JP3187482B2 - パッケージ型半導体レーザ装置 - Google Patents
パッケージ型半導体レーザ装置Info
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- JP3187482B2 JP3187482B2 JP28520691A JP28520691A JP3187482B2 JP 3187482 B2 JP3187482 B2 JP 3187482B2 JP 28520691 A JP28520691 A JP 28520691A JP 28520691 A JP28520691 A JP 28520691A JP 3187482 B2 JP3187482 B2 JP 3187482B2
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- laser chip
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光線の発光素子
として、半導体レーザチップを使用し、この半導体レー
ザチップの部分をキャップ体にてパッケージした半導体
レーザ装置の改良に関するものである。
として、半導体レーザチップを使用し、この半導体レー
ザチップの部分をキャップ体にてパッケージした半導体
レーザ装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のパッケージ型半導体レー
ザ装置は、例えば、特開昭６２−２１９６７２号公報又
は実開昭６２−５８０６６号公報等に記載され、且つ、
図１６〜図１８に示すように、炭素鋼等の金属にて直径
Ｄで、且つ、厚さＴの円盤型に形成した放熱板兼用のス
テム１の上面に、ヒートシンク体２を一体的に造形し
て、このヒートシンク体２の側面に、半導体レーザチッ
プ３をサブマウント４を介して装着する一方、前記ステ
ム１の上面に、ガラス等の透明窓６を備えたキャップ体
５を、前記ヒートシンク体２に被嵌するように装着する
ことによって、前記半導体レーザチップ３及びサブマウ
ント４の部分をパッケージするように構成していた。
ザ装置は、例えば、特開昭６２−２１９６７２号公報又
は実開昭６２−５８０６６号公報等に記載され、且つ、
図１６〜図１８に示すように、炭素鋼等の金属にて直径
Ｄで、且つ、厚さＴの円盤型に形成した放熱板兼用のス
テム１の上面に、ヒートシンク体２を一体的に造形し
て、このヒートシンク体２の側面に、半導体レーザチッ
プ３をサブマウント４を介して装着する一方、前記ステ
ム１の上面に、ガラス等の透明窓６を備えたキャップ体
５を、前記ヒートシンク体２に被嵌するように装着する
ことによって、前記半導体レーザチップ３及びサブマウ
ント４の部分をパッケージするように構成していた。
【０００３】但し、符号９は前記ステム１の上面におけ
る凹み部９ａ内に設けたモニター用ホォトダイオード
を、符号７ａは前記ステム１の下面に固着した第１リー
ド端子を、符号７ｂ及び７ｃは前記ステム１に穿設した
貫通孔１ａ，１ｂより挿入した第２及び第３リード端子
を各々示し、前記第２及び第３リード端子７ｂ，７ｃ
は、前記貫通孔１ａ，１ｂ内に絶縁シール材８を介して
固着され、更に、前記半導体レーザチップ３とサブマウ
ント４との間、前記第２リード端子７ｂとサブマウント
４との間、及び前記第３リード端子７ｃとモニター用ホ
ォトダイオード９との間は、前記キャップ体５内におい
て、細い金属線Ａ，Ｂ，Ｃにて接続されている。
る凹み部９ａ内に設けたモニター用ホォトダイオード
を、符号７ａは前記ステム１の下面に固着した第１リー
ド端子を、符号７ｂ及び７ｃは前記ステム１に穿設した
貫通孔１ａ，１ｂより挿入した第２及び第３リード端子
を各々示し、前記第２及び第３リード端子７ｂ，７ｃ
は、前記貫通孔１ａ，１ｂ内に絶縁シール材８を介して
固着され、更に、前記半導体レーザチップ３とサブマウ
ント４との間、前記第２リード端子７ｂとサブマウント
４との間、及び前記第３リード端子７ｃとモニター用ホ
ォトダイオード９との間は、前記キャップ体５内におい
て、細い金属線Ａ，Ｂ，Ｃにて接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来にお
けるパッケージ型半導体レーザ装置は、半導体レーザチ
ップ３を、ステム１から突出するブロック体２に対し
て、当該半導体レーザチップ３から発射されるレーザ光
線Ｅの軸線が前記ステム１の上面から上向き方向となる
ようにして装着したものである。
けるパッケージ型半導体レーザ装置は、半導体レーザチ
ップ３を、ステム１から突出するブロック体２に対し
て、当該半導体レーザチップ３から発射されるレーザ光
線Ｅの軸線が前記ステム１の上面から上向き方向となる
ようにして装着したものである。
【０００５】従って、前記パッケージ型半導体レーザ装
置において、前記レーザ光線Ｅの軸線に沿っての高さ寸
法Ｈは、少なくとも、前記ステム１の厚さＴにヒートシ
ンク２の高さ寸法を加算した値になることに加えて、前
記ステム１における厚さＴも、当該ステム１にヒートシ
ンク２を一体的に造形することのために薄くすることが
できず、前記の高さ寸法Ｈが可成り高くなるから、薄型
にすることができないと言う問題があった。
置において、前記レーザ光線Ｅの軸線に沿っての高さ寸
法Ｈは、少なくとも、前記ステム１の厚さＴにヒートシ
ンク２の高さ寸法を加算した値になることに加えて、前
記ステム１における厚さＴも、当該ステム１にヒートシ
ンク２を一体的に造形することのために薄くすることが
できず、前記の高さ寸法Ｈが可成り高くなるから、薄型
にすることができないと言う問題があった。
【０００６】しかも、前記従来のパッケージ型半導体レ
ーザ装置においては、ステム１の上面に、半導体レーザ
チップ３を装着するためのヒートシンク２を一体的に造
形する構成であって、前記ステム１にヒートシンク２を
一体的に造形することに多大の加工手数を必要とするか
ら、製造コストが大幅にアップすると言う問題もあっ
た。
ーザ装置においては、ステム１の上面に、半導体レーザ
チップ３を装着するためのヒートシンク２を一体的に造
形する構成であって、前記ステム１にヒートシンク２を
一体的に造形することに多大の加工手数を必要とするか
ら、製造コストが大幅にアップすると言う問題もあっ
た。
【０００７】本発明は、これらの問題を解消したパッケ
ージ型半導体レーザ装置を提供することを技術的課題と
するものである。
ージ型半導体レーザ装置を提供することを技術的課題と
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「薄金属板製の放熱板の上面に、半導
体レーザチップを、当該半導体レーザチップからのレー
ザ光線を前記放熱板の上面と略平行の方向に発射するよ
うに横向きに装着すると共に、前記放熱板の上面と対向
する部分に透明窓を備えたキャップ体を、前記半導体レ
ーザチップを覆うように装着し、更に、前記キャップ体
の内部に、前記半導体レーザチップから発射されるレー
ザ光線を前記透明窓に向かって方向変換するための反射
部を配設し、この反射部を、前記放熱板又は前記キャッ
プ体に一体的に設けた反射部用装着部に取付ける。」と
いう構成にした。
るため本発明は、「薄金属板製の放熱板の上面に、半導
体レーザチップを、当該半導体レーザチップからのレー
ザ光線を前記放熱板の上面と略平行の方向に発射するよ
うに横向きに装着すると共に、前記放熱板の上面と対向
する部分に透明窓を備えたキャップ体を、前記半導体レ
ーザチップを覆うように装着し、更に、前記キャップ体
の内部に、前記半導体レーザチップから発射されるレー
ザ光線を前記透明窓に向かって方向変換するための反射
部を配設し、この反射部を、前記放熱板又は前記キャッ
プ体に一体的に設けた反射部用装着部に取付ける。」と
いう構成にした。
【０００９】
【発明の作用及び効果】このように、放熱板の上面に、
半導体レーザチップを横向きに装着し、この半導体レー
ザチップからのレーザ光線を反射部によって、これら覆
うキャップ体における透明窓に向かって方向変換するよ
うに構成することにより、レーザ光線を、放熱板の上面
から反射部にて上向き方向に発射するものでありなが
ら、従来におけるパッケージ型半導体レーザ装置におい
て必要であったヒートシンクを省略することができるか
ら、前記レーザ光線の発射に沿っての高さ寸法を低くす
ることができると共に、放熱板の加工に要する手数を軽
減できるのであり、この場合において、前記半導体レー
ザチップを搭載した放熱板は、キャップ体外に露出して
いるので、前記放熱板に所定の放熱性を確保することが
できるのである。
半導体レーザチップを横向きに装着し、この半導体レー
ザチップからのレーザ光線を反射部によって、これら覆
うキャップ体における透明窓に向かって方向変換するよ
うに構成することにより、レーザ光線を、放熱板の上面
から反射部にて上向き方向に発射するものでありなが
ら、従来におけるパッケージ型半導体レーザ装置におい
て必要であったヒートシンクを省略することができるか
ら、前記レーザ光線の発射に沿っての高さ寸法を低くす
ることができると共に、放熱板の加工に要する手数を軽
減できるのであり、この場合において、前記半導体レー
ザチップを搭載した放熱板は、キャップ体外に露出して
いるので、前記放熱板に所定の放熱性を確保することが
できるのである。
【００１０】また、前記反射部の装着するための装着部
を、前記放熱板又はキャップ体に一体的に設けたことに
より、前記反射部を装着するために部品点数が多くなる
ことが回避でき、部品点数の低減を図ることができるの
である。
を、前記放熱板又はキャップ体に一体的に設けたことに
より、前記反射部を装着するために部品点数が多くなる
ことが回避でき、部品点数の低減を図ることができるの
である。
【００１１】従って、本発明によると、所定の放熱性を
有するパッケージ型半導体レーザ装置を、高さ寸法を低
くすることができることで薄型にすることができること
に加えて、放熱板の加工に要する手数の軽減と部品点数
の低減とによりその製造コストを大幅に低減できる効果
を有する。
有するパッケージ型半導体レーザ装置を、高さ寸法を低
くすることができることで薄型にすることができること
に加えて、放熱板の加工に要する手数の軽減と部品点数
の低減とによりその製造コストを大幅に低減できる効果
を有する。
【００１２】ところで、この種の半導体レーザ装置にお
いては、その半導体レーザチップから発射されるレーザ
光線をホォトダイオードにてモニターし、これに応じて
前記半導体レーザチップに対する印加電流を増減するこ
とによって、前記レーザ光線の強さを略一定に制御する
ことが行なわれるものであり、前記半導体レーザチップ
から発射されるレーザ光線をホォトダイオードにてモニ
ターする場合において、前記半導体レーザチップから発
射されるレーザ光線を反射するための反射部として、
「請求項２」に記載したように、表面にレーザ光線の一
部が透過する反射膜を形成したモニター用ホォトダイオ
ードを使用することにより、半導体レーザチップから発
射するレーザ光線を、前記ホォトダイオードにて直接的
にモニターすることができるから、モニターの出力を高
くすることができると共に、レーザ光線のモニターによ
る制御精度を向上できるのであり、しかも、モニター用
ホォトダイオードを反射部に兼用できるので、部品点数
を少なくできて、コストの低減を図ることができるので
ある。
いては、その半導体レーザチップから発射されるレーザ
光線をホォトダイオードにてモニターし、これに応じて
前記半導体レーザチップに対する印加電流を増減するこ
とによって、前記レーザ光線の強さを略一定に制御する
ことが行なわれるものであり、前記半導体レーザチップ
から発射されるレーザ光線をホォトダイオードにてモニ
ターする場合において、前記半導体レーザチップから発
射されるレーザ光線を反射するための反射部として、
「請求項２」に記載したように、表面にレーザ光線の一
部が透過する反射膜を形成したモニター用ホォトダイオ
ードを使用することにより、半導体レーザチップから発
射するレーザ光線を、前記ホォトダイオードにて直接的
にモニターすることができるから、モニターの出力を高
くすることができると共に、レーザ光線のモニターによ
る制御精度を向上できるのであり、しかも、モニター用
ホォトダイオードを反射部に兼用できるので、部品点数
を少なくできて、コストの低減を図ることができるので
ある。
【００１３】また、半導体レーザ装置には、その半導体
レーザチップに対して電流を印加等するための複数本の
リード端子が必要であるが、この各リード端子を、「請
求項３」に記載したように、放熱板に対して導体膜の配
線パターンとして形成することにより、これらのリード
端子を形成することが、当該各リード端子をキャップ体
側に形成する場合よりも簡単にできるから、製造コスト
を低減できるのである。
レーザチップに対して電流を印加等するための複数本の
リード端子が必要であるが、この各リード端子を、「請
求項３」に記載したように、放熱板に対して導体膜の配
線パターンとして形成することにより、これらのリード
端子を形成することが、当該各リード端子をキャップ体
側に形成する場合よりも簡単にできるから、製造コスト
を低減できるのである。
【００１４】更にまた、前記キャップ体を、「請求項
４」に記載したように、透光性を有する合成樹脂等にて
一体的に形成することにより、部品点数が少なくなると
共に、製造工程が簡単になるから、製造コストを大幅に
低減できるのである。
４」に記載したように、透光性を有する合成樹脂等にて
一体的に形成することにより、部品点数が少なくなると
共に、製造工程が簡単になるから、製造コストを大幅に
低減できるのである。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面について説明す
る。
る。
【００１６】図１〜図４は、第１の実施例であって、こ
の図において符号１０は、本発明によるパッケージ型の
半導体レーザ装置を示し、このパッケージ型半導体レー
ザ装置１０は、放熱板１１と、該放熱板１１に対向する
部分にガラス等の透明窓を備えたキャップ体１２とによ
って構成されている。
の図において符号１０は、本発明によるパッケージ型の
半導体レーザ装置を示し、このパッケージ型半導体レー
ザ装置１０は、放熱板１１と、該放熱板１１に対向する
部分にガラス等の透明窓を備えたキャップ体１２とによ
って構成されている。
【００１７】前記放熱板１１は、炭素鋼板又は銅板或い
はアルミ板の表面にＡｕ等の金属メッキを施したものに
構成され、その上面には、上面の一部にモニター用ホォ
トダイオード１４を備えたサブマウント１３が固着さ
れ、このサブマウント１３の上面に、半導体レーザチッ
プ１５を、当該半導体レーザチップ１５における前方劈
開面１５ａからのレーザ光線を前記放熱板１１の上面の
略平行の方向に発射するように横向きに固着する。
はアルミ板の表面にＡｕ等の金属メッキを施したものに
構成され、その上面には、上面の一部にモニター用ホォ
トダイオード１４を備えたサブマウント１３が固着さ
れ、このサブマウント１３の上面に、半導体レーザチッ
プ１５を、当該半導体レーザチップ１５における前方劈
開面１５ａからのレーザ光線を前記放熱板１１の上面の
略平行の方向に発射するように横向きに固着する。
【００１８】一方、前記透明窓を備えたキャップ体１２
は、セラミック等の耐熱絶縁体製の枠型本体１６と、こ
の枠型本体１６の上面に接着剤又はガラス用金属半田１
８にて接合したガラス板１７とによって構成され、この
キャップ体１２を、前記放熱板１１の上面に、前記半導
体レーザチップ１５及びサブマウント１３に対して被嵌
するように載置したのち、放熱板１１に対して接着剤又
は低温金属半田１９にて固着する。
は、セラミック等の耐熱絶縁体製の枠型本体１６と、こ
の枠型本体１６の上面に接着剤又はガラス用金属半田１
８にて接合したガラス板１７とによって構成され、この
キャップ体１２を、前記放熱板１１の上面に、前記半導
体レーザチップ１５及びサブマウント１３に対して被嵌
するように載置したのち、放熱板１１に対して接着剤又
は低温金属半田１９にて固着する。
【００１９】そして、前記キャップ体１２の枠型本体１
６における内面のうち前記半導体レーザチップ１５に対
向する部位には、反射部用の装着部２０を一体的に設け
て、この装着部２０に、前記半導体レーザチップ１５に
おける前方劈開面１５ａから発射されるレーザ光線Ｅ
を、前記キャップ体１２におけるガラス板１７に向かっ
て方向変換するようにした反射部２１を固着する。
６における内面のうち前記半導体レーザチップ１５に対
向する部位には、反射部用の装着部２０を一体的に設け
て、この装着部２０に、前記半導体レーザチップ１５に
おける前方劈開面１５ａから発射されるレーザ光線Ｅ
を、前記キャップ体１２におけるガラス板１７に向かっ
て方向変換するようにした反射部２１を固着する。
【００２０】なお、この第１の実施例の場合、放熱板１
１のそれ自身が、前記半導体レーザチップ１５に対する
第１リード端子を兼ねており、また、前記半導体レーザ
チップ１５及びモニター用ホォトダイオード１４の各々
に対する第２及び第３リード端子２２，２３は、前記キ
ッャプ体１２における枠型本体１６の内部に形成されて
いる。更にまた、図３に示すように、前記サブマウント
１３の上面のうち半導体レーザチップ１５における後方
劈開面１５ｂとモニター用ホォトダイオード１４との間
には、前記後方劈開面１５ｂから発射されるモニター用
レーザ光線をモニター用ホォトダイオード１４に導くた
めの透明又は半透明合成樹脂製の導波体２４が塗着され
ている。
１のそれ自身が、前記半導体レーザチップ１５に対する
第１リード端子を兼ねており、また、前記半導体レーザ
チップ１５及びモニター用ホォトダイオード１４の各々
に対する第２及び第３リード端子２２，２３は、前記キ
ッャプ体１２における枠型本体１６の内部に形成されて
いる。更にまた、図３に示すように、前記サブマウント
１３の上面のうち半導体レーザチップ１５における後方
劈開面１５ｂとモニター用ホォトダイオード１４との間
には、前記後方劈開面１５ｂから発射されるモニター用
レーザ光線をモニター用ホォトダイオード１４に導くた
めの透明又は半透明合成樹脂製の導波体２４が塗着され
ている。
【００２１】このように構成すると、半導体レーザチッ
プ１５を、放熱板１１の上面に対して横向きに装着した
ものでありながら、この横向きの半導体レーザチップ１
５における前方劈開面１５ａからのレーザ光線Ｅを、反
射部２１による方向変換によって、キャップ体１２にお
けるガラス板１７を透して放熱板１１の上面から上向き
の方向に発射することができるのである。
プ１５を、放熱板１１の上面に対して横向きに装着した
ものでありながら、この横向きの半導体レーザチップ１
５における前方劈開面１５ａからのレーザ光線Ｅを、反
射部２１による方向変換によって、キャップ体１２にお
けるガラス板１７を透して放熱板１１の上面から上向き
の方向に発射することができるのである。
【００２２】従って、半導体レーザチップ１５を、放熱
板１１の上面に対して縦向きにして装着することを必要
としないから、従来のパッケージ型半導体レーザ装置に
おいて、半導体レーザチップを縦向きに取付けることの
ために必要であったヒートシンクを廃止することができ
るのである。
板１１の上面に対して縦向きにして装着することを必要
としないから、従来のパッケージ型半導体レーザ装置に
おいて、半導体レーザチップを縦向きに取付けることの
ために必要であったヒートシンクを廃止することができ
るのである。
【００２３】図５及び図６は、第２の実施例を示すもの
で、この第２の実施例は、放熱板１１の上面にサブマウ
ント１３を介して横向きに装着した半導体レーザチップ
１５における後方劈開面１５ｂを反射膜２５にて完全に
塞ぐことによって、レーザ光線の全てが前方劈開面１５
ａから発射するようにする一方、前記キャップ体１２の
枠型本体１６内における反射部用装着部２０に、モニタ
ー用のホォトダイオード２６を装着し、このホォトダイ
オード２６の表面に、前記半導体レーザチップ１５にお
ける前方劈開面１５ａから発射されるレーザ光線の大部
分（約８０％）をキャップ１２におけるガラス板１７に
向かって方向変換し残りのレーザ光線をホォトダイオー
ド２６に対して透すようにした反射膜２１ａを設けたも
のである。
で、この第２の実施例は、放熱板１１の上面にサブマウ
ント１３を介して横向きに装着した半導体レーザチップ
１５における後方劈開面１５ｂを反射膜２５にて完全に
塞ぐことによって、レーザ光線の全てが前方劈開面１５
ａから発射するようにする一方、前記キャップ体１２の
枠型本体１６内における反射部用装着部２０に、モニタ
ー用のホォトダイオード２６を装着し、このホォトダイ
オード２６の表面に、前記半導体レーザチップ１５にお
ける前方劈開面１５ａから発射されるレーザ光線の大部
分（約８０％）をキャップ１２におけるガラス板１７に
向かって方向変換し残りのレーザ光線をホォトダイオー
ド２６に対して透すようにした反射膜２１ａを設けたも
のである。
【００２４】なお、この第２の実施例では、前記キャッ
プ体１２における枠型本体１６は、液晶ポリマーによっ
て形成され、更に、この図において符号２２ａは、前記
半導体レーザチップ１５に対する第２リード端子を、符
号２３ａ，２３ｂは、前記モニター用ホォトダイオード
２６に対するリード端子を各々示し、これら各リード端
子２２ａ，２３ａ，２３ｂは、前記キャップ体１２にお
ける液晶ポリマー製枠型本体１６の表面に形成されてい
る。
プ体１２における枠型本体１６は、液晶ポリマーによっ
て形成され、更に、この図において符号２２ａは、前記
半導体レーザチップ１５に対する第２リード端子を、符
号２３ａ，２３ｂは、前記モニター用ホォトダイオード
２６に対するリード端子を各々示し、これら各リード端
子２２ａ，２３ａ，２３ｂは、前記キャップ体１２にお
ける液晶ポリマー製枠型本体１６の表面に形成されてい
る。
【００２５】この第２の実施例によると、半導体レーザ
チップ１５における前方劈開面１５ａから発射するレー
ザ光線Ｅを、ホォトダイオード２６にて直接的にモニタ
ーすることができるから、モニターの出力を高くするこ
とができると共に、レーザ光線のモニターによる制御精
度を向上できる利点がある。
チップ１５における前方劈開面１５ａから発射するレー
ザ光線Ｅを、ホォトダイオード２６にて直接的にモニタ
ーすることができるから、モニターの出力を高くするこ
とができると共に、レーザ光線のモニターによる制御精
度を向上できる利点がある。
【００２６】次に、図７及び図８は、第３の実施例を示
し、この第３の実施例は、薄金属板製の放熱板１１に対
して平面コ字状の切り線２７を刻設し、その内側の部分
を、上向きに折り曲げることによって、前記反射部２１
を装着するための装着部２０ａを一体的に形成するよう
にしたものである。
し、この第３の実施例は、薄金属板製の放熱板１１に対
して平面コ字状の切り線２７を刻設し、その内側の部分
を、上向きに折り曲げることによって、前記反射部２１
を装着するための装着部２０ａを一体的に形成するよう
にしたものである。
【００２７】なお、前記のように、平面コ字状の切り線
２７を刻設し、その内側の部分を上向きに折り曲げるこ
とによって反射部用の装着部２０ａを形成するようにす
ると、前記切り線２７の部分には、貫通孔２７ａが形成
されることになるが、この貫通孔２７ａは、合成樹脂２
８の充填によって塞ぐようにする。
２７を刻設し、その内側の部分を上向きに折り曲げるこ
とによって反射部用の装着部２０ａを形成するようにす
ると、前記切り線２７の部分には、貫通孔２７ａが形成
されることになるが、この貫通孔２７ａは、合成樹脂２
８の充填によって塞ぐようにする。
【００２８】そして、この第３の実施例は、前記各実施
例のようにキャップ体１２側に反射部装着用の装着部２
０を一体的に設けることに代えて、放熱板１１側に反射
部装着用の装着部２０ａを一体的に設けたものである。
例のようにキャップ体１２側に反射部装着用の装着部２
０を一体的に設けることに代えて、放熱板１１側に反射
部装着用の装着部２０ａを一体的に設けたものである。
【００２９】特に、放熱板１１側に反射部装着用の装着
部２０ａを一体的に設けた場合には、レーザチップ１５
と、これに対する反射部２１とを、別の部品ではなく、
一つの放熱板１１に対して装着することができるので、
前記半導体レーザチップ１５とこれに対する反射部２１
との間における寸法及び角度の精度、つまり、レーザ光
線Ｄの発射角度及び発射位置の精度を、前記反射部用の
装着部２０をキャップ体１２側に一体的に設ける場合よ
りも大幅に向上できるのであり、しかも、放熱板１１に
対して前記半導体レーザチップ１５及び反射部２１を装
着したのち、キャップ体１２を装着すれば良くて、組立
て工程が、前記反射部２１をキャップ体１２側に装着す
る場合よりも簡単になるから、製造コストを、前記第１
〜第３の実施例の場合よりも低減できる利点がある。
部２０ａを一体的に設けた場合には、レーザチップ１５
と、これに対する反射部２１とを、別の部品ではなく、
一つの放熱板１１に対して装着することができるので、
前記半導体レーザチップ１５とこれに対する反射部２１
との間における寸法及び角度の精度、つまり、レーザ光
線Ｄの発射角度及び発射位置の精度を、前記反射部用の
装着部２０をキャップ体１２側に一体的に設ける場合よ
りも大幅に向上できるのであり、しかも、放熱板１１に
対して前記半導体レーザチップ１５及び反射部２１を装
着したのち、キャップ体１２を装着すれば良くて、組立
て工程が、前記反射部２１をキャップ体１２側に装着す
る場合よりも簡単になるから、製造コストを、前記第１
〜第３の実施例の場合よりも低減できる利点がある。
【００３０】また、このように反射部用の装着部を、放
熱板１１側に一体的に設けるに際しては、図９及び図１
０に示す第４の実施例のように、放熱板１１を部分的に
凹み変形するようにした形態の反射部用装着部２１ｂに
構成するようにしても良く、このようにすることによ
り、前記第３の実施例のように貫通孔２７ａを合成樹脂
にて塞ぐことを必要としないのである。しかし、前記第
３の実施例のような形態の反射部用の装着部２０ａに構
成すると、反射部２１の傾斜角度を微細に調節すること
ができる。
熱板１１側に一体的に設けるに際しては、図９及び図１
０に示す第４の実施例のように、放熱板１１を部分的に
凹み変形するようにした形態の反射部用装着部２１ｂに
構成するようにしても良く、このようにすることによ
り、前記第３の実施例のように貫通孔２７ａを合成樹脂
にて塞ぐことを必要としないのである。しかし、前記第
３の実施例のような形態の反射部用の装着部２０ａに構
成すると、反射部２１の傾斜角度を微細に調節すること
ができる。
【００３１】更にまた、図１１〜図１３は、第５の実施
例を示し、この第５の実施例は、放熱板１１の上面に絶
縁膜２９を形成し、この絶縁膜２９の表面に、サブマウ
ント１３の上面における半導体レーザチップ１５に対す
る第１リード端子３０と、第２及び第３リード端子２２
ｂ，２３ｃとを、導体膜の配線パターンとして形成した
ものであり、このように、前記各リード端子３０，２２
ｂ，２３ｃを、放熱板１１に対して導体膜の配線パター
ンとして形成することにより、これらのリード端子を形
成することが、当該各リード端子を前記各実施例のよう
に、キャップ体１２における枠型本体１６側に形成する
場合よりも簡単にできるから、製造コストを、前記第１
〜第４の実施例の場合よりも低減できるのである。
例を示し、この第５の実施例は、放熱板１１の上面に絶
縁膜２９を形成し、この絶縁膜２９の表面に、サブマウ
ント１３の上面における半導体レーザチップ１５に対す
る第１リード端子３０と、第２及び第３リード端子２２
ｂ，２３ｃとを、導体膜の配線パターンとして形成した
ものであり、このように、前記各リード端子３０，２２
ｂ，２３ｃを、放熱板１１に対して導体膜の配線パター
ンとして形成することにより、これらのリード端子を形
成することが、当該各リード端子を前記各実施例のよう
に、キャップ体１２における枠型本体１６側に形成する
場合よりも簡単にできるから、製造コストを、前記第１
〜第４の実施例の場合よりも低減できるのである。
【００３２】なお、この第５の実施例においては、半導
体レーザチップ１５付きのサブマウント１３を、放熱板
１１に対して絶縁膜を介することなく直接的に装着する
一方、前記第２及び第３リード端子２２ｂ，２３ｃのみ
を、前記放熱板１１の表面に絶縁膜を介して形成するこ
とによって、前記第１リード端子３０を、放熱板１１に
て兼用するように構成しても良いのである。
体レーザチップ１５付きのサブマウント１３を、放熱板
１１に対して絶縁膜を介することなく直接的に装着する
一方、前記第２及び第３リード端子２２ｂ，２３ｃのみ
を、前記放熱板１１の表面に絶縁膜を介して形成するこ
とによって、前記第１リード端子３０を、放熱板１１に
て兼用するように構成しても良いのである。
【００３３】また、前記放熱板１１に、図１４に示すよ
うに、キャップ体１２からの延長部１１ａを設けて、こ
の延長部１１ａに、半導体レーザ装置１０の取付け孔３
１を穿設するように構成しても良いのである。
うに、キャップ体１２からの延長部１１ａを設けて、こ
の延長部１１ａに、半導体レーザ装置１０の取付け孔３
１を穿設するように構成しても良いのである。
【００３４】更にまた、前記各実施例は、キャップ体１
２を、枠型本体１６と、その上面に接着材又はガラス用
金属半田１８にて接合したガラス板１７とによって構成
した場合を示したが、本発明は、これに限らず、図１５
に示すように、透光性を有する合成樹脂等にて一体的に
形成したキャップ体１２ａにするようにしても良く、こ
のようにすることにより、部品点数が少なくなると共
に、製造工程が簡単になるから、製造コストを大幅に低
減できるのである。
２を、枠型本体１６と、その上面に接着材又はガラス用
金属半田１８にて接合したガラス板１７とによって構成
した場合を示したが、本発明は、これに限らず、図１５
に示すように、透光性を有する合成樹脂等にて一体的に
形成したキャップ体１２ａにするようにしても良く、こ
のようにすることにより、部品点数が少なくなると共
に、製造工程が簡単になるから、製造コストを大幅に低
減できるのである。
【図１】本発明における第１の実施例による半導体レー
ザ装置の縦断正面図である。
ザ装置の縦断正面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図１の要部拡大図である。
【図４】第１の実施例による半導体レーザ装置を分解し
た状態の斜視図である。
た状態の斜視図である。
【図５】本発明における第２の実施例による半導体レー
ザ装置の縦断正面図である。
ザ装置の縦断正面図である。
【図６】第２の実施例による半導体レーザ装置の斜視図
である。
である。
【図７】本発明における第３の実施例による半導体レー
ザ装置の縦断正面図である。
ザ装置の縦断正面図である。
【図８】第３の実施例の半導体レーザ装置における放熱
板の斜視図である。
板の斜視図である。
【図９】本発明における第４の実施例による半導体レー
ザ装置の縦断正面図である。
ザ装置の縦断正面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ視断面図である。
【図１１】本発明における第５の実施例による半導体レ
ーザ装置の縦断正面図である。
ーザ装置の縦断正面図である。
【図１２】図１１のXII −XII 視平断面図である。
【図１３】第５の実施例の半導体レーザ装置における放
熱板の斜視図である。
熱板の斜視図である。
【図１４】本発明における他の実施例を示す斜視図であ
る。
る。
【図１５】本発明における更に他の実施例を示す分解状
態の斜視図である。
態の斜視図である。
【図１６】従来における半導体レーザ装置の縦断正面図
である。
である。
【図１７】図１６のXVII−XVII視断面図である。
【図１８】図６のXVIII −XVIII 視断面図である。
【符号の説明】 １０ 半導体レーザ装置 １１ 放熱板 １２，１２ａ キャップ体 １３ サブマウント １５ 半導体レーザチップ １６ 枠型本体 １７ ガラス板 ２０，２０ａ，２０ｂ 反射部用装着部 ２１，２１ａ 反射部 ２２，２３，２２ａ，２３ａ，２３ｂ，２２ｂ，２３
ｃ，３０ リード端子 ２６ モニター用ホォトダイオード
ｃ，３０ リード端子 ２６ モニター用ホォトダイオード
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−193336（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−253678（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−125687（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−303779（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−90585（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−270382（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−88259（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−185243（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (4)
- 【請求項１】薄金属板製の放熱板の上面に、半導体レー
ザチップを、当該半導体レーザチップからのレーザ光線
を前記放熱板の上面と略平行の方向に発射するように横
向きに装着すると共に、前記放熱板の上面と対向する部
分に透明窓を備えたキャップ体を、前記半導体レーザチ
ップを覆うように装着し、更に、前記キャップ体の内部
に、前記半導体レーザチップから発射されるレーザ光線
を前記透明窓に向かって方向変換するための反射部を配
設し、この反射部を、前記放熱板又は前記キャップ体に
一体的に設けた反射部用装着部に取付けたことを特徴と
するパッケージ型半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記請求項１の記載において、前記反射部
を、表面にレーザ光線の一部が透過する反射膜を形成し
たモニター用ホォトダイオードにて構成した ことを特徴
とするパッケージ型半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記請求項１又は２の記載において、前記
放熱板の上面に、前記半導体チップに対する各種のリー
ド端子を、導体膜の配線パターンとして形成した ことを
特徴とするパッケージ型半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記請求項１〜３のいずれかの記載におい
て、前記キャップ体を、透光性を有する合成樹脂等にて
一体的に形成した ことを特徴とするパッケージ型半導体
レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28520691A JP3187482B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | パッケージ型半導体レーザ装置 |
| US07/967,279 US5327443A (en) | 1991-10-30 | 1992-10-27 | Package-type semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28520691A JP3187482B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | パッケージ型半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129711A JPH05129711A (ja) | 1993-05-25 |
| JP3187482B2 true JP3187482B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=17688479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28520691A Expired - Lifetime JP3187482B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | パッケージ型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3187482B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11570410B2 (en) | 2020-04-28 | 2023-01-31 | Dexerials Corporation | Laser device, projection type image display device and sensing device |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1685578B (zh) | 2002-09-30 | 2010-12-08 | 三洋电机株式会社 | 发光元件 |
| JP2006032454A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザパッケージおよび半導体レーザパッケージの製造方法 |
| JP2006032765A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザパッケージ |
| JP2006324409A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 |
| JP2006245624A (ja) * | 2006-06-19 | 2006-09-14 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP5326204B2 (ja) | 2006-11-29 | 2013-10-30 | 富士通株式会社 | 発光部品及びその製造方法及び発光部品組立体及び電子装置 |
| JP7014645B2 (ja) | 2018-03-06 | 2022-02-01 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP7231809B2 (ja) * | 2018-06-05 | 2023-03-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2020113718A (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP28520691A patent/JP3187482B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11570410B2 (en) | 2020-04-28 | 2023-01-31 | Dexerials Corporation | Laser device, projection type image display device and sensing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05129711A (ja) | 1993-05-25 |
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