JP2006216695A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 前端面から直線偏光したレーザ光を出射する単一縦モード半導体レーザ素子1と、前記レーザ光が入射する入射偏光子2a1を有し前記レーザ光を一方向にのみ通過させる光アイソレータ2と、前記レーザ光の一部を受光し前記レーザ光の特性に応じた電気信号を出力する光検出部3と、前記光検出部3を主面4aに載置する基台4とを有し、前記光アイソレータ2は前記入射偏光子2a1の入射面が前記レーザ光の入射光軸に対して所定角度傾いた状態で、かつ前記入射偏光子2a1の偏光方向が前記レーザ光の通過を最大限許容する状態で調芯固定され、前記光検出部は前記入射偏光子2a1の前記入射面で反射されるレーザ光を受光するように前記基台4の前記主面4aに固定されている。
【選択図】 図1
Description
図1(A)は、本発明の第1の実施形態例に係る半導体レーザモジュールM1を模式的に現した平面断面図、図1(B)は、側面断面図である。図1(A),(B)に示すように、本発明の第1の実施形態例に係る半導体レーザモジュールM1は、前端面から直線偏光したレーザ光を出射する単一縦モード半導体レーザ素子(本実施形態例では、分布帰還型半導体レーザ素子である。)1と、単一縦モード半導体レーザ素子1から出射されたレーザ光LFが入射する入射偏光子2a1を有し、レーザ光を一方向(図1(A),(B)においては右方向)にのみ通過させる光アイソレータ2と、入射偏光子2a1で反射されたレーザ光LRを受光し、このレーザ光の特性に応じた電気信号を出力する光検出部3と、光検出部3を主面4a上に載置する基台4とを有する。
次に、本発明の第2の実施形態例に係る半導体レーザモジュールM2について図4〜図6を用いて説明する。本第2の実施形態例において、第1の実施形態例と同じ部品には同じ符号を付し、その重複した説明は省略する。
次に、本発明の第3の実施形態例に係る半導体レーザモジュールM3について図7及び図8を用いて説明する。
2 光アイソレータ
2a1 入射偏光子
2a2 出射偏光子
2b ファラデー回転子
2c 磁石
3 光検出部
3a フォトダイオード(第1の受光素子)
3b フイルタ(ファブリ・ペローエタロン)
3c フォトダイオード(第2の受光素子)
4 基台
4a 主面
5 LDキャリア
6 基台
6a 主面
7a,7b 電子冷却装置
8a,8b サーミスタ
9 第1レンズ
10 パッケージ
10a 底板
10b カバー
10c 窓部
11 第2レンズ
12 光ファイバ
22 光アイソレータ
22a1,22a2,22a3 偏光子
22b1,22b2 ファラデー回転子
22c 磁石
22d ベース板
23 光検出部
23a フォトダイオード(第1の受光素子)
23b フイルタ(ファブリ・ペローエタロン)
23c フォトダイオード(第2の受光素子)
31 単一縦モード半導体レーザ素子
31a 半導体基板
31b 前端面
31c 後端面
31d レーザ光発生部
31d1〜31dn 半導体レーザストライプ
31e 前側合波部
31f 後側合波部
31g 増幅部
31h 前側出力導波路
31i 後側出力導波路
32 レンズ
33 光検出部
34 波長モニタ部
M1,M2,M3 半導体レーザモジュール
LF レーザ光(前方出射光)
LR レーザ光(反射光)
LB レーザ光(後方出射光)
Claims (13)
- 前端面から直線偏光したレーザ光を出射する単一縦モード半導体レーザ素子と、
前記レーザ光が入射する入射偏光子を具備し、前記レーザ光を一方向にのみ通過させる光アイソレータと、
前記入射偏光子の入射面で反射された前記レーザ光の一部を受光し前記レーザ光の特性に応じた電気信号を出力する光検出部と、
前記光検出部を主面上に載置する基台とを有し、
前記光アイソレータは、前記入射偏光子の入射面が前記レーザ光の入射光軸に対して所定角度傾いた状態で、かつ、前記入射偏光子の偏光方向が前記レーザ光の通過を最大限許容する状態で調芯固定され、
前記光検出部は、前記入射偏光子の前記入射面で反射される前記レーザ光を受光するように前記基台の前記主面に固定されていること
を特徴とする半導体レーザモジュール。 - 前記単一縦モード半導体レーザ素子から出射される前記レーザ光の偏光方向と、前記入射偏光子の偏光方向とが、ともに前記主面に略平行であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光アイソレータが前記主面上に固定されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光アイソレータは、ベース板と、該ベース板上に配置されたファラデー回転子と、前記ベース板上の前記ファラデー回転子の中心軸を挟む両側に配置された磁石対と、偏光方向が前記ベース板に平行となるように前記ベース板上に固定され、かつ前記中心軸と交差するように配置された前記入射偏光子と、前記ファラデー回転子を挟んで前記入射偏光子と反対側に配置された出射偏光子とからなり、
前記ベース板が前記基台の前記主面上に固定されていること
を特徴とする請求項2に記載の半導体レーザモジュール。 - 前記入射偏光子の前記入射面が前記主面に垂直であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記単一縦モード半導体レーザ素子が前記基台の前記主面上に固定されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光検出部は、前記レーザ光の一部を受光し前記レーザ光の強度に応じた電気信号を出力する第1の受光素子と、前記レーザ光の一部が入射され波長に対して周期的な透過率特性を有するフィルタと、該フィルタを通過したレーザ光を受光し前記レーザ光の波長に応じた電気信号を出力する第2の受光素子とを有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記第1の受光素子は前記光検出部に入射するレーザ光のうち前記主面側の一部又は前記主面側と反対側の一部のいずれかを受光し、前記第2の受光素子は前記光検出部に入射するレーザ光のうち他の一部を受光することを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記フィルタはエタロン型フィルタであることを特徴とする請求項7又は8に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記単一縦モード半導体レーザ素子の前記前端面から出射されたレーザ光をコリメートし、前記入射偏光子に向けて出射する第1レンズを有することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光アイソレータを通過した光を集光する第2レンズと、該第2レンズによって集光されたレーザ光を受光する光ファイバとを有することを特徴とする請求項10に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記単一縦モード半導体レーザ素子は、分布帰還型半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記単一縦モード半導体レーザ素子は、複数の単一縦モード半導体レーザと半導体光増幅器と前記複数の単一縦モード半導体レーザの出力を前記半導体光増幅器に導く合波器とを集積してなるアレイ型半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1つに記載の半導体レーザモジュール。
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