WO2018117251A1 - 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールの製造方法 - Google Patents

半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018117251A1
WO2018117251A1 PCT/JP2017/046089 JP2017046089W WO2018117251A1 WO 2018117251 A1 WO2018117251 A1 WO 2018117251A1 JP 2017046089 W JP2017046089 W JP 2017046089W WO 2018117251 A1 WO2018117251 A1 WO 2018117251A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor laser
waveguide
laser module
semiconductor
type optical
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/046089
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
麻衣子 有賀
悠介 稲葉
一樹 山岡
俊雄 菅谷
Original Assignee
古河電気工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 古河電気工業株式会社 filed Critical 古河電気工業株式会社
Priority to CN201780079212.5A priority Critical patent/CN110088994B/zh
Priority to JP2018558086A priority patent/JP7166932B2/ja
Publication of WO2018117251A1 publication Critical patent/WO2018117251A1/ja
Priority to US16/444,778 priority patent/US11545814B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0239—Combinations of electrical or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0064—Anti-reflection components, e.g. optical isolators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
    • H01S5/101—Curved waveguide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
    • H01S5/1085—Oblique facets

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor laser module and a method for manufacturing the semiconductor laser module.
  • a semiconductor laser module used as a light source for optical communication laser light oscillated by a semiconductor laser element (LD) is amplified by a semiconductor optical amplifier (SOA), and the laser light output from the semiconductor laser module is increased.
  • SOA semiconductor optical amplifier
  • An output configuration is widely adopted.
  • integration of the semiconductor laser element and the semiconductor optical amplifier in the same element is also widely adopted (see, for example, Patent Documents 1 to 4).
  • thermoelectric element the total power consumption used for adjusting the temperature of the thermoelectric element can be kept low.
  • the semiconductor laser element and the semiconductor optical amplifier when adopting a configuration in which the semiconductor laser element and the semiconductor optical amplifier are separated, it is necessary to spatially couple the laser light emitted from the semiconductor laser element to the semiconductor optical amplifier with high accuracy. That is, a new technical problem arises in that the relative alignment between the semiconductor laser element and the semiconductor optical amplifier is accurately performed.
  • the problem of alignment in this spatial coupling is not limited to semiconductor optical amplifiers, but includes other optical waveguide elements such as optical modulators, optical waveguide devices made of quartz, silicon, polymers, and the like, and semiconductor laser elements. The same applies to the semiconductor laser module.
  • the present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a semiconductor laser module and a semiconductor laser module capable of accurately performing relative alignment between a semiconductor laser element and a waveguide type optical functional element. It is to provide a manufacturing method.
  • a semiconductor laser module includes a semiconductor laser element and a laser beam emitted from the semiconductor laser element that is incident on an incident end to guide the semiconductor laser element.
  • a waveguide-type optical functional element having a waveguide to be waved, and a protrusion provided on an extension line of the optical path of the laser light emitted from the semiconductor laser element with respect to the incident end.
  • the semiconductor laser module according to an aspect of the present invention further includes a submount to which the waveguide optical functional element is fixed, and the protrusion is fixed on the submount.
  • the semiconductor laser module according to one aspect of the present invention is characterized in that the protrusion is fixed on the waveguide type functional element.
  • the waveguide of the waveguide type optical functional element has a bending waveguide in the vicinity of the incident end, and the entire waveguide type optical functional element is the semiconductor laser. It is characterized by being disposed obliquely with respect to the optical path of the laser light emitted from the element.
  • the semiconductor laser module according to an aspect of the present invention is characterized in that the waveguide type optical functional element is a semiconductor optical amplifier that amplifies the incident laser light.
  • the semiconductor laser module according to one aspect of the present invention is characterized in that the protrusion has a hemispherical shape.
  • the semiconductor laser module according to one aspect of the present invention is characterized in that the protrusion has a columnar shape.
  • the semiconductor laser module according to one aspect of the present invention is characterized in that the protrusion is made of metal.
  • the semiconductor laser module according to one aspect of the present invention is characterized in that the protrusion is made of gold (Au).
  • a collimator lens and a condenser lens are disposed between the semiconductor laser element and the waveguide type optical functional element, and emitted from the semiconductor laser element.
  • the laser beam is spatially coupled to the incident end of the waveguide of the waveguide type optical functional element through the collimating lens and the condenser lens.
  • the diameter of the laser beam collimated by the collimator lens is larger than the thickness of the waveguide type optical functional element, and the height of the protrusion related to the submount is high. The height is higher than the height of the waveguide type optical functional element.
  • a semiconductor laser module includes a semiconductor laser element and a waveguide type optical functional element having a waveguide that guides laser light emitted from the semiconductor laser element to an incident end. And a submount on which the waveguide-type optical functional element and the protrusion are fixed together, and the protrusion is an extension of the optical path of the laser beam emitted from the semiconductor laser element with respect to the incident end. It is provided on a straight line parallel to.
  • a semiconductor laser module manufacturing method includes a semiconductor laser device and a waveguide type optical functional device having a waveguide that guides and guides laser light emitted from the semiconductor laser device.
  • a laser element arranging step of fixing the semiconductor laser element to a substrate of the semiconductor laser module, and collimating the laser beam emitted from the semiconductor laser element A collimating lens arrangement step for fixing a collimating lens to the semiconductor laser element, and a projection provided on an extension line in the incident direction from an incident end of the waveguide type optical functional element and the waveguide type optical functional element of the waveguide type optical functional element;
  • a laser beam collimated by the collimating lens is applied to the projection by the first submount fixed together with the object.
  • the collimating lens arranging step is a step of fixing the collimating lens to a second submount to which the semiconductor laser element is fixed.
  • the laser element arranging step is a step of fixing the second submount, to which the semiconductor laser element and the collimating lens are fixed, to the substrate after the collimating lens arranging step.
  • the semiconductor laser module and the method for manufacturing the semiconductor laser module according to the present invention have an effect that the relative alignment between the semiconductor laser element and the waveguide type optical functional element can be accurately performed.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of the semiconductor laser module according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a flowchart showing the gist of the manufacturing method of the semiconductor laser module according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing a schematic side view configuration of the semiconductor laser module in the positioning step of the semiconductor optical amplifier.
  • FIG. 4 is a diagram showing a schematic side configuration of the semiconductor laser module in the step of arranging the condenser lens.
  • FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of the semiconductor laser module according to the second embodiment.
  • FIG. 6A is a diagram illustrating a method of putting a substrate into a housing after assembling each component on the substrate.
  • FIG. 6A is a diagram illustrating a method of putting a substrate into a housing after assembling each component on the substrate.
  • FIG. 6B is a diagram illustrating a method of putting the board into the housing after assembling each component on the board.
  • FIG. 6C is a diagram illustrating a method of putting the substrate into the housing after assembling each component on the substrate.
  • FIG. 6D is a diagram illustrating a method of putting the substrate into the housing after assembling each component on the substrate.
  • FIG. 6E is a diagram illustrating a method of putting the substrate into the housing after assembling each component on the substrate.
  • FIG. 6F is a diagram illustrating a method of putting the substrate into the housing after assembling each component on the substrate.
  • FIG. 7A is a diagram illustrating a method of sequentially disposing each component on a substrate in the housing.
  • FIG. 7B is a diagram illustrating a method of sequentially arranging the components on the substrate in the housing.
  • FIG. 7C is a diagram illustrating a method of sequentially disposing each component on the substrate in the housing.
  • FIG. 7D is a diagram illustrating a method of sequentially disposing each component on the substrate in the housing.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining a semiconductor laser module according to the third embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of the semiconductor laser module according to the first embodiment.
  • the semiconductor laser module according to the first embodiment shown in FIG. 1 shows only a basic configuration, and an actual semiconductor laser module may have various additional configurations as in the embodiments described later.
  • the semiconductor laser module 100 includes a semiconductor laser element 11, a semiconductor optical amplifier 21, a protrusion 22, and an SOA submount 20. Further, as shown in FIG. 1, the semiconductor laser module 100 includes a collimating lens 12, a condenser lens 30, and an LD submount 10. These may be configured to be provided on the substrate 101 accommodated in the housing of the semiconductor laser module 100, or may be configured to be provided on the bottom plate using the bottom plate of the housing of the semiconductor laser module 100 as the substrate 101.
  • the semiconductor laser element 11 oscillates laser by emitting current and emits laser light.
  • a distributed feedback semiconductor laser element that can change the oscillation wavelength by temperature control is used.
  • the semiconductor optical amplifier 21 is a representative example of a waveguide-type optical functional element having a waveguide 23 that receives and guides laser light emitted from the semiconductor laser element 11.
  • An example is an optical modulator.
  • the entire semiconductor optical amplifier 21 is disposed obliquely with respect to the optical path L ⁇ b> 1 of the laser light emitted from the semiconductor laser element 11.
  • the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21 is formed with a bent waveguide in the vicinity of the incident end 24.
  • a bending waveguide is also formed in the vicinity of the emission end 25, and the optical path L2 of the laser light emitted from the semiconductor optical amplifier 21 is substantially parallel to the optical path L1. It is comprised so that.
  • Still other examples of the waveguide-type optical functional element having a waveguide include a silica glass-based optical waveguide device such as a planar lightwave circuit (PLC), a silicon waveguide device, and a polymer waveguide device.
  • PLC planar lightwave circuit
  • the protrusion 22 is a wire ball provided on the extension line L3 related to the incident end 24 of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21 in the optical path L1 of the laser beam emitted from the semiconductor laser element 11.
  • the protrusion 22 is a normal wire-bonding hemispherical structure formed of a metal such as gold (Au) for connecting the wiring.
  • Au gold
  • the protrusion 22 is not used for connecting the wiring but will be described later.
  • it is used for positioning (rough adjustment) of the semiconductor optical amplifier 21.
  • the protrusion 22 is a wire ball, it can be easily formed because it can be formed in a normal wiring process.
  • the protrusion 22 is not limited to a wire ball. Or a structure that can reflect or scatter laser light can be used appropriately.
  • the SOA submount 20 is a submount to which the semiconductor optical amplifier 21 and the protrusion 22 are fixed together.
  • the height relationship between the semiconductor optical amplifier 21 and the protrusion 22 on the SOA submount 20 is configured such that the height of the protrusion 22 is higher than the height of the semiconductor optical amplifier 21.
  • the semiconductor optical amplifier 21 and the protrusion 22 are fixed on the same plane of the SOA submount 20, the height of the protrusion 22 is larger than the thickness of the semiconductor optical amplifier 21.
  • the semiconductor optical amplifier 21 has a plate-like shape and has a substantially constant thickness. When the thickness is not constant, the thickness is defined by the thickest portion.
  • the protrusion 22 is provided on the extension line L3 related to the incident end 24 of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21 in the optical path L1 of the laser light emitted from the semiconductor laser element 11, and the semiconductor optical amplifier 21
  • the relative positional relationship between the protrusion 22 and the protrusion 22 is fixed. Therefore, by positioning the SOA submount 20 with the protrusion 22 as a target, the semiconductor optical amplifier 21 can be positioned as a result.
  • the fixing location of the protrusion 22 is not limited on the submount (SOA submount 20).
  • the waveguide type optical functional element is fixed on the base together with each optical component, it may be fixed on a thermoelectric element that has been metallized.
  • the protrusion is also fixed on the base on which the waveguide device (waveguide type optical functional element) is fixed. Further, when the waveguide included in the waveguide type optical functional element is close to the upper surface of the element, a protrusion may be fixed on the waveguide type optical functional element. In the case of an optical modulator or other waveguide-type optical functional element, since the waveguide is close to the upper surface of the element and the area of the element is large, a protrusion can be fixed on the element.
  • the collimating lens 12 is an optical element for collimating the laser light emitted from the semiconductor laser element 11.
  • the diameter of the laser beam converted into parallel light by the collimator lens 12 is designed to be larger than the thickness of the semiconductor optical amplifier 21.
  • the collimating lens 12 and the semiconductor laser element 11 are disposed on the same LD submount 10.
  • the arrangement position of the collimating lens 12 is not limited to this, and may be fixed to the semiconductor laser module 100 independently of the semiconductor laser element 11.
  • the collimating lens 12 is not limited to an element independent of the semiconductor laser element 11, and a configuration in which the collimating lens 12 is formed on the emission end face of the semiconductor laser element 11 can be adopted.
  • the condensing lens 30 is an optical element for condensing the laser beam collimated by the collimating lens 12 onto the incident end 24 of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21. As will be described later, the condensing lens 30 is disposed during the manufacturing process of the semiconductor laser module. In the state in which the condenser lens 30 is disposed, the laser light in the optical path L1 that has been collimated by the collimator lens 12 is condensed on the incident end 24 of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21, and the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21. Then, the light is emitted from the emission end 25 of the semiconductor optical amplifier 21 to the optical path L2.
  • the diameter of the laser light collimated by the collimating lens 12 is larger than the thickness of the semiconductor optical amplifier 21, so that part of the laser light traveling along the optical path L1 is a semiconductor It passes through the upper part of the optical amplifier 21 and reaches the protrusion 22 provided on the extension line L3 of the optical path L1 with respect to the incident end 24 of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21.
  • the protrusion 22 is a structure that can reflect or scatter laser light such as a wire ball, the laser light that reaches the protrusion 22 is reflected or scattered by the protrusion 22, and the laser light is incident on the protrusion 22. Can be confirmed.
  • the SOA submount 20 is positioned so that the projection 22 is irradiated with the laser light collimated by the collimating lens 12 in a state where the condenser lens 30 is not disposed.
  • coarse adjustment can be realized such that the laser light emitted from the semiconductor laser element 11 is spatially coupled to the incident end 24 of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21.
  • finely adjusting the arrangement of the condenser lens 30 it is possible to realize an arrangement in which the laser light emitted from the semiconductor laser element 11 is appropriately spatially coupled to the incident end 24 of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21. This fine adjustment can be performed while observing the intensity of the laser beam output from the semiconductor optical amplifier 21.
  • FIG. 2 is a flowchart showing the gist of the manufacturing method of the semiconductor laser module according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing a schematic side view configuration of the semiconductor laser module in the positioning step of the semiconductor optical amplifier.
  • FIG. 4 is a diagram showing a schematic side configuration of the semiconductor laser module in the step of arranging the condenser lens.
  • the manufacturing method of the semiconductor laser module according to the first embodiment starts with a step of arranging the semiconductor laser element 11 and the collimating lens 12 (step S1).
  • This step is described as one step in the flowchart shown in FIG. 2, but can be separated into two steps.
  • the collimating lens 12 and the semiconductor laser element 11 are disposed on the same LD submount 10, but the collimating lens 12 is independent of the semiconductor laser element 11. It is also possible to adopt a configuration in which the collimating lens 12 is formed on the emission end face of the semiconductor laser element 11.
  • the LD submount is fixed after the collimating lens 12 is fixed to the LD submount 10 to which the semiconductor laser element 11 is fixed.
  • the step S1 is realized.
  • the collimating lens 12 is automatically formed in the semiconductor. It is fixed to the substrate of the laser module 100, and the step S1 is realized.
  • step S1 is implement
  • step S2 the positioning process of the semiconductor optical amplifier 21 is performed.
  • the description of this step will be referred to here because it will be easier to understand with reference to FIG.
  • the positioning process of the semiconductor optical amplifier 21 is performed by fixing the SOA submount 20 to which both the semiconductor optical amplifier 21 and the protrusions 22 prepared in advance are fixed to the substrate 101 of the semiconductor laser module 100.
  • the protrusion 22 is provided on the SOA submount 20 on the extension line related to the incident end 24 of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21 in the optical path L1 of the laser light emitted from the semiconductor laser element 11. Yes.
  • the diameter of the laser beam converted into parallel light by the collimator lens 12 is designed to be larger than the thickness of the semiconductor optical amplifier 21, and the height of the protrusion 22 is configured to be higher than the height of the semiconductor optical amplifier 21. ing.
  • the protrusion 22 is provided on an extension line of the optical path L1 of the laser light emitted from the semiconductor laser element 11 with respect to the incident end 24 of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21, and the relative relationship between the semiconductor optical amplifier 21 and the protrusion 22 is provided. If the fact that the target positional relationship is determined is used, the positioning (coarse adjustment) of the semiconductor optical amplifier 21 can be performed by positioning the SOA submount 20 with the projection 22 as a target.
  • step S3 the step of arranging the condenser lens 30 is performed.
  • the description of this step will be referred to here because it will be easier to understand with reference to FIG.
  • the condenser lens 30 is fixed between the collimating lens 12 and the semiconductor optical amplifier 21.
  • the condensing lens 30 is an optical system for condensing the laser light that has been collimated by the collimating lens 12 onto the incident end 24 of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21.
  • the arrangement process of the condensing lens 30 is such that the position of the condensing lens 30 is fine so that the laser light collimated by the collimating lens 12 is condensed on the incident end 24 of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21.
  • Including the step of adjusting As described above, this fine adjustment can be performed while observing the intensity of the laser beam output from the semiconductor optical amplifier 21.
  • the manufacturing method of the semiconductor laser module since the rough adjustment of the position of the semiconductor optical amplifier 21 has been completed in step S2, it is easy to finely adjust the position of the condenser lens 30.
  • the relative alignment between the semiconductor laser element 11 and the semiconductor optical amplifier 21 can be accurately performed.
  • FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of the semiconductor laser module according to the second embodiment.
  • the configuration of the semiconductor laser module 200 according to the second embodiment shown in FIG. 5 is often the same as that of the first embodiment. Therefore, in the configuration of the semiconductor laser module 200 described below, the same reference numerals as those in the first embodiment are attached, and the description thereof is omitted. It is possible to understand that the configurations and functions of the parts omitted by giving the same reference numerals are substantially the same as those in the first embodiment.
  • the semiconductor laser module 200 includes an LD submount 10 that includes a semiconductor laser element 11 and a collimator lens 12, an SOA submount 20 that includes a semiconductor optical amplifier 21 and a protrusion 22, and a condenser lens. 30.
  • the configuration of these semiconductor laser modules 200 is substantially the same as that of the first embodiment.
  • the LD submount 10 including the semiconductor laser element 11 and the collimator lens 12 is disposed on the LD thermoelectric element 41.
  • the LD thermoelectric element 41 is, for example, a Peltier element, and can heat and cool the semiconductor laser element 11 according to the intensity and direction of the current supplied to the LD thermoelectric element 41.
  • the semiconductor laser element 11 is, for example, a distributed feedback semiconductor laser element whose oscillation wavelength can be changed by temperature control, and controls the intensity and direction of the current supplied to the LD thermoelectric element 41.
  • the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser element 11 can be controlled.
  • the SOA submount 20 including the semiconductor optical amplifier 21 and the protrusions 22 is disposed on the SOA thermoelectric element 42.
  • the SOA thermoelectric element 42 is, for example, a Peltier element, and can heat and cool the semiconductor optical amplifier 21 according to the intensity and direction of the current supplied to the SOA thermoelectric element 42. Since the semiconductor optical amplifier 21 is a large heat source, the situation of positive heating is limited. However, in the semiconductor laser module 200 of this configuration, the LD thermoelectric element 41 used for temperature control of the semiconductor laser element 11, the semiconductor Since the SOA thermoelectric element 42 used for temperature control of the optical amplifier 21 is provided independently, it is possible to optimally control the temperature of each of the semiconductor laser element 11 and the semiconductor optical amplifier 21. That is, wasteful power consumption for temperature control of the semiconductor laser element 11 and the semiconductor optical amplifier 21 is reduced, and the total power consumption of the LD thermoelectric element 41 and the SOA thermoelectric element 42 can be kept low.
  • the semiconductor laser module 200 includes a first beam splitter 31 and an isolator 32 between the collimating lens 12 and the condenser lens 30.
  • the arrangement order of the first beam splitter 31 and the isolator 32 is not limited to that shown in FIG. 5, but the laser beam between the collimator lens 12 and the condenser lens 30 is parallel light. It is preferable to arrange.
  • the first beam splitter 31 is an optical element for branching a part of the laser light emitted from the semiconductor laser element 11 to the wavelength locker 50, and is a general branching optical system such as a prism type or a filter type. An element can be used.
  • the isolator 32 is an element for preventing laser light that travels backward in the optical path from being incident on the semiconductor laser element 11 due to reflection of the optical element or the like, and laser that travels backward using the polarization of the laser light. It is an optical element that can change only the optical path of light.
  • the wavelength locker 50 is a device for measuring the wavelength of the laser beam branched by the first beam splitter 31 and monitoring the wavelength of the laser beam emitted from the semiconductor laser element 11.
  • the wavelength of the laser light monitored by the wavelength locker 50 is fed back to the temperature control of the LD thermoelectric element 41, and feedback control is performed so that the semiconductor laser element 11 continues to emit laser light having a desired wavelength.
  • the wavelength locker 50 includes a second beam splitter 51, a first light receiving element 52 that directly monitors the intensity of the laser beam branched by the second beam splitter 51, and an intensity of the laser beam branched by the second beam splitter. And a second light receiving element 54 that is monitored via a filter 53.
  • the etalon filter 53 is an optical element having periodic transmission characteristics with respect to the wavelength of light. Therefore, it is possible to specify the wavelength of the light by measuring the intensity ratio between the light transmitted through the etalon filter 53 and the light not transmitted.
  • the wavelength locker 50 uses the ratio between the intensity of the laser light acquired by the first light receiving element 52 and the intensity of the laser light acquired by the second light receiving element 54, and the wavelength of the laser light branched by the first beam splitter 31. Measure.
  • the semiconductor laser module 200 includes an optical fiber 60 that guides the laser light emitted from the semiconductor optical amplifier 21 to the outside of the semiconductor laser module 200, and the semiconductor optical amplifier 21. And a coupling optical system 61 for coupling the laser beam emitted from the optical fiber 60 to the optical fiber 60.
  • the coupling optical system 61 shown in FIG. 5 is drawn to be configured by a single lens, but may be configured to be separated into a plurality of components such as a collimating lens and a condensing lens. The positions to be made are not limited to the positions shown in the figure.
  • the optical fiber 60 may be a general single-mode glass optical fiber having appropriate propagation characteristics for the laser light emitted from the semiconductor laser element 11.
  • FIGS. 6A to 6F are diagrams illustrating a method of putting the substrate into the housing after assembling the component components on the substrate.
  • FIGS. 7A to 7D are methods of sequentially arranging the component components on the substrate in the housing.
  • the LD thermoelectric element 41 and the SOA thermoelectric element 42 are arranged on the substrate 201, the LD submount 10 is arranged on the LD thermoelectric element 41, and the SOA thermoelectric element is arranged.
  • a first beam splitter 31 and an isolator 32 are disposed on the surface 42.
  • the SOA submount 20 including the semiconductor optical amplifier 21 and the protrusions 22 is fixed to the SOA thermoelectric element 42 while being positioned.
  • the positioning method at this time is a method of positioning the semiconductor optical amplifier 21 when the laser beam emitted from the semiconductor laser element 11 and collimated by the collimating lens 12 reaches the protrusion 22. is there.
  • the substrate 201 is accommodated in the housing 202. At this time, it is preferable to establish an electrical connection by wiring the components arranged on the substrate 201.
  • the condenser lens 30 is arranged.
  • the step of arranging the condensing lens 30 includes fine adjustment for condensing the laser light emitted from the semiconductor laser element 11 and collimated by the collimating lens 12 at the incident end of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21. It is out.
  • the fine adjustment can be performed by finely adjusting the position of the condenser lens 30 while monitoring the intensity of the laser light output from the semiconductor optical amplifier 21.
  • the wavelength locker 50 is attached, and further, the coupling optical system 61 and the optical fiber 60 are attached, and the semiconductor laser module according to the second embodiment is completed.
  • the internal configuration of the wavelength locker 50 is as described above.
  • the LD thermoelectric element 41 and the SOA thermoelectric element 42 are arranged inside the housing 202, and the semiconductor laser element 11 and the collimating lens 12 are placed on the LD thermoelectric element 41.
  • the first beam splitter 31 and the isolator 32 are disposed on the SOA thermoelectric element 42.
  • an observation mirror M used for positioning work is arranged inside the housing 202.
  • the position of the observation mirror M is not limited to the position shown in the figure, and may be arranged at an appropriate position for observing the protrusion during the positioning operation. Further, if it is easy to observe the projection during the positioning operation, the observation mirror M is not necessarily arranged inside the housing 202. Further, another means such as providing an observation window in a part of the housing 202 may be used instead.
  • the SOA submount 20 including the semiconductor optical amplifier 21 and the protrusions 22 is fixed to the SOA thermoelectric element 42 while being positioned.
  • the positioning method at this time is a method of positioning the semiconductor optical amplifier 21 when the laser beam emitted from the semiconductor laser element 11 and collimated by the collimating lens 12 reaches the protrusion 22. is there.
  • the observation mirror M is arranged inside the housing 202, the reflection and scattering of the laser light reaching the protrusion 22 can be easily confirmed.
  • the step of arranging the condensing lens 30 includes fine adjustment for condensing the laser light emitted from the semiconductor laser element 11 and collimated by the collimating lens 12 at the incident end of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21. It is out.
  • the wavelength locker 50 is attached, and the coupling optical system 61 and the optical fiber 60 are attached, thereby completing the semiconductor laser module according to the second embodiment.
  • FIG. 8 a semiconductor laser module according to the third embodiment in which the positions of the protrusions are different will be described with reference to FIG.
  • illustration of the substrate and the condenser lens is omitted for the sake of simplicity.
  • the extension line L3 is on the SOA submount 20A.
  • a protrusion 22 is formed on the straight line L4. The distance D between the extension line L3 and the parallel line L4 is measured in advance.
  • the SOA submount 20A After the SOA submount 20A is positioned by the protrusion 22, the SOA submount 20A is shifted upward by the distance D to extend the distance.
  • the line L3 and the parallel line L4 are aligned and fixed to the substrate. Thereby, it is possible to easily align the optical path L1 of the laser light emitted from the semiconductor laser element 11 and the incident end 24 of the waveguide of the semiconductor optical amplifier 21.
  • the present invention is suitable for application to the field of optical communication, for example.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を入射して、導波させる導波路を有する導波路型光機能素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光路の前記導波路型光機能素子の導波路の入射端に関する延長線上に設けられた突起物と、を備える。前記半導体レーザモジュールは、前記導波路型光機能素子が固定されるサブマウントをさらに備え、前記突起物が前記サブマウント上に固定されていてもよい。

Description

半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールの製造方法
　本発明は、半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールの製造方法に関する。
　従来、光通信用の光源として用いられる半導体レーザモジュールでは、半導体レーザ素子（ＬＤ）で発振されたレーザ光を半導体光増幅器（ＳＯＡ）にて増幅し、半導体レーザモジュールから出力されるレーザ光を高出力化する構成が広く採用されている。このとき、半導体レーザ素子と半導体光増幅器とを同一の素子に集積することも広く一般的に採用されている（例えば特許文献１～４参照）。
特開２００６－２１６７９１号公報 特開２００６－２１６６９５号公報 米国特許第９０５４４８０号明細書 国際公開２０１３／１８０２９１号
　しかしながら、近年は光通信における高出力化への要求がますます高まり、半導体レーザ素子および半導体光増幅器へ供給される電流も増大している。結果、半導体レーザ素子および半導体光増幅器からの発熱量も増大し、半導体レーザ素子と半導体光増幅器とを分離して温度制御する半導体レーザモジュールの構成への需要も高まっている。半導体レーザ素子と半導体光増幅器とを分離して別の熱電素子にて温度制御すれば、熱電素子の温度調節に用いられる消費電力の総和を低く抑えることにもつながる。
　一方、半導体レーザ素子と半導体光増幅器とを分離する構成を採用した場合、半導体レーザ素子から出射したレーザ光を、半導体光増幅器に精度よく空間結合する必要がある。つまり、半導体レーザ素子と半導体光増幅器との相対的位置合わせを精度良く行うという新たな技術課題も生じる。なお、この空間結合における位置合わせという課題は、半導体光増幅器に限らず、光変調器、石英・シリコン・ポリマーなどによる光導波路デバイスなどの他の導波路型光機能素子と半導体レーザ素子とを備える半導体レーザモジュールにおいても同様である。
　本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、半導体レーザ素子と導波路型光機能素子との相対的位置合わせを精度良く行うことができる半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールの製造方法を提供することにある。
　上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を入射端に入射して、導波させる導波路を有する導波路型光機能素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光路の、前記入射端に関する延長線上に設けられた突起物と、を備えることを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、前記導波路型光機能素子が固定されるサブマウントをさらに備え、前記突起物が前記サブマウント上に固定されていることを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、前記突起物が前記導波路型機能素子上に固定されていることを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、前記導波路型光機能素子の導波路は、前記入射端近傍に曲げ導波路を有し、前記導波路型光機能素子全体が前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光路に対して斜めに配置されている、ことを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、前記導波路型光機能素子は、入射された前記レーザ光を増幅する半導体光増幅器であることを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、前記突起物は、半球状の形状をしていることを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、前記突起物は、柱状の形状をしていることを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、前記突起物は、金属でできていることを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、前記突起物は、金（Ａｕ）でできていることを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、前記半導体レーザ素子と前記導波路型光機能素子との間には、コリメートレンズと集光レンズとが配置され、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光が、前記コリメートレンズと前記集光レンズとを介して、前記導波路型光機能素子の導波路の入射端に空間結合する、ことを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、前記コリメートレンズによって平行光化されたレーザ光の径は、前記導波路型光機能素子の厚さより大きく、前記サブマウントに関する前記突起物の高さは、前記導波路型光機能素子の高さよりも高い、ことを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を入射端に入射して、導波させる導波路を有する導波路型光機能素子と、前記導波路型光機能素子と突起物とが共に固定されるサブマウントと、を備え、前記突起物は、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光路の、前記入射端に関する延長線と平行な直線上に設けられている、ことを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールの製造方法は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を入射して、導波させる導波路を有する導波路型光機能素子と、を備える半導体レーザモジュールの製造方法であって、前記半導体レーザ素子を前記半導体レーザモジュールの基板に対して固定するレーザ素子配置工程と、前記半導体レーザ素子から出射するレーザ光を平行光化するコリメートレンズを前記半導体レーザ素子に対して固定するコリメートレンズ配置工程と、前記導波路型光機能素子と前記導波路型光機能素子の導波路の入射端から入射方向の延長線上に設けられた突起物とが共に固定された第１サブマウントを、前記コリメートレンズによって平行光化されたレーザ光が前記突起物に到達するように位置決めして前記基板に対して固定する導波路型光機能素子配置工程と、前記コリメートレンズによって平行光化されたレーザ光を前記導波路型光機能素子の導波路の入射端に集光するための集光レンズを、前記コリメートレンズと前記導波路型光機能素子との間に固定する集光レンズ配置工程と、を有することを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールの製造方法は、前記コリメートレンズ配置工程は、前記半導体レーザ素子が固定された第２サブマウントに対して前記コリメートレンズを固定する工程であり、前記レーザ素子配置工程は、前記コリメートレンズ配置工程の後に、前記半導体レーザ素子と前記コリメートレンズとを固定した前記第２サブマウントを前記基板に対して固定する工程である、ことを特徴とする。
　本発明に係る半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールの製造方法は、半導体レーザ素子と導波路型光機能素子との相対的位置合わせを精度良く行うことができるという効果を奏する。
図１は、第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの概略構成を示す図である。 図２は、第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの製造方法の要旨を示すフローチャートである。 図３は、半導体光増幅器の位置決め工程における半導体レーザモジュールの側面概略構成を示す図である。 図４は、集光レンズの配置工程における半導体レーザモジュールの側面概略構成を示す図である。 図５は、第２実施形態に係る半導体レーザモジュールの概略構成を示す図である。 図６Ａは、各構成部品を基板上で組み立てた後に基板を筐体へ入れる方法を例示する図である。 図６Ｂは、各構成部品を基板上で組み立てた後に基板を筐体へ入れる方法を例示する図である。 図６Ｃは、各構成部品を基板上で組み立てた後に基板を筐体へ入れる方法を例示する図である。 図６Ｄは、各構成部品を基板上で組み立てた後に基板を筐体へ入れる方法を例示する図である。 図６Ｅは、各構成部品を基板上で組み立てた後に基板を筐体へ入れる方法を例示する図である。 図６Ｆは、各構成部品を基板上で組み立てた後に基板を筐体へ入れる方法を例示する図である。 図７Ａは、各構成部品を筐体内の基板上に順次配置する方法を例示する図である。 図７Ｂは、各構成部品を筐体内の基板上に順次配置する方法を例示する図である。 図７Ｃは、各構成部品を筐体内の基板上に順次配置する方法を例示する図である。 図７Ｄは、各構成部品を筐体内の基板上に順次配置する方法を例示する図である。 図８は、第３実施形態に係る半導体レーザモジュールを説明する図である。
　以下に、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る半導体レーザモジュールおよびその製造方法を詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態により本発明が限定されるものではない。また、各図面において、同一または対応する構成要素には適宜同一の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各構成の寸法などは現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることがある。
（第１実施形態）
　図１は、第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの概略構成を示す図である。図１に示される第１実施形態に係る半導体レーザモジュールは、基本構成のみを示すものであり、実際の半導体レーザモジュールは、後述する実施形態のように、様々な追加の構成を備え得る。
　図１に示すように、第１実施形態に係る半導体レーザモジュール１００は、半導体レーザ素子１１と、半導体光増幅器２１と、突起物２２と、ＳＯＡサブマウント２０とを備えている。さらに、図１に示すように、半導体レーザモジュール１００は、コリメートレンズ１２と、集光レンズ３０と、ＬＤサブマウント１０とを備えている。これらは、半導体レーザモジュール１００の筐体に収容される基板１０１上に設けられる構成としてもよいし、半導体レーザモジュール１００の筐体の底板を基板１０１として、底板上に設けられる構成としてもよい。
　半導体レーザ素子１１は、電流の注入によりレーザ発振をしてレーザ光を出射するものであり、温度制御によって発振波長を変更することができる、例えば分布帰還型半導体レーザ素子を用いる。
　半導体光増幅器２１は、半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光を入射して、導波させる導波路２３を有する導波路型光機能素子の代表例であり、導波路型光機能素子の他の例として、光変調器などが挙げられる。図１に示すように、半導体光増幅器２１は、素子全体が半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光の光路Ｌ１に対して斜めに配置されている。このために、半導体光増幅器２１の導波路は、入射端２４の近傍に曲げ導波路が形成されている。また、図１に示される半導体光増幅器２１の例では、出射端２５の近傍にも曲げ導波路が形成され、半導体光増幅器２１から出射されるレーザ光の光路Ｌ２が光路Ｌ１に対して略平行となるように構成されている。導波路を有する導波路型光機能素子のさらに他の例としては、プレーナ光波回路（ＰＬＣ）などの石英ガラス系光導波路デバイス、シリコン導波路デバイス、ポリマー導波路デバイスなども挙げられる。
　突起物２２は、半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光の光路Ｌ１の半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４に関する延長線Ｌ３上に設けられたワイヤボールである。突起物２２は、配線を接続するために金（Ａｕ）などの金属で形成された通常のワイヤボンディングの半球状の構造物であり、ここでは、配線の接続に用いるのではなく、後述するように、半導体光増幅器２１の位置決め（粗調整）に用いられる。突起物２２をワイヤボールとすれば、通常の配線処理の際に形成することができるので簡便であるが、突起物２２はワイヤボールに限定されず、例えば一旦形成したワイヤを切断した柱状（曲がった場合も含む）であったり、レーザ光を反射や散乱し得る構造物であれば適切に利用可能である。
　ＳＯＡサブマウント２０は、半導体光増幅器２１と突起物２２とが共に固定されるサブマウントである。ＳＯＡサブマウント２０上における、半導体光増幅器２１と突起物２２との高さ関係は、突起物２２の高さが半導体光増幅器２１の高さよりも高いように構成されている。半導体光増幅器２１と突起物２２とがＳＯＡサブマウント２０の同一平面上に固定される場合、突起物２２の高さが、半導体光増幅器２１の厚さよりも大きいことになる。なお、一般に半導体光増幅器２１は板状の形状であり、略一定の厚さを有するが、厚さが一定でない場合は、最厚部をもって厚さを定義する。
　また、突起物２２は、上述のように、半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光の光路Ｌ１の半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４に関する延長線Ｌ３上に設けられ、半導体光増幅器２１と突起物２２との相対的位置関係が確定している。したがって、突起物２２を目標としてＳＯＡサブマウント２０の位置決めを行うことにより、結果的に、半導体光増幅器２１の位置決めを行うことが可能となる。なお、突起物２２の固定箇所はサブマウント（ＳＯＡサブマウント２０）上には限定されない。導波路型光機能素子が各光学部品と共にベース上に固定される場合、メタライズの施された熱電素子上に固定される場合がある。これらの場合は突起物も導波路デバイス（導波路型光機能素子）が固定されたベース上に固定される。さらに、導波路型光機能素子に含まれる導波路が当該素子の上面に近い場合、導波路型光機能素子上に突起物を固定しても良い。光変調器やその他の導波路型光機能素子の場合は、導波路が当該素子の上面に近く、当該素子の面積も大きいために、当該素子上に突起物を固定することが可能である。
　コリメートレンズ１２は、半導体レーザ素子１１から出射するレーザ光を平行光化するための光学素子である。ここで、コリメートレンズ１２によって平行光化されたレーザ光の径は、半導体光増幅器２１の厚さより大きくなるよう設計されている。また、図１に示される半導体レーザモジュール１００の構成例では、コリメートレンズ１２と半導体レーザ素子１１とが同一のＬＤサブマウント１０の上に配置されている。しかしながら、コリメートレンズ１２の配置位置はこれに限定されず、半導体レーザ素子１１と独立して半導体レーザモジュール１００に固定されてもよい。また、コリメートレンズ１２は半導体レーザ素子１１と独立した素子とは限らず、半導体レーザ素子１１の出射端面にコリメートレンズ１２が形成される構成を採用することも可能である。
　集光レンズ３０は、コリメートレンズ１２によって平行光化されたレーザ光を半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４に集光するための光学素子である。後述するように、集光レンズ３０は、半導体レーザモジュールの製造工程の途中で配置されるものである。集光レンズ３０が配置された状態では、コリメートレンズ１２によって平行光化された光路Ｌ１のレーザ光は、半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４に集光し、半導体光増幅器２１の導波路２３を導波して、半導体光増幅器２１の出射端２５から光路Ｌ２へ出射される。
　一方、集光レンズ３０が配置されていない状態では、コリメートレンズ１２によって平行光化されたレーザ光の径が半導体光増幅器２１の厚さより大きいので、光路Ｌ１を進むレーザ光の一部は、半導体光増幅器２１の上部を通過し、半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４に関する光路Ｌ１の延長線Ｌ３上に設けられた突起物２２にまで到達することになる。突起物２２は、ワイヤボールなどのレーザ光を反射や散乱し得る構造物であるので、突起物２２にまで到達したレーザ光は、突起物２２によって反射や散乱され、レーザ光が突起物２２にまで到達したことを確認することができる。
　以上の関係を用いれば、集光レンズ３０が配置されていない状態で、コリメートレンズ１２によって平行光化されたレーザ光が突起物２２に照射されるようにＳＯＡサブマウント２０の位置決めを行えば、集光レンズ３０が配置された状態では、半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光が半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４に空間結合するような粗調整が実現できる。後は、集光レンズ３０の配置を微調整することによって、半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光が半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４に適切に空間結合する配置が実現できる。この微調整は、半導体光増幅器２１から出力されるレーザ光の強度を観察しながら行うことができる。
　次に、上記説明した第１実施形態に係る半導体レーザモジュール１００の構成例を用いて、半導体レーザモジュールの製造方法を説明する。
　図２は、第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの製造方法の要旨を示すフローチャートである。図３は、半導体光増幅器の位置決め工程における半導体レーザモジュールの側面概略構成を示す図である。図４は、集光レンズの配置工程における半導体レーザモジュールの側面概略構成を示す図である。
　図２に示すように、第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの製造方法は、半導体レーザ素子１１とコリメートレンズ１２とを配置する工程から始まる（ステップＳ１）。この工程は、図２に示されるフローチャートでは一つの工程として記載されているが、二つの工程に分離することも可能である。
　先述したように、半導体レーザモジュール１００の構成例では、コリメートレンズ１２と半導体レーザ素子１１とが同一のＬＤサブマウント１０の上に配置されているが、コリメートレンズ１２を半導体レーザ素子１１と独立して配置することも可能であり、また、半導体レーザ素子１１の出射端面にコリメートレンズ１２が形成される構成を採用することも可能である。
　したがって、コリメートレンズ１２と半導体レーザ素子１１とを同一のＬＤサブマウント１０の上に配置する場合、半導体レーザ素子１１が固定されたＬＤサブマウント１０に対してコリメートレンズ１２を固定した後に、ＬＤサブマウント１０を半導体レーザモジュール１００の基板１０１に対して固定することによって、ステップＳ１の工程を実現する。また、半導体レーザ素子１１の出射端面にコリメートレンズ１２が形成される構成を採用する場合、半導体レーザ素子１１を半導体レーザモジュール１００の基板１０１に対して固定すれば、自動的にコリメートレンズ１２を半導体レーザモジュール１００の基板に対して固定することになり、ステップＳ１の工程が実現される。コリメートレンズ１２を半導体レーザ素子１１と独立して配置する構成の場合、半導体レーザ素子１１を半導体レーザモジュール１００の基板１０１に対して固定し、その後、コリメートレンズ１２を半導体レーザモジュール１００の基板１０１に対して固定することで、ステップＳ１の工程を実現する。
　次に、図２に示すように、第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの製造方法では、半導体光増幅器２１の位置決め工程が行われる（ステップＳ２）。本工程の説明は、図３を共に参照すると理解が容易となるので、ここに参照する。
　半導体光増幅器２１の位置決め工程では、事前に用意された半導体光増幅器２１と突起物２２とが共に固定されたＳＯＡサブマウント２０を半導体レーザモジュール１００の基板１０１に対して固定することによって行われる。先述のように、突起物２２は、ＳＯＡサブマウント２０上にて、半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光の光路Ｌ１の半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４に関する延長線上に設けられている。また、コリメートレンズ１２によって平行光化されたレーザ光の径は、半導体光増幅器２１の厚さより大きくなるよう設計され、突起物２２の高さが半導体光増幅器２１の高さよりも高いように構成されている。
　したがって、図３に示すように、半導体光増幅器２１の位置決め工程では、光路Ｌ１を進むレーザ光の一部は、半導体光増幅器２１の上部を通過し、突起物２２にまで到達することになる。ここで、突起物２２が半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光の光路Ｌ１の半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４に関する延長線上に設けられ、半導体光増幅器２１と突起物２２との相対的位置関係が確定していることを利用すれば、突起物２２を目標としてＳＯＡサブマウント２０の位置決めを行うことにより、半導体光増幅器２１の位置決め（粗調整）を行うことが可能となる。
　次に、図２に示すように、第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの製造方法では、集光レンズ３０の配置工程が行われる（ステップＳ３）。本工程の説明は、図４を共に参照すると理解が容易となるので、ここに参照する。
　集光レンズ３０の配置工程では、集光レンズ３０がコリメートレンズ１２と半導体光増幅器２１との間に固定される。集光レンズ３０は、コリメートレンズ１２によって平行光化されたレーザ光を半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４に集光するための光学系である。このとき、集光レンズ３０の配置工程は、コリメートレンズ１２によって平行光化されたレーザ光を半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４に集光するように、集光レンズ３０の位置を微調整する工程を含んでいる。先述のように、この微調整は、半導体光増幅器２１から出力されるレーザ光の強度を観察しながら行うことができる。半導体レーザモジュールの製造方法は、ステップＳ２にて半導体光増幅器２１の位置の粗調整が完了しているので、集光レンズ３０の位置を微調整することが容易となっている。
　以上説明した構成の半導体レーザモジュール１００およびその製造方法に従えば、半導体レーザ素子１１と半導体光増幅器２１との相対的位置合わせを精度よく行うことができる。
（第２実施形態）
　次に、より実際的な構成の半導体レーザモジュールの例示を行う。図５は、第２実施形態に係る半導体レーザモジュールの概略構成を示す図である。図５に示される第２実施形態に係る半導体レーザモジュール２００の構成は、第１実施形態と共通のものが多い。したがって、以下で説明する半導体レーザモジュール２００の構成では、第１実施形態と同一の参照符号を付することによって、その説明を省略する。同一の参照符号を付することによって省略された部位の構成および機能は、第１実施形態と実質的に同一であるものと理解することが可能である。
　図５に示すように、半導体レーザモジュール２００は、半導体レーザ素子１１とコリメートレンズ１２とを備えるＬＤサブマウント１０と、半導体光増幅器２１と突起物２２とを備えるＳＯＡサブマウント２０と、集光レンズ３０とを備えている。これら半導体レーザモジュール２００の構成は、第１実施形態と実質的に同一である。
　半導体レーザ素子１１とコリメートレンズ１２とを備えるＬＤサブマウント１０は、ＬＤ用熱電素子４１の上に配置されている。ＬＤ用熱電素子４１は、例えばペルチェ素子であり、ＬＤ用熱電素子４１に供給される電流の強さおよび方向によって、半導体レーザ素子１１を加熱および冷却することができる。先述したように、半導体レーザ素子１１は、温度制御によって発振波長を変更することができる例えば分布帰還型半導体レーザ素子であり、ＬＤ用熱電素子４１に供給される電流の強さおよび方向を制御することによって、半導体レーザ素子１１から出射されるレーザ光の波長を制御することが可能である。
　半導体光増幅器２１と突起物２２とを備えるＳＯＡサブマウント２０は、ＳＯＡ用熱電素子４２の上に配置されている。ＳＯＡ用熱電素子４２は、例えばペルチェ素子であり、ＳＯＡ用熱電素子４２に供給される電流の強さおよび方向によって、半導体光増幅器２１を加熱および冷却することができる。半導体光増幅器２１は、大きな発熱源であるので積極的に加熱する状況は限定されるが、本構成の半導体レーザモジュール２００では、半導体レーザ素子１１の温度制御に用いるＬＤ用熱電素子４１と、半導体光増幅器２１の温度制御に用いるＳＯＡ用熱電素子４２とを、独立して備えているので、半導体レーザ素子１１と半導体光増幅器２１とのそれぞれを最適に温度制御することが可能である。すなわち、半導体レーザ素子１１および半導体光増幅器２１の温度制御に無駄な電力が消費されることも減り、ＬＤ用熱電素子４１とＳＯＡ用熱電素子４２との総和の消費電力も低く抑えることができる。
　図５に示すように、第２実施形態に係る半導体レーザモジュール２００は、コリメートレンズ１２と集光レンズ３０との間に、第１ビームスプリッタ３１とアイソレータ３２とを備えている。第１ビームスプリッタ３１とアイソレータ３２との配置順は、図５に示されるものに限定されるものではないが、コリメートレンズ１２と集光レンズ３０との間のレーザ光が平行光となる箇所に配置することが好ましい。
　第１ビームスプリッタ３１は、半導体レーザ素子１１から出射されるレーザ光の一部を波長ロッカー５０へ分岐するための光学素子であり、プリズム型のものやフィルタ型のものなど一般的な分岐用光学素子を用いることができる。アイソレータ３２は、光学素子の反射等に起因して光路を逆行するレーザ光が半導体レーザ素子１１に入射してしまうことを防ぐための素子であり、レーザ光の偏光性を用いて、逆行するレーザ光の光路のみを変化させることができる光学素子である。
　波長ロッカー５０は、第１ビームスプリッタ３１で分岐されたレーザ光の波長を測定し、半導体レーザ素子１１が出射しているレーザ光の波長をモニタするための装置である。波長ロッカー５０がモニタしたレーザ光の波長は、ＬＤ用熱電素子４１の温度制御へフィードバックされ、半導体レーザ素子１１が所望の波長のレーザ光を出射し続けるように、フィードバック制御が行われる。
　波長ロッカー５０は、第２ビームスプリッタ５１と、第２ビームスプリッタ５１によって分岐されたレーザ光の強度を直接モニタする第１受光素子５２と、第２ビームスプリッタによって分岐されたレーザ光の強度をエタロンフィルタ５３を介してモニタする第２受光素子５４と、を備えている。エタロンフィルタ５３は、光の波長に対して周期的な透過特性を有する光学素子である。したがって、エタロンフィルタ５３を透過した光と透過していない光との強度比を測定することによって当該光の波長を特定することが可能である。波長ロッカー５０は、第１受光素子５２が取得するレーザ光の強度と第２受光素子５４が取得するレーザ光の強度との比を用いて、第１ビームスプリッタ３１で分岐されたレーザ光の波長を測定する。
　さらに、図５に示すように、第２実施形態に係る半導体レーザモジュール２００は、半導体光増幅器２１から射出されたレーザ光を半導体レーザモジュール２００の外部へ導出する光ファイバ６０と、半導体光増幅器２１から射出されたレーザ光を光ファイバ６０へ結合させるための結合光学系６１とを備えている。なお、図５に示される結合光学系６１は、１つのレンズよって構成されているよう描かれているが、コリメートレンズと集光レンズなど複数に分離される構成とすることも可能であり、配置される位置も同図に示される位置に限定されるものではない。光ファイバ６０は、半導体レーザ素子１１から射出されるレーザ光に対して適切な伝搬特性を有する一般的なシングルモードのガラス光ファイバを用いればよい。
　以下、図６Ａ～６Ｆおよび図７Ａ～７Ｄを参照しながら、第２実施形態に係る半導体レーザモジュール２００の組み立て方法について、２つの例を説明する。図６Ａ～６Ｆは、各構成部品を基板上で組み立てた後に基板を筐体へ入れる方法を例示する図であり、図７Ａ～７Ｄは、各構成部品を筐体内の基板上に順次配置する方法を例示する図である。
（第１の組み立て方法）
　各構成部品を基板上で組み立てた後に基板を筐体へ入れる方法では、図６Ａに示すように、最初にＬＤサブマウント１０の上に半導体レーザ素子１１とコリメートレンズ１２とを配置する。
　その後、図６Ｂに示すように、基板２０１の上にＬＤ用熱電素子４１とＳＯＡ用熱電素子４２とを配置し、ＬＤ用熱電素子４１の上にＬＤサブマウント１０を配置し、ＳＯＡ用熱電素子４２の上に第１ビームスプリッタ３１とアイソレータ３２とを配置する。
　そして、図６Ｃに示すように、半導体光増幅器２１と突起物２２とを備えるＳＯＡサブマウント２０をＳＯＡ用熱電素子４２に位置決めしながら固定する。このときの位置決め方法は、先述したように、半導体レーザ素子１１から出射されてコリメートレンズ１２によって平行光化されたレーザ光が突起物２２まで到達することをもって半導体光増幅器２１の位置決めを行う方法である。
　その後、図６Ｄに示すように、基板２０１を筐体２０２の中に収容する。このとき、基板２０１上に配置された各構成部品に対して配線を施して電気的接続を確立してしまうことが好ましい。
　次に、図６Ｅに示すように、集光レンズ３０を配置する。この集光レンズ３０の配置工程は、半導体レーザ素子１１から出射されてコリメートレンズ１２によって平行光化されたレーザ光が半導体光増幅器２１の導波路の入射端に集光させるための微調整を含んでいる。当該微調整は、半導体光増幅器２１から出力されるレーザ光の強度をモニタしながら集光レンズ３０の位置を微調整することで行うことができる。
　最後に、図６Ｆに示すように、波長ロッカー５０を取り付け、さらに、結合光学系６１と光ファイバ６０とを取り付けて第２実施形態に係る半導体レーザモジュールが完成する。なお、波長ロッカー５０の内部構成は先述の通りである。
（第２の組み立て方法）
　各構成部品を筐体内の基板上に順次配置する方法では、筐体内で作業を行うので、以下の工夫をすることが好ましいが、第１の組み立て方法と実質的に異なるものではない。したがって、ここでは、第１の組み立て方法とは異なる部分に着目して説明をする。
　最初に、図７Ａに示すように、筐体２０２の内部に、ＬＤ用熱電素子４１とＳＯＡ用熱電素子４２とを配置し、ＬＤ用熱電素子４１の上に、半導体レーザ素子１１とコリメートレンズ１２とを備えたＬＤサブマウント１０を配置し、ＳＯＡ用熱電素子４２の上に第１ビームスプリッタ３１とアイソレータ３２とを配置する。
　そして、位置決め作業時に用いる観察用ミラーＭを筐体２０２の内部に配置する。なお、観察用ミラーＭの位置は、図に示される位置に限定されず、位置決め作業時に突起物を観察するのに適切な位置に配置すればよい。また、位置決め作業時に突起物を観察することが容易であれば、必ずしも観察用ミラーＭを筐体２０２の内部に配置する必要はない。また、筐体２０２の一部に観察用の窓を設けるなどの別の手段によって代用することも可能である。
　そして、図７Ｂに示すように、半導体光増幅器２１と突起物２２とを備えるＳＯＡサブマウント２０をＳＯＡ用熱電素子４２に位置決めしながら固定する。このときの位置決め方法は、先述したように、半導体レーザ素子１１から出射されてコリメートレンズ１２によって平行光化されたレーザ光が突起物２２まで到達することをもって半導体光増幅器２１の位置決めを行う方法である。上述のように、観察用ミラーＭを筐体２０２の内部に配置してあるので、突起物２２まで到達したレーザ光の反射や散乱を容易に確認することができる。
　その後、図７Ｃに示すように、観察用ミラーＭを撤去し、集光レンズ３０を配置する。この集光レンズ３０の配置工程は、半導体レーザ素子１１から出射されてコリメートレンズ１２によって平行光化されたレーザ光が半導体光増幅器２１の導波路の入射端に集光させるための微調整を含んでいる。
　最後に、図７Ｄに示すように、波長ロッカー５０を取り付け、さらに、結合光学系６１と光ファイバ６０とを取り付けて第２実施形態に係る半導体レーザモジュールが完成する。
（第３実施形態）
　次に、突起物の位置が異なる第３実施形態に係る半導体レーザモジュールについて図８を用いて説明する。図８においては、簡単のために基板や集光レンズは図示を省略している。半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光の光路Ｌ１の半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４に関する延長線Ｌ３上には突起物はなく、ＳＯＡサブマウント２０Ａ上にある、延長線Ｌ３と平行な線Ｌ４上に突起物２２が形成されている。延長線Ｌ３と平行な線Ｌ４との間の距離Ｄをあらかじめ測定しておき、ＳＯＡサブマウント２０Ａを突起物２２によって位置決めした後、ＳＯＡサブマウント２０Ａをその距離Ｄだけ図面上側にシフトし、延長線Ｌ３と平行な線Ｌ４とを一致させて基板に固定する。これにより、半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ光の光路Ｌ１と、半導体光増幅器２１の導波路の入射端２４との容易な調芯が可能となる。
　以上、本発明を実施形態に基づいて説明したが、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明の範疇に含まれる。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
　以上のように、本発明は、例えば光通信の分野に適用して好適なものである。
　１００，２００　半導体レーザモジュール
　１０１，２０１　基板
　２０２　筐体
　１０　ＬＤサブマウント
　１１　半導体レーザ素子
　１２　コリメートレンズ
　２０、２０Ａ　ＳＯＡサブマウント
　２１　半導体光増幅器
　２２　突起物
　２３　導波路
　２４　入射端
　２５　出射端
　３０　集光レンズ
　３１　第１ビームスプリッタ
　３２　アイソレータ
　４１　ＬＤ用熱電素子
　４２　ＳＯＡ用熱電素子
　５０　波長ロッカー
　５１　第２ビームスプリッタ
　５２　第１受光素子
　５３　エタロンフィルタ
　５４　第２受光素子
　６０　光ファイバ
　６１　結合光学系

Claims (14)

  1. 　半導体レーザ素子と、
    　前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を入射端に入射して、導波させる導波路を有する導波路型光機能素子と、
    　前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光路の、前記入射端に関する延長線上に設けられた突起物と、
    　を備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。
  2. 　前記導波路型光機能素子が固定されるサブマウントをさらに備え、前記突起物が前記サブマウント上に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
  3. 　前記突起物が前記導波路型機能素子上に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
  4. 　前記導波路型光機能素子の導波路は、前記入射端近傍に曲げ導波路を有し、前記導波路型光機能素子全体が前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光路に対して斜めに配置されている、
    　ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の半導体レーザモジュール。
  5. 　前記導波路型光機能素子は、入射された前記レーザ光を増幅する半導体光増幅器であることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載の半導体レーザモジュール。
  6. 　前記突起物は、半球状の形状をしていることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載の半導体レーザモジュール。
  7. 　前記突起物は、柱状の形状をしていることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載の半導体レーザモジュール。
  8. 　前記突起物は、金属でできていることを特徴とする請求項１から請求項７の何れか１項に記載の半導体レーザモジュール。
  9. 　前記突起物は、金（Ａｕ）でできていることを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザモジュール。
  10. 　前記半導体レーザ素子と前記導波路型光機能素子との間には、コリメートレンズと集光レンズとが配置され、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光が、前記コリメートレンズと前記集光レンズとを介して、前記導波路型光機能素子の導波路の入射端に空間結合する、
    　ことを特徴とする請求項１から請求項９の何れか１項に記載の半導体レーザモジュール。
  11. 　前記コリメートレンズによって平行光化されたレーザ光の径は、前記導波路型光機能素子の厚さより大きく、
    　前記サブマウントに関する前記突起物の高さは、前記導波路型光機能素子の高さよりも高い、
    　ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザモジュール。
  12. 　半導体レーザ素子と、
    　前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を入射端に入射して、導波させる導波路を有する導波路型光機能素子と、
    　前記導波路型光機能素子と突起物とが共に固定されるサブマウントと、
    　を備え、
    　前記突起物は、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光路の、前記入射端に関する延長線と平行な直線上に設けられている、
    　ことを特徴とする半導体レーザモジュール。
  13. 　半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を入射して、導波させる導波路を有する導波路型光機能素子と、を備える半導体レーザモジュールの製造方法であって、
    　前記半導体レーザ素子を前記半導体レーザモジュールの基板に対して固定するレーザ素子配置工程と、
    　前記半導体レーザ素子から出射するレーザ光を平行光化するコリメートレンズを前記半導体レーザ素子に対して固定するコリメートレンズ配置工程と、
    　前記導波路型光機能素子と前記導波路型光機能素子の導波路の入射端から入射方向の延長線上に設けられた突起物とが共に固定された第１サブマウントを、前記コリメートレンズによって平行光化されたレーザ光が前記突起物に到達するように位置決めして前記基板に対して固定する導波路型光機能素子配置工程と、
    　前記コリメートレンズによって平行光化されたレーザ光を前記導波路型光機能素子の導波路の入射端に集光するための集光レンズを、前記コリメートレンズと前記導波路型光機能素子との間に固定する集光レンズ配置工程と、
    　を有することを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法。
  14. 　前記コリメートレンズ配置工程は、前記半導体レーザ素子が固定された第２サブマウントに対して前記コリメートレンズを固定する工程であり、
    　前記レーザ素子配置工程は、前記コリメートレンズ配置工程の後に、前記半導体レーザ素子と前記コリメートレンズとを固定した前記第２サブマウントを前記基板に対して固定する工程である、
    　ことを特徴とする請求項１３に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
PCT/JP2017/046089 2016-12-22 2017-12-22 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールの製造方法 WO2018117251A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201780079212.5A CN110088994B (zh) 2016-12-22 2017-12-22 半导体激光模块和半导体激光模块的制造方法
JP2018558086A JP7166932B2 (ja) 2016-12-22 2017-12-22 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールの製造方法
US16/444,778 US11545814B2 (en) 2016-12-22 2019-06-18 Semiconductor laser module and method of manufacturing semiconductor laser module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-250076 2016-12-22
JP2016250076 2016-12-22

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/444,778 Continuation US11545814B2 (en) 2016-12-22 2019-06-18 Semiconductor laser module and method of manufacturing semiconductor laser module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018117251A1 true WO2018117251A1 (ja) 2018-06-28

Family

ID=62627793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/046089 WO2018117251A1 (ja) 2016-12-22 2017-12-22 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11545814B2 (ja)
JP (1) JP7166932B2 (ja)
CN (1) CN110088994B (ja)
WO (1) WO2018117251A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1492208A2 (en) * 2003-06-27 2004-12-29 NEC Corporation Semiconductor laser module and method of assembling the same
WO2007108508A1 (ja) * 2006-03-22 2007-09-27 The Furukawa Electric Co., Ltd. 光モジュール
WO2010138478A1 (en) * 2009-05-26 2010-12-02 Corning Incorporated Proximity coupled athermal optical package comprising laser source and compound facet wavelength conversion device
JP2012164737A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Sony Corp サブマウント、サブマウント組立体及びサブマウント組立方法
WO2013180291A1 (ja) * 2012-05-31 2013-12-05 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール
US20160013616A1 (en) * 2014-07-09 2016-01-14 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Optical module installing a semiconductor optical amplifier and process to assemble the same

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2287108A1 (fr) * 1974-10-01 1976-04-30 Radiotechnique Compelec Dispositif optoelectronique a emetteur et recepteur couples
US20040021061A1 (en) * 2002-07-30 2004-02-05 Frederik Bijkerk Photodiode, charged-coupled device and method for the production
JP4265308B2 (ja) 2003-06-27 2009-05-20 日本電気株式会社 光学素子ホルダ及びこれを用いた光通信モジュール
JP2006216695A (ja) 2005-02-02 2006-08-17 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュール
JP5008831B2 (ja) 2005-02-03 2012-08-22 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 レーザ装置、レーザ装置の制御装置、レーザ装置の制御方法、レーザ装置の波長切換方法およびレーザ装置の制御データ
JP2006269846A (ja) 2005-03-25 2006-10-05 Anritsu Corp サブマウント及びそれを用いた光半導体装置
WO2007032182A1 (ja) 2005-09-13 2007-03-22 Nec Corporation 光送信モジュールおよびその製造方法
GB0524217D0 (en) * 2005-11-28 2006-01-04 Amphotonix Ltd Fibre-optic module
DE102006017293A1 (de) 2005-12-30 2007-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optisch pumpbaren Halbleitervorrichtung
JP4913527B2 (ja) 2006-10-04 2012-04-11 古河電気工業株式会社 光モジュールの製造方法、及び、光素子
JP4913526B2 (ja) 2006-10-04 2012-04-11 古河電気工業株式会社 光モジュールの製造方法
US9054480B2 (en) 2009-08-06 2015-06-09 Neophotonics Corporation Small packaged tunable traveling wave laser assembly
JP2016018121A (ja) 2014-07-09 2016-02-01 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光増幅モジュールを製造する方法
JP6550658B2 (ja) 2014-07-09 2019-07-31 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光モジュールを製造する方法及び光モジュール

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1492208A2 (en) * 2003-06-27 2004-12-29 NEC Corporation Semiconductor laser module and method of assembling the same
WO2007108508A1 (ja) * 2006-03-22 2007-09-27 The Furukawa Electric Co., Ltd. 光モジュール
WO2010138478A1 (en) * 2009-05-26 2010-12-02 Corning Incorporated Proximity coupled athermal optical package comprising laser source and compound facet wavelength conversion device
JP2012164737A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Sony Corp サブマウント、サブマウント組立体及びサブマウント組立方法
WO2013180291A1 (ja) * 2012-05-31 2013-12-05 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール
US20160013616A1 (en) * 2014-07-09 2016-01-14 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Optical module installing a semiconductor optical amplifier and process to assemble the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20190312414A1 (en) 2019-10-10
CN110088994A (zh) 2019-08-02
JP7166932B2 (ja) 2022-11-08
JPWO2018117251A1 (ja) 2019-10-31
CN110088994B (zh) 2021-03-23
US11545814B2 (en) 2023-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8646959B2 (en) Laser light source
US7275877B2 (en) Optical module having individual housing for an optical processing unit and an optical sub-assembly
JPH09211272A (ja) 光モジュール
JP2001339118A (ja) 発光モジュール
JP2017041618A (ja) 光モジュール
JP2011238698A (ja) レーザモジュール
JPWO2007108508A1 (ja) 光モジュール
CN111929776A (zh) 温控多频道光发射次组件及包含其的收发器模块
JP2016045237A (ja) 発光モジュール及び多チャネル発光モジュール
JP6794140B2 (ja) 光送信機及びこれを含む光モジュール
WO2004025789A2 (en) Miniaturized internal laser stabilizing apparatus with inline output for fiber optic applications
JP2008026462A (ja) 光モジュール
US7909518B2 (en) Optical assembly connecting a laser with optical fibre
US20050025420A1 (en) Optical sub-assembly laser mount having integrated microlens
Duperron et al. Hybrid integration of laser source on silicon photonic integrated circuit for low-cost interferometry medical device
WO2018117251A1 (ja) 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールの製造方法
JP2012164924A (ja) 光通信用送信モジュール
JP6507659B2 (ja) 光モジュールの製造方法
Lin et al. Grating coupled laser (GCL) for Si photonics
US7408867B2 (en) Method of aligning an optical fiber, method of manufacturing a semiconductor laser module, and semiconductor laser module
JP2008166577A (ja) 波長モニタ付レーザモジュール
JPH11202165A (ja) 光モジュール
JP5837329B2 (ja) 光半導体装置の製造方法
US20020094590A1 (en) Method for manufacturing semiconductor laser module, semiconductor laser module and Raman amplifier
JP3956515B2 (ja) ファイバグレーティング光モジュールの調芯方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17884024

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018558086

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17884024

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1