WO2007108508A1

WO2007108508A1 - 光モジュール

Info

Publication number: WO2007108508A1
Application number: PCT/JP2007/055871
Authority: WO
Inventors: Sayoko Ibe; Noriyuki Yokouchi; Kengo Muranushi; Tatsuya Kimoto; Tatsuro Kurobe
Original assignee: The Furukawa Electric Co., Ltd.
Priority date: 2006-03-22
Filing date: 2007-03-22
Publication date: 2007-09-27
Also published as: US7618201B2; US20080166098A1; JPWO2007108508A1

Abstract

　光導波路素子（１０）は、対向する２つの起立壁（３２）を有する金属製の固定部材（８）と、起立壁（３２）の間に挿入される直方体形状の金属製サブマウント（３３）及びその上に搭載される非金属製サブマウント（３４）を有するサブマウント部材（９）に搭載されて、基台（３）上に固定される。固定部材（８）とサブマウント部材（９）との間、及び、固定部材（８）と基台（３）との間は、それぞれＹＡＧ溶接でスポット溶接される。

Description

光モジュール

技術分野

[0001] 本発明は、光モジュール及びその製造方法に関し、更に詳しくは、ハイブリッド光集積デバイスを有する光モジュール及びその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 近年、インターネットの普及により、光システムの小型化に対する要求が増している。その解決策の一つとして、光導波路を有する光導波路素子同士の集積が検討されている。これら光素子同士の集積の方法には、モノリシック集積とハイブリッド集積とが考えられる。モノリシック集積デバイスは、小型化の究極の姿であるが、作製プロセスの制限や、レーザを集積した場合に反射戻り光の影響が無視できないなど、個々の光素子の機能最適化が困難である。また、光素子が大型化し製造工程が複雑になるため、歩留まりが悪いことが懸念される。

[0003] 一方、ハイブリッド集積デバイスは、光結合のための光学レンズが必要になるなど、部品点数が多くなるものの、個々の光素子の機能最適化が容易であること、デザイン変更が容易であること、異なる材料で作製された光素子同士を集積することができるなど、応用範囲が広、ことから注目されて、る。

[0004] ハイブリッド集積デバイスでは、光導波路素子同士の位置合わせが特に重要である。従来は、高さ方向の位置を決める際に、光導波路素子を搭載するサブマウントの高さを予め相手の光導波路素子に合わせておく方法、或いは、高さ調整が必要な場合には、スぺーサで調整するという方法が取られていた。前者の技術は、例えば特開 2004— 289011号公報に記載されて、る。

[0005] しかし、半導体光導波路では、作製工程において半導体基板が研磨されるため、半導体積層方向に平行な上下方向の導波路位置にばらつきが生じる。また、導波路の寸法が数; z mオーダと小さぐ光導波路素子相互の結合トレランスが厳しいため、結合レンズの微調整だけでは、結合効率の向上が見込めない場合がある。このため、位置合わせが容易なハイブリッド光集積デバイスが望まれて、た。 [0006] 特開 2001— 59925号公報は、光導波路を有する光導波路素子と光学レンズなどの光学素子とを光学的に結合する際に、その位置合わせが容易な光モジュールを記載している。特開 2001— 59925号公報に記載の光モジュールでは、光アイソレータ及び光学レンズを含む光学素子を搭載するホルダを、ホルダ保持部に保持した状態で、モジュール内の光導波路素子に位置合わせし、予め基台上に固定したホルダ保持部にそのホルダを固定する構造を採用して、る。

[0007] 特開 2001— 59925号公報に記載の構造によると、光学素子と光導波路素子の位置合わせが容易になる利点がある。しかし、この公報では、光学素子と光導波路素子の位置合わせにっ、ては記載があるが、光導波路素子が複数存在する場合に、その光導波路素子相互を、光学素子を介して位置合わせする構造は記載されて、ない。

発明の概要

[0008] 本発明は、上記に鑑み、光学素子を介して複数の光導波路素子を相互に光学的に結合するハイブリッド型の光モジュールであって、その光学的な結合の際の位置精度が高く且つ容易に行われるように改良された光モジュール、及び、その製造方法を提供することを目的とする。

[0009] 本発明は、それぞれが光導波路を有し基台上に配置された複数の光導波路素子を、光学レンズを含む光学系を介して光学的に結合する光モジュールにおいて、前記光導波路素子の少なくとも 1つを前記基台上に支持する支持部材が、前記基台上に固定される略直方体形状の基部と該基部の上面力直立し相互に対向して延在する 2枚の起立壁とを有する固定部材と、

略直方体形状のサブマウント部材であって、対向する側面が前記 2枚の起立壁の対向する壁面に挟持され、前記基部から離隔して前記起立壁に支持されるサブマウント部材と、

を含むことを特徴とする光モジュールを提供する。

[0010] また、本発明は、それぞれが光導波路を有し基台上に配置した複数の光導波路素子を、光学レンズを含む光学系を介して光学的に結合する、光モジュールの製造方法において、略直方体形状の基部と該基部の上面から直立し相互に対向して延在する 2枚の起立壁とを有する固定部材を用意するステップと、

前記 2枚の起立壁の離隔距離に適合した離隔距離を持つ 2つの対向面を有する略直方体形状のサブマウント部材に、前記光導波路素子の少なくとも 1つを搭載するステツプと、

前記光導波路素子を搭載したサブマウント部材を、前記対向面を前記起立壁の壁面上でスライドさせつつ、前記 2つの起立壁の間に挿入するステップと、

前記少なくとも 1つの光導波路素子を、前記光学系の少なくとも一部を介して他の光導波路素子に光学的に位置合わせした後に、前記サブマウント部材と前記固定部材との間、及び、前記固定部材と前記基台との間をそれぞれ固定するステップと、を有することを特徴とする光モジュールの製造方法を提供する。

[0011] 本発明の光モジュール及び本発明方法で製造された光モジュールは、光モジユールの基台上で光学系を介して複数の光導波路素子を光学的に結合する際に、光導波路素子、サブマウント部材及び固定部材を相互に組み合わせた状態で、基台に対して光導波路素子を移動させて調整することにより、光軸の位置及び角度調整が精度高く且つ容易に行われ、その後サブマウント部材と固定部材、及び、固定部材と基台とを固定することにより、光結合効率が高く且つ製作も容易な光モジュールが得られる。

[0012] また、基台に対してー且サブマウント部材を固定した後に、例えば光学レンズの位置ずれなどにより、双方の光導波路素子の光軸がずれた場合には、固定部材とサブマウント部材の固定を外して、或いは、基台と固定部材との固定を外して、再度の調整も可能になる。このため、光モジュールのパッケージ組み立て時の歩留まりが向上する。

[0013] 従来は、スぺーサで高さ方向の位置決めをする場合には、集積する相手側の光導波路素子に対して、高さが異なる複数のスぺーサを用意する必要があった。しかし、本発明のサブマウント部材及び固定部材の組み合わせを用いることにより、集積する光導波路素子の形状が変わっても、同じ形状のサブマウント部材及び固定部材の組み合わせで対応できるので、製品の種類に対してこれら部材の点数を減らすことができる。

図面の簡単な説明

[0014] [図 1]本発明の第 1の実施形態に係る光モジュールの縦断面図。

[図 2]図 1の光モジュールにおける MZ型変調器をサブマウント部材及び固定部材とを含んでなる支持部材と共に示す横断面図。

[図 3]図 2の MZ型変調器を位置決めする際の状態を示す斜視図。

[図 4]図 2の MZ型変調器の構造を示す斜視図。

[図 5]図 4の MZ型変調器の入出射導波路部分における横断面図。

[図 6]図 4の MZ型変調器の製造工程を順次に示す平面図及び断面図。

[図 7]図 6に後続する製造工程を順次に示す平面図及び断面図。

[図 8]光導波路素子の光軸からの高さずれ量に対する結合効率の変化を表したダラフ。

[図 9]本発明の第 2の実施形態に係る光モジュールにおける光導波路素子を支持部材と共に示す斜視図。

[図 10]第 2の実施形態に係る光モジュールの変形例における光導波路素子を支持部材と共に示す斜視図。

[図 11]本発明の第 3の実施形態に係る光モジュールにおける光導波路素子を支持部材と共に示す断面図及び光導波路素子とサブマウント部材を共に示す斜視図。

[図 12]第 1の実施形態の変形例の光モジュールにおける光導波路素子と支持部材の分離斜視図。

発明を実施するための最良の形態

[0015] 以下、図面を参照し、本発明の実施形態を説明する。図面では、同様な構成要素には、同様な参照符号を付した。

図 1は、本発明の第 1の実施形態に係る光モジュールを示す縦断面図である。光モジュールは、パッケージ 1内に収容された基台 3上に配置された複数の光導波路素子 5、 10、及び、光学レンズを含む光学系 6、 24、 7、 11と、パッケージ外部に配置された光学系 12、 13から構成される。この光モジュールは、光ファイバ 13に光結合される。基台 3は、温度調整器を構成するペルチェモジュール 2上に搭載され、ベルチェモジュール 2により、光導波路素子 5、 10から発生する熱量が除去される。

[0016] 基台 3上に搭載される光素子には、レーザダイオード 5、及び、 MZ型変調器 10が含まれている。レーザダイオード 5は、所定波長のレーザ光を発生する光導波路素子であり、たとえば DFBアレイ型波長可変レーザダイオードを用いることができる。 MZ 型変調器 10は、マッハツエンダ (MZ)型干渉導波路を有する光導波路素子であり、レーザダイオード 5が発生したレーザ光を変調して光ファイバ 13に供給する。 MZ型変調器 10は、サブマウント部材 9上に搭載され、固定部材 8を介して基台 3上に固定される。フォトダイオード 4は、レーザダイオード 5が発生したレーザ光を受光し、その強度をモニタする。

[0017] パッケージ内の光学系は、レーザダイオード 5に形成された光導波路と、 MZ型変調器 10とを光学的に結合するために配設されており、コリメートレンズ 6、光アイソレータ 24及び集光レンズ 7を含む。また、コリメートレンズ 11、集光レンズ 12は、 MZ型変調器 10からの出射光をファイバ 13に結合させるために配設されている。

[0018] 図 2は、基台 3上に搭載した MZ型変調器 10をその横断面図で示している。基台 3 上には、基部 31及び基部 31上に起立し相互に対向する 2枚の起立壁 32から成る金属製の固定部材 8が固定されている。双方の間の固定は、基部 31と基台 3とを YAG レーザでスポット溶接することで行われる。固定部材 8の対向する 2枚の起立壁 32の間には、 MZ型変調器 10を搭載する直方体形状の金属製サブマウント 33が挟持される。 MZ型変調器 10は、非金属製サブマウント 34に搭載され、非金属製サブマウント 34は、前記金属製サブマウント 33に搭載されている。金属製サブマウント 33及び非金属製サブマウント 34が相互にはんだ固定されて、 MZ型変調器 10を搭載するサブマウント部材 9を構成し、サブマウント部材 9と固定部材 8とを含んでなる支持部材により、 MZ型変調器 10が基台 3上で位置決めされ、固定されている。金属製サブマウント 33の横幅寸法は、対向する起立壁 32の離隔距離に適合しており、 MZ型変調器 10は、金属製サブマウント 33及び非金属製サブマウント 34に外力を印加しない状態で、起立壁 32に挟持されて静止可能である。

[0019] 図 3は、 MZ型変調器 10を位置決めする際の様子を示す斜視図である。固定部材 8を、基台 3上に配置する。次いで、金属製サブマウント 33と非金属製サブマウント 3 4とからなるサブマウント部材 9上に MZ型変調器 10を固定した状態で、位置決めァーム 16でサブマウント部材 9を挟持し、固定部材 8の双方の起立壁 32の間に挿入する。次いで、既に固定されているレーザダイオード 5を動作させ、レーザ光を発生させる。位置決めアーム 16を操作して、起立壁 32の間でサブマウント部材 9を光軸方向（ Z方向）及び上下方向（Y方向）に動かし、また、起立壁 32の間にサブマウント部材 9 を配置したまま固定部品 8ごとサブマウント部材 9を横方向 (X方向）に動かすことにより、 MZ型変調器 10の干渉導波路とレーザダイオード 5の導波路とを位置合わせする

[0020] 図 4は、 MZ型変調器 10の構造を示す斜視図である。 MZ型変調器 10は、半導体基板 40上に MZ (マッハツンダ)型干渉導波路を有する半導体素子である。マツノ、ツエンダ型干渉導波路は、 _z軸方向に入射導波路 44aに入射した光を MMI (マルチモード干渉器)カプラ 41で分波して一対のアーム 42に導入し、各々のアーム 42を透過した光を再び MMI力ブラ 41で合波して出射導波路 44bから出力する。アーム 42 には電極 43が形成されており、この電極 43を介してアーム 42に電界や電流を印加してアーム 42の光路長を変化させることにより、この導波路を光変調器として用いる。光軸に平行な z軸方向の長さは、アーム 42力約 1000 m、 MMIカプラ 41が約 100 μ mで、素子全体の長さは 2000 μ m程度である。

[0021] 図 5は、図 4の MZ型変調器 10における入出射導波路 44a, 44bを光軸方向と直交する平面で切断して示す横断面図である。 MZ型変調器 10の幅は約 250 m、基板 40の厚さは約 100 mである。光はクラッド層 44及び 46の間に挟まれた導波路層 4 5を伝搬する。導波路層 45の幅は約 2 m、厚さは約 0.4 mである。なお、図 4及び図 5では、導波路構造として、活性層幅とメサ幅とが等しいハイメサ型のものを例示したが、導波路構造は、メサ幅に対して活性層幅が広いローメサ型、或いは、ハイメサ型で、活性層の両脇が絶縁物質で覆われている埋め込み型も可能である。いずれの導波路構造においても、導波路層の幅、厚さはハイメサ型の場合とほぼ等しいため、位置決めトレランスは、ほぼ同等である。

[0022] 図 6 (a)〜（d)、図 7 (e)〜 (g)を参照して MZ型変調器の製造方法にっ、て述べる

(図 6 (a)〜（d)、図 7 (e)〜 (g)の各図において、左側の図は平面図、右側の図は断面図を表している）。なお、上記ハイメサ型の MZ型変調器を例に挙げて説明する。まず、基板 51上に、 MOCVD結晶成長装置を用い、活性層 52、及び、導波路の上部クラッド層 53を成長する（図 6 (a) )。次いで、 SiNx膜 54を蒸着法により堆積し、フオトレジスト、フォトマスクを用いて導波路パターンを SiNx膜 54に転写する（図 6 (b) ) 。次いで、 ICPなどのドライエッチング装置を用い、 SiNx膜 54をマスクとして、導波路層をエッチングで形成する（図 6 (c) )。埋め込み導波路層の場合には、その後に導波路層の脇を絶縁物質で埋め込む。

[0023] その後、 SiNx膜 54を除去する（図 6 (d) )。次いで、全面に SiNx膜 55どの絶縁膜を蒸着により堆積する（図 7 (e) )。フォトレジスト、及び、フォトマスクを用いて、電極が形成される部分の SiNx膜 55を除去し、フォトレジスト、及び、フォトマスクを用いて電極 56を形成する（図 7 (f) )。その後、基板 51の裏面を研磨し、基板裏面に電極 57を形成する（図 7 (g) )。

[0024] 基板裏面の研磨は、電極 57の作製と素子作製後のチップ化のために行われる。このように基板の裏面研磨は必須の工程である力基板厚さを数 mのオーダで制御することは困難であり、導波路の高さ方向のばらつきは必然的に生じてしまう。上記実施形態の光モジュールでは、 MZ型変調器 10の高さ方向のばらつきに対応するために、固定部材 8を用いて、 MZ型変調器 10の導波路とレーザダイオード 5の導波路とを位置合わせし、且つ、光軸合わせしている。

[0025] 図 1の光モジュールの製造方法について述べる。 CuWなどの材料で形成した基台 3の単体を用意し、その上に、 Au-Snなどのはんだでレーザダイオード 5を上部に固定したサブマウント 35を、はんだで固定する。このはんだは、サブマウント 35上でレ一ザダイオード 5を固定した Au-Snはんだと同じ材料、或いは、それよりも融点が低いはんだを用いる。

[0026] 次!、で、基台 3に、 Au-Snなどのはんだで上部にフォトダイオード 4を固定したサブマウント 36を固定する。はんだは、レーザダイオード 5で用いるはんだと同じものでよい。次いで、レーザダイオード 5を駆動し、透過光をカメラで観察しながら固定部材 2 1に搭載したコリメートレンズ 6を位置合わせし、基台 3上に YAG溶接で固定する。固定部材 21は、 Fe-Ni-Co合金などレーザ溶接に適した材料で形成してヽる。 [0027] 次、で、レーザダイオード 5を駆動し、透過光をカメラで観察しながら、アイソレータ 24を YAG溶接で基台 3上に固定する。更に、レーザダイオード 5を駆動し、固定部材 22に搭載した集光レンズ 7を位置合わせし、 YAG溶接で基台 3上に固定する。固定部材 22は、 Fe-Nト Co合金など YAG溶接に適した材料で形成している。更に、固定部材 8に挟持されたサブマウント部材 9に搭載された MZ型変調器 10の位置及び俯角を、透過光強度が最大になるように調整する。調整の際には、図 3に示したようにサブマウント部材 9を挟持した位置決めアーム 16を動かすことで、固定部材 8及び M Z型変調器 10を固定したサブマウント部材 9を一体的に動かす。

[0028] すなわち、サブマウント部材 9を起立壁 32の間に挟み込んだ状態で、固定部材 8ごと、基台 3上で X方向に動かす。次いで、同様にサブマウント部材 9を起立壁 32の間に挟み込んだ状態で、 y方向に動かす。更に、同様な状態で、サブマウント部材 9を z 方向に動かし、次いで、俯角を決定する。

[0029] サブマウント部材 9上に固定した MZ型変調器 10の位置が決定したら、サブマウント部材 9の金属製サブマウント 33と固定部材 8、固定部材 8と基台 3とをスポット YAG 溶接で固定する。金属製サブマウント 33及び固定部材 8は、 Fe-Ni-Co合金などレーザ溶接に適した材料で形成している。これにより、ノッケージに組み込むための基台モジュールが完成する。

[0030] 次!、で、パッケージ 1にペルチェモジュール 2を Sn-Pbはんだで固定し、ペルチェモジュール 2とパッケージ 1の電極間とを配線する。次いで、ペルチェモジュール 2上に、先に完成した基台モジュールの基台 3を InPbAgはんだで固定する。更に、レーザダィオード 5、フォトダイオード 4、非金属製サブマウント 34上の MZ型変調器 10、サーミスタ 18と、パッケージ 1の対応する電極間とを配線する。

[0031] その後、蓋 14を溶接することにより、ノッケージを封止する。パッケージ 1の電極を介してレーザダイオード 5を駆動し、パッケージ出口に集光レンズ 12とフエルール 17 に保持された光ファイバ 13とが一体になつた光学系を、レーザダイオード 5と結合する光の強度が最大になるように固定する。

[0032] 上記実施形態では、微細な光導波路を有する MZ型変調器 10を動かして位置合わせすることが出来るため、光結合効率を向上させることができる。また、光モジユールの組み立て歩留まりを向上させることができる。

[0033] 図 8は、集光レンズ 7の焦点距離を 700 μ mとした場合における、光導波路素子の光軸からの高さずれ量に対する結合効率の変化を示し、高さずれ量を横軸に μ mで示し、結合効率を縦軸に dBで示す。従来技術では、光導波路素子の厚さのばらつき等によって 200 m程度光軸ずれが生じ、結合効率が約 2dB程度低下する。しかし、本発明では、光導波路素子の固定位置を調整できるので、結合効率の低下をほぼ OdBにできる。すなわち、本発明の使用によって、結合効率を約 1. 6倍に改善できることが期待される。

[0034] 上記実施形態では、光導波路素子 10として MZ型変調器を採用した例を示した。

しかし、サブマウント部材 9上に搭載される光導波路素子 10としては、 MZ型変調器に限らず、波長変換器、光スィッチ、 AWG、リング共振器など光導波路を有する光導波路素子であればよい。例えば、リング共振器と FP (フアブリ-ペロー共振器)型レ一ザダイオードを組み合わせれば、波長可変レーザモジュールとして構成することができる。

[0035] 図 9及び図 10はそれぞれ、本発明の第 2の実施形態に係る光モジュールで採用される光導波路素子 10を固定部材 8と共に斜視図で示している。本実施形態では、サブマウント部材 9の金属製サブマウント 33の底面と、固定部材 8の基部 31の上面との間に、熱良導体材料 (導電性材料)から成る充填部材 19を充填した例である。このように、熱良導体材料から成る充填部材 19を注入することにより、固定部材 8を介しての光導波路素子 10の温度調整が容易になる。

[0036] 図 9及び図 10の実施形態では、あらかじめ固定部材 8の基部 31の上面と金属製サブマウント 33の底面とに、 Ni/Auメツキ 20など、使用するはんだに対して濡れ性のよい材料で表面処理しておく。固定部材 8と基台 3との固定、及び、固定部材 8と金属製サブマウント 33との固定のための YAG溶接を行った後に、この表面処理部分を介してはんだを注入する。はんだは、ペルチェモジュール 2と基台 3とを固定するための InPbAgはんだよりも融点が高いはんだ、例えば Sn-Pbはんだを用いる。図 9では、使用する集光レンズ 7、コリメートレンズ 11の焦点距離によっては、固定部材 8の導波路方向の長さが限られ、はんだ注入のためのスペースが確保できない場合がある。その場合には、例えば図 10に示すように、起立壁 32の一部を中間で切断し、その間を表面処理しておき、その表面処理部分からはんだを注入してもよ、。

[0037] 図 11 (a)及び (b)はそれぞれ、本発明の第 3の実施形態に係る光モジュールで採用される光導波路素子 10を固定部材 8と共に示す横断面図、及び、サブマウント部材 9を含む光導波路素子 10の斜視図である。本実施形態では、直方体形状の非金属製サブマウント 34の両側面にそれぞれ金属板 (金属製サブマウント） 33を取り付けている。これによつて、サブマウント部材 9と起立壁 32との間でスポット YAG溶接が可能になる。サブマウントの側面には、あら力じめレーザ溶接に適した金属板 (材料: Fe NiCoなど）をはんだで接着しておく。

[0038] 図 12は、本発明の第 1の実施形態の光モジュールにおけるサブマウント部材の変形例を示すために、サブマウント部材 9と固定部材 8とを分離した状態で示す斜視図である。本変形例では、起立壁 32の内側に、サブマウント部材 9が入る程度の大きさで突起 25を配置する。これにより、サブマウント部材 9の俯角方向の振れ幅が小さくなり、光結合効率が向上する。

[0039] 以上、本発明をその好適な実施態様に基づいて説明したが、本発明の光モジユール及びその製造方法は、上記実施態様の構成にのみ限定されるものではなぐ上記実施態様の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる

Claims

請求の範囲

[1] それぞれが光導波路を有し基台上に配置された複数の光導波路素子を、光学レンズを含む光学系を介して光学的に結合する光モジュールにおいて、

前記光導波路素子の少なくとも 1つを前記基台（ 3)上に支持する支持部材 (8、 9) が、

前記基台上に固定される略直方体形状の基部（31)と該基部の上面から直立し相互に対向して延在する 2枚の起立壁（32)とを有する固定部材 (8)と、

略直方体形状のサブマウント部材（9)であって、対向する側面が前記 2枚の起立壁 (32)の対向する壁面に挟持され、前記基部（31)から離隔して前記起立壁に支持されるサブマウント部材（9)と、

を含むことを特徴とする光モジュール。

[2] 前記サブマウント部材 (9)が、前記起立壁に支持される金属製の第 1のサブマウント (33)と、該第 1のサブマウント (33)に支持され、前記光導波路素子（10)を搭載する非金属性の第 2のサブマウント（34)とを含む、請求項 1に記載の光モジュール。

[3] 前記基台（3)と前記固定部材 (8)との間、及び、前記固定部材 (8)と前記サブマウント部材（9)との間は、それぞれスポット溶接で固定されている、請求項 1又は 2に記載の光モジュール。

[4] 前記サブマウント部材 (9)の底面と、前記基部 (31)の上面との間に熱良導体材料力成る充填部材（19)が充填されている、請求項 1に記載の光モジュール。

[5] 前記充填部材（19)が、前記基台（3)をパッケージ内に固定するはんだよりも融点が高いはんだである、請求項 4に記載の光モジュール。

[6] 前記サブマウント部材 (9)の底面と前記基部（31)の上面とが、前記充填部材（19) の充填に先立ってメツキされている、請求項 5に記載の光モジュール。

[7] それぞれが光導波路を有し基台（3)上に配置した複数の光導波路素子を、光学レンズを含む光学系を介して光学的に結合する、光モジュールの製造方法において、略直方体形状の基部（31)と該基部の上面力直立し相互に対向して延在する 2 枚の起立壁（32)とを有する固定部材 (8)を用意する第 1のステップと、

前記 2枚の起立壁 (32)の離隔距離に適合した離隔距離を持つ 2つの対向面を有する略直方体形状のサブマウント部材 (9)に、前記光導波路素子（10)の少なくとも 1 つを搭載する第 2のステップと、

前記光導波路素子（10)を搭載したサブマウント部材 (9)を、前記対向面を前記起立壁（32)の壁面上でスライドさせつつ、前記 2つの起立壁（32)の間に挿入する第 3 のステップと、

前記少なくとも 1つの光導波路素子（10)を、前記光学系の少なくとも一部を介して他の光導波路素子（5)に光学的に位置合わせした後に、前記サブマウント部材 (9) と前記固定部材 (8)との間、及び、前記固定部材 (8)と前記基台（3)との間をそれぞれ固定する第 4のステップと、

を有することを特徴とする光モジュールの製造方法。

[8] 前記サブマウント部材 (9)の少なくとも前記対向面、及び、前記固定部材 (8)の起立壁（32)がそれぞれ金属製であり、前記第 4のステップはスポット溶接法を用いる、請求項 7に記載の光モジュールの製造方法。

[9] 前記サブマウント部材 (9)の底面と前記基部 (31)の上面との間に、熱良導体材料力成る充填部材（19)を充填する第 5のステップを有する、請求項 8に記載の光モジュールの製造方法。

[10] 前記サブマウント部材 (9)が、前記起立壁 (32)に支持される金属製の第 1のサブマウント（33)と、該第 1のサブマウント（33)に支持され、前記光導波路素子（10)を搭載する非金属性の第 2のサブマウント（34)とを含む、請求項 7〜9の何れか一に記載の光モジュールの製造方法。