JP2006032765A

JP2006032765A - 半導体レーザパッケージ

Info

Publication number: JP2006032765A
Application number: JP2004211440A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Fujikawa; 康夫藤川
Original assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Current assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date: 2004-07-20
Filing date: 2004-07-20
Publication date: 2006-02-02

Abstract

【課題】薄型で低コスト、かつ光ケラレの影響を避けるためのマージンを拡大した半導体レーザパッケージの提供。
【解決手段】半導体レーザパッケージ１は、ステム２、キャップ３、ＬＤ４、ミラー５、アノード用リード６、カソード用リード７、ワイヤ１１を有している。ステム２を熱処理して、ＬＤ４、ミラー５をステム２上に固着する。次に、ＬＤ４のアノードをワイヤ１１の一端にワイヤボンディングで接続し、ワイヤ１１の他端をアノードリード６にワイヤボンディングで接続する。図１（ｂ）に示されているように、ＬＤ４の出射光の長軸方向は、キャップ３の有効径３ｘの長軸方向Ｐに形成されている。このため、キャップ３の有効径３ｘの短軸方向Ｑ縁部と、出射光４ｘの短軸方向の縁部間の長さＷｂは拡大されており、光ケラレの影響を避けることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、ノートＰＣ、小型情報機器システムなどに使用される薄型の半導体レーザパッケージに関するものである。

ノートＰＣ、小型情報機器システムなどに使用される半導体レーザパッケージは、省スペースの観点から薄型であることが要求されている。ここで、薄型化の要求とは、半導体レーザ（ＬＤ）の光軸方向に対して、垂直である面（幅方向と厚さ方向）のどちらか一軸方向の寸法が小さいことの要求である。このような要求に対処するために、Ｉカットパッケージが用いられている。半導体レーザパッケージは、信頼性を高めるために気密封止構造のパッケージを採用されている。このような気密封止は、キャップをステムに溶接することにより行われており、この形態のパッケージは最も量産性があり、気密性にも優れている。

図１０は、前記のような気密封止構造のパッケージを採用した半導体レーザパッケージ２１の例を示す説明図、図１１は、図１０の構成の断面形状を示す説明図である。図１０、図１１において、２２はステム、２３はキャップ、２４はステムのブロック、２５はステムのフランジ、２６はキャップ２３に付設されるカバーガラス、２７はＬＤ、２８はリード、２９はワイヤである。光軸はＬ方向であるものとする。キャップ２３はステムのフランジ２５に溶接により固定される。この場合には、半導体レーザパッケージ２１の薄型化の要求は、光軸方向に対して垂直である一軸のＸ方向の寸法（幅方向の寸法）が小さいことの要求となる。特許文献１には、図１０に示されているような半導体レーザパッケージにおいて、放熱特性を改善した例が記載されている。

図１１（ａ）には、半導体レーザパッケージの各部間の寸法Ａ〜Ｆが示されている。半導体レーザパッケージにおいて、前記薄型であることが要求されるＸ軸方向の各部材間の寸法Ａ〜Ｆは、表１のようになる（単位はｍｍ）。ここに、Ａはステムのフランジ２５の外周とキャップ２３の鍔部２３ａの端部間の寸法（０．１５）、Ｂはキャップ２３の鍔部２３ａとキャップ２３の円筒状部の外周間の寸法（０．３）、Ｃはキャップ２３の円筒状部の外周とキャップ２３の円筒状部の内周間の寸法（０．１５）、Ｄはキャップ２３の円筒状部の内周とステムのブロック２４の外側との間の寸法（０．１５）、Ｅはステムのブロック２４の外側と内側との間の寸法（０．６）、ＦはＬＤ２７の厚さの寸法（０．１５）である。

表１に示されているように、半導体レーザパッケージ２１において、Ａ〜Ｆの寸法は、放熱特性を良好にしなければならない、などの要因で小さくすることには一定の制約を受けており、合計で１．５ｍｍである。したがって、図１０、図１１に示された半導体レーザパッケージのＸ方向寸法は、その２倍の３ｍｍが限界となっており、それよりも小さい寸法にはできない。

図１１（ａ）において、ＬＤ２７の出射光２７ｘの長軸方向は、図１１（ｂ）に示されるようにキャップ２３の有効径２３ｘの短軸方向（カバーガラス２６の幅方向）と同じ方向に形成される。図１１（ａ）のＬｂ、Ｌｃは、ＬＤ２７の出射光がキャップ２３で反射し、パッケージ内に迷光として散乱する外縁の部分を示している。

図１１（ｂ）に示されているように、ＬＤ２７の出射光２７ｘの長軸方向は、キャップ２３の有効径２３ｘの短軸方向Ｑに形成されており、キャップ２３の有効径２３ｘの短軸方向縁部と、出射光２７ｘの長軸方向の縁部間の長さＷａは小さな値になっている。ここで、図１１（ａ）に示されているような反射光Ｌｂ、Ｌｃは、出射光２７ｘ対して光干渉などの影響を及ぼす、光ケラレという現象が生じる。具体的には、反射光Ｌｂ、ＬｃがＬＤ２７に戻って、ＬＤＮノイズを高めたり、利用するレーザ光内に迷光が混入することにより、半導体レーザの光学特性が劣化してしまうことである。

このため、キャップ２３の有効径２３ｘの短軸方向縁部と、出射光２７ｘの縁部間の長さＷａは可能な限り大きいことが望ましい。すなわち、Ｌｂ、Ｌｃの反射光は、キャップ２３の有効径２３ｘの短軸Ｑ方向縁部で反射するので、出射光２７ｘの縁部は、可能な限り有効径２３ｘの長軸Ｐ方向の軸心に近い方が光ケラレの影響を避けることができる。

特開２００４−３１９００号公報

最近のノートＰＣのような情報機器の小型化に伴い、半導体レーザパッケージに対して一層の薄型化の要請がなされてきている。その寸法の具体例として、幅方向で２ｍｍ程度のものが要求されている。このため、幅方向の寸法が最小でも３ｍｍである、前記のようなＩカットパッケージでは対応できないという問題があった。

また、図１０、図１１の構成では、ＬＤ２７の出射光２７ｘの長軸方向は、キャップ２３の有効径２３ｘの短軸方向（カバーガラス２６の幅方向）と同じ方向に形成されている。このため、出射光２７ｘの長軸方向の縁部がキャップ２３の短軸方向の縁部に近接し、前記光ケラレの影響を避けるための短軸方向の有効径のマージン（Ｗａ）が限られているという問題があった。なお、出射光２７ｘの長軸方向の大きさを小さくすれば光ケラレの影響を避けることができるが、ＬＤの量産性が悪くなるという問題が生じる。

本発明は上記のような問題に鑑み、薄型で低コスト、かつ光ケラレの影響を避けるためのマージンを拡大した半導体レーザパッケージの提供を目的とする。

（１）上記目的を達成するために、本発明の第１の半導体レーザパッケージは、ステムと、カバーガラスを付設したキャップと、半導体レーザ（ＬＤ）と、前記ＬＤの出力光を反射して光軸方向を変えるミラーと、前記ステムの封止穴に挿入される正負一対のリードとを備え、前記ＬＤとミラーを前記ステムの平面に固着すると共に、前記キャップを前記ステムに固着して気密封止し、前記ＬＤの出力光を前記カバーガラスから出射する半導体レーザパッケージであって、前記キャップの有効径の長軸方向と、前記ＬＤの出射光の長軸方向を同じ方向とすることを特徴とする。第１の半導体レーザパッケージは、図１の構成が対応する。この構成によれば、カソードコモンタイプの半導体レーザパッケージにおいて、キャップの有効径に対する光ケラレのマージンを拡大することができる。さらに、ＬＤの放熱経路にＬＤ実装用のブロックが存在しないので、低熱抵抗であり、薄型化、気密封止を可能にする。

（２）本発明の第１の半導体レーザパッケージは、前記ＬＤは両面電極として、前記ＬＤの一方の電極を前記リードの一方とワイヤで接続し、前記ＬＤの他方の電極を前記ステムに形成されて前記ミラー下部を通る導電パターンを介して前記リードの他方に接続することを特徴とする。この構成によれば、ＬＤの両面電極の通電部材は光路の妨げとならないように配置されるので、通電部材による光ケラレの発生を防止することができる。

（３）本発明の第２の半導体レーザパッケージは、ステムと、カバーガラスを付設したキャップと、サブマウント用基板と、半導体レーザ（ＬＤ）と、前記ＬＤの出力光を反射して光軸方向を変えるミラーと、前記ステムの封止穴に挿入される正負一対のリードとを備え、前記ＬＤとミラーを前記サブマウント用基板に半田材料Ａで固着し、前記サブマウント用基板を半田材料Ｂで前記ステムに固着すると共に、前記キャップを前記ステムに固着して気密封止し、前記ＬＤの出力光を前記カバーガラスから出射する半導体レーザパッケージであって、前記キャップの有効径の長軸方向と、前記ＬＤの出射光の長軸方向を同じ方向とすることを特徴とする。第２の半導体レーザパッケージは、図３〜図８に記載の構成が対応する。この構成によれば、サブマウント用基板にＬＤとミラーを実装したフローティング用パッケージを構成した際に、キャップの有効径に対する光ケラレのマージンを拡大することができる。

（４）本発明の第２の半導体レーザパッケージは、前記ＬＤは両面電極として、前記ＬＤ一方の電極を前記リードの一方とワイヤで接続し、前記ＬＤの他方の電極を前記ミラーの下部に形成される導電パターンを介して前記リードの他方にワイヤで接続することを特徴とする。この構成によれば、ＬＤの両面電極と接続されるワイヤが光路の妨げにならないので、光ケラレの発生を防止することができる。

（５）本発明の第２の半導体レーザパッケージは、前記サブマウント用基板がＡｌＮ、ＳｉＣからなる焼結材であることを特徴とする。この構成によれば、基板の放熱特性が向上し、ＬＤを安定して動作させることができる。

（６）本発明の第２の半導体レーザパッケージは、前記半田材料Ａの融点は、前記半田材料Ｂの融点よりも所定温度以上高いことを特徴とする。このように、
融点の異なる２種類の半田材料を用いることにより、２回の熱処理で半導体レーザパッケージを気密封止する際にＬＤとミラーの位置ずれを防止し、精度よくＬＤの出力光を出射することができる。

（７）本発明の第２の半導体レーザパッケージは、前記サブマウント用基板上に複数のＬＤとバー状ミラーを実装し、前記ＬＤとミラーが対になるようにダイシングによりチップ化したことを特徴とする。この発明は、図９に記載の構成が対応する。このように、パッケージをウェハレベルで処理するため、材料費、加工費を低減することができる。

（８）本発明の第１、第２の半導体レーザパッケージは、前記ＬＤが窒化物半導体レーザであることを特徴とする。窒化物半導体レーザは、気密封止を行わないと寿命が短くなる特性がある。本発明の半導体レーザパッケージの気密性が高いので、窒化物半導体レーザの寿命を長くすることができる。

本発明の半導体レーザパッケージは、薄型で低コスト、かつ光ケラレの影響を避けるためのマージンを拡大することができる。

以下図に基づいて本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態にかかる構成を分解して示す説明図、図２は図１の部分的な断面形状を示す説明図である。図１（ａ）、図２において、半導体レーザパッケージ１は、ステム２、キャップ３、ＬＤ４、ミラー５、正負一対のリード、この例では、アノード用リード６、カソード用リード７、ワイヤ１１を有している。ＬＤ４は両面電極として、ステム２のＬＤ４およびミラー５の載置面には、適宜の導電パターン、例えば金パターンが形成されている。また、金パターンの上には適宜の半田材料、例えば融点が２８３℃の金錫を塗布する。

ステム２を熱処理して、ＬＤ４、ミラー５を前記半田材料によりステム２上に固着する。次に、ＬＤ４のアノードをワイヤ１１の一端にワイヤボンディングで接続し、ワイヤ１１の他端をアノードリード６に接続する。アノード用リード６はステム２に形成された封止穴に挿入されており、リード封止用ガラス１４で固定される。ＬＤ４のカソードは、前記ミラー５の下部に形成される金パターンを通して直接にカソード用リード７に導電接続される。すなわち、ＬＤ４はカソードコモンタイプの構成としている。ミラー５は、ＬＤ４の出射光の光軸方向を上方Ｌａに変更して立ち上げる。

このように、ＬＤ４のアノードは光路の反対方向にワイヤ１１でアノードリード６に接続されている。また、ＬＤ４のカソードは光路の下側に形成される金パターンを通してカソード用リード７に導電接続されている。したがって、図１の半導体レーザパッケージにおいては、ＬＤの両面電極の通電部材は光路の妨げとならないように配置されるので、通電部材による光ケラレの発生を防止できる利点がある。

図１（ｂ）は、ＬＤ４の出射光４ｘとキャップ３の有効径３ｘとの関係を示す説明図である。図１（ｂ）に示されているように、ＬＤ４の出射光の長軸方向は、キャップ３の有効径３ｘの長軸方向Ｐに形成されている。このため、キャップ３の有効径３ｘの短軸方向Ｑ縁部と、出射光４ｘの短軸方向の縁部間の長さＷｂは、図１１（ｂ）の例よりも拡大されている。すなわち、前記光ケラレの影響を避けるために、キャップ３の有効径３ｘに対するマージンを大きくできる。したがって、ＬＤ４の出射光に対する光干渉などの発生が防止できるので、ＬＤ４の動作特性を向上させることができる。

図３は、本発明の異なる実施形態を分解して示す説明図、図４は図３の断面形状を部分的に示す説明図である。図１、図２と同じところには同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。図３の例では、カソード用リード７もステム２に形成された封止穴に挿入されており、リード封止用ガラス１４で固定される。半導体レーザパッケージ１ａは、ＬＤ４とミラー５をサブマウント用基板１２に実装している。ＬＤ４は両面電極で、アノードはワイヤ１１ａとワイヤボンディングで接続されており、ＬＤ４のカソードはワイヤ１１ｂとワイヤボンディングで接続されている。なお、図３の例でも、アノード用リード６、カソード用リード７は例示であり、６、７は正負一対のリードであれば良い。

このように、図３の構成ではＬＤ４の両面電極と接続されるワイヤ１１ａ、１１ｂが光路の妨げにならないので、サブマウント用基板にＬＤとミラーを実装したフローティング用パッケージを構成した際に、光ケラレの発生を防止することができる。また、図３の構成においても図１と同様にＬＤ４の出射光の長軸方向は、キャップ３の有効径３ｘの長軸方向Ｐに形成されている。このため、キャップの有効径に対する光ケラレのマージンを拡大することができる。

図５は、サブマウント用基板１２にＬＤ４とミラー５を実装する例の説明図で、図５（ａ）は両部材を実装した後の状態を示し、図５（ｂ）は両部材を実装する前のサブマウント用基板１２を示している。図５（ｂ）において、サブマウント用基板１２には、Ｔｉ（１５ａ）、Ｐｔ（１５ｂ）、Ａｕ（１５ｃ）がメタライズされている。または、サブマウント用基板１２に、Ｔｉ（チタン１５ａ）、Ｐｔ（白金１５ｂ）、Ａｕ（金１５ｃ）、さらにＰｔ、Ａｕをメタライズしても良い。図５（ｂ）の例においては、Ａｕ（１５ｃ）上に半田材料Ａ、例えば融点が２８３℃の金錫（１５ｄ、１５ｅ）を塗布している。

最初にサブマウント用基板１２を熱処理して、前記半田材料ＡによりＬＤ４とミラー５をサブマウント用基板１２に固着する。次に、ステム２に融点が金錫（１５ｄ、１５ｅ）よりも低い半田材料Ｂ、例えば、融点が２２１℃の銀錫を塗布してサブマウント用基板１２を載置する。この状態で熱処理することにより、ステム２にサブマウント用基板１２を固着する。銀錫のような半田材料Ｂに代えて、熱硬化接着剤やＵＶ硬化接着剤でも良い。発光点の位置精度が特別に必要である場合は、ワイヤボンディング位置にプローブをあてて、ＬＤ４を発光させ、直接発光点を観察しながら、配置することも可能である。

このように、図５の例では、先に融点の高い半田材料Ａの金錫によりＬＤ４とミラー５をサブマウント用基板１２に半田付する。次に、半田材料Ａの金錫よりも融点が５０℃以上低い半田材料Ｂの銀錫で基板１２ステム２に半田付する。この際に、半田材料Ｂの銀鈴の融点は、半田材料Ａの金錫の融点よりも５０℃以上低いので、先に半田付したＬＤ４とミラー５の半田が溶融することはない。このため、ＬＤ４とミラー５の位置ずれによる精度低下を防止することができる。また、図５の例では、熱処理は２回だけになっているので、ＬＤ４に加わる熱負荷が少なく信頼性を向上させることができる。

図６は、図３の半導体レーザパッケージをキャップ３とカバーガラス１３で封止した状態を示す説明図で、図６（ｂ）は断面形状を示す説明図、図６（ａ）はその平面図である。図７は、ＬＤ４の通電構成を示す説明図である。ＬＤ４は両面電極で、上面がアノード、下面がカソードとする。それとは逆に、下面がアノードで、上面がカソードの場合もあるが、図７では前者の構成で説明する。ＬＤ４のカソードは、基板１２のＡｕメタライズ部１５ｃ、あるいはＡｕ+Ｐｔメタライズ部より、ミラー５の裏面、すなわちサブマウントの上面を通り、ワイヤボンデングされたワイヤ１１ｂにより、ＬＤ４のカソード用リードに接続される。半導体レーザパッケージの薄型化を図ると、スペースの余裕がないので光路の妨げとならないようにワイヤを引き回すことが困難になる。図６、図７に示した構成によれば、ミラーの下部を通るＡｕメタライズ部１５ｃにワイヤ１１ｂを接続して前記問題の解決を図っている。また、ＬＤ４のアノードは、ワイヤボンデングされたワイヤ１１により、直接アノード用リードと導通する。図６、図７において、ＬＤ４の発光点は、使い勝手を考慮して半導体レーザパッケージの長さ方向の中心軸に合わせている。

なお、図６（ｂ）において、キャップ３とカバーガラス１３によりパッケージ化する際に、必要であれば、キャップ３およびＬＤ４とミラー５が実装されたステム２を洗浄する。これは、半田材料、熱硬化接着剤、ＵＶ硬化接着剤などでステム２に基板１２を固着する際に発生した不純物を除去するためである。また、カバーガラスをキャップ内面に接着材などで付設する際に付着した不純物も除去する。その後、キャップ３をステム２上面に溶接する。

図８は、図６（ｂ）とは異なる方向の半導体レーザパッケージの断面を示す説明図である。図８において、図６（ｂ）と同じところには同一の符号を付している。ここで、Ａ〜Ｅの各部間の寸法（ｍｍ）が表２に示されている。Ａはステムのフランジ２ａの外周とキャップ３の鍔部３ａの端部間の寸法（０．１５）、Ｂはキャップ３の鍔部３ａとキャップ３の円筒状部の外周間の寸法（０．３）、Ｃはキャップ３の円筒状部の外周とキャップ３の円筒状部の内周間の寸法（０．１５）、Ｄはキャップ３の円筒状部の内周とサブマウントの外周間の寸法（０．１５）、Ｅはサブマウントの外周とＬＤ４の中心間の寸法（０．４）である。

表２に示されているように、Ａ〜Ｅの合計寸法は、１．１５ｍｍであり、半導体レーザパッケージの全体の幅方向寸法は２．３ｍｍとなる。したがって、図１１（ａ）に示されているような、従来の半導体レーザパッケージのＡ〜Ｄの寸法制約をそのまま用いても、３ｍｍから２．３ｍｍに薄型化が実現できた。従来の図１１（ａ）の構成では、ステムのブロック２４の側面にＬＤ２７を固着して、ＬＤ２７の出射光２７ｘの長軸方向は、図１１（ｂ）に示されるようにキャップ２３の有効径２３ｘの短軸方向（カバーガラス２６の幅方向）と同じ方向に形成していた。すなわち、ステムのブロック２４の厚さとＬＤ２７の厚さが加算されていたので、半導体レーザパッケージの幅方向寸法が増大して薄型化が困難であった。

これに対して、図８の構成では、図１（ｂ）で説明したように、ＬＤ４の出射光の長軸方向は、キャップ３の有効径の長軸方向に形成されるようにＬＤ４を基板１２にサブマウントしている。このため、半導体レーザパッケージの幅方向の寸法は、基板１２の幅の寸法を考慮すれば足り、ＬＤ４の寸法については、基板１２の幅の寸法内に固着されているので考慮する必要がない。したがって、図１１（ｂ）の構成と対比して半導体レーザパッケージの薄型化が可能となっている。

また、熱抵抗についても、放熱経路に従来のようなＬＤ実装用ブロック２４がなくなった分低減した。図１１に示した従来のパッケージにおいては、熱抵抗は２５℃／Ｗであった。これに対して、本発明の図８に示した実施形態においては、熱抵抗は１７℃／Ｗとなり、熱抵抗はほぼ２／３に低下した。

図３〜図８で説明した半導体レーザパッケージにおいて、ＬＤ４、ミラー５をサブマウントする基板１２の材料として、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）あるいはＳｉＣ（炭化珪素）からなる焼結材を用いる。このような焼結材は、熱伝導が良好な絶縁物なので放熱特性が向上し、ＬＤ４の温度上昇に起因する特性劣化を防止することができる。このように、図３〜図８で説明した例では、熱抵抗が小さく気密性の高い半導体レーザパッケージを得ることができる。

図９は、本発明の他の実施形態を示す概略の斜視図である。図９において、サブマウント用基板１２ａには、複数のＬＤ４とバー状のミラー５ａを実装する。基板１２ａの材料として、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）あるいはＳｉＣ（炭化珪素）からなる焼結材を用いる。サブマウント用基板１２ａに複数のＬＤ４とバー状のミラー５ａを実装する構成は、図５（ｂ）で説明したと同様の導電材および半田材料を用いる構成とする。

すなわち、サブマウント用基板１２ａには、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕがこの順序で階層状にメタライズされている。または、サブマウント用基板１２に、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕをこの順序で階層状にメタライズし、さらにＡｕの上にＰｔ＋Ａｕをメタライズしても良い。また、Ａｕ上に半田材料Ａ、例えば融点が２８３℃の金錫を塗布し、熱処理によりサブマウント用基板１２ａに複数のＬＤ４とバー状のミラー５ａを前記半田材料Ａで固着する。その後に、ＬＤとミラーが対になるようにダイシングしてチップ化する。このようにチップ化した処理を行うことにより、大量の半導体レーザパッケージを迅速に作製することが可能となる。ＬＤとミラーを実装してチップ化したサブマウント用基板は、図３〜図８で説明したように、金錫よりも融点が低い半田材料Ｂ、例えば銀錫により熱処理してステムに固着する。

光源のＬＤとしては、例えば窒化物半導体レーザを用いることができる。光源として窒化物半導体レーザを用いた場合には、本発明の半導体レーザパッケージは気密封止の度合いが高いので、窒化物半導体レーザの寿命を長くすることができる。また、発光層に
Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦_X≦１、０≦_Y≦１、_X+Y≦１）
を用いた窒化物系半導体発光素子を光源に用いることもできる。

以上説明したように、本発明によれば、薄型で低コスト、かつ光ケラレの影響を避ける構成とした半導体レーザパッケージを提供することができる。

本発明の実施形態を示す説明図である。図１の断面形状を示す説明図である。本発明の他の実施形態を示す説明図である。図３の断面形状を示す説明図である。サブマウント用基板にＬＤとミラーを実装する例の説明図である。キャップとカバーガラスにより封止した状態を示す説明図である。図６を部分的に拡大して示す説明図である。図３の断面形状を示す説明図である。本発明の他の実施形態を示す斜視図である。半導体レーザパッケージの例を示す説明図である。図１０の断面形状を示す説明図である。

符号の説明

１、１ａ・・・半導体レーザパッケージ、２・・・ステム、３・・・キャップ、４・・・半導体レーザ（ＬＤ）、５・・・ミラー、６・・・アノード用リード、７・・・カソード用リード、１１・・・ワイヤ、１２・・・サブマウント用基板、Ｌ・・・光軸、１４・・・リード封止用ガラス、１５ａ・・・Ｔｉ、１５ｂ・・・Ｐｔ、１５ｃ・・・Ａｕ、１５ｄ、１５ｅ・・・半田材料（金錫）

Claims

ステムと、カバーガラスを付設したキャップと、半導体レーザ（ＬＤ）と、前記ＬＤの出力光を反射して光軸方向を変えるミラーと、前記ステムの封止穴に挿入される正負一対のリードとを備え、前記ＬＤとミラーを前記ステムの平面に固着すると共に、前記キャップを前記ステムに固着して気密封止し、前記ＬＤの出力光を前記カバーガラスから出射する半導体レーザパッケージであって、前記キャップの有効径の長軸方向と、前記ＬＤの出射光の長軸方向を同じ方向とすることを特徴とする、半導体レーザパッケージ。
前記ＬＤは両面電極として、前記ＬＤの一方の電極を前記リードの一方とワイヤで接続し、前記ＬＤの他方の電極を前記ステムに形成されて前記ミラー下部を通る導電パターンを介して前記リードの他方に接続することを特徴とする、請求項１に記載の半導体レーザパッケージ。
ステムと、カバーガラスを付設したキャップと、サブマウント用基板と、半導体レーザ（ＬＤ）と、前記ＬＤの出力光を反射して光軸方向を変えるミラーと、前記ステムの封止穴に挿入される正負一対のリードとを備え、前記ＬＤとミラーを前記サブマウント用基板に半田材料Ａで固着し、前記サブマウント用基板を半田材料Ｂで前記ステムに固着すると共に、前記キャップを前記ステムに固着して気密封止し、前記ＬＤの出力光を前記カバーガラスから出射する半導体レーザパッケージであって、前記キャップの有効径の長軸方向と、前記ＬＤの出射光の長軸方向を同じ方向とすることを特徴とする、半導体レーザパッケージ。
前記ＬＤは両面電極として、前記ＬＤ一方の電極を前記リードの一方とワイヤで接続し、前記ＬＤの他方の電極を前記ミラーの下部に形成される導電パターンを介して前記リードの他方にワイヤで接続することを特徴とする、請求項３に記載の半導体レーザパッケージ。
前記サブマウント用基板がＡｌＮ、ＳｉＣからなる焼結材であることを特徴とする、請求項３に記載の半導体レーザパッケージ。
前記半田材料Ａの融点は、前記半田材料Ｂの融点よりも所定温度以上高いことを特徴とする、請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の半導体レーザパッケージ。
前記サブマウント用基板上に複数のＬＤとバー状ミラ-を実装し、前記ＬＤとミラーが対になるようにダイシングによりチップ化したことを特徴とする、請求項３ないし請求項６のいずれかに記載の半導体レーザパッケージ。
前記ＬＤが窒化物半導体であることを特徴とする、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の半導体レーザパッケージ。