JP2007157937A - 半導体レーザモジュール及び半導体レーザモジュールの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光分岐手段20により反射して分岐されたレーザ光を受光しレーザ光の特性に応じた電気信号を出力する光検出部30が、光分岐手段20が固定される固定部材21に直接固定されたものなので、光分岐手段20と光検出部30との調芯が不要であるから、光分岐手段20を調芯するために必要であった光分岐手段20の周囲のスペースを省略することができる。その結果、光分岐手段20と光検出部30を近づけることができるので、レーザ光の光軸のずれが生じても、光検出部30により検出される光出力のレベルが変動しないので、正確な光出力のモニタが可能となり、検出した光出力レベルの信頼性が高いものとなる。
【選択図】 図1−1
Description
図1−1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザモジュールM1を模式的に表した水平断面図であり、図1−2は、その縦断側面図である。図1−1及び図1−2に示すように、本実施の形態1に係る半導体レーザモジュールM1は、前端面から直線偏光したレーザ光LFを出射する半導体レーザ素子10と、レーザ光LFの一部を分岐する板状の光分岐手段20と、光分岐手段20によって分岐されたレーザ光を受光しレーザ光の特性に応じた電気信号を出力する光検出部30と、光分岐手段20が固定される基板(固定部材)21とを有する。そして、光検出部30は、光分岐手段20を固定する基板21に直接取り付けられたものである。
次に、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザモジュールM2について図4を参照して説明する。なお、本実施の形態2において、実施の形態1で示した部分と同一部分又は相当する部分は同一符号を用いている。
次に、本発明の実施の形態3に係る半導体レーザモジュールM3について図5及び6を参照して説明する。なお、本実施の形態3においても、実施の形態1で示した部分と同一部分又は相当する部分は同一符号を用いている。
次に、本発明の実施の形態4に係る半導体レーザモジュールM4について図7及び8を参照して説明する。なお、本実施の形態4においても、実施の形態1で示した部分と同一部分又は相当する部分は同一符号を用いている。
次に、本発明の実施の形態5に係る半導体レーザモジュールM5について図9を参照して説明する。なお、本実施の形態5においても、実施の形態1で示した部分と同一部分又は相当する部分は同一符号を用いている。
20 光分岐手段
20a 入射面
21 固定部材(基板)
30 光検出手段
41 基台
41a 主面
43 コリメートレンズ
45 集光レンズ
46 光ファイバ
47 ネック部
50 光アイソレータ
Claims (15)
- 端面から直線偏光したレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
前記レーザ光の一部を分岐する光分岐手段と、
前記光分岐手段によって分岐されたレーザ光を受光し前記レーザ光の特性に応じた電気信号を出力する光検出部と、
前記光分岐手段が固定される固定部材と、
を有し、
前記光検出部は、前記光分岐手段が固定される前記固定部材に直接固定されたものであることを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 前記光分岐手段は、前記レーザ光が入射する側に該レーザ光の光軸に対して傾斜した反射面を有するものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記固定部材は、該半導体レーザモジュールのパッケージから外部に突出して設けられたネック部に固定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体レーザ素子の前端面側に、前記レーザ光を透過する光アイソレータを有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光アイソレータは、前記光分岐手段が固定される前記固定部材に直接固定されたものであることを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光分岐手段の前記レーザ光の出射面側に配置され前記レーザ光の光軸を該レーザ光の前記光分岐手段への入射光軸と一致させて出射させる光透過手段を有し、前記光アイソレータは、前記光分岐手段と前記光透過手段との間に配置されるものであることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記固定部材上において前記光分岐手段の前記レーザ光の出射面側に固定され前記レーザ光の光軸を該レーザ光の前記光分岐手段への入射光軸と一致させて出射させる光透過手段と、前記固定部材上において前記光分岐手段と該光透過手段との間に固定されるファラデー回転子とを有し、前記光分岐手段と前記光透過手段は偏光子であり、かつ前記光分岐手段、前記ファラデー回転子、及び前記光透過手段は、光アイソレーション機能を有するように配置されるものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光分岐手段と前記光透過手段とは、同一形状からなり、前記レーザ光の光軸上の一点に関して点対称に配置されていることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光分岐手段と前記光透過手段とは、同一の楔形状であることを特徴とする請求項6〜8のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光分岐手段は、前記レーザ光の光束に対向する側辺を有し該レーザ光が出射する側に側面を有する多角柱状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光検出部は、前記レーザ光の一部を受光し前記レーザ光の強度に応じた電気信号を出力する第1の受光素子と、前記レーザ光の一部が入射され波長に対して周期的な透過率特性を有するフィルタと、該フィルタを通過したレーザ光を受光し前記レーザ光の波長に応じた電気信号を出力する第2の受光素子とを有することを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体レーザ素子は、単一縦モード半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体レーザ素子は、分布帰還型半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体レーザ素子は、複数の単一縦モード半導体レーザと半導体光増幅器と前記複数の単一縦モード半導体レーザの出力を前記半導体光増幅器に導く合波器とを集積してなるアレイ型半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 端面から直線偏光したレーザ光を出射する半導体レーザ素子を基台に固定する工程と、
前記レーザ光の一部を分岐する光分岐手段を固定部材に固定する工程と、
前記光分岐手段が固定された前記固定部材に、前記光分岐手段によって分岐されたレーザ光を受光し前記レーザ光の特性に応じた電気信号を出力する光検出部を直接固定する工程と、
前記光分岐手段と前記光検出部とが固定された前記固定部材を、前記基台に固定する工程と、
を含むことを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2005349685A JP2007157937A (ja) | 2005-12-02 | 2005-12-02 | 半導体レーザモジュール及び半導体レーザモジュールの製造方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040639A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 光半導体装置の試験方法および光半導体装置の試験装置 |
US8395765B2 (en) | 2010-12-13 | 2013-03-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Wavelength monitor |
WO2021145357A1 (ja) * | 2020-01-15 | 2021-07-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザ装置及びそれを用いたレーザ加工装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031578A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-28 | Siemens Ag | 波長安定化レ―ザ装置及びこの波長安定化レ―ザ装置を含むレ―ザモジュ―ル |
JP2002502504A (ja) * | 1997-01-28 | 2002-01-22 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 光アイソレータ複合モジュール及びこれを用いた光増幅器 |
JP2004095920A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置及びその製造方法並びに半導体レーザモジュール |
JP2005167041A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 温度調節器を有する光学装置およびレーザモジュール |
-
2005
- 2005-12-02 JP JP2005349685A patent/JP2007157937A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002502504A (ja) * | 1997-01-28 | 2002-01-22 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 光アイソレータ複合モジュール及びこれを用いた光増幅器 |
JP2000031578A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-28 | Siemens Ag | 波長安定化レ―ザ装置及びこの波長安定化レ―ザ装置を含むレ―ザモジュ―ル |
JP2004095920A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置及びその製造方法並びに半導体レーザモジュール |
JP2005167041A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 温度調節器を有する光学装置およびレーザモジュール |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040639A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 光半導体装置の試験方法および光半導体装置の試験装置 |
US8395765B2 (en) | 2010-12-13 | 2013-03-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Wavelength monitor |
WO2021145357A1 (ja) * | 2020-01-15 | 2021-07-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザ装置及びそれを用いたレーザ加工装置 |
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