JP4615428B2 - 半導体レーザモジュール - Google Patents
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Description
図1−1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザモジュールM1を模式的に表した水平断面図であり、図1−2は、その縦断側面図である。図1−1及び図1−2に示すように、本実施の形態1に係る半導体レーザモジュールM1は、前端面から直線偏光したレーザ光LFを出射する半導体レーザ素子10と、レーザ光LFが入射する入射側偏光子21、該入射側偏光子21を経たレーザ光LFを出射させる出射側偏光子22、及び入射側偏光子21と出射側偏光子22の間に配置されレーザ光LFの偏光方向を回転させるファラデー回転子23を有してレーザ光LFを一方向(図1−1、図1−2においては右方向)にのみ通過させる光アイソレータ20と、半導体レーザ素子10と入射側偏光子21との間に配置され、レーザ光LFが入射し、レーザ光LFの一部を反射する反射素子31と、出射側偏光子22のレーザ光出射面側に配置されレーザ光LFの光軸をレーザ光LFの反射素子31への入射光軸と一致させて出射させる透過素子32と、反射素子31で反射されたレーザ光LRを受光しレーザ光LFの特性に応じた電気信号を出力する光検出部40と、を備える。
次に、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザモジュールM2について図5−1〜図6−2を参照して説明する。なお、本実施の形態2において、実施の形態1で示した部分と同一部分又は相当する部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する。
次に、本発明の実施の形態3に係る半導体レーザモジュールM3について図7〜図9を参照して説明する。なお、本実施の形態3において、実施の形態2で示した部分と同一部分又は相当する部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する。
20 光アイソレータ
21 入射側偏光子
21a 入射面
21b 出射面
22 出射側偏光子
23 ファラデー回転子
31 反射素子
32 透過素子
40 光検出部
41 基台
41a 主面
43 コリメートレンズ
45 集光レンズ
46 光ファイバ
50 光アイソレータ
51 ベース板
60 光検出部
61 フォトダイオード
62 エタロン
63 フォトダイオード
Claims (13)
- 前端面から直線偏光したレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
前記レーザ光が入射する入射側偏光子、該入射側偏光子を経た前記レーザ光を出射させる出射側偏光子、及び前記入射側偏光子と前記出射側偏光子の間に配置され前記レーザ光の偏光方向を回転させるファラデー回転子を有する光アイソレータと、
前記半導体レーザ素子と前記入射側偏光子との間に配置され、前記レーザ光が入射し、該レーザ光の一部を反射する反射素子と、
前記出射側偏光子の前記レーザ光出射面側に配置され前記レーザ光の方向を該レーザ光の前記反射素子への入射光の方向と一致させて出射させる透過素子と、
前記反射素子で反射された前記レーザ光を受光し前記レーザ光の特性に応じた電気信号を出力する光検出部と、
を有し、
前記反射素子の入射面及び出射面は、非平行で、かつ、該入射面からの分岐光の方向と該出射面からの他の分岐光の方向とが前記レーザ光の入射光軸に対して該入射光軸を挟んで異なる方向に進行するように傾斜していることを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 前記他の分岐光は、前記入射側偏光子、前記出射側偏光子、及び前記ファラデー回転子からの反射光を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記反射素子は、前記入射面及び前記出射面が非平行となる楔形状に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記反射素子及び前記透過素子は、同一形状からなり、前記光アイソレータの中心軸上の一点に関して点対称に配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光アイソレータ、前記反射素子、前記透過素子及び前記光検出部を主面上に搭載する基台を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記反射素子の前記入射面及び前記出射面は、前記主面に垂直であることを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光アイソレータは、前記反射素子、前記入射側偏光子、前記ファラデー回転子、前記出射側偏光子、及び前記透過素子を載置するベース板を有し、該ベース板が前記基台の前記主面上に固定されていることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記光検出部は、前記レーザ光の一部を受光し前記レーザ光の強度に応じた電気信号を出力する第1の受光素子と、前記レーザ光の一部が入射され波長に対して周期的な透過率特性を有するフィルタと、該フィルタを通過したレーザ光を受光し前記レーザ光の波長に応じた電気信号を出力する第2の受光素子とを有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体レーザ素子の前記前端面から出射された前記レーザ光をコリメートし、前記反射素子に向けて出射する第1のレンズを有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記透過素子を通過したレーザ光を集光する第2のレンズと、該第2のレンズによって集光されたレーザ光を受光する光ファイバとを有することを特徴とする請求項9に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体レーザ素子は、単一縦モード半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体レーザ素子は、分布帰還型半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体レーザ素子は、複数の単一縦モード半導体レーザと半導体光増幅器と前記複数の単一縦モード半導体レーザの出力を前記半導体光増幅器に導く合波器とを集積してなるアレイ型半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
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