JP7045204B2

JP7045204B2 - 半導体レーザ装置

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Publication number: JP7045204B2
Application number: JP2018012009A
Authority: JP
Inventors: 浩之田尻; 賢司酒井
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2018-01-26
Filing date: 2018-01-26
Publication date: 2022-03-31
Anticipated expiration: 2038-01-26
Also published as: JP2019129302A

Description

本発明は、マルチビーム型の半導体レーザ装置に関する。

半導体レーザ装置には、複数の発光領域が設けられた半導体レーザチップを備えるマルチビーム型のものが知られている。当該半導体レーザ装置では、複数の発光領域の各々からレーザ光が選択的に出射される。特許文献１には、マルチビーム型の半導体レーザ装置の一例が開示されている。

特許文献１に開示されているマルチビーム型の半導体レーザ装置は、４つの発光領域が設けられた半導体レーザチップを備える。このため、特許文献１の図１に示すように、当該半導体レーザ装置では、４つの発光領域の各々に対応した４本のリードがステムに支持されている。近年、マルチビーム型の半導体レーザ装置の高出力化が求められている。当該半導体レーザ装置の高出力化を図るためには、半導体レーザチップの発光領域の数を増加させる必要がある。これにより、発光領域の数に応じてリードの本数が増加するため、当該半導体レーザ装置が大型化するという課題がある。

特開２０１４－２２４８１号公報

本発明は上述の事情に鑑み、大型化を抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供することをその課題とする。

本発明によれば、厚さ方向に貫通する複数の孔が設けられるとともに、前記厚さ方向に延びる端子部を有し、かつ複数の前記孔に前記端子部が個別に挿入された複数の個別リードを有する金属製のステムと、前記厚さ方向にレーザ光がそれぞれ出射される複数の発光領域が設けられ、かつ前記ステムに支持された半導体レーザチップと、複数の前記個別リード、および前記半導体レーザチップを個別に接続する複数のワイヤと、を備え、複数の前記個別リードに対応する複数の前記ワイヤのボンディング部の少なくともいずれかが、厚さ方向視において前記孔の外側に位置することを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。

本発明の実施において好ましくは、前記ステムは、複数の前記孔が設けられた板状のベースと、前記厚さ方向において前記レーザ光が出射される側に前記ベースから突出するヒートシンクと、を有し、前記半導体レーザチップは、前記厚さ方向に対して直交する第１方向を向くチップ裏面と、前記第１方向とは反対方向である第２方向を向くチップ表面と、を有し、前記チップ裏面は、前記ヒートシンクに接合され、複数の前記ワイヤは、前記チップ表面に設けられた複数の電極に個別に接続されている。

本発明の実施において好ましくは、前記ベースは、前記厚さ方向視において前記チップ裏面から前記第１方向に位置する第１領域と、前記厚さ方向視において前記チップ裏面から前記第２方向に位置する第２領域と、を有し、複数の前記個別リードは、前記厚さ方向視において前記端子部が前記第１領域に位置する複数の第１リードと、前記厚さ方向視において前記端子部が前記第２領域に位置する複数の第２リードと、を含み、複数の前記第１リードの各々は、前記厚さ方向において前記レーザ光が出射される側に前記ベースから突出する第１突出部を有し、複数の前記第２リードの各々は、前記厚さ方向において前記レーザ光が出射される側に前記ベースから突出する第２突出部を有し、複数の前記ワイヤの各々は、複数の前記第１突出部および複数の前記第２突出部のいずれかに接続されている。

本発明の実施において好ましくは、前記厚さ方向において、複数の前記第１突出部の長さは、複数の前記第２突出部の長さよりも長い。

本発明の実施において好ましくは、複数の前記第１突出部に対応する複数の前記ボンディング部の少なくともいずれかが、前記厚さ方向視において前記第１領域に位置し、複数の前記第２突出部に対応する複数の前記ボンディング部のいずれもが、前記厚さ方向視において前記第２領域に位置する。

本発明の実施において好ましくは、前記厚さ方向および前記第１方向の双方に対して直交する第３方向において、複数の前記第１リードは、前記半導体レーザチップの両側に位置する一対の第１外リードと、前記半導体レーザチップと前記第１外リードとの間にそれぞれ位置する一対の第１内リードと、を含み、前記厚さ方向視において、一対の前記第１内リードの前記端子部は、一対の前記第１外リードの前記端子部よりも前記第１方向に位置し、一対の前記第１内リードの前記第１突出部の各々は、前記第２方向に延びる第１区間を含む第１屈曲部を有し、一対の前記第１屈曲部の各々に、前記ワイヤが接続されている。

本発明の実施において好ましくは、前記第３方向から視て、一対の前記第１屈曲部は、前記厚さ方向における前記チップ裏面の両縁の間に位置する。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記第１屈曲部の端面の各々に、前記ワイヤが接続されている。

本発明の実施において好ましくは、前記厚さ方向視において、一対の前記第１内リードの前記第１突出部に対応する一対の前記ボンディング部は、一対の前記第１外リードの前記第１突出部に対応する一対の前記ボンディング部よりも前記第２方向に位置する。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記第１屈曲部の各々は、前記第１屈曲部の先端に位置するとともに、前記厚さ方向において前記レーザ光が出射される側に突出し、かつ前記第１方向に扁平な第１接続部を有し、一対の前記第１接続部の各々に、前記ワイヤが接続されている。

本発明の実施において好ましくは、複数の前記第１突出部に対応する複数の前記ボンディング部のいずれもが、前記厚さ方向における前記チップ表面の両縁の間に位置する。

本発明の実施において好ましくは、前記第３方向において、複数の前記第２リードは、前記半導体レーザチップの両側に位置する一対の第２外リードと、前記半導体レーザチップと前記第２外リードとの間にそれぞれ位置する一対の第２内リードと、を含み、前記厚さ方向視において、一対の前記第２内リードの前記端子部は、一対の前記第２外リードの前記端子部よりも前記第２方向に位置し、一対の前記第２内リードの前記第２突出部の各々は、前記第１方向に延びる第２区間を含む第２屈曲部を有し、一対の前記第２屈曲部の各々に前記ワイヤが接続されている。

本発明の実施において好ましくは、前記厚さ方向視において、一対の前記第２内リードの前記第２突出部に対応する一対の前記ボンディング部は、一対の前記第２外リードの前記第２突出部に対応する一対の前記ボンディング部よりも前記第１方向に位置する。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記第２屈曲部の各々は、前記第２屈曲部の先端に位置するとともに、前記厚さ方向において前記レーザ光が出射される側に突出し、かつ前記第１方向に扁平な第２接続部を有し、一対の前記第２接続部の各々に、前記ワイヤが接続されている。

本発明の実施において好ましくは、前記厚さ方向において、一対の前記第２外リードの前記第２突出部の長さは、一対の前記第２内リードの前記第２突出部の長さよりも長い。

本発明の実施において好ましくは、前記ステムは、前記厚さ方向において前記レーザ光が出射される側とは反対側において前記ベースに接合され、かつ前記厚さ方向に延びる共通リードを有し、前記厚さ方向において前記レーザ光が出射される側とは反対側において前記ベースに接合され、かつ前記厚さ方向に延びる共通リードをさらに備え、前記厚さ方向視において、前記共通リードは、前記ヒートシンクに重なり、かつ一対の前記第１内リードとともに前記第３方向に沿って配列されている。

本発明の実施において好ましくは、前記共通リードは、前記ベースおよび前記ヒートシンクを介して前記半導体レーザチップに導通している。

本発明にかかる半導体レーザ装置によれば、大型化を抑制することが可能となる。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかる半導体レーザ装置の斜視図である。図１に示す半導体レーザ装置の平面図である。図１に示す半導体レーザ装置の平面図（キャップを透過）である。図１に示す半導体レーザ装置の底面図である。図１に示す半導体レーザ装置の正面図である。図５の部分拡大図（半導体レーザチップ付近）である。図１に示す半導体レーザ装置の背面図である。図１に示す半導体レーザ装置の右側面図である。図１に示す半導体レーザ装置の左側面図である。図３のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。図３のＸＩ－ＸＩ線に断面図である。図３のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。本発明の第２実施形態にかかる半導体レーザ装置の平面図（キャップを通過）である。図１３に示す半導体レーザ装置の正面図である。図１３に示す半導体レーザ装置の右側面図である。図１３に示す半導体レーザ装置の左側面図である。図１３のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。図１３のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。

本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について、添付図面に基づいて説明する。

〔第１実施形態〕
図１～図１２に基づき、本発明の第１実施形態にかかる半導体レーザ装置Ａ１０について説明する。半導体レーザ装置Ａ１０は、たとえばレーザプリンタにおいて印字にかかる光源に用いられる。半導体レーザ装置Ａ１０は、ステム１０、半導体レーザチップ２０、複数のワイヤ５１、およびキャップ６０を備える。半導体レーザ装置Ａ１０は、受光素子４０および検出ワイヤ５２をさらに備える。図１および図６に示すように、半導体レーザ装置Ａ１０では、半導体レーザチップ２０から厚さ方向ｚの一方側に複数のレーザ光８０が選択的に出射される。なお、図１および図５～図９は、理解の便宜上、キャップ６０の図示を省略している。図３は、透過したキャップ６０の外形を想像線（二点鎖線）で示している。

本発明にかかる特許請求の範囲に記載の「厚さ方向」とは、ステム１０の厚さ方向ｚを指す。本発明にかかる特許請求の範囲に記載の「厚さ方向視」とは、厚さ方向ｚに沿った視点の状態を指す。なお、以降の説明においては、「厚さ方向視」を「厚さ方向ｚ視」と呼ぶ。また、厚さ方向ｚに対して直交し、かつ半導体レーザチップ２０のチップ裏面２０２（詳細は後述）が向く方向を、「第１方向ｘ１」と呼ぶ。第１方向ｘ１とは反対方向を、「第２方向ｘ２」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘ１の双方に対して直交する方向を、「第３方向ｙ」と呼ぶ。

ステム１０は、図１および図３に示すように、半導体レーザチップ２０を支持する金属製の導電部材である。ステム１０は、ベース１１、ヒートシンク１２、複数の個別リード３０、共通リード３７および検出リード３８を有する。半導体レーザ装置Ａ１０では、ベース１１およびヒートシンク１２は一体成形されている。ベース１１およびヒートシンク１２の構成材料は、たとえば鉄（Ｆｅ）または鉄合金である。ベース１１およびヒートシンク１２には、これらの金属の表面にニッケル（Ｎｉ）などのめっきを施してもよい。

図５および図７に示すように、ベース１１は、厚さ方向ｚに扁平な板状である。半導体レーザ装置Ａ１０では、ベース１１は、厚さ方向ｚ視において略円形状である。ベース１１は、主面１１１および裏面１１２を有する。主面１１１は、厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側を向く。裏面１１２は、厚さ方向ｚにおいて主面１１１とは反対側を向く。

図３および図４に示すように、ベース１１には、複数の孔１１３が設けられている。複数の孔１１３の各々は、ベース１１を厚さ方向ｚに貫通している。半導体レーザ装置Ａ１０では、複数の孔１１３は、厚さ方向ｚ視において半導体レーザチップ２０を円形に取り囲むように９つ設けられている。厚さ方向ｚ視における複数の孔１１３は、いずれも円形状である。

図５および図７に示すように、ヒートシンク１２は、ベース１１の主面１１１から厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側に突出している。半導体レーザ装置Ａ１０では、ヒートシンク１２は直方体状である。ヒートシンク１２は、厚さ方向ｚおよび第３方向ｙの双方に沿った支持面１２１を有する。支持面１２１は、半導体レーザチップ２０に対向している。

図３および図１２に示すように、ベース１１には、凹部１１４が設けられている。凹部１１４は、主面１１１から厚さ方向ｚに凹んでいる。凹部１１４は、厚さ方向ｚ視においてヒートシンク１２の支持面１２１よりも第２方向ｘ２に位置する。

図３、図８および図９に示すように、ベース１１には、一対の第１陥入面１１５が、厚さ方向ｚ視においてベース１１の第３方向ｙの両端に設けられている。一対の第１陥入面１１５の各々は、半導体レーザチップ２０に向けて第３方向ｙに陥入している。

図３および図７に示すように、ベース１１には、第２陥入面１１６が、厚さ方向ｚ視においてベース１１の第１方向ｘ１の端部に設けられている。第２陥入面１１６は、半導体レーザチップ２０に向けて第２方向ｘ２に陥入している。第２陥入面１１６は、底部１１６Ａおよび一対の側部１１６Ｂを有する。底部１１６Ａは、厚さ方向ｚおよび第３方向ｙの双方に沿った領域である。一対の側部１１６Ｂは、底部１１６Ａの第３方向ｙの両端に位置する領域である。

複数の個別リード３０は、図１および図３に示すように、ベース１１の複数の孔１１３に個別に挿入された棒状の導電部材である。複数の個別リード３０の構成材料は、たとえば鉄－ニッケル合金である。複数の個別リード３０の各々は、ベース１１の主面１１１から厚さ方向ｚにおいてベース１１の裏面１１２が位置する側に向けて、厚さ方向ｚに延びる端子部３１を有する。複数の端子部３１と複数の孔１１３との各々の間には、絶縁材３９が充填されている。複数の絶縁材３９は、電気絶縁性を有する材料から構成される。当該材料は、たとえばガラスである。複数の絶縁材３９により、複数の個別リード３０は、複数の孔１１３に複数の端子部３１が個別に挿入され、かつベース１１に対して電気絶縁がなされた状態で支持されている。半導体レーザ装置Ａ１０では、ステム１０は、８本の個別リード３０を有する。

図３および図４に示すように、ベース１１は、第１領域１１Ａおよび第２領域１１Ｂを有する。第１領域１１Ａは、厚さ方向ｚ視において半導体レーザチップ２０のチップ裏面２０２から第１方向ｘ１に位置するベース１１の領域である。第２領域１１Ｂは、厚さ方向ｚ視においてチップ裏面２０２から第２方向ｘ２に位置するベース１１の領域である。図３および図４に示すように、複数の個別リード３０は、複数の第１リード３０１および複数の第２リード３０２を含む。複数の第１リード３０１の各々は、厚さ方向ｚ視において端子部３１が第１領域１１Ａに位置する。複数の第２リード３０２の各々は、厚さ方向ｚ視において端子部３１が第２領域１１Ｂに位置する。半導体レーザ装置Ａ１０では、４本の第１リード３０１と、４本の第２リード３０２とにより構成される。

図７に示すように、複数の第１リード３０１の各々は、第１突出部３２１を有する。図５に示すように、複数の第２リード３０２の各々は、第２突出部３２２を有する。複数の第１突出部３２１および複数の第２突出部３２２は、いずれも厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側にベース１１の主面１１１から突出している。厚さ方向ｚ視において、複数の第１突出部３２１および複数の第２突出部３２２は、半導体レーザチップ２０の周囲を取り囲んでいる。厚さ方向ｚにおいて、複数の第１突出部３２１の長さｈ１は、複数の第２突出部３２２の長さｈ２よりも長い。

図３に示すように、複数の第１リード３０１は、一対の第１外リード３０１Ａおよび一対の第１内リード３０１Ｂを含む。一対の第１外リード３０１Ａは、第３方向ｙにおいて半導体レーザチップ２０の両側に位置する。一対の第１内リード３０１Ｂは、第３方向ｙにおいて半導体レーザチップ２０と第１外リード３０１Ａとの間にそれぞれ位置する。図４に示すように、厚さ方向ｚ視において、一対の第１内リード３０１Ｂの端子部３１は、一対の第１外リード３０１Ａの端子部３１よりも第１方向ｘ１に位置する。

図１０および図１１に示すように、一対の第１内リード３０１Ｂの第１突出部３２１の各々は、第１屈曲部３３１を有する。半導体レーザ装置Ａ１０では、一対の第１屈曲部３３１の各々は、第１区間３３１Ａおよび第１延出区間３３１Ｂを含む。第１区間３３１Ａは、第１突出部３２１において第２方向ｘ２に延びる区間である。第１延出区間３３１Ｂは、第１区間３３１Ａの一端から厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側に延びる区間である。これにより、一対の第１屈曲部３３１は、第３方向ｙから視てＬ字状である。半導体レーザ装置Ａ１０では、第３方向ｙから視て、一対の第１区間３３１Ａは、ベース１１の主面１１１と、厚さ方向ｚにおける半導体レーザチップ２０のチップ裏面２０２の下縁（図１０および図１１に示す一点鎖線）との間に位置する。なお、厚さ方向ｚにおけるチップ裏面２０２の下縁とは、厚さ方向ｚにおけるチップ裏面２０２の両縁のうち主面１１１に近い縁を指す。

図８および図９に示すように、半導体レーザ装置Ａ１０では、一対の第１屈曲部３３１の各々は、第１接続部３４１を有する。一対の第１接続部３４１は、一対の第１屈曲部３３１の第１延出区間３３１Ｂの先端に位置している。一対の第１接続部３４１は、厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側に突出し、かつ第１方向ｘ１および第２方向ｘ２の双方に扁平である。半導体レーザ装置Ａ１０では、一対の第１外リード３０１Ａの第１突出部３２１の各々も、第１接続部３４１を有する。一対の第１外リード３０１Ａの第１接続部３４１は、一対の第１外リード３０１Ａの第１突出部３２１の先端に位置する。

図３に示すように、複数の第２リード３０２は、一対の第２外リード３０２Ａおよび一対の第２内リード３０２Ｂを含む。一対の第２外リード３０２Ａは、第３方向ｙにおいて半導体レーザチップ２０の両側に位置する。一対の第２内リード３０２Ｂは、第３方向ｙにおいて半導体レーザチップ２０と第２外リード３０２Ａとの間にそれぞれ位置する。図４に示すように、厚さ方向ｚ視において、一対の第２内リード３０２Ｂの端子部３１は、一対の第２外リード３０２Ａの端子部３１よりも第２方向ｘ２に位置する。

図１０および図１１に示すように、一対の第２内リード３０２Ｂの第２突出部３２２の各々は、第２屈曲部３３２を有する。半導体レーザ装置Ａ１０では、一対の第２屈曲部３３２の各々は、第２区間３３２Ａおよび第２延出区間３３２Ｂを含む。第２区間３３２Ａは、第２突出部３２２において第１方向ｘ１に延びる区間である。第２延出区間３３２Ｂは、第２区間３３２Ａの一端から厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側に延びる区間である。これにより、一対の第２屈曲部３３２は、第３方向ｙから視てＬ字状である。半導体レーザ装置Ａ１０では、第３方向ｙから視て、一対の第２区間３３２Ａは、ベース１１の主面１１１と、先述した厚さ方向ｚにおける半導体レーザチップ２０のチップ裏面２０２の下縁（図１０および図１１に示す一点鎖線）との間に位置する。

図８および図９に示すように、半導体レーザ装置Ａ１０では、一対の第２屈曲部３３２の各々は、第２接続部３４２を有する。一対の第２接続部３４２は、一対の第２屈曲部３３２の第２延出区間３３２Ｂの先端に位置している。一対の第２接続部３４２は、厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側に突出し、かつ第１方向ｘ１および第２方向ｘ２の双方に扁平である。半導体レーザ装置Ａ１０では、一対の第２外リード３０２Ａの第２突出部３２２の各々も、第２接続部３４２を有する。一対の第２外リード３０２Ａの第２接続部３４２は、一対の第２外リード３０２Ａの第２突出部３２２の先端に位置する。

共通リード３７は、図４および図１２に示すように、厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側とは反対側に位置するベース１１の裏面１１２において、ベース１１に電気的に接合された棒状の導電部材である。共通リード３７は、裏面１１２から厚さ方向ｚに延びている。共通リード３７の構成材料は、複数の個別リード３０の構成材料と同一である。これにより、共通リード３７は、ベース１１を介してヒートシンク１２に導通している。

図３および図４に示すように、厚さ方向ｚ視において、共通リード３７は、ヒートシンク１２に重なっている。また、厚さ方向ｚ視において、共通リード３７は、一対の第１内リード３０１Ｂとともに第３方向ｙに沿って配列されている。これにより、図１０および図１１に示すように、第３方向ｙから視て、共通リード３７は、一対の第１内リード３０１Ｂに重なるとともに、一対の第１内リード３０１Ｂの第１突出部３２１の少なくとも一部が、ヒートシンク１２に重なっている。

検出リード３８は、図３および図４に示すように、厚さ方向ｚ視において半導体レーザチップ２０から第２方向ｘ２に最も離れた孔１１３に挿入された棒状の導電部材である。検出リード３８は、厚さ方向ｚに延びている。検出リード３８の構成材料は、複数の個別リード３０の構成材料と同一である。検出リード３８は、複数の個別リード３０と同様に、絶縁材３９を介してベース１１に支持されている。このため、検出リード３８は、ベース１１に対して電気絶縁がなされている。検出リード３８は、厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側を向く端面３８Ａを有する。

半導体レーザチップ２０は、図６に示すように、ヒートシンク１２の支持面１２１に支持されている。半導体レーザチップ２０は、半導体レーザ素子２１およびサブマウント２２を有する。半導体レーザ素子２１は、本発明にかかる特許請求の範囲に記載の「複数の発光領域」が設けられたレーザダイオード（ＬＤ）である。半導体レーザ素子２１から、厚さ方向ｚにおいてベース１１の主面１１１が向く側に複数のレーザ光８０が選択的に出射される。図３に示すように、サブマウント２２は、半導体レーザ素子２１とヒートシンク１２との間に位置する。サブマウント２２は、半導体レーザ素子２１の支持体かつ放熱体である。サブマウント２２の主要材料は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）などの無機化合物である。また、半導体レーザチップ２０は、チップ表面２０１およびチップ裏面２０２を有する。チップ表面２０１は、第２方向ｘ２を向く半導体レーザ素子２１の領域である。チップ裏面２０２は、第１方向ｘ１を向くサブマウント２２の領域である。このため、チップ表面２０１およびチップ裏面２０２は、互いに反対側を向いている。チップ裏面２０２は、導電接合材（はんだなど）を介してヒートシンク１２の支持面１２１に電気的に接合されている。

図６に示すように、半導体レーザ素子２１は、複数の溝部２１０および複数の電極２１１を有する。

複数の溝部２１０の各々は、チップ表面２０１から第１方向ｘ１に凹み、かつ厚さ方向ｚに延びている。複数の溝部２１０は、第３方向ｙに配列されている。半導体レーザ装置Ａ１０では、９本の溝部２１０が半導体レーザ素子２１に形成されている。隣り合う２つの溝部２１０の間に位置する領域が、本発明にかかる特許請求の範囲に記載の「発光領域」に該当する。このため、半導体レーザ素子２１には、「発光領域」が８つ設けられた構成となっている。８つの発光領域の各々から、厚さ方向ｚにおいてベース１１の主面１１１が向く側に所定の波長のレーザ光８０が出射される。なお、個別リード３０の本数は、発光領域の数に対応している。

複数の電極２１１は、チップ表面２０１に設けられた導電部材である。複数の電極２１１は、たとえば金のみの金属層、またはニッケルおよび金をこの順に積層させた金属層により構成される。半導体レーザ装置Ａ１０では、８つの電極２１１がチップ表面２０１に設けられている。８つの電極２１１が、半導体レーザ素子２１に形成された８つの発光領域に個別に導通している。半導体レーザ装置Ａ１０では、複数の電極２１１が半導体レーザ素子２１のカソードとなる。

図６に示すように、サブマウント２２は、先述したチップ裏面２０２と、マウント表面２２Ａとを有する。

マウント表面２２Ａは、チップ裏面２０２とは反対側を向き、かつ半導体レーザ素子２１に対向している。半導体レーザ装置Ａ１０では、サブマウント２２には、マウント表面２２Ａからチップ裏面２０２までに至る導電経路（図示略）が形成されている。半導体レーザ素子２１において、第２方向ｘ２のチップ表面２０１とは反対側には、半導体レーザ素子２１のアノードとなる裏面電極（図示略）が形成されている。当該裏面電極は、マウント表面２２Ａに電気的に接合されている。これにより、当該裏面電極は、サブマウント２２、ヒートシンク１２およびベース１１を介して共通リード３７に導通している。したがって、共通リード３７は、ベース１１およびヒートシンク１２を介して半導体レーザチップ２０に導通するとともに、半導体レーザ装置Ａ１０のアノードである。

複数のワイヤ５１は、図３および図６に示すように、複数の個別リード３０と、半導体レーザ素子２１に設けられた複数の電極２１１とを個別に接続する導電部材である。複数のワイヤ５１により、複数の個別リード３０の各々は、複数の電極２１１のいずれかに導通している。このため、複数の個別リード３０は、半導体レーザ装置Ａ１０のカソードである。複数のワイヤ５１の構成材料は、たとえば金である。複数のワイヤ５１の各々は、ボンディング部５１１およびボール部５１Ａを有する。ボンディング部５１１は、個別リード３０に接続されるワイヤ５１の端部である。ボール部５１Ａは、ワイヤボンディングによりワイヤ５１を対象物に接続する際、最初の接続においてワイヤ５１の端部に形成される円盤状の部分である。

図３に示すように、半導体レーザ装置Ａ１０では、一対の第１内リード３０１Ｂおよび一対の第２内リード３０２Ｂに対応する複数のボンディング部５１１が、厚さ方向ｚ視においてベース１１の孔１１３の外側に位置する。このように、複数の個別リード３０に対応する複数のボンディング部５１１の少なくともいずれかが、厚さ方向ｚ視において孔１１３の外側に位置する構成をとる。

図５に示すように、複数のワイヤ５１の各々は、複数の第１突出部３２１および複数の第２突出部３２２のいずれかに接続されている。以下、半導体レーザ装置Ａ１０にかかる、複数の第１突出部３２１および複数の第２突出部３２２の各々におけるワイヤ５１の接続部位と、複数の第１突出部３２１および複数の第２突出部３２２に対応する複数のボンディング部５１１の位置について説明する。

複数の第１突出部３２１の各々におけるワイヤ５１の接続部位について説明する。図５に示すように、一対の第１外リード３０１Ａの各々では、第１突出部３２１の先端に位置する第１接続部３４１に、ワイヤ５１が接続されている。図１０および図１１に示すように、一対の第１内リード３０１Ｂの各々では、第１屈曲部３３１（第１突出部３２１）の先端に位置する第１接続部３４１に、ワイヤ５１が接続されている。

複数の第１突出部３２１に対応する複数のボンディング部５１１の位置について説明する。図３に示すように、複数の第１突出部３２１に対応する複数のボンディング部５１１のいずれもが、厚さ方向ｚ視においてベース１１の第１領域１１Ａに位置する。厚さ方向ｚ視において、一対の第１外リード３０１Ａの第１突出部３２１に対応する一対のボンディング部５１１と、一対の第１内リード３０１Ｂの第１突出部３２１に対応する一対のボンディング部５１１とは、いずれも第１方向ｘ１の位置が等しい。また、図５に示すように、第１方向ｘ１から視て、複数の第１突出部３２１に対応する複数のボンディング部５１１のいずれもが、厚さ方向ｚにおける半導体レーザチップ２０のチップ表面２０１の両縁（図５に示す一点鎖線）の間に位置する。半導体レーザ装置Ａ１０では、図５および図６に示すように、複数の第１突出部３２１に対応する複数のワイヤ５１のボール部５１Ａは、いずれも半導体レーザ素子２１の複数の電極２１１において形成される。なお、複数の第１突出部３２１に対応する複数のワイヤ５１のボール部５１Ａの形成位置については、これに限定されず、自在に設定可能である。

複数の第２突出部３２２の各々におけるワイヤ５１の接続部位について説明する。図５に示すように、一対の第２外リード３０２Ａの各々では、第２突出部３２２の先端に位置する第２接続部３４２に、ワイヤ５１が接続されている。図５、図１０および図１１に示すように、一対の第２内リード３０２Ｂの各々では、第２屈曲部３３２（第２突出部３２２）の先端に位置する第２接続部３４２に、ワイヤ５１が接続されている。

複数の第２突出部３２２に対応する複数のボンディング部５１１の位置について説明する。図３に示すように、複数の第２突出部３２２に対応する複数のボンディング部５１１のいずれもが、厚さ方向ｚ視においてベース１１の第２領域１１Ｂに位置する。厚さ方向ｚ視において、一対の第２内リード３０２Ｂの第２突出部３２２に対応する一対のボンディング部５１１は、一対の第２外リード３０２Ａの第２突出部３２２に対応する一対のボンディング部５１１よりも第１方向ｘ１に位置する。なお、図５に示すように、複数の第２突出部３２２に対応する複数のワイヤ５１のボール部５１Ａは、いずれも複数の第２突出部３２２において形成される。なお、複数の第２突出部３２２に対応する複数のワイヤ５１のボール部５１Ａの形成位置については、これに限定されず、自在に設定可能である。

キャップ６０は、図１０～図１２に示すように、ベース１１の主面１１１に固定されている。キャップ６０は、半導体レーザチップ２０と、複数の第１突出部３２１および複数の第２突出部３２２と、複数のワイヤ５１とを覆っている。キャップ６０は、頂部６１、側部６２、フランジ部６３および透光板６４を有する。これらのうち、頂部６１、側部６２およびフランジ部６３は、一体成形されたものである。一体成形されたこれらの構成材料は、ステム１０の構成材料と同一である。

図１０～図１２に示すように、頂部６１は、厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側に、ベース１１の主面１１１から離間している。頂部６１は、厚さ方向ｚに扁平な円盤状である。図２に示すように、厚さ方向ｚ視における頂部６１の中央には、頂部６１を厚さ方向ｚに貫通する窓部６１１が設けられている。半導体レーザ装置Ａ１０では、厚さ方向ｚ視における窓部６１１の周縁は、円形状である。窓部６１１は、半導体レーザ素子２１から出射されたレーザ光８０を通過させる。

図２および図３に示すように、側部６２は、厚さ方向ｚ視において複数の第１突出部３２１および複数の第２突出部３２２の周囲を取り囲んでいる。側部６２は、円筒状である。厚さ方向ｚにおける側部６２の一端は、頂部６１の外縁につながっている。

図１０～図１２に示すように、フランジ部６３は、厚さ方向ｚにおいて側部６２に対して頂部６１とは反対側に位置している。フランジ部６３は、厚さ方向ｚにおける側部６２の他端につながっている。図２に示すように、厚さ方向ｚ視においてフランジ部６３は、側部６２の周縁から外側に向けて突出する円環状である。フランジ部６３は、ベース１１の主面１１１に接合されている。

図１０～図１２に示すように、透光板６４は、キャップ６０の内側から窓部６１１を塞いでいる。透光板６４は、透光性を有する。透光板６４の構成材料は、たとえばガラスである。半導体レーザ素子２１から出射されたレーザ光８０は、透光板６４を透過する。

受光素子４０は、図３および図１２に示すように、ベース１１の凹部１１４に収容されている。受光素子４０は、たとえばフォトダイオードである。受光素子４０は、厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側とは反対側に半導体レーザ素子２１から発せられる漏出光を検出する。厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側とは反対側を向く受光素子４０の下面は、凹部１１４に電気的に接合されている。これにより、受光素子４０の下面は、ベース１１を介して共通リード３７に導通している。

検出ワイヤ５２は、図３および図１２に示すように、厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側を向く受光素子４０の上面と、検出リード３８の端面３８Ａとを接続する導電部材である。検出ワイヤ５２の構成材料は、複数のワイヤ５１の構成材料と同一である。検出ワイヤ５２より、受光素子４０の上面は、検出リード３８に導通している。なお、検出リード３８は、受光素子４０のアノードである。

次に、半導体レーザ装置Ａ１０の作用効果について説明する。

半導体レーザ装置Ａ１０では、複数の個別リード３０に対応する複数のワイヤ５１のボンディング部５１１の少なくともいずれかが、厚さ方向ｚ視においてステム１０（ベース１１）の孔１１３の外側に位置する。これにより、図３に示すように、複数のボンディング部５１１の位置が孔１１３の内側と外側の双方に設定されるため、複数のワイヤ５１が相互に干渉することを回避しつつ、厚さ方向ｚ視における複数のワイヤ５１の配置スペースの拡大を抑えることができる。なお、この場合において、複数の個別リード３０をステム１０に支持するための複数の孔１１３は、相互に干渉しない。したがって、半導体レーザ装置Ａ１０によれば、半導体レーザ装置Ａ１０の大型化を抑制することが可能となる。

厚さ方向ｚ視における複数のワイヤ５１の配置スペースの拡大を抑えることにより、複数のワイヤ５１の総延長を短縮することができる。このことは、半導体レーザ装置Ａ１０の製造コストの縮減に資する。

一対の第１内リード３０１Ｂの第１突出部３２１の各々は、第２方向ｘ２に延びる第１区間３３１Ａを含む第１屈曲部３３１を有する。一対の第２内リード３０２Ｂの第２突出部３２２の各々は、第１方向ｘ１に延びる第２区間３３２Ａを含む第２屈曲部３３２を有する。これにより、一対の第１屈曲部３３１および一対の第２屈曲部３３２に対応する複数のボンディング部５１１を、孔１１３の外側に設定することができる。

複数の第１突出部３２１に対応する複数のボンディング部５１１の少なくともいずれかが、厚さ方向ｚ視においてベース１１の第１領域１１Ａに位置する。複数の第２突出部３２２に対応する複数のボンディング部５１１のいずれもが、厚さ方向ｚ視においてベース１１の第２領域１１Ｂに位置する。これにより、厚さ方向視における複数のボンディング部５１１の位置が、第３方向ｙに大きく拡がることを抑制することができる。

厚さ方向ｚにおいて、複数の第１突出部３２１の高さｈ１は、複数の第２突出部３２２の高さｈ２よりも高い。これにより、厚さ方向ｚにおいて、複数の第１リード３０１に対応する複数のワイヤ５１と、複数の第２リード３０２に対応する複数のワイヤ５１とが、相互に干渉することを回避することができる。

一対の第１内リード３０１Ｂの第１屈曲部３３１の各々は、厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側に突出し、かつ第１方向ｘ１に扁平な第１接続部３４１を有する。一対の第２内リード３０２Ｂの第２屈曲部３３２の各々は、厚さ方向ｚにおいてレーザ光８０が出射される側に突出し、かつ第１方向ｘ１に扁平な第２接続部３４２を有する。一対の第１接続部３４１および一対の第２接続部３４２の各々にワイヤ５１を接続させることにより、ボンディング部５１１の接合強度の向上を図ることができる。また、半導体レーザ装置Ａ１０の製造において、複数のワイヤ５１を形成に用いられるキャピラリの軸方向を第１方向ｘ１に保持したまま、複数のワイヤ５１を形成できるという製造上のメリットがある。

厚さ方向ｚ視において、一対の第２内リード３０２Ｂの第２突出部３２２に対応する一対のボンディング部５１１は、一対の第２外リード３０２Ａの第２突出部３２２に対応する一対のボンディング部５１１よりも第１方向ｘ１に位置する。これにより、一対の第２内リード３０２Ｂに接続される複数のワイヤ５１の延長をより短縮できる。

厚さ方向ｚ視において、共通リード３７は、ヒートシンク１２に重なり、かつ一対の第１内リード３０１Ｂとともに第３方向ｙに沿って配列されている。半導体レーザ装置Ａ１０では、図３に示すように、複数の個別リード３０の配置形態が、半導体レーザチップ２０の周囲を取り囲んだものとなる。そこで、このような共通リード３７の配置形態をとることにより、半導体レーザ装置Ａ１０を配線基板に挿入する際の挿入ミスを防ぐことができる。

〔第２実施形態〕
図１３～図１８に基づき、本発明の第２実施形態にかかる半導体レーザ装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体レーザ装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。なお、図１４～図１６は、理解の便宜上、キャップ６０の図示を省略している。図１３は、透過したキャップ６０の外形を想像線（二点鎖線）で示している。

半導体レーザ装置Ａ２０では、複数の個別リード３０の構成と、複数の個別リード３０の各々におけるワイヤ５１の接続部位と、複数のワイヤ５１のボンディング部５１１の位置とが、先述した半導体レーザ装置Ａ１０と異なる。

半導体レーザ装置Ａ２０にかかる複数の個別リード３０のうち、第１リード３０１の構成について説明する。図１５および図１６に示すように、一対の第１外リード３０１Ａの第１突出部３２１の各々は、第１接続部３４１を有しない。一対の第１内リード３０１Ｂの第１屈曲部３３１の各々は、第１接続部３４１を有しない。図１７および図１８に示すように、一対の第１屈曲部３３１の各々は、第１延出区間３３１Ｂを含まない。第３方向ｙから視て、一対の第１屈曲部３３１は、厚さ方向ｚにおける半導体レーザチップ２０のチップ裏面２０２の両縁（図１７および図１８に示す一点鎖線）の間に位置する。図１４～図１８に示すように、一対の第１屈曲部３３１の各々は、第２方向ｘ２を向く端面３３１Ｃを有する。端面３３１Ｃは、半導体レーザチップ２０のチップ裏面２０２よりも第２方向ｘ２側に位置する。

半導体レーザ装置Ａ２０にかかる複数の個別リード３０のうち、第２リード３０２の構成について説明する。図１５および図１６に示すように、一対の第２外リード３０２Ａの第２突出部３２２の各々は、第２接続部３４２を有しない。一対の第２内リード３０２Ｂの第２屈曲部３３２の各々は、第２接続部３４２を有しない。図１７および図１８に示すように、一対の第２屈曲部３３２の各々は、第２延出区間３３２Ｂを含まない。図１４～図１８に示すように、一対の第２屈曲部３３２の各々は、第１方向ｘ１に対して直交する方向を向く周面３３２Ｃを有する。また、図１４～図１６に示すように、厚さ方向ｚにおいて、一対の第２外リード３０２Ａの第２突出部３２２の長さｈ２ａは、一対の第２内リード３０２Ｂの第２突出部３２２の長さｈ２ｂよりも長い。

図１３に示すように、半導体レーザ装置Ａ２０では、一対の第１内リード３０１Ｂおよび一対の第２内リード３０２Ｂに対応する複数のボンディング部５１１が、厚さ方向ｚ視においてベース１１の孔１１３の外側に位置する。このように、半導体レーザ装置Ａ２０においても、複数の個別リード３０に対応する複数のボンディング部５１１の少なくともいずれかが、厚さ方向ｚ視において孔１１３の外側に位置する構成をとる。

図１４に示すように、半導体レーザ装置Ａ２０においても、複数のワイヤ５１の各々は、複数の第１突出部３２１および複数の第２突出部３２２のいずれかに接続されている。以下、半導体レーザ装置Ａ２０にかかる、複数の第１突出部３２１および複数の第２突出部３２２の各々におけるワイヤ５１の接続部位と、複数の第１突出部３２１および複数の第２突出部３２２に対応する複数のボンディング部５１１の位置について説明する。

複数の第１突出部３２１の各々におけるワイヤ５１の接続部位について説明する。図１４に示すように、一対の第１外リード３０１Ａの各々では、第１突出部３２１の先端にワイヤ５１が接続されている。一対の第１内リード３０１Ｂの各々では、第１屈曲部３３１（第１突出部３２１）の端面３３１Ｃに、ワイヤ５１が接続されている。

複数の第１突出部３２１に対応する複数のボンディング部５１１の位置について説明する。図１３に示すように、一対の第１外リード３０１Ａの第１突出部３２１に対応する一対のボンディング部５１１は、厚さ方向ｚ視においてベース１１の第１領域１１Ａに位置する。一対の第１内リード３０１Ｂの第１突出部３２１に対応する一対のボンディング部５１１は、厚さ方向ｚ視においてベース１１の第２領域１１Ｂに位置する。厚さ方向ｚ視において、一対の第１内リード３０１Ｂの第１突出部３２１に対応する一対のボンディング部５１１は、一対の第１外リード３０１Ａの第１突出部３２１に対応する一対のボンディング部５１１よりも第２方向ｘ２に位置する。また、図１４に示すように、第１方向ｘ１から視て、複数の第１突出部３２１に対応する複数のボンディング部５１１のいずれもが、厚さ方向ｚにおける半導体レーザチップ２０のチップ表面２０１の両縁（図１４に示す一点鎖線）の間に位置する。半導体レーザ装置Ａ２０では、図１４に示すように、複数の第１突出部３２１に対応する複数のワイヤ５１のボール部５１Ａは、いずれも半導体レーザ素子２１の複数の電極２１１（図６参照）において形成される。なお、複数の第１突出部３２１に対応する複数のワイヤ５１のボール部５１Ａの形成位置については、これに限定されず、自在に設定可能である。

複数の第２突出部３２２の各々におけるワイヤ５１の接続部位について説明する。図１４に示すように、一対の第２外リード３０２Ａの各々では、第２突出部３２２の先端にワイヤ５１が接続されている。一対の第２内リード３０２Ｂの各々では、第２屈曲部３３２（第２突出部３２２）の周面３３２Ｃに、ワイヤ５１が接続されている。

複数の第２突出部３２２に対応する複数のボンディング部５１１の位置について説明する。図１３に示すように、複数の第２突出部３２２に対応する複数のボンディング部５１１のいずれもが、厚さ方向ｚ視においてベース１１の第２領域１１Ｂに位置する。厚さ方向ｚ視において、一対の第２内リード３０２Ｂの第２突出部３２２に対応する一対のボンディング部５１１は、一対の第２外リード３０２Ａの第２突出部３２２に対応する一対のボンディング部５１１よりも第１方向ｘ１に位置する。半導体レーザ装置Ａ２０では、図１４に示すように、複数の第２突出部３２２に対応する複数のワイヤ５１のボール部５１Ａは、いずれも半導体レーザ素子２１の複数の電極２１１（図６参照）において形成される。なお、複数の第２突出部３２２に対応する複数のワイヤ５１のボール部５１Ａの形成位置については、これに限定されず、自在に設定可能である。

次に、半導体レーザ装置Ａ２０の作用効果について説明する。

半導体レーザ装置Ａ２０では、先述した半導体レーザ装置Ａ１０と同様に、複数の個別リード３０に対応する複数のワイヤ５１のボンディング部５１１の少なくともいずれかが、厚さ方向ｚ視においてステム１０（ベース１１）の孔１１３の外側に位置する。したがって、半導体レーザ装置Ａ２０によっても、半導体レーザ装置Ａ１０の大型化を抑制することが可能となる。

厚さ方向ｚにおいて、一対の第２外リード３０２Ａの第２突出部３２２の高さｈ２ａは、一対の第２内リード３０２Ｂの第２突出部３２２の高さｈ２ｂよりも高い。これにより、一対の第２外リード３０２Ａの第２突出部３２２の各々に接続されるワイヤ５１が、一対の第２内リード３０２Ｂの第２突出部３２２に接触することを、より効果的に回避できる。

厚さ方向ｚ視において、一対の第１内リード３０１Ｂの第１突出部３２１に対応する一対のボンディング部５１１は、一対の第１外リード３０１Ａの第１突出部３２１に対応する一対のボンディング部５１１よりも第２方向ｘ２に位置する。これにより、一対の第１内リード３０１Ｂに接続される複数のワイヤ５１の延長をより短縮できる。

本発明は、先述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

Ａ１０，Ａ２０：半導体レーザ装置
１０：ステム
１１：ベース
１１Ａ：第１領域
１１Ｂ：第２領域
１１１：主面
１１２：裏面
１１３：孔
１１４：凹部
１１５：第１陥入面
１１６：第２陥入面
１１６Ａ：底部
１１６Ｂ：側部
１２：ヒートシンク
１２１：支持面
２０：半導体レーザチップ
２０１：チップ表面
２０２：チップ裏面
２１：半導体レーザ素子
２１０：溝部
２１１：電極
２２：サブマウント
２２Ａ：マウント表面
３０：個別リード
３０１：第１リード
３０１Ａ：第１外リード
３０１Ｂ：第１内リード
３０２：第２リード
３０２Ａ：第２内リード
３０２Ｂ：第２内リード
３１：端子部
３２１：第１突出部
３２２：第２突出部
３３１：第１屈曲部
３３１Ａ：第１区間
３３１Ｂ：第１延出区間
３３１Ｃ：端面
３３２：第２屈曲部
３３２Ａ：第２区間
３３２Ｂ：第２延出区間
３３２Ｃ：周面
３４１：第１接続部
３４２：第２接続部
３７：共通リード
３８：検出リード
３８Ａ：検出リード
３９：絶縁材
４０：受光素子
５１：ワイヤ
５１Ａ：ボール部
５１１：ボンディング部
５２：検出ワイヤ
６０：キャップ
６１：頂部
６１１：窓部
６２：側部
６３：フランジ部
６４：透光板
８０：レーザ光
ｈ１，ｈ２，ｈ２ａ，ｈ２ｂ：高さ
ｚ：厚さ方向
ｘ１：第１方向
ｘ２：第２方向
ｙ：第３方向

Claims

厚さ方向に貫通する複数の孔が設けられたベースと、前記複数の孔に個別に挿入された複数の個別リードと、を有する金属製のステムと、
前記厚さ方向に対して直交する第１方向を向くチップ裏面を有するとともに、前記厚さ方向にレーザ光がそれぞれ出射される複数の発光領域が設けられ、かつ前記チップ裏面が前記ステムに接合された半導体レーザチップと、
前記複数の個別リード、および前記半導体レーザチップを個別に接続する複数のワイヤと、を備え、
前記複数の個別リードの各々は、前記厚さ方向に延び、かつ前記複数の孔のいずれかに挿入された端子部を有し、
前記ベースは、前記厚さ方向に視て前記チップ裏面から前記第１方向に位置する第１領域を有し、
前記複数の個別リードは、前記複数の孔のうち前記第１領域に位置するものに個別に挿入された第１外リードおよび第１内リードを含み、
前記第１外リードおよび前記第１内リードの各々は、前記厚さ方向において前記半導体レーザチップが位置する側に前記ベースから突出し、かつ前記複数のワイヤのいずれかが接続される第１突出部と、を有し、
前記第１内リードの前記第１突出部は、前記第１方向とは反対方向である第２方向に延びる第１区間を含む第１屈曲部を有し、
前記複数のワイヤのいずれかが前記第１屈曲部に接続されており、
前記厚さ方向に視て、前記第１屈曲部に接続された前記複数のワイヤのいずれかのボンディング部は、前記複数の孔の外側に位置しており、
前記厚さ方向および前記第１方向の双方に対して直交する第３方向において、前記第１内リードは、前記半導体レーザチップと前記第１外リードとの間に位置しており、
前記第１方向において、前記第１内リードの前記端子部は、前記第１外リードの前記端子部よりも前記チップ裏面から遠くに位置する、半導体レーザ装置。
前記ステムは、前記厚さ方向において前記半導体レーザチップが位置する側に前記ベースから突出するヒートシンクを有し、
前記チップ裏面は、前記ヒートシンクに接合されており、
前記半導体レーザチップは、前記第２方向を向くチップ表面と、前記チップ表面に設けられた複数の電極と、を有し、
前記複数のワイヤは、前記複数の電極に個別に接続されている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
前記第３方向に視て、前記第１屈曲部は、前記チップ裏面の前記厚さ方向の両縁の間に位置する、請求項２に記載の半導体レーザ装置。
前記第１屈曲部は、前記第２方向を向く端面を有し、
前記複数のワイヤのいずれかが前記端面に接続されている、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
前記厚さ方向に視て、前記第１屈曲部に接続された前記複数のワイヤのいずれかのボンディング部は、前記第１外リードの前記第１突出部に接続された前記複数のワイヤのいずれかのボンディング部よりも前記第２方向に位置する、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
前記第１屈曲部は、前記第１屈曲部の先端に位置し、かつ前記厚さ方向において前記ベースが位置する側とは反対側に突出する第１接続部を有し、
前記第１接続部は、前記第１方向において扁平であり、
前記複数のワイヤのいずれかが前記第１接続部に接続されている、請求項２に記載の半導体レーザ装置。
前記第１方向に視て、前記第１屈曲部に接続された前記複数のワイヤのいずれかのボンディング部と、前記第１外リードの前記第１突出部に接続された前記複数のワイヤのいずれかのボンディング部と、が、前記チップ表面の前記厚さ方向の両縁の間に位置する、請求項２ないし６のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
前記ベースは、前記厚さ方向に視て前記チップ裏面から前記第２方向に位置する第２領域を有し、
前記複数の個別リードは、前記複数の孔のうち前記第２領域に位置するものに個別に挿入された第２外リードおよび第２内リードを含み、
前記第２外リードおよび前記第２内リードの各々は、前記厚さ方向において前記半導体レーザチップが位置する側に前記ベースから突出し、かつ前記複数のワイヤのいずれかが接続される第２突出部と、を有し、
前記第２内リードの前記第２突出部は、前記第１方向に延びる第２区間を含む第２屈曲部を有し、
前記複数のワイヤのいずれかが前記第２屈曲部に接続されており、
前記厚さ方向に視て、前記第２屈曲部に接続された前記複数のワイヤのいずれかのボンディング部は、前記複数の孔の外側に位置しており、
前記第３方向において、前記第２内リードは、前記半導体レーザチップと前記第２外リードとの間に位置しており、
前記第２方向において、前記第２内リードの前記端子部は、前記第２外リードの前記端子部よりも前記チップ表面から遠くに位置する、請求項２ないし７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
前記厚さ方向に視て、前記第２屈曲部に接続された前記複数のワイヤのいずれかのボンディング部は、前記第２外リードの前記第２突出部に接続された前記複数のワイヤのいずれかのボンディング部よりも前記第１方向に位置する、請求項８に記載の半導体レーザ装置。
前記第２屈曲部は、前記第２屈曲部の先端に位置し、かつ前記厚さ方向において前記ベースが位置する側とは反対側に突出する第２接続部を有し、
前記第２接続部は、前記第１方向において扁平であり、
前記複数のワイヤのいずれかが前記第２接続部に接続されている、請求項９に記載の半導体レーザ装置。
前記厚さ方向における前記第２外リードの前記第２突出部の長さは、前記厚さ方向における前記第２内リードの前記第２突出部の長さよりも長い、請求項９に記載の半導体レーザ装置。
前記厚さ方向における前記第１突出部の長さは、前記厚さ方向における前記第２突出部の長さよりも長い、請求項８ないし１１のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
前記厚さ方向に視て、前記第１外リードの前記第１突出部に接続された前記複数のワイヤのいずれかのボンディング部は、前記第１領域に位置しており、
前記厚さ方向に視て、前記第２外リードの前記第２突出部に接続された前記複数のワイヤのいずれかのボンディング部と、前記第２屈曲部に接続された前記複数のワイヤのいずれかのボンディング部とは、前記第２領域に位置する、請求項８ないし１２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
前記ステムは、前記厚さ方向において前記ベースを基準として前記半導体レーザチップが位置する側とは反対側において前記ベースに接合され、かつ前記厚さ方向に延びる共通リードを有し、
前記厚さ方向に視て、前記共通リードは、前記ヒートシンクに重なっており、
前記共通リードおよび前記第１内リードは、前記第３方向に沿って配列されている、請求項２ないし１３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
前記共通リードは、前記ベースおよび前記ヒートシンクを介して前記半導体レーザチップに導通している、請求項１４に記載の半導体レーザ装置。