JP2022090839A - 半導体パッケージ用ステム - Google Patents

半導体パッケージ用ステム Download PDF

Info

Publication number
JP2022090839A
JP2022090839A JP2020203393A JP2020203393A JP2022090839A JP 2022090839 A JP2022090839 A JP 2022090839A JP 2020203393 A JP2020203393 A JP 2020203393A JP 2020203393 A JP2020203393 A JP 2020203393A JP 2022090839 A JP2022090839 A JP 2022090839A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate body
frame body
stem
semiconductor package
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020203393A
Other languages
English (en)
Inventor
渉 片山
Wataru Katayama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2020203393A priority Critical patent/JP2022090839A/ja
Priority to TW110101911A priority patent/TW202224118A/zh
Priority to CN202110072098.1A priority patent/CN114614339A/zh
Priority to US17/153,004 priority patent/US11373961B1/en
Publication of JP2022090839A publication Critical patent/JP2022090839A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/045Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads having an insulating passage through the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/055Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49558Insulating layers on lead frames, e.g. bridging members
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562Protection against mechanical damage
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

【課題】キャップが接合される対象物の反りを抑制した半導体パッケージ用ステムを提供すること。【解決手段】本半導体パッケージ用ステムは、板体と、平面視で前記板体の外周側に位置し、前記板体に接合された枠体と、前記板体及び前記枠体と絶縁された状態で保持されたリード端子と、を有し、前記板体は、前記枠体の上面及び下面から突出し、前記上面からの突出量と前記下面からの突出量が等しい。【選択図】図2

Description

本発明は、半導体パッケージ用ステムに関する。
発光素子等の半導体素子を搭載する半導体パッケージ用ステムにおいて、例えば、長方形のベースに貫通孔を形成し、貫通孔内にリード端子をガラス封止した構造が知られている。ベースは半導体素子を搭載する素子搭載面を有している。この半導体パッケージ用ステムは、ベースの素子搭載面に半導体素子を搭載してリード端子と電気的に接続後、ベースの周縁部にキャップを溶接等により接合し、半導体パッケージとなる(例えば、特許文献1参照)。
特開2004-235212号公報
上記のような半導体パッケージ用ステムにおいて、ベースとキャップとを気密性を確保しつつ接合するためには、ベースの平面度が重要であるため、ベースの反りを抑制することが求められている。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、キャップが接合される対象物の反りを抑制した半導体パッケージ用ステムを提供することを課題とする。
本半導体パッケージ用ステムは、板体と、平面視で前記板体の外周側に位置し、前記板体に接合された枠体と、前記板体及び前記枠体と絶縁された状態で保持されたリード端子と、を有し、前記板体は、前記枠体の上面及び下面から突出し、前記上面からの突出量と前記下面からの突出量が等しい。
開示の技術によれば、キャップが接合される対象物の反りを抑制した半導体パッケージ用ステムを提供できる。
本実施形態に係る半導体パッケージ用ステムを例示する図(その1)である。 本実施形態に係る半導体パッケージ用ステムを例示する図(その2)である。
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
図1は、本実施形態に係る半導体パッケージ用ステムを例示する図(その1)であり、図1(a)は上面側から視た斜視図、図1(b)は下面側から視た斜視図である。図2は、本実施形態に係る半導体パッケージ用ステムを例示する図(その2)であり、図2(a)は上面側から視た部分断面斜視図、図2(b)は部分断面図である。
図1及び図2を参照すると、本実施形態に係る半導体パッケージ用ステム1は、板体10と、枠体20と、リード保持部材30と、複数のリード端子40と、封止部50とを有する。
板体10は、例えば、平面視で長方形状であり、上面10a及び下面10bを有する。板体10は、例えば、長手方向の長さが40mm~60mm程度、短手方向の長さが20mm~40mm程度、厚さが3mm~4mm程度である。
板体10の上面10aには、半導体レーザ等の半導体素子を複数個実装可能である。つまり、板体10の上面10aは、半導体素子を複数個実装可能な素子搭載面である。板体10の下面10bは、ヒートシンク等と熱的に接続し、半導体素子の熱を放散するための放熱面として利用してもよい。
搭載される半導体素子の放熱の観点から、板体10の熱伝導率は枠体20の熱伝導率よりも大きいことが好ましい。板体10の材料としては、例えば、セラミックや金属を用いることができるが、放熱性向上のためには金属を用いることが好ましい。好ましい金属としては、例えば、銅、銅合金等が挙げられる。
なお、本願において、平面視とは対象物を板体10の上面10aの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を板体10の上面10aの法線方向から視た形状を指すものとする。
枠体20は、平面視で板体10の外周側に位置し、板体10に接合されている。枠体20は、例えば、平面視で額縁状である。枠体20の外縁は、例えば、長手方向の長さが50mm~70mm程度、短手方向の長さが30mm~50mm程度、厚さが1mm~2mm程度である。枠体20の内縁は、板体10の大きさに合わせて決定され、板体10の外縁と同程度である。枠体20の材料としては、例えば、鉄やステンレス等の金属を使用できる。例えば、枠体20の内側面の全体が板体10の側面と接合されている。枠体20の内側面と板体10の側面との接合には、例えば、金属接合材を使用できる。金属接合材としては、例えば、銀ろうが挙げられる。
枠体20は、枠体20を上面20aから下面20bに貫通する複数の貫通孔20xを有している。貫通孔20xの平面形状は例えば円形であり、直径は例えば1.5mm~3.0mm程度である。枠体20の下面20bの各々の貫通孔20xの近傍には、リード保持部材30が接合されている。リード保持部材30の材料としては、例えば、鉄やステンレス等の金属を使用できる。枠体20とリード保持部材30は同一材料からなることが好ましい。これは、ろう付け時の熱膨張差による反りを低減するためである。
リード保持部材30は、例えば、円柱状の大径部31と、大径部31よりも径が小さい円柱状の小径部32が同心的に形成された部材である。小径部32が貫通孔20x内に挿入され、枠体20と接合されている。具体的には、小径部32の側面と貫通孔20xの内側面、及び大径部31の上面と枠体20の下面20bとが接合されている。枠体20とリード保持部材30との接合には、例えば、金属接合材を使用できる。金属接合材としては、例えば、銀ろうが挙げられる。
リード保持部材30は、大径部31及び小径部32を厚さ方向に貫通する貫通孔30xを有している。リード保持部材30は、貫通孔30xが貫通孔20xと連通するように、枠体20の下面20b側に固定されている。貫通孔30xには、リード端子40が挿入されている。リード端子40は、板体10、枠体20、及びリード保持部材30と絶縁された状態で保持されている。具体的には、リード端子40は、貫通孔20x及び貫通孔30xの内側面と接することなく、リード保持部材30の貫通孔30x内に保持されている。リード端子40は、板体10に搭載される半導体素子を外部と電気的に接続するための部材である。リード端子40の材料としては、コバール、鉄ニッケル合金等が挙げられる。
リード端子40の端部は、貫通孔30xより突出してもよい。また、リード端子40の端部は、枠体20の上面20aから突出してもよいが、枠体20の上面20aから突出しないように、リード保持部材30で保持されている方が、リード端子40の長さを短くできる点で好ましい。リード端子40の長さを短くすることにより、板体10に搭載される半導体素子とリード端子40とを超音波でワイヤーボンドする際に生じやすい超音波の周波数による共振を抑えることができる。リード保持部材30の厚さは、例えば、1mm~3mm程度である。リード保持部材30の厚さを1mm~3mm程度とすることにより、リード端子40をより強固に保持できる。
貫通孔30x内のリード端子40の外周側には絶縁性の封止部50が設けられている。つまり、リード端子40は、絶縁性の封止部50を介してリード保持部材30の貫通孔30x内に保持されている。貫通孔30xは、1つのリード端子40に対して1つずつ設けられることが好ましい。これにより、リード端子40とリード保持部材30との間を封止部50によって確実に封止できる。
封止部50の材料としては、例えば、ガラス材料を使用できる。板体10に搭載される半導体素子を気密封止するために、封止部50の材料は、リード保持部材30及びリード端子40と熱膨張係数が比較的近いことが好ましい。このような材料としては、例えば、ホウケイ酸ガラスが挙げられる。
半導体パッケージ用ステム1では、板体10は、枠体20よりも厚く形成されている。板体10の上面10a側は枠体20の上面20aから突出し、板体10の下面10b側は枠体20の下面20bから突出している。例えば、板体10の上面10a側の全体が枠体20の上面20aから突出すると共に、板体10の下面10b側の全体が枠体20の下面20bから突出する。
板体10の上面10a側の枠体20の上面20aからの突出量T1は、板体10の下面10b側の枠体20の下面20bからの突出量T2と等しい。突出量T1及び突出量T2は、例えば、0.5mm~1.5mm程度である。なお、本願において、突出量T1と突出量T2とが等しいとは、突出量T2が突出量T1±100μmの範囲内であること意味する。なお、突出量T1と突出量T2とを等しくするためには、板体10と枠体20との接合に、寸法精度のよい専用治具を用いることができる。
半導体パッケージ用ステム1は、板体10の上面10a(素子搭載面)に半導体素子を搭載してリード端子40と電気的に接続後、枠体20の上面20aにキャップを溶接等により接合し、半導体パッケージとなる。この際、板体10及び枠体20の反りが問題となる。板体10及び枠体20の反りが大きいと、枠体20の上面20aにキャップを溶接等により接合することが困難となる。
発明者らは、検討のため、枠体を板体よりも大きな長方形の第2板体に置き換え、第2板体上に長方形の板体を接合して板体の周囲に第2板体の外周部を露出させた比較用の半導体パッケージ用ステムAを作製した。板体は銅から作製し、第2板体は鉄から作製し、リード端子は第2板体の外周部に設けた貫通孔にガラスで封止した。半導体パッケージ用ステムAにおいて、板体及び第2板体の反りは200μm程度であった。この状態では、第2板体とキャップとを気密性を確保しつつ接合することが困難であった。
次に、発明者らは、半導体パッケージ用ステム1と同様に、板体を枠体の上面及び下面から突出させ、板体の枠体上面からの突出量と枠体下面からの突出量を等しくした構造の半導体パッケージ用ステムBを作製した。ただし、半導体パッケージ用ステムBでは、リード保持部材は用いずに、リード端子は枠体に設けた貫通孔にガラスで封止した。半導体パッケージ用ステムBでは、板体及び枠体の材料並びに枠体の厚さは、半導体パッケージ用ステムAと同じとし、板体の厚さは、枠体の上下面からの突出量が1mmとなるようにした。半導体パッケージ用ステムBにおいて、板体及び枠体の反りは100μm程度であった。この状態では、枠体とキャップとを気密性を確保しつつ接合することが可能であった。
次に、発明者らは、半導体パッケージ用ステム1を作製した。半導体パッケージ用ステム1は、鉄製のリード保持部材30を用いてリード端子40をガラスで封止した以外は半導体パッケージ用ステムBと同一条件で作製した。半導体パッケージ用ステム1において、板体10及び枠体20の反りは50μm以下であった。この状態では、枠体とキャップとを気密性を確保しつつ接合することが可能であり、気密性が一層向上した。
なお、反りの評価は、非接触3次元測定機による凹凸測定により行った。具体的には、板体の中で最も高さの低い点と最も高さの高い点との差を測定し、板体の反りの大きさとした。同様に、枠体の中で最も高さの低い点と最も高さの高い点との差とを測定し、枠体の反りの大きさとした。
一般に、半導体パッケージ用ステムにおいて、板体は放熱性を重視し、枠体はリード端子を封止する封止部との熱膨張率の差を利用した気密性を重視する。従って、板体と枠体には異なる材料が用いられる。そのため、板体と枠体との熱膨張率の相違により、例えば800℃付近でのろう付けにより応力を生じ、反りが発生する。
半導体パッケージ用ステム1のように、板体10を枠体20の上面10a及び下面10bから突出させ、上面20aからの突出量T1と下面20bからの突出量T2を等しくした構造では、枠体20の上下のバランスが向上する。そのため、板体10と枠体20との熱膨張率の相違による応力が緩和され、反りが抑制され、枠体20とキャップとの接合が可能になったと考えられる。
また、半導体パッケージ用ステム1では、1つのリード保持部材30に1本のリード端子40を挿入している。例えば、リード保持部材を複数の貫通孔が形成された1枚の板とし、各々の貫通孔にリード端子40を挿入する形態も考えられる。しかし、この場合、板状のリード保持部材を枠体20にろう付けする際の面積が大きくなるため、枠体20の反りに悪影響を及ぼす。半導体パッケージ用ステム1のように、1つのリード保持部材30に1本のリード端子40を挿入することで、リード保持部材30を枠体20にろう付けする際の面積を小さくできるため、枠体20の反りにたいする悪影響を低減できる。
以上、好ましい実施形態について詳説したが、上述した実施形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
1 半導体パッケージ用ステム
10 板体
10a、20a 上面
10b、20b 下面
20 枠体
20x、30x 貫通孔
30 リード保持部材
31 大径部
32 小径部
40 リード端子
50 封止部

Claims (8)

  1. 板体と、
    平面視で前記板体の外周側に位置し、前記板体に接合された枠体と、
    前記板体及び前記枠体と絶縁された状態で保持されたリード端子と、を有し、
    前記板体は、前記枠体の上面及び下面から突出し、前記上面からの突出量と前記下面からの突出量が等しい、半導体パッケージ用ステム。
  2. 前記板体は、平面視で長方形であり、前記枠体は、平面視で額縁状であり、
    前記枠体の内側面の全体が前記板体の側面と接合された、請求項1に記載の半導体パッケージ用ステム。
  3. 前記板体の上面側の全体が前記枠体の上面から突出すると共に、前記板体の下面側の全体が前記枠体の下面から突出する、請求項1又は2に記載の半導体パッケージ用ステム。
  4. 前記枠体を貫通する第1貫通孔を有し、
    第2貫通孔を有するリード保持部材を有し、
    前記リード保持部材は、前記第2貫通孔が前記第1貫通孔と連通するように、前記枠体の下面側に固定され、
    前記リード端子は、前記第1貫通孔及び前記第2貫通孔の内側面と接することなく、前記第2貫通孔内に保持される、請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体パッケージ用ステム。
  5. 前記リード端子の端部は、前記枠体の上面から突出しないように、前記リード保持部材で保持されている、請求項4に記載の半導体パッケージ用ステム。
  6. 前記リード端子は、絶縁性の封止部を介して前記第2貫通孔内に保持されている、請求項4又は5に記載の半導体パッケージ用ステム。
  7. 前記枠体と前記リード保持部材は同一材料からなる、請求項4乃至6の何れか一項に記載の半導体パッケージ用ステム。
  8. 前記板体及び前記枠体は金属であり、前記板体の熱伝導率は前記枠体の熱伝導率よりも大きい、請求項1乃至7の何れか一項に記載の半導体パッケージ用ステム。
JP2020203393A 2020-12-08 2020-12-08 半導体パッケージ用ステム Pending JP2022090839A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020203393A JP2022090839A (ja) 2020-12-08 2020-12-08 半導体パッケージ用ステム
TW110101911A TW202224118A (zh) 2020-12-08 2021-01-19 半導體封裝用管座
CN202110072098.1A CN114614339A (zh) 2020-12-08 2021-01-19 半导体封装用管座
US17/153,004 US11373961B1 (en) 2020-12-08 2021-01-20 Stem for semiconductor package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020203393A JP2022090839A (ja) 2020-12-08 2020-12-08 半導体パッケージ用ステム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022090839A true JP2022090839A (ja) 2022-06-20

Family

ID=81849237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020203393A Pending JP2022090839A (ja) 2020-12-08 2020-12-08 半導体パッケージ用ステム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11373961B1 (ja)
JP (1) JP2022090839A (ja)
CN (1) CN114614339A (ja)
TW (1) TW202224118A (ja)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128273A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Sharp Corp 発光素子
JP2004235212A (ja) 2003-01-28 2004-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気密端子とそれを用いた半導体装置
US20100252856A1 (en) * 2009-01-28 2010-10-07 Coretek Opto Corp. Header structure of opto-electronic element and opto-electronic element using the same
JP6430160B2 (ja) * 2014-07-07 2018-11-28 日本オクラロ株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法
JP7240160B2 (ja) * 2018-12-11 2023-03-15 新光電気工業株式会社 ステム

Also Published As

Publication number Publication date
US20220181272A1 (en) 2022-06-09
CN114614339A (zh) 2022-06-10
TW202224118A (zh) 2022-06-16
US11373961B1 (en) 2022-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6484588B2 (ja) 発光装置及び発光装置用パッケージ
JP6627988B2 (ja) 半導体パッケージ
JP2023096036A (ja) 発光装置
JP2019079847A (ja) 発光装置及びそれに用いる蓋体
JP6225834B2 (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
US11349278B2 (en) Stem for semiconductor package, and semiconductor package
CN112771738B (zh) 半导体激光装置
JP2016219461A (ja) 高周波高出力デバイス
JP7014645B2 (ja) 半導体発光装置
JP2022090839A (ja) 半導体パッケージ用ステム
JP6935251B2 (ja) 発光素子搭載用パッケージ
JP2010080562A (ja) 電子部品収納用パッケージ
JP2001035977A (ja) 半導体装置用容器
JP2007012718A (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP4678154B2 (ja) 半導体レーザパッケージおよび半導体レーザパッケージの製造方法
JP2019021769A (ja) 発光素子搭載用パッケージ
JP2007115793A (ja) 高放熱型電子部品収納用パッケージ
JP6485518B2 (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP7045204B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP2007048937A (ja) 半導体レーザおよびその製法
JP2019176116A (ja) 半導体装置及び半導体装置用パッケージの製造方法
JP2014003134A (ja) 高放熱型電子部品収納用パッケージ
JPWO2017038582A1 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP2006114601A (ja) 蓋体と電子部品用パッケージ
JP2016100535A (ja) 半導体装置用ステム及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230727

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240417

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240507