第2実施形態例も上記第1実施形態例と
同様の効果を奏することができる。また、本第2実施形
態例では、第1のレンズ3と光アイソレータ8と共に、
第2のレンズ7も予め調芯状態で共通のホルダ5に固定
したため、半導体レーザモジュール組み立て作業をより
一層容易に行なうことができる。
【0071】なお、本発明は上記各実施形態例に限定さ
れることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば
上記各実施形態例では、ホルダ保持具15を、XY平面
で切断したときの断面形状がU字形状となる保持具とし
たが、ホルダ保持具15等のホルダ保持部の構成は特に
限定されるものではない。ホルダ保持部は、ホルダ5を
両側部がわから挟持固定でき、かつ、ホルダ5の位置を
基板2などのベースに対してX,Y,Z方向に位置決め
できればよい。
【0072】例えば、ホルダ保持部は、上記各実施形態
例のホルダ保持具15を図1の(a)の破線位置で分割
した構成のものでもよい。ただし、ホルダ保持具15を
上記各実施形態例のように構成すると、ホルダ5の位置
決めを非常に行ないやすくでき、位置決めを容易に正確
に行なえるし、半導体レーザモジュール製造工程の簡略
化を図ることができる。
【0073】また、上記各実施形態例では、検光子10
とファラデー回転子9の両サイド側に磁石11を設けて
光アイソレータ8を構成したが、光アイソレータ8は磁
石11を検光子10とファラデー回転子9の上下両側に
設けて構成してもよい。また、光アイソレータ8は検光
子10とファラデー回転子9の外周側を覆うような態様
で磁石11を設けて構成してもよい。
【0074】さらに、上記各実施形態例では、一般的な
半導体レーザ素子1からの出射光の偏波面方向が基板2
の面に対して平行な方向になることに対応させて、光ア
イソレータ8の入射側光透過偏波面方向が光アイソレー
タ8の断面矩形状の底辺14または上辺13と平行にな
るようにした。ただし、半導体レーザモジュールの例と
して、半導体レーザ素子1からの出射光の偏波面方向が
基板2などのベースに対して垂直に形成されるように構
成された半導体レーザモジュールがある。
【0075】この種の半導体レーザモジュールにおいて
は、半導体レーザ素子1からの出射光の偏波面方向に対
応させて、光アイソレータ8の入射側の光透過偏波面方
向が、光アイソレータ8の断面矩形状の底辺または上辺
と垂直になるように(底辺または上辺と直交する辺と平
行になるように)すれば、上記各実施形態例と同様の効
果を奏することができる。
【0076】
【発明の効果】第1の発明によれば、光アイソレータは
半導体レーザ素子の光軸Z方向に直交するXY平面で切
断したときの断面形状が矩形状を呈しており、前記光ア
イソレータの入射側の光透過偏波面方向は前記矩形状の
底辺または上辺と平行と成しているものであるため、光
アイソレータの入射側の光透過偏波面方向を容易に把握
できる。
【0077】また、第2の発明によれば、光アイソレー
タを固定するホルダは前記断面形状が矩形状であるの
で、ホルダに上記構成の光アイソレータを固定すること
により、光アイソレータの入射側の光透過偏波面方向を
ホルダの底辺と平行にできる。
【0078】さらに、第3の発明によれば、ホルダの底
辺はベースと平行(ベースの表面と平行)であるので、
上記構成の断面矩形状の光アイソレータを断面矩形状の
ホルダに固定して、ホルダをベースに固定することによ
り、光アイソレータの入射側の光透過偏波面方向はベー
スに平行にできる。
【0079】一方、半導体レーザ素子の出射光の偏波面
方向は、通常、ベースと平行な方向であるので、本発明
においては、従来のように光アイソレータを回転させな
くても、半導体レーザ素子の出射光を高効率で光アイソ
レータに入射できる。また、光アイソレータの中心と第
1のレンズの中心とを一致させて第1のレンズをホルダ
に固定すれば、第1のレンズと光アイソレータとが調芯
状態でホルダに固定される。
【0080】そして、第4の発明によれば、上記のよう
に、光アイソレータをホルダを介してベースに固定する
だけで、半導体レーザと第1のレンズと光アイソレータ
とが容易に、かつ、レーザ光がアイソレータによってけ
られることなく正確に調芯され、この状態で、前記ホル
ダ保持部を介してホルダをベースに固定するので、光ア
イソレータの透過光を光ファイバにより受信するように
形成することで、容易に製造できて製造歩留まりが高
く、コストの低減化が可能な半導体レーザモジュールを
構成できる。
【0081】したがって、本発明の半導体レーザモジュ
ールは、容易に製造できて製造歩留まりが高く、コスト
の低減化が可能な半導体レーザモジュールとすることが
できる。
【0082】また、ホルダ保持部をXY平面で切断した
ときの断面形状が略U字形状と成している構成の半導体
レーザモジュールは、ホルダ保持部を用いてホルダを
X,Y,Z方向に位置調整することにより、第1のレン
ズと光アイソレータとを半導体レーザ素子に対して非常
に容易に、かつ、正確に調芯できる。
【0083】さらに、第1のレンズは半導体レーザ素子
から出射される光を平行光とするコリメータレンズであ
り、光アイソレータと光ファイバとの間に光アイソレー
タを透過した光を光ファイバの入射端に集光する第2の
レンズが設けられている構成の半導体レーザモジュール
によれば、半導体レーザ素子から出射される光を平行光
として光アイソレータに入射させ、光アイソレータを透
過した光を第2のレンズで集光して光ファイバの入射端
に容易に入射することができる。
【0084】さらに、ホルダの上面には突起部が設けら
れており、該突起部には調芯装置の把持部に形成されて
いる突起を嵌合する嵌合溝が設けられている構成の半導
体レーザモジュールは、ホルダを調芯装置の把持部によ
って確実に把持して調芯でき、ホルダの底面を確実に基
板のホルダ搭載面に平行にできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体レーザモジュールの第1実
施形態例の要部構成を示す断面図(a)と、そのモジュ
ールのハウジング内の構成(b)を示す斜視図である。
【図2】上記実施形態例に適用される光アイソレータと
第1のレンズとを収容固定したホルダの説明図である。
【図3】上記実施形態例に適用される光アイソレータの
構成を分解状態で示す説明図である。
【図4】本発明に係る半導体レーザモジュールの第2実
施形態例を示す要部構成図である。
【図5】従来の半導体レーザモジュールの一例を示す断
面説明図(a)と、そのモジュールのハウジング内の構
成を示す斜視説明図(b)である。
【図6】従来の半導体レーザモジュールに適用される光
アイソレータを示す断面説明図である。
【図7】図6に示したの半導体レーザモジュールにおけ
る問題点を示す説明図である。
【図8】本発明に係る半導体レーザモジュールにおい
て、突起部18に溝を形成したホルダ5の構成例を、こ
のホルダ5の調芯装置の把持部と共に示す説明図であ
る。
【符号の説明】
1 半導体レーザ素子 2 基板 3 第1のレンズ 4 サーミスタ 5 ホルダ 6 ペルチェモジュール 7 第2のレンズ 8 光アイソレータ 9 ファラデー回転子 10 検光子 11 磁石 12 光ファイバ 13 上辺 14 底辺 15 ホルダ保持具

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ベース上の固定部に固定された半導体レ
    ーザ素子の出射側に間隔を介して、該半導体レーザ素子
    から出射される光を受光する光ファイバの接続端面側が
    対向配置され、該光ファイバと前記半導体レーザ素子と
    の間には、該半導体レーザ素子の出射光を透過する第1
    のレンズと、該第1のレンズを透過した光を前記光ファ
    イバに導く偏波依存型の光アイソレータが設けられてい
    る半導体レーザモジュールであって、前記光アイソレー
    タは半導体レーザ素子の光軸Z方向に直交するXY平面
    で切断したときの断面形状が矩形状を呈しており、前記
    光アイソレータの入射側の光透過偏波面方向は前記矩形
    状の底辺または上辺と平行と成していることを特徴とす
    る半導体レーザモジュール。
  2. 【請求項2】 光アイソレータと第1のレンズとが予め
    調芯された状態で、断面形状が矩形状の共通のホルダに
    固定されていることを特徴とする請求項1記載の半導体
    レーザモジュール。
  3. 【請求項3】 ホルダの底辺は光アイソレータの入射側
    の光透過偏波方向およびベースと平行と成していること
    を特徴とする請求項2記載の半導体レーザモジュール。
  4. 【請求項4】 ホルダはホルダを両側部がわから挟持固
    定するホルダ保持部に保持されており、第1のレンズと
    光アイソレータとが共に半導体レーザ素子と調芯された
    位置で前記ホルダが前記ホルダ保持部を介してベースに
    固定されていることを特徴とする請求項2又は請求項3
    記載の半導体レーザモジュール。
  5. 【請求項5】 ホルダ保持部はXY平面で切断したとき
    の断面形状が略U字形状と成していることを特徴とする
    請求項4記載の半導体レーザモジュール。
  6. 【請求項6】 第1のレンズは半導体レーザ素子から出
    射される光を平行光とするコリメータレンズであり、光
    アイソレータと光ファイバとの間に光アイソレータを透
    過した光を光ファイバの入射端に集光する第2のレンズ
    が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項
    5のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
  7. 【請求項7】 ホルダの上面には突起部が設けられてお
    り、該突起部には調芯装置の把持部に形成されている突
    起を嵌合する嵌合溝が設けられていることを特徴とする
    請求項3乃至請求項6のいずれか一つに記載の半導体レ
    ーザモジュール。
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